JPH0770513B2 - エッチングの方法およびエッチング装置 - Google Patents
エッチングの方法およびエッチング装置Info
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- JPH0770513B2 JPH0770513B2 JP60099555A JP9955585A JPH0770513B2 JP H0770513 B2 JPH0770513 B2 JP H0770513B2 JP 60099555 A JP60099555 A JP 60099555A JP 9955585 A JP9955585 A JP 9955585A JP H0770513 B2 JPH0770513 B2 JP H0770513B2
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 44
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は材料基板のドライエッチング方法に係り、特に
深さ制御に優れた異方性エッチングの新規な方法に関す
る。
深さ制御に優れた異方性エッチングの新規な方法に関す
る。
半導体のドライエツチング法では従来プラズマ化学エツ
チング、スパツタエツチング、などが知られている。こ
れらの利用している物理的な現象を簡単に説明すると、
スパツタ法については第１図に示す如く、被エツチング
物（以下基板と称す）10に高エネルギー粒子11を照射
し、その運動エネルギーを基板に与えることによつて基
板の構成元素の結合を切断し、その構成元素の原子ある
いはクラスター12の形で基板10より離脱するという効果
の繰り返しであると考えることができる。高エネルギー
粒子11は加速されたイオン流の形で与えられるか、プラ
ズマ中の高速イオンを利用することが行われる。
チング、スパツタエツチング、などが知られている。こ
れらの利用している物理的な現象を簡単に説明すると、
スパツタ法については第１図に示す如く、被エツチング
物（以下基板と称す）10に高エネルギー粒子11を照射
し、その運動エネルギーを基板に与えることによつて基
板の構成元素の結合を切断し、その構成元素の原子ある
いはクラスター12の形で基板10より離脱するという効果
の繰り返しであると考えることができる。高エネルギー
粒子11は加速されたイオン流の形で与えられるか、プラ
ズマ中の高速イオンを利用することが行われる。
一方、プラズマ化学エツチングは、基板表面での化学変
化を利用し、基板の構成元素を含む、より揮発性の低分
子化合物を生成させることによつてエツチングを進行さ
せるものである。
化を利用し、基板の構成元素を含む、より揮発性の低分
子化合物を生成させることによつてエツチングを進行さ
せるものである。
これら従来の方法では、エツチングの量すなわちエツチ
ング深さを制御するのに、供給する粒子の量、エネルギ
ーおよび時間という因子を利用していた。具体的に説明
すると、プラズマを形成するための外部条件、すなわ
ち、圧力、投入電力等を調整することにより、基板に入
射する反応種の量を定常的に保ち、照射時間を変えるこ
とにより、所望の深さのエツチングを行つていた。この
ような従来の技術として、特開昭55−61027号公報に開
示されたものがある。
ング深さを制御するのに、供給する粒子の量、エネルギ
ーおよび時間という因子を利用していた。具体的に説明
すると、プラズマを形成するための外部条件、すなわ
ち、圧力、投入電力等を調整することにより、基板に入
射する反応種の量を定常的に保ち、照射時間を変えるこ
とにより、所望の深さのエツチングを行つていた。この
ような従来の技術として、特開昭55−61027号公報に開
示されたものがある。
しかし、半導体集積回路が微細になり、極めて微小な凹
凸を形成する目的には従来の方式では次の様な困難な点
が出てきている。
凸を形成する目的には従来の方式では次の様な困難な点
が出てきている。
まず、微細なパターンをアスペクト比を大きく加工する
ため、加工表面積の変化が大きく、ローデイングフエク
トと呼ばれる加工面積依存性がでてきて、例えばエツチ
ング深さが時間に比例しなくなり、加工深さの制御が困
難になる。さらにこの効果はパターンの粗な領域と密な
領域とで差があり、ウエーハ加工の均一性も損われる。
また、加工深さのモニターも加工穴が深くなるに従い困
難となるなどの問題点もある。
