KR20000063075A - 플라즈마 보강된 반도체 웨이퍼 처리 시스템에서의토포그라피에 의존한 차징 효과를 감소하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하면서 생긴 전하를 제거하는 방법으로, 토포그라피에 의존한 차징을 야기할 수 있는 방식으로 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 단계와, 반도체 웨이퍼가 플라즈마 처리되어지는 시간중 적어도 일부분 동안 반도체 웨이퍼로부터 전하를 제거하고 토포그라피에 의존한 차징을 감소하도록 반도체 웨이퍼를 입자에 노출하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 시스템 및, 특히 플라즈마 보강된 반도체 웨이퍼 처리 시스템에서의 토포그라피에 의존한 차징 효과를 감소하기 위한 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼상에 제조된 구조물의 크기를 작게할 때, 차징 손상은 중요한 문제가 된다. 차징 손상은 일반적으로 플라즈마 보강된 프로세스(처리)를 사용해서 반도체 웨이퍼상에 형성되어 있는 구조물이 구조물의 불균일 차징을 야기하고 구조물상에 전압차가 형성될 때 일어난다. 이런 전압차는 구조물을 손상하는 구조물내의 높은 전류 또는 아크를 만들 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 에칭 프로세스는 구조물 차징에 의해 생성된 파울더 노르드헴(Fowler-Nordheim) 전류에 의해서 트랜지스터 구조물의 게이트 산화물을 손상할 수 있다.
전자 셰이딩은 구조적 차징의 주요 기여자중 하나이다. 전자 셰이딩은 높은 종횡비를 가지는 조밀한 라인 패턴을 가지는 구조물의 형성에 의해 발생된다. 전자 셰이딩은 플라즈마내에 포함된 이온의 이방성 이동과 대조적으로, 플라즈마 처리동안 처리 챔버내의 전자의 등방성 이동의 결과이다. 전자는 구조물의 측벽과 다른 수직면에 충돌하고 구조물을 차징한다. 그러나, 이들 구조물의 높은 종횡비는 플라즈마에 가까운 상부분이 구조물의 "디프(deep)"부분보다 더 많은 전자에 의해 충돌되도록 한다. 이와 같이, 디프 부분의 "셰이딩(shading)"은 구조물의 전압 차이의 결과이다. 이런 구조물 차징은 웨이퍼를 처리하기 위해서 어떠한 플라즈마 프로세스의 사용으로도 발생될 수 있다. 결국, 많은 플라즈마 프로세스는 반도체 웨이퍼상의 구조물의 토포그라피에 의존한 차징 손상을 야기할 수 있다. 토포그라피에 의존한 차징은 다음과 같은 반도체 웨이퍼 처리의 많은 문제점을 부과한다. 이런 문제점은 전자 셰이딩 손상, 노치, 프로필 제어의 손실, 종횡비 의존 에칭, 에칭 스톱, 마이크로로딩, 포토레지스트 선택성 감소, 포토레지스트 흠 및 에칭 속도 감소를 포함한다.
그러므로, 이 기술분야에서는 토포그라피에 의존한 차징을 감소하는 방법이 필요하다.
도 1은 본 발명을 실행하는데 사용된 도시적인 반도체 웨이퍼 처리 챔버의 개략도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예를 도시하는 플루우 다이어그램.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예를 도시하는 플루우 다이어그램.
종래 기술과 관련된 단점은 토포그라피에 의존한 차징을 감소하는 방법의 본 발명에 의해 극복된다. 본 발명은 구조물을 포함하는 반도체 웨이퍼를 구조물이 전기 차징을 야기하도록 플라즈마에 노출하는 단계를 포함하고, 그 다음 반도체 웨이퍼를 구조물로부터 전기 전하를 제거하도록 입자 소오스에 노출하는 단계를 포함한다. 이 방법으로 구조물을 방출함으로써, 구조물은 차징 손상을 받지 않을 것이다. 본 발명의 한 실시예는 웨이퍼를 입자의 소오스(광자)로서 자외선광에 노출하며, 본 발명의 다른 실시예는 웨이퍼를 이온의 플라즈마에 노출한다. 입자로의 노출은 웨이퍼의 플라즈마 처리 동안 또는 플라즈마 처리가 차징 손상을 야기할 것으로 예상될 때의 시간 동안 연속적으로 일어날 수 있다.
본 발명은 첨부도면과 연결하여 아래의 상세한 설명을 참고하면 보다 이해하기 쉽게 이해될 것이다.
