JP2007012814A

JP2007012814A - 導電性回路形成方法

Info

Publication number: JP2007012814A
Application number: JP2005190557A
Authority: JP
Inventors: Naoteru Kinoshita; 直輝木下; Tsukuo Wada; 津久生和田; Yasushi Masaki; 康史正木
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2005-06-29
Filing date: 2005-06-29
Publication date: 2007-01-18

Abstract

【課題】密着力の高い導電性回路を安価に且つ生産性高く形成することが可能になる導電性回路形成方法を提供する。
【解決手段】カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。ターゲット１として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット５と、回路形成用金属よりも基板３に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット６を用い、各ターゲット５，６から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜４を基板３に形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の表面に回路形成用の導体膜をスパッタリング法で形成するようにした導電性回路形成方法に関するものである。

樹脂やセラミックなどで作製される基板に導電性回路を形成するにあたって、基板の表面にスパッタリング法で金属の導体膜を形成し、この導体膜にパターンニング、金属めっき、エッチング等の加工を施すことによって、導電性回路に仕上げることが行なわれている。ここで、導電性回路は一般にＣｕで形成されるが、Ｃｕは基板に対する密着性に問題があるので、基板の表面にＣｕをスパッタする前に、基板に対する密着性の高いＣｒを中間層として基板の表面にスパッタし、Ｃｒの上にＣｕをスパッタすることによって、高密着性金属のＣｒと回路形成用金属のＣｕからなる２層構造の導体膜を形成することが行なわれている（特許文献１等参照）。

図９はその一例を示すものであり、図９（ａ）のように樹脂やセラミックで作製された基板３をＡｒプラズマやＮ_２プラズマによって処理して表面浄化し、そしてまずＣｒをスパッタして、膜厚１０〜１００ｎｍのＣｒからなる高密着性金属の膜１１を図９（ｂ）のように基板１の表面に形成する。次に、Ｃｕをスパッタして、膜厚３００ｎｍ程度のＣｕからなる回路形成用金属の膜１２を図９（ｃ）のように高密着性金属の膜１１の表面に設けて導体膜４を形成する。

この後、回路形成部１３と回路非形成部１４の輪郭に沿ってレーザーを照射することによって、図９（ｄ）のように導体膜４の一部を除去し、さらに回路形成部１３の導体膜４に通電してＣｕを電気メッキし、電気メッキ層１５を導体膜４の表面に堆積させて厚付けすることによって、図９（ｅ）のように所定厚みの導電性回路１０を形成する。最後に、回路非形成部１４の導体膜４をエッチング液でエッチングして除去することによって、図９（ｆ）のような回路形成基板として仕上げることができるものである。
特開昭５１−１２５６４１号公報

上記のように回路形成用の導体膜４を高密着性金属の膜１１と回路形成用金属の膜１２の２層構造に形成することによって、基板３に対する密着力が優れた導電性回路１０を形成することができるものであるが、高密着性金属の膜１１を形成するスパッタリングと、回路形成用金属の膜１２を形成するスパッタリングを連続して行なう必要があり、スパッタリング装置が複雑になると共に、導体膜４の成膜時間が長くなって、コストや生産性に問題を有するものであった。

図１０は高密着性金属の膜１１と回路形成用金属の膜１２をスパッタリングで連続して形成する方法の一例を示すものであり、スパッタ室内に、Ｃｒからなる高密着性金属のターゲット１６を設けたカソード電極１とＣｕからなる回路形成用金属のターゲット１７を設けたカソード電極１を配置すると共に、両ターゲット１６，１７を仕切り板１８で仕切り、スパッタ室内に設けた搬送装置（図示省略）で基板３を矢印のように送って、まず高密着性金属ターゲット１６の下を基板３が通過する際に、基板３の表面にＣｒからなる高密着性金属の膜１１が形成され、さらに回路形成用金属のターゲット１７の下を基板３が通過する際に、高密着性金属の膜１１の表面にＣｕからなる回路形成用金属の膜１２が形成されるようにしてある。従ってこのものではこのように、仕切り板１８や搬送装置が必要になり、また導体膜４の成膜時間が長くなり、コストや生産性に問題を有するものである。さらに、Ｃｒ膜とＣｕ膜との２層構造で形成される導体膜４では、Ｃｒ膜はエッチングが困難であるので、上記の図９（ｆ）の工程でのエッチング時間が長くなるという問題もある。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、密着力の高い導電性回路を安価に且つ生産性高く形成することが可能になる導電性回路形成方法を提供することを目的とするものである。