ため、加工表面積の変化が大きく、ローデイングフエク
トと呼ばれる加工面積依存性がでてきて、例えばエツチ
ング深さが時間に比例しなくなり、加工深さの制御が困
難になる。さらにこの効果はパターンの粗な領域と密な
領域とで差があり、ウエーハ加工の均一性も損われる。
また、加工深さのモニターも加工穴が深くなるに従い困
難となるなどの問題点もある。
本発明の目的は、従来の方式に付随するかかる問題点を
解決し、パターンの粗細に拘り無く高精度のエツチング
加工が可能で、特に深さ方向の加工制御性に優れた新規
な方式を提供することにある。
解決し、パターンの粗細に拘り無く高精度のエツチング
加工が可能で、特に深さ方向の加工制御性に優れた新規
な方式を提供することにある。
本発明によるエツチング方式は、高エネルギー粒子が半
導体表面に照射されたときに生ずる損傷層の厚さの再現
性と、損傷層のエツチング速度が増加するという現象を
組み合わせ、高エネルギー粒子の照射と損傷層のエツチ
ング除去と繰り返すことによつて所望深さのエツチング
加工を行なうという原理に基づく。
導体表面に照射されたときに生ずる損傷層の厚さの再現
性と、損傷層のエツチング速度が増加するという現象を
組み合わせ、高エネルギー粒子の照射と損傷層のエツチ
ング除去と繰り返すことによつて所望深さのエツチング
加工を行なうという原理に基づく。
本発明による他のエツチング方式はハロゲンが注入され
た半導体基板のスパツタ速度が著るしく増大するという
現象を利用し、ハロゲン元素を注入する工程と、スパツ
タエツチングによるハロゲン注入層の選択的除去を繰り
返して行うことによつて所望のエツチングを達成すると
いう原理に基づく。
た半導体基板のスパツタ速度が著るしく増大するという
現象を利用し、ハロゲン元素を注入する工程と、スパツ
タエツチングによるハロゲン注入層の選択的除去を繰り
返して行うことによつて所望のエツチングを達成すると
いう原理に基づく。
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１ 第２図は本発明のエツチング方式を実施するために用い
た装置の断面模式図である。３室構成の真空装置であ
り、イオン照射室21、プラズマエツチ室22、及び中間室
23より成る。中間室23はスリツト24,24′を有する隔壁2
5,25′により形成される空間で、イオン照射室21及びプ
ラズマエツチ室22とを分離し、差動排気することによっ
て両室の圧力差を保ち、かつプロセス間の干渉を防いで
いる。エツチングを施す試料であるSi基板26,26′は回
転円板27にマウントされ、回転円板27の回転に従つてイ
オン照射室21及びプラズマエツチ室22の間を交互に通過
する。イオン照射室21ではイオン源28で形成されたイオ
ンが加速されて試料Si基板26に照射される。また、プラ
ズマエツチ室では対向電極29と回転円板27との間に印加
された高周波で形成されるプラズマにより、試料Si基板
26′がエツチングされる。
た装置の断面模式図である。３室構成の真空装置であ
り、イオン照射室21、プラズマエツチ室22、及び中間室
23より成る。中間室23はスリツト24,24′を有する隔壁2
5,25′により形成される空間で、イオン照射室21及びプ
ラズマエツチ室22とを分離し、差動排気することによっ
て両室の圧力差を保ち、かつプロセス間の干渉を防いで
いる。エツチングを施す試料であるSi基板26,26′は回
転円板27にマウントされ、回転円板27の回転に従つてイ
オン照射室21及びプラズマエツチ室22の間を交互に通過
する。イオン照射室21ではイオン源28で形成されたイオ
ンが加速されて試料Si基板26に照射される。また、プラ
ズマエツチ室では対向電極29と回転円板27との間に印加
された高周波で形成されるプラズマにより、試料Si基板
26′がエツチングされる。
ここで、本発明のエツチング方式について第３図を用い
て説明する。
て説明する。
第３図（イ）において、Si基板31の上には開口部32を有
するマスク材33が形成されている。イオン照射室におい
て適当なエネルギーに加速されイオン34が、基板表面に
照射され、Si基板31の開口部表面領域に、ほぼ照射イオ
ンの飛程に等しい深さΔｔの損傷層35が形成される。
するマスク材33が形成されている。イオン照射室におい
て適当なエネルギーに加速されイオン34が、基板表面に
照射され、Si基板31の開口部表面領域に、ほぼ照射イオ
ンの飛程に等しい深さΔｔの損傷層35が形成される。
