KR20040033524A - 중성입자 변환 효율이 향상된 중성입자 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- a) 급전봉을 통해 고주파 전원에 연결된 안테나가 부착된 안테나 지지패널을 포함하는 고주파 전원 도입부;b) 상기 고주파 전원 도입부의 하부에 위치하며, 내부 압력을 조절하는 유입 밸브 및 흡인 밸브에 각각 연결된 가스 공급구 및 배출구를 구비하고, 고주파 전원 도입부에서 도입된 고주파 전원을 이용하여 가스 공급구에서 유입된 가스를 플라즈마로 전환시켜 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부;c) 상기 플라즈마 생성부의 하부에 위치하며, 플라즈마 생성부에서 생성된 플라즈마와 충돌하여 중성입자로 변환시키는 중금속판을 포함하는 중성입자 생성부; 및d) 중성입자 생성부의 하부에 위치하며, 가스 공급구에 연결된 가스 도입실, 처리하고자 하는 피처리물을 탑재하는 탑재대 및 배기구를 구비하고, 중성입자 생성부에서 생성된 중성입자와 가스 도입실에서 공급된 가스를 이용하여 피처리체를 리하는 처리부를 포함하고,e) 상기 중금속판이 경사진 슬릿 또는 경사진 홀 형태의 관통구를 갖는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치
- 제1항에 있어서, 상기 안테나 수납실의 일정한 감압 분위기를 유지하기 위한 감압 수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 중성입자 생성부가 플라즈마 생성부에 인접한 제1 반사판 및 그 하부에 위치하는 제2 반사판을 포함한 적어도 2개 이상의 반사판을 구비하고, 상기 제2 반사판이 중금속으로 이루어진 경사진 슬릿 또는 경사진 홀 형태의 관통구를 갖는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 중성입자 생성부가 3개의 반사판을 포함하고, 플라즈마 생성부에 인접한 제1 반사판은 수직 홀 또는 수직 슬릿형태의 관통구를 갖고, 제2 반사판은 중금속으로 이루어진 경사진 홀 또는 경사진 슬릿형태의 관통구를 갖고, 제3 반사판은 중성입자의 지향성을 향상시키기 위해 홀의 지름에 비해 깊이가 큰 원통형 관통구를 갖는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 중성입자 생성부가 3개의 반사판을 포함하고, 플라즈마 생성부에 인접한 제1 반사판은 경사진 홀 또는 경사진 슬릿형태의 관통구를 갖는 중금속판이고, 제2 반사판은 수직 홀 또는 수직 슬릿형태의 관통구를 갖고, 제3 반사판은 중성입자의 지향성을 향상시키기 위해 홀의 지름에 비해 깊이가 큰 원통형 관통구를 갖는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 중성입자 생성부에 플라즈마 생성부에서 생성된 플라즈마를 가속하기 위한 음의 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 중금속판이 탄탈룸, 몰리브덴, 금, 백금, 텅스텐 및 이들의 합금을 그 재질로 갖거나 이들에 의해 코팅된 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 반사판의 관통구가 반사판 면에 경사진 다수의 슬릿으로 된 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 반사판의 관통구가 반사판 면에 경사진 다수의 홀로 된 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 생성부 챔버의 내벽이 산소, 불소, 염소 가스 등에 부식성이 없는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 처리부의 피처리물을 탑재하는 탑재대가 회전 또는 수평으로 진동시키는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 처리부의 탑재대에 피처리체의 표면 온도를 높일 수 있는 가열 수단이 연결된 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 처리부의 탑재대 위에 피처리체를 놓고 배율이 1인 스텐실(stencil) 마스크(mask)를 피처리체에 대고, 에너지를 가진 중성입자 빔을 이용하여 리소그라피 공정을 수행하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 중성입자 처리 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0062648A KR100476903B1 (ko) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | 중성입자 변환 효율이 향상된 중성입자 처리 장치 |
PCT/KR2003/002146 WO2004036611A2 (en) | 2002-10-15 | 2003-10-15 | Neutral particle beam processing apparatus with enhanced conversion performance from plasma ions to neutral particles |
AU2003269548A AU2003269548A1 (en) | 2002-10-15 | 2003-10-15 | Neutral particle beam processing apparatus with enhanced conversion performance from plasma ions to neutral particles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0062648A KR100476903B1 (ko) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | 중성입자 변환 효율이 향상된 중성입자 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040033524A true KR20040033524A (ko) | 2004-04-28 |
KR100476903B1 KR100476903B1 (ko) | 2005-03-17 |
Family
ID=32105580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0062648A KR100476903B1 (ko) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | 중성입자 변환 효율이 향상된 중성입자 처리 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100476903B1 (ko) |
AU (1) | AU2003269548A1 (ko) |
WO (1) | WO2004036611A2 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100714898B1 (ko) * | 2005-01-21 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 처리방법 |
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US8715472B2 (en) | 2005-03-07 | 2014-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing methods for reflectors |
US10692686B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-06-23 | Jehara Corporation | Surface treatment apparatus using plasma |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100555849B1 (ko) | 2003-11-27 | 2006-03-03 | 주식회사 셈테크놀러지 | 중성입자빔 처리장치 |
US7358484B2 (en) | 2005-09-29 | 2008-04-15 | Tokyo Electron Limited | Hyperthermal neutral beam source and method of operating |
CN102290314B (zh) * | 2011-09-26 | 2013-12-25 | 中国科学院微电子研究所 | 产生中性粒子束的装置及方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05326452A (ja) * | 1991-06-10 | 1993-12-10 | Kawasaki Steel Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
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-
2002
- 2002-10-15 KR KR10-2002-0062648A patent/KR100476903B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-10-15 AU AU2003269548A patent/AU2003269548A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-15 WO PCT/KR2003/002146 patent/WO2004036611A2/en not_active Application Discontinuation
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US10692686B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-06-23 | Jehara Corporation | Surface treatment apparatus using plasma |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2003269548A8 (en) | 2004-05-04 |
AU2003269548A1 (en) | 2004-05-04 |
WO2004036611A2 (en) | 2004-04-29 |
KR100476903B1 (ko) | 2005-03-17 |
WO2004036611A3 (en) | 2004-06-24 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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