本発明の請求項１に係る導電性回路形成方法は、カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法において、ターゲット２として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット５と、回路形成用金属よりも基板３に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット６を用い、各ターゲット５，６から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜４を基板３に形成することを特徴とするものである。

また請求項２の発明は、請求項１において、回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６をそれぞれ独立したカソード電極１，１に設け、回路形成用金属ターゲット５に印加する電力と高密着性金属ターゲット６に印加する電力を変化させることによって、基板３に近い部分は高密着性金属の濃度が高く、表面部は回路形成用金属の濃度が高い導体膜４を形成することを特徴とするものである。

また請求項３の発明は、請求項１又は２において、導体膜４を形成する回路形成用金属と高密着性金属の比率に応じて回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６の面積を設定することを特徴とするものである。

また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、回路形成用金属ターゲット５と基板３の間、高密着性金属ターゲット６と基板３の間に、それぞれシャッター７，８を配置することを特徴とするものである。

また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、カソード電極１に回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６にそれぞれ対応する位置において磁石９を設けることを特徴とするものである。

また本願の請求項６に係る導電性回路形成方法は、カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法において、ターゲット２として、回路形成用の金属と、回路形成用金属よりも基板３に対する密着性の高い金属とを混在させて形成したものを用い、ターゲット２から回路形成用の金属と高密着性の金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜４を基板１に形成することを特徴とするものである。

また請求項７の発明は、請求項１乃至６のいずれかにおいて、高密着性金属がＴｉであることを特徴とするものである。

本発明によれば、導体膜４には回路形成用金属と高密着性金属とを含有するので、基板３に対する導体膜４の密着性を高めることができ、密着性の高い導電性回路１０を形成することができるものである。しかも、回路形成用金属ターゲット５と、高密着性金属ターゲット６の両金属を同時にスパッタさせて導体膜４を基板３に形成するようにしているので、スパッタリング装置を複雑化する必要なく、密着力の高い導電性回路を安価に且つ生産性高く形成することが可能になるものである。

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。

図７はスパッタリング装置の一例を示すものであり、基板３を通過させる方向に沿って、取り入れ室２２、プラズマ処理室２３、スパッタ室２４、取り出し室２５の各室から形成してある。樹脂やセラミックなどで形成される回路形成用の基板３は、まず取り入れ室２２に入り、ハロゲンランプ２６によって例えば１５０℃で１８０秒間加熱される。プラズマ処理室２３には一対の放電電極２７，２８が配置してあり、一方の放電電極２７にはＲＦ電源２９が接続してある。プラズマ処理室２３内はＡｒ雰囲気で１０Ｐａ程度に減圧してあり、例えばＲＦ７００Ｗを印加して生成されるプラズマによって、１８０秒程度、基板３を処理することによって、基板３の表面の不純物が除去される。

スパッタ室２４にはカソード電極１と基板ホルダー３１とを６０〜７０ｍｍ程度の間隙を介して対向させて配置してあり、カソード電極１にはＤＣ電源３２の負極が接続してある。スパッタ室２４内はＡｒ雰囲気で１〜５×１０^−３Ｐａ程度に減圧するようにしてあり、ＤＣ電力を３〜４ｋＷに設定するようにしてある。そしてカソード電極１の基板ホルダー３１に対向する下面にターゲット２を取り付けると共に基板ホルダー３１のカソード電極１に対向する上面に基板３をセットして、上記の条件でスパッタを行なうと、図８に示すように、ＤＣ放電によってＡｒイオンがカソード電極１の側にボンバードし、ターゲット２の金属原子が弾き飛ばされ、この弾き飛ばされた金属原子が基板ホルダー３１の上の基板３の表面に付着して堆積し、導体膜４を基板３の表面に形成することができるものである。

このように導体膜４を形成した基板３は取り出し室２５から取り出され、そして既述の図９（ｄ）のように、回路形成部１３と回路非形成部１４の輪郭に沿ってレーザーを照射することによって導体膜４の一部を除去し、さらに回路形成部１３の導体膜４に通電してＣｕを電気メッキし、電気メッキ層１５を導体膜４の表面に堆積させて厚付けすることによって、既述の図９（ｅ）のように所定の厚みの導電性回路１０を形成した後、回路非形成部１４の導体膜４をエッチングして除去することによって、既述の図９（ｆ）のような回路形成基板として仕上げることができるものである。