次に、この様な損傷層の形成された基板Si31をプラズマ
エツチ室に導入し、例えばCF4＋O2の如きエツチング性
ガスプラズマに曝すと、第３図（ロ）に示すように、損
傷層のみがエツチされる。これは、損傷層には多くの原
子結合切断箇所が含まれるため、エツチング反応がきわ
めて早くなり容易にエツチングされるが、損傷層が除去
されて損傷を受けない部分が露出すると、急激にエツチ
ング速度が低下するため、損傷を受けた領域のみを選択
的にエツチング除去することが可能となるためである。
同様な理由により、水平方向へのエツチングの拡がりも
きわめて小さい。
エツチ室に導入し、例えばCF4＋O2の如きエツチング性
ガスプラズマに曝すと、第３図（ロ）に示すように、損
傷層のみがエツチされる。これは、損傷層には多くの原
子結合切断箇所が含まれるため、エツチング反応がきわ
めて早くなり容易にエツチングされるが、損傷層が除去
されて損傷を受けない部分が露出すると、急激にエツチ
ング速度が低下するため、損傷を受けた領域のみを選択
的にエツチング除去することが可能となるためである。
同様な理由により、水平方向へのエツチングの拡がりも
きわめて小さい。
損傷層が除去された基板Si31を第３図（ハ）に示す如
く、再びイオン照射を行なうと、開口部32の領域に再び
深さΔｔの損傷層が形成される。
く、再びイオン照射を行なうと、開口部32の領域に再び
深さΔｔの損傷層が形成される。
これを更にプラズマエツチ領域に曝すことによつて、こ
の損傷層が除去され、都合２Δｔの深さだけ開口部32の
Siがエツチされる。
の損傷層が除去され、都合２Δｔの深さだけ開口部32の
Siがエツチされる。
この様な過程をｎ回繰り返すことによつてｎΔｔの深さ
エツチングされる。第２図の装置においてはこのような
２つの工程を容易に繰り返すことができる様に工夫され
ている。一回当りのエツチング量Δｔが決定されれば、
Δｔを単位とした倍数の深さの加工が、単に工程の繰り
返し数、すなわち回転円板の回転数によつて制御できる
ため、きわめて優れた再現性を得ることができるし、ま
た、ローデイングエフエクトの影響も受けにくいため、
均一性にも優れたエツチング加工が可能である。
エツチングされる。第２図の装置においてはこのような
２つの工程を容易に繰り返すことができる様に工夫され
ている。一回当りのエツチング量Δｔが決定されれば、
Δｔを単位とした倍数の深さの加工が、単に工程の繰り
返し数、すなわち回転円板の回転数によつて制御できる
ため、きわめて優れた再現性を得ることができるし、ま
た、ローデイングエフエクトの影響も受けにくいため、
均一性にも優れたエツチング加工が可能である。
次に本方式によつてどの程度の制御が可能であるかにつ
いて述べる。
いて述べる。
１回当りのエツチング深さΔｔはイオン照射により生ず
る損傷層の厚さにほぼ等しい。例えば照射イオンがAr+
である場合のエツチング深さの例を第４図に示す。損傷
層の深さはイオンの加速エネルギーに依存するが、エツ
チングされる深さはエツチングの条件によつて異なるた
め、幅を有し、ほぼ第４図の斜線で示す領域内で制御す
ることが可能である。高エネルギー照射は装置上も、ま
た制御の分解能の点からの望ましくはなく、通常は25Ke
V以下で行うことが多い。エツチングの条件を一定に保
つことによつて数％以下の精度でエツチング深さを制御
することが可能である。
る損傷層の厚さにほぼ等しい。例えば照射イオンがAr+
である場合のエツチング深さの例を第４図に示す。損傷
層の深さはイオンの加速エネルギーに依存するが、エツ
チングされる深さはエツチングの条件によつて異なるた
め、幅を有し、ほぼ第４図の斜線で示す領域内で制御す
ることが可能である。高エネルギー照射は装置上も、ま
た制御の分解能の点からの望ましくはなく、通常は25Ke
V以下で行うことが多い。エツチングの条件を一定に保
つことによつて数％以下の精度でエツチング深さを制御
することが可能である。
なお、本実施例では希ガスイオンを用いた場合について
説明したが、損傷を与える目的のためには他のイオンで
も可能であり、残留しても基板の所望特性に悪影響の及
ばない物質であれば何を選択してもよい。とくにSiの場
合にはSi及びこれの水素化物、弗化物等を用いることも
有効である。さらによりエツチングの効果を増大させる
にはハロゲン系の元素を用いて有効である。
説明したが、損傷を与える目的のためには他のイオンで