도 1은 플라즈마 보강 반도체 웨이퍼 처리 시스템(100)의 개략도를 도시한다. 도시한 시스템은 유도적으로 결합한 플라즈마 에칭 시스템을 도시한다. 그러나, 본 발명은 플라즈마 보강 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 플라즈마 에칭 등을 수행하는 시스템과 같은 어떠한 플라즈마 보강된 반도체 웨이퍼 처리 시스템에도 적용가능한다. 간략하게 말하면, 본 발명은 반도체 웨이퍼에 구조물의 토포그라피에 의존한 차징을 야기할 수 있는 어떠한 시스템에도 이익이 된다.
시스템(100)은 처리 챔버(102), 소오스 전원(106), 바이어스 전원(108) 및 제어기(104)를 포함한다. 처리 챔버(102)는 페데스탈(120), 안테나(110), 광원(112), 가스 공급부(134) 및, 상부(128), 원통형 측벽(130)과 바닥(132)으로 형성된 처리 볼륨(116)을 포함한다. 소오스 전원(106)은 RF 신호(예, 2 MHz)를 안테나(110)에 결합한다. 상부(120)근방에 위치된 다수의 권선수를 가진 안테나(110)는 볼륨(116)내에 위치된, 반응 가스(또는 가스들)(예, 염소)를 여기시켜 플라즈마(136)를 형성하는 RF자기장을 생성한다. 차징 손상에 민감한 집적 회로 구조물(138)을 포함하는 반도체 웨이퍼(118)는 페데스탈(120)상에 지지된다. 웨이퍼(118)는 플라즈마에 노출되어 웨이퍼(118)의 처리를 용이하게 한다. 페데스탈과 그러므로 웨이퍼는 바이어스 전원(108)에 의해 페데스탈(120)에 공급된 RF 신호(예, 13.56 MHz)에 의해 바이어스된다.
본 발명의 제 1실시예에서, 광원(112)은 볼륨(116)으로 방출되어 웨이퍼(118)에 충돌하는 입자의 소오스를 형성한다. 광원(112)은 자외선을 방출하는 하나 이상의 램프이다. 이런 램프중 하나는 수은 모세관 램프이다. 다른 소오스는 또한 충분한 에너지의 광자 또는 입자들을 생성하는데 이용가능하다. 광자는 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시광선, 자외선, 진공 자외선 밴드내에 있을 수 있다. 추가로, 광자의 수 또는 에너지는 특정 프로세스 동안 전하 제거를 최적으로 하도록 변조(조정)될 수 있다. 또한 입자의 소오스는 입자의 수, 에너지 또는 세기를 일시적으로 변경하도록 조절될 수 있다. 추가로, 바람직한 파장에서 플라즈마의 방출을 보강하도록 특정 화학물이 플라즈마 영역에 추가될 수 있으며 또는 현재 사용된 가스가 증가될 수 있다.
도시적인 실시예에서, 싱글 램프(112)는 자외선에 투명한 윈도우(114)에 근접한 챔버(102)의 상부(128)에 위치설정되어 있다. 램프(112)로부터 나온 광자(화살표 140으로 도시함)는 윈도우(114)를 통해서 볼륨(116)으로 통과한다. 광자는 구조물(138)에 충돌하고 구조물에 축적되어진 전기 전하를 제거한다. 램프(112)는 플라즈마 처리의 전체 주기 동안 웨이퍼(118)를 조사하며, 또는 조사는 차징 효과를 가져올 수 있다고 예상되는 처리의 주기 동안만 사용될 수 있다.
제어기(104)는 시스템(100)의 자동화 제어를 제공한다. 제어기(104)는 메모리(124)와 지지 회로(126)에 연결되어 있는 중앙 처리 유닛(CPU)(122)을 포함한다. 제어기(104)는 메모리(124)내에 저장된 특정 프로그램을 실행할 때 특정 목적의 컴퓨터가 되는 일반적인 목적의 컴퓨터이다. 메모리(124)는 무작위 접근 메모리, 판독전용 메모리, 디스크 드라이브 저장기, 또는 디지털 프로그램을 저장하는데 사용된 어떠한 다른 형태의 저장기 또는 이들의 조합이 될 수 있다. 지지 회로(126)는 캐시, 전원, 시계 회로, 버스 등을 포함하는 컴퓨터의 잘 알려진 부품이다. 본 발명의 방법은 메모리(124)내에 저장되는 프로그램(142)의 전체 또는 부분적으로 실시될 수 있다. 소프트웨어 프로그램으로서 실시한 것을 도시할지라도, 본 발명의 방법은 소프트웨어, 하드웨어 또는 이들의 조합에 의해 수행되는 단계를 포함한다.