本発明の第１の実施の形態では、上記のようなスパッタリング装置において、図１に示すように、スパッタ室２４内に一対のカソード電極１を横に並べて配置し、各カソード電極１，１にそれぞれ独立してＤＣ電源３２，３２の負極が接続してある。また一方のカソード電極１にはＣｕのような回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット５が、他方のカソード電極２にはＣｒのような基板３との密着性が高い金属からなる高密着性金属ターゲット６がそれぞれ取り付けてある。

そして、一対のカソード電極１，１に同時にＤＣ電源３２，３２から電力を供給してスパッタを行なうと、各カソード電極１，１の回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６からそれぞれ回路形成用金属原子と高密着性金属原子が飛び出して、基板ホルダー３１上の基板３の表面に各金属原子が付着して堆積し、図２（ａ）のような回路形成用金属と高密着性金属からなる合金の導体膜４を基板３の表面に形成することができるものである。

このように形成される導体膜４には、Ｃｕのような回路形成用金属の他にＣｒのような高密着性金属が含有されているので、基板３に対する導体膜４の密着性を高めることができるものであり、この導体膜４を加工して形成される導電性回路１０の密着力を高めることができるものである。また、スパッタ室２４内に仕切り板を設けたり搬送装置を設けたりする必要がなくなり、製造コストを安価にすることができると共に、スパッタを２回に分けて行なう必要がなく、導体膜４の成膜時間を短縮することができるものである。さらに、既述の図９（ｆ）のように非回路形成部１４の導体膜４をエッチング液でエッチングするにあたって、Ｃｒ膜のようなエッチングが困難な膜は存在しないので、エッチング時間を短縮することができるものである。

また、図１の実施の形態のように、一対のカソード電極１にそれぞれ独立してＤＣ電源３２，３２の負極が接続することによって、一方のカソード電極１に設けた回路形成用金属ターゲット５に印加する電力と、他方のカソード電極１に設けた高密着性金属ターゲット６に印加する電力を、それぞれ独立して変化させることができる。そして導体膜４を成膜する初期の段階では、高密着性金属ターゲット６に印加する電力を高く、回路形成用金属ターゲット５に印加する電力を低く設定することによって、図２（ｂ）のように、導体膜４の厚み方向での基板３側の部分、すなわち導体膜４が基板３と接する界面付近の部分４ａは、Ｃｒのような高密着性金属の濃度（含有率）が高く且つＣｕのような回路形成用金属の濃度（含有率）が低い層に形成することができる。また成膜が進行するに従って高密着性金属ターゲット６に印加する電力を徐々に下げると共に回路形成用金属ターゲット５に印加する電力を徐々に挙げて、成膜が完了する終期の段階では、回路形成用金属ターゲット５に印加する電力を高く、高密着性金属ターゲット６に印加する電力を低く設定することによって、図２（ｂ）のように、導体膜４の厚み方向での基板３と反対側の部分、すなわち導体膜４の表層部分４ｂは、Ｃｕのような回路形成用金属の濃度（含有率）が高く且つＣｒのような高密着性金属の濃度（含有率）が低い層に形成することができる。

このように形成される導体膜４は、基板３との界面においてＣｒのような高密着性金属の濃度が高いので、基板３に対する密着性をより高めることができるものであり、また表面においてＣｕのような回路形成用金属の濃度が高いので、この表面に電気メッキで形成されるＣｕのような回路形成用金属の電気メッキ層１５との密着性を高めることができるものである。尚、初期では回路形成用金属ターゲット５に印加する電力をゼロに設定することによって、導体膜４の基板３との界面部分の回路形成用金属の濃度をゼロにし、終期では高密着性金属ターゲット６に印加する電力をゼロに設定することによって、導体膜４の表層部分の高密着性金属の濃度をゼロにすることが可能である。

図３は本発明の第２の実施の形態を示すものであり、スパッタ室２４に一つのカソード電極１を設け、回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６をこの同じカソード電極１に取り付けるようにしてある。従ってこのものでは、カソード電極１にＤＣ電源３２から電力を供給してスパッタを行なうと、回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６から同時に回路形成用金属原子と高密着性金属原子が飛び出して、基板ホルダー３１上の基板３の表面に各金属原子が付着して堆積し、図２（ａ）のような回路形成用金属と高密着性金属からなる合金の導体膜４を基板３の表面に形成することができるものである。このように、カソード電極１は一つでよいので、スパッタリング装置を簡略化することができると共に、消費電力を削減することができるものである。