も可能であり、残留しても基板の所望特性に悪影響の及
ばない物質であれば何を選択してもよい。とくにSiの場
合にはSi及びこれの水素化物、弗化物等を用いることも
有効である。さらによりエツチングの効果を増大させる
にはハロゲン系の元素を用いて有効である。
次に、本発明の他の実施例を示す。
実施例２ 第５図は本発明のエツチング方式を実施するために用い
た装置の断面模式図である。３室構成の真空装置であ
り、イオン照射室21、スパツタエツチ室22、及び中間室
23より成る。中間室23はスリツト24,24′を有する隔壁2
5,25′により形成される空間で、イオン照射室21及びス
パツタエツチ室22とを分離し、差動排気することによつ
て両室の圧力差を保ち、かつプロセス間の干渉を防いで
いる。エツチングを施す試料であるSi基板26,26′は回
転円板27にマウントされ、回転円板27の回転に従つてイ
オン照射室21及びスパツタエツチ室22の間を交互に通過
する。イオン照射室21ではイオン源28で形成されたイオ
ンが加速されて試料Si基板26に照射される。また、スパ
ツタエツチ室では別に設けられたイオン源28′から、例
えばArイオン等を照射し、試料をスパツタエツチする。
た装置の断面模式図である。３室構成の真空装置であ
り、イオン照射室21、スパツタエツチ室22、及び中間室
23より成る。中間室23はスリツト24,24′を有する隔壁2
5,25′により形成される空間で、イオン照射室21及びス
パツタエツチ室22とを分離し、差動排気することによつ
て両室の圧力差を保ち、かつプロセス間の干渉を防いで
いる。エツチングを施す試料であるSi基板26,26′は回
転円板27にマウントされ、回転円板27の回転に従つてイ
オン照射室21及びスパツタエツチ室22の間を交互に通過
する。イオン照射室21ではイオン源28で形成されたイオ
ンが加速されて試料Si基板26に照射される。また、スパ
ツタエツチ室では別に設けられたイオン源28′から、例
えばArイオン等を照射し、試料をスパツタエツチする。
ここで、本発明のエツチング方式について第６図を用い
て説明する。
て説明する。
第６図（イ）において、Si基板32の上には開口部32を有
するマスク材32が形成されている。イオン照射室におい
て適当なエネルギーに加速されたハロゲンイオン34が、
基板表面に照射され、Si基板31の開口表面部領域に、ほ
ぼ照射イオンの飛程に等しい深さΔｔの損傷層35が形成
される。この損傷層の中には多量の原子結合の切断部及
びハロゲン元素が含まれている。
するマスク材32が形成されている。イオン照射室におい
て適当なエネルギーに加速されたハロゲンイオン34が、
基板表面に照射され、Si基板31の開口表面部領域に、ほ
ぼ照射イオンの飛程に等しい深さΔｔの損傷層35が形成
される。この損傷層の中には多量の原子結合の切断部及
びハロゲン元素が含まれている。
次に、この様な損傷層の形成された基板Si31をスパツタ
エツチ室に導入し、例えばAr+の如きイオン流に曝す
と、第６図（ロ）に示すように、損傷層のみがエツチさ
れる。これは、損傷層には多くの原子結合切断箇所が含
まれるため、エツチング反応がきわめて早くなり容易に
エツチングされるが、損傷層が除去されてハロゲン元素
を含まない部分が露出すると、急激にエツチング速度が
低下するため、損傷を受けた領域のみを選択的にエツチ
ング除去することが可能となるためである。同様な理由
により、水平方向へのエツチングの拡がりもきわめて小
さい。
エツチ室に導入し、例えばAr+の如きイオン流に曝す
と、第６図（ロ）に示すように、損傷層のみがエツチさ
れる。これは、損傷層には多くの原子結合切断箇所が含
まれるため、エツチング反応がきわめて早くなり容易に
エツチングされるが、損傷層が除去されてハロゲン元素
を含まない部分が露出すると、急激にエツチング速度が
低下するため、損傷を受けた領域のみを選択的にエツチ
ング除去することが可能となるためである。同様な理由
により、水平方向へのエツチングの拡がりもきわめて小
さい。
損傷層が除去された基板Si31を第６図（ハ）に示す如
く、再びハロゲンイオン照射を行なうと、開口部32の領
域に再び深さΔＴのハロゲン元素を含む損傷層が形成さ
れる。
く、再びハロゲンイオン照射を行なうと、開口部32の領
域に再び深さΔＴのハロゲン元素を含む損傷層が形成さ
れる。
これを更にスパツタエツチ領域に曝すことによつて、こ
の損傷層が除去され、都合２Δｔの深さだけ開口部32の