도 2는 본 발명의 도시적인 제 1실시예의 루틴(200)의 플루우 다이어그램을 도시한다. 루틴은 단계(202)에서 시작하여 단계(204)로 진행하며, 여기서 웨이퍼는 처리챔버내에서 여기 되어지는 플라즈마에 의해 처리된다. 이 기술분야의 숙련된 자는 처리챔버내에 플라즈마를 여기시키는데 통상적으로 다수의 단계, 즉, 반응 가스(예, 염소)를 공급하는 단계, 전원을 안테나에 공급하는 단계, 바이어스 전압을 페데스탈에 공급하는 단계 등이 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 이들 단계는 이 기술분야에서는 잘 알려져 있기 때문에 추가의 설명을 하지 않겠다.
플라즈마가 한번 여기 되면, 웨이퍼는 토포그라피에 의존한 차징을 야기할 수 있는 방식으로 처리되어지기 시작하며, 예를 들면, 금속은 웨이퍼로부터 에칭되어 차징을 받을 수 있는 라인 패턴을 형성한다. 제 1실시예의 루틴은 웨이퍼 처리 주기에서 입자 발생기를 활성하며, 예들 들어, 자외선 램프는 웨이퍼가 높은 에너지 광자로 조사되도록 활성한다. 입자, 예들 들어, 광자는 토포그라피에 의존한 차징을 감소하도록 형성되어진 구조물상의 어떠한 전하도 제거한다.
광자의 또 다른 소오스는 약간의 파장의 빛을 방출하는 반응 가스내에 특정 전위(specific transition)를 일으키도록 챔버의 소오스 영역으로 주사되어지는 전자 빔 또는 프로세스 플라즈마 자체일 수 있다. 플라즈마에 의해 방출된 광자를 보강하기 위해서, 화학물(기체 또는 다른 것)은 플라즈마에 추가되어 추가의 광자 및/또는 높은 에너지를 가진 광자는 플라즈마로부터 방출될 수 있다.
구조물 전하를 제거하는데 효과적인 다른 입자는 웨이퍼를 처리하는데 형성되어진 플라즈마내에 생성되어진 이온을 포함한다. 구조물로부터 전하를 제거하기에 충분한 에너지를 가진 이온을 생성하기 위해서, 이온은 일반적으로 웨이퍼를 에칭 또는 다른 프로세스에 사용되는 전압 레벨이상으로 바이어스 전압을 증가함으로써 통상적으로 가속된다. 추가로, 특정 가스 또는 가스들은 처리 플라즈마에 추가되어 웨이퍼 처리동안 구조물 전하를 제거하는 이온의 발생을 용이하게 할 수 있다. 또한 전하 제거 입자는 원격 플라즈마 소오스내에 형성되어 처리 챔버로 보내질 수 있다. 입자는 웨이퍼 바이어싱 또는 다른 이온 가속 기술을 통해서 웨이퍼상의 구조물을 향해서 가속될 수 있다. 총괄해서 말하면, 본 발명의 범주는 반도체 웨이퍼상의 구조물로부터 전하를 제거하는 어떠한 입자 또는 에너지의 소오스를 포함하는 것으로 생각된다. 단계(208)에서, 프로세스는 멈추고 루틴은 처리되어질 다음 웨이퍼를 기다린다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예의 루틴(300)의 플루우 다이어그램을 도시한다. 루틴(300)은 단계(302)에서 시작하여 단계(304)로 진행하며, 여기서 웨이퍼는 처리된다. 웨이퍼가 진행되면, 처리 진행과정은 단계(306)에서 광방출 분광기 또는 다른 모니터 프로세스 기술을 사용해서 모니터된다. 모니터 프로세스 기술이 프로세스내의 주기가 차징 손상을 일으킬 수 있게 근접하고 있는 지를 결정할 때, 예들 들어, 금속 에칭 시스템내의 주 에칭으로부터 오버 에칭으로의 전위를 결정할 때, 루틴(300)은 단계(308)에서 구조물상의 전하를 제거하도록 활성한다. 이와 같이, 입자 발생기, 예들 들어 자외선 램프는 차징 손상이 일어난다고 예상될 때만 활성된다. 루틴은 단계(310)에서 끝난다. 본 발명의 제 2실시예는 차징 제거 입자를 적용하도록 약간의 시간 주기를 선택하며(일시적인 선택), 그러나, 입자는 또한 입자가 구조물을 선택적으로 방출하도록 구조물의 약간의 부분에 초점맞추어지도록 기하학적인 선택 방법으로 적용될 수 있다. 또한 본 발명의 범주내에는 적용가능한 포스트-플라즈마 처리 방법으로 웨이퍼로부터 전하를 제거하는 것도 포함된다. 이와 같이, 웨이퍼는 웨이퍼의 플라즈마 처리가 완성되어진 후에 전하를 제거하도록 입자에 노출되고 있다. 이런 프로세스는 도 2의 점선 화살표(208)에 의해 도시되어 있다.