Siがエツチされる。
の損傷層が除去され、都合２Δｔの深さだけ開口部32の
Siがエツチされる。
この様な過程をｎ回繰り返すことによつてｎΔｔの深さ
エツチングされる。第５図の装置においてはこのような
２つの工程を容易に繰り返すことができる様に工夫され
ている。一回当りのエツチング量Δｔが決定されれば、
Δｔを単位とした倍数の深さの加工が、単に工程を繰り
返し数、すなわち回転円板の回転数によつて制御できる
ため、きわめて優れた再現性を得ることができるし、ま
た、ローデイングエフエクトの影響も受けにくいため、
均一性にも優れたエツチング加工が可能である。
エツチングされる。第５図の装置においてはこのような
２つの工程を容易に繰り返すことができる様に工夫され
ている。一回当りのエツチング量Δｔが決定されれば、
Δｔを単位とした倍数の深さの加工が、単に工程を繰り
返し数、すなわち回転円板の回転数によつて制御できる
ため、きわめて優れた再現性を得ることができるし、ま
た、ローデイングエフエクトの影響も受けにくいため、
均一性にも優れたエツチング加工が可能である。
次に本方式によつてどの程度の制御が可能であるかにつ
いて述べる。
いて述べる。
１回当りのエツチング深さΔｔはイオン照射により生ず
る損傷層の厚さにほぼ等しい。例えば照射イオンがCl+
である場合のエツチング深さの例を第７図に示す。損傷
層の深さはイオンの加速エネルギーに依存するが、エツ
チングされる深さはエツチングの条件によつて異なるた
め、幅を有し、ほぼ第７図の斜線で示す領域内で制御す
ることが可能である。高エネルギー照射は装置上も、ま
た制御の分解能の点からも望ましくはなく、通常は25Ke
V以下で行うことが多い。エツチングの条件を一定に保
つことによつて数％以下の精度でエツチング深さを制御
することが可能である。
る損傷層の厚さにほぼ等しい。例えば照射イオンがCl+
である場合のエツチング深さの例を第７図に示す。損傷
層の深さはイオンの加速エネルギーに依存するが、エツ
チングされる深さはエツチングの条件によつて異なるた
め、幅を有し、ほぼ第７図の斜線で示す領域内で制御す
ることが可能である。高エネルギー照射は装置上も、ま
た制御の分解能の点からも望ましくはなく、通常は25Ke
V以下で行うことが多い。エツチングの条件を一定に保
つことによつて数％以下の精度でエツチング深さを制御
することが可能である。
以上述べた如く、本発明によれば、エツチング深さを量
子化して制御することが可能であり、極めて均一性に優
れたエツチングを再現性よく実現することができる。ま
た、最小制御単位はイオンの種類、及び加速エネルギー
を選ぶことにより、原子層レベルで可能であり、また数
10nm単位とすることも可能である。
子化して制御することが可能であり、極めて均一性に優
れたエツチングを再現性よく実現することができる。ま
た、最小制御単位はイオンの種類、及び加速エネルギー
を選ぶことにより、原子層レベルで可能であり、また数
10nm単位とすることも可能である。
本発明の適用により半導体装置の微細加工精度が著るし
く向上し、工業上極めて有用な方式である。
く向上し、工業上極めて有用な方式である。
第１図は基板表面のエツチング過程を説明するための模
式図、第２図は本発明のエツチング方法を実施するのに
適した装置例の断面模式図、第３図は本発明の原理を説
明するための基板断面模式図、第４図は本発明を適用し
た一例のイオン照射エネルギーとエツチ深さとの関係
図、第５図は本発明他のエツチング方法を実施するのに
適した装置例の断面模式図、第６図は本発明の他の方法
の原理を説明するための基板断面模式図、第７図は本発
明の他の方法を適用した一例のイオン照射エネルギーと
エツチ深さとの関係図である。 31……基板、32……マスク開口部、33……マスク、34…
…照射イオン、35……損傷層。
式図、第２図は本発明のエツチング方法を実施するのに
適した装置例の断面模式図、第３図は本発明の原理を説
明するための基板断面模式図、第４図は本発明を適用し
た一例のイオン照射エネルギーとエツチ深さとの関係
図、第５図は本発明他のエツチング方法を実施するのに
適した装置例の断面模式図、第６図は本発明の他の方法
の原理を説明するための基板断面模式図、第７図は本発
明の他の方法を適用した一例のイオン照射エネルギーと
エツチ深さとの関係図である。 31……基板、32……マスク開口部、33……マスク、34…
…照射イオン、35……損傷層。
Claims (3)