본 발명의 특정 분야에서, 램프는 3kW 수은 램프는 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드에 의해 제조된 DPS 에칭 반응기의 돔의 중심에 위치된 윈도우에 결합되어 있다. 주 에칭의 80% 후 알루미늄 스택을 에칭하는데 사용된 프로세스 조건은 다음과 같다.
챔버 압력 : 40mT
바이이스 전압 : 400 와트
소오스 전압 : 600 와트
반응 가스 : Cl2/BCl2/Ar
UV 램프가 전체 에칭 프로세스 동안 활성되면, UV 조사의 사용으로 조사를 하지 않은 프로세스와 비교해서 웨이퍼상의 다이의 많은 수가 손상되지 않은 결과를 가져온다. 다른 가능한 개선은 ARDE 효과 감소, 포토레지스트가 에칭될 때 UV광선에 포토레지스트 마스크의 노출시 발생하는 포토레지스트 경화에 의해서 에칭 선택성 개선, 경화 포토레지스트에 의한 산화물 흠 감소, 에칭 속도 증가 및 기형 구조물의 감소를 포함한다.
에칭 프로세스가 토포그라피에 의존한 차징 효과를 감소하도록 본 발명을 사용하는 도시적인 예로서 기술되어 있어도, 본 발명은 토포그라피에 의존한 차징 효과를 내는 어떠한 프로세스에서도 사용할 수 있다. 예들 들어, 이런 차징 효과는 갭 충진 프로세스에서 일어나는 것으로 알려져 있다.
본 발명의 내용을 사용하는 다양한 실시예가 여기에 도시되고 상세히 설명되어 있어도, 이 기술분야의 숙련된 자는 본 발명의 내용을 여전히 사용하는 다른 변경 실시예를 쉽게 발명할 수 있다.
본 발명의 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼가 플라즈마 처리되어지는 시간중 적어도 일부분 동안 반도체 웨이퍼로부터 전하를 제거하고 토포그라피에 의존한 차징을 감소한다.
Claims (30)
- 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하면서 생긴 전하를 제거하는 방법에 있어서,토포그라피에 의존한 차징을 야기할 수 있는 방식으로 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 단계와,상기 반도체 웨이퍼로부터의 전하를 제거하고 토포그라피에 의존한 차징을 감소하도록 반도체 웨이퍼를 입자에 노출하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 노출하는 단계는 상기 반도체 웨이퍼가 플라즈마 처리되어지는 시간중 적어도 일부분 동안 수행되는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 입자는 광자인 방법.
- 제 1항에 있어서, 광자를 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는데 사용된 플라즈마와 다른, 소오스에 의해 생성하는 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 소오스는 램프인 방법.
- 제 2항에 있어서, 광자를 상기 플라즈마에 하나 이상의 추가의 화학물을 추가함으로써 생성하는 방법.