- 【請求項１】被エッチング加工体の所望の領域を25KeV
以下の加速エネルギーでイオン照射して該被エッチング
加工体よりエッチング速度の大きい損傷層に変質させる
工程と、該損傷層をエッチング除去する工程を有し、該
２つの工程を交互に繰返し施すことにより所望のエッチ
ング深さを得ることを特徴とするエッチングの方法。 - 【請求項２】上記イオンは希ガス元素イオン、ハロゲン
元素イオンあるいは水素イオンである特許請求の範囲第
１項記載のエッチングの方法。 - 【請求項３】真空室と、被エッチング加工体を保持する
回転可能な保持体と、イオン照射室と、エッチング室
と、上記イオン照射室と上記エッチング室を分離する中
間室を有し、上記保持体、上記イオン照射室、上記エッ
チング室および上記中間室は上記真空室内に配置されて
おり、かつ上記イオン照射室、上記エッチング室および
上記中間室は上記保持体が回転したときに上記被エッチ
ング加工体が通過する位置に配置されていることを特徴
とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099555A JPH0770513B2 (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | エッチングの方法およびエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099555A JPH0770513B2 (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | エッチングの方法およびエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258433A JPS61258433A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH0770513B2 true JPH0770513B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14250403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60099555A Expired - Lifetime JPH0770513B2 (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | エッチングの方法およびエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770513B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0909988A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method |
| JPH06151382A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
| US9706634B2 (en) * | 2015-08-07 | 2017-07-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Apparatus and techniques to treat substrates using directional plasma and reactive gas |
| JP6606464B2 (ja) | 2016-05-20 | 2019-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158632A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Toshiba Corp | シリコン半導体層のエツチング方法 |
| JPS60171730A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP60099555A patent/JPH0770513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61258433A (ja) | 1986-11-15 |
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