- 제 2항에 있어서, 광자를 상기 플라즈마내의 표준 프로세스 화학물의 량을 증가함으로써 생성하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 노출하는 단계를 차징을 야기할 수 있는 플라즈마 프로세스의 주기 동안만 수행하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 노출하는 단계를 차징 효과를 야기할 수 있는 플라즈마 프로세스의 주기 동안만 수행하는 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 주기는 주 에칭과 오버 에칭사이의 전위 주기인 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 주기는 오버 에칭 주기인 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 주기는 포스트 에칭 주기인 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 입자는 상기 웨이퍼상에 가속된 이온인 방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 광자는 적외선, 자외선, 진공 자외선 및 가시광선 밴드를 포함하는 전자기 스펙트럼의 하나 이상의 밴드로부터 선택되는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 입자의 에너지가 조정가능한 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 입자의 수가 조정가능한 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 입자의 소오스를 조절하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하면서 생긴 전하를 제거하는 방법에 있어서,토포그라피에 의존한 차징을 야기할 수 있는 방식으로 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 단계와,상기 반도체 웨이퍼가 플라즈마 처리되어지는 시간중 적어도 일부분 동안, 상기 반도체 웨이퍼로부터의 전하를 제거하고 토포그라피에 의존한 차징을 감소하도록 반도체 웨이퍼를 광자에 노출하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 광자를 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는데 사용된 플라즈마와 다른, 소오스에 의해 생성하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 소오스는 램프인 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 광자를 상기 플라즈마에 하나 이상의 추가의 화학물을 추가함으로써 생성하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 노출하는 단계를 차징을 야기할 수 있는 플라즈마 프로세스의 주기 동안만 수행하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 노출하는 단계를 차징 효과를 야기할 수 있는 플라즈마 프로세스의 주기 동안만 수행하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 상기 주기는 주 에칭과 오버 에칭사이의 전위 주기인 방법.
- 제 22항에 있어서, 상기 주기는 오버 에칭 주기인 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 광자는 적외선, 자외선, 진공 자외선 및 가시광선 밴드를 포함하는 전자기 스펙트럼의 하나 이상의 밴드로부터 선택되는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 광자의 수를 제어하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 광자의 소오스를 조절하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 광자의 에너지를 제어하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 일반적인 목적의 컴퓨터가, 일반적인 목적의 컴퓨터에서 실행될 때,토포그라피에 의존한 차징을 야기할 수 있는 방식으로 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 단계와,상기 반도체 웨이퍼가 플라즈마 처리되어지는 시간중 적어도 일부분 동안, 상기 반도체 웨이퍼로부터의 전하를 제거하고 차징 효과를 제거하도록 반도체 웨이퍼를 입자에 노출하는 단계를 포함하는 방법을 수행할 수 있게 하는 프로그램을 포함하는 데이터 저장 매체.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100687501B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-02-27 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 식각 설비 및 그 설비에서의 잔류전하 제거방법 |
| KR100816231B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294590B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-11-13 | Hermes-Microvision, Inc. | System and method for removing charges with enhanced efficiency |
| US7312865B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for in situ monitoring of chamber peeling |
| DE102005030588B4 (de) * | 2005-06-30 | 2008-10-16 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Technik zum Reduzieren des Ätzschadens während der Herstellung von Kontaktdurchführungen und Gräben in Zwischenschichtdielektrika |
Family Cites Families (16)
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|---|---|---|---|---|
| US3789370A (en) * | 1972-07-18 | 1974-01-29 | Minnesota Mining & Mfg | Multiple electron mirror apparatus and method |
| US4525375A (en) * | 1983-03-28 | 1985-06-25 | Rca Corporation | Method of controllong the deposition of hydrogenated amorphous silicon and apparatus therefor |
| US4699689A (en) | 1985-05-17 | 1987-10-13 | Emergent Technologies Corporation | Method and apparatus for dry processing of substrates |
| JPH04111312A (ja) | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工装置及び方法 |
| CA2065581C (en) | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
| JPH05251408A (ja) | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Ebara Corp | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
| EP0671871B1 (en) * | 1992-08-14 | 2003-07-02 | Takasago Netsugaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for producing ionised gas by use of x-rays, and various apparatuses and structures using it |
| TW277139B (ko) * | 1993-09-16 | 1996-06-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
| JP2659919B2 (ja) * | 1994-01-13 | 1997-09-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | プラズマの不均一性を補正するプラズマ装置 |
| US5759424A (en) * | 1994-03-24 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and processing method |
| JP2845163B2 (ja) | 1994-10-27 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| US5765073A (en) * | 1995-04-10 | 1998-06-09 | Old Dominion University | Field controlled plasma discharge printing device |
| KR100218269B1 (ko) | 1996-05-30 | 1999-09-01 | 윤종용 | 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법 |
| US5736732A (en) * | 1996-12-23 | 1998-04-07 | General Electric Company | Induced charge prevention in semiconductor imaging devices |
| US5844282A (en) * | 1997-03-28 | 1998-12-01 | Nec Corporation | Semiconductor device having field effect transistor connected at gate electrode to protective junction diode discharging in the presence of light |
| JPH11260897A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置 |
-
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-
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687501B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-02-27 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 식각 설비 및 그 설비에서의 잔류전하 제거방법 |
| KR100816231B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
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