ここで、図３（ａ）のように、カソード電極１に設ける回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６として、基板３に対向する面の面積が同じものを用いたり、図３（ｂ）のように、基板３に対向する面の面積が回路形成用金属ターゲット５のほうが高密着性金属ターゲット６より大きいものを用いたりすることができる。このように回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６の面積を変えることによって、これらの面積に応じて、導体膜４の回路形成用金属と高密着性金属の比率を任意に調整することができるものである。

尚、図１の実施の形態のように、複数のカソード電極１，１にそれぞれ回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６を設けるようにしたものにおいても、同様に、回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６の面積に応じて、導体膜４の回路形成用金属と高密着性金属の比率を調整することができるものである。

図４の実施の形態では、一つのカソード電極１に回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６を設け、回路形成用金属ターゲット５と基板３の間、高密着性金属ターゲット６と基板３の間に、それぞれシャッター７，８を配置するようにしてある。この各シャッター７，８はそれぞれ独立して横方向に移動されるようにしてあり、図１の実線のように回路形成用金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間にシャッター７，８が位置することによって、金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間を遮断し、また図１の鎖線のように回路形成用金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間からシャッター７，８が外方へ移動することによって、金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間を開放するようになっている。

そしてスパッタ時に、回路形成用金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６から飛び出した回路形成用金属原子や密着性金属原子は、回路形成用金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間がシャッター７，８で遮断されているときには、基板３の表面に到達せず、シャッター７，８が移動して回路形成用金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間が開放されることによって、基板３の表面に到達することができるものであり、さらに金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３の間を部分的にシャッター７，８で遮断することによって、開放されている部分の回路形成用金属原子や密着性金属原子を基板３の表面に到達させることができるものである。

従って、導体膜４を成膜する初期の段階では、回路形成用金属ターゲット５をシャッター７で遮断する面積が大きく、高密着性金属ターゲット６をシャッター８で遮断する面積が小さくなるようにシャッター７，８の位置を調整することによって、上記の図２（ｂ）のように、導体膜４が基板３と接する界面付近の部分４ａは、Ｃｒのような高密着性金属の濃度が高く且つＣｕのような回路形成用金属の濃度が低い層に形成することができる。また成膜が進行するに従って回路形成用金属ターゲット５をシャッター７で遮断する面積を小さくすると共に高密着性金属ターゲット６をシャッター８で遮断する面積を大きくし、成膜が完了する終期の段階では、回路形成用金属ターゲット５をシャッター７で遮断する面積が小さく、高密着性金属ターゲット６をシャッター８で遮断する面積が大きくなるようにシャッター７，８の位置を設定することによって、上記の図２（ｂ）のように、導体膜４の表層部分４ｂは、Ｃｕのような回路形成用金属の濃度が高く且つＣｒのような高密着性金属の濃度が低い層に形成することができるものである。このように、シャッター７，８の移動を調整することによって、導体膜４を形成する回路形成用金属と高密着性金属の濃度を調整することができるものである。

尚、図１の実施の形態のように、複数のカソード電極１，１にそれぞれ回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６を設けるようにしたものにおいても、同様に、回路形成用金属ターゲット５や高密着性金属ターゲット６と基板３との間にシャッター７，８を設けることによって、導体膜４を形成する回路形成用金属と高密着性金属の濃度を調整することができるものである。またこのようにシャッター７，８を用いて成膜する場合には、Ｃｒのような高密着性金属による中間層を形成から、Ｃｕのような回路形成用金属による回路層の形成へと容易に切替えて、導体膜４を形成することができるものである。

図５は本発明の他の実施の形態を示すものである。この実施の形態はマグネトロンスパッタリングに関するものであり、図５（ａ）のようにカソード電極１内に複数の磁石９が設けてある。このマグネトロンスパッタリングでは、図５（ｂ）のようにカソード電極１に設ける磁石９の数を増やして磁束密度を高くすることによって、スパッタの速度が高くなって成膜速度が向上し、導体膜４の形成時間を短縮することができる。そして一つのカソード電極１に回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６を設け、回路形成用金属ターゲット５に対応する位置と高密着性金属ターゲット６に対応する位置においてカソード電極１にそれぞれ磁石９を設けるにあたって、回路形成用金属ターゲット５に対応する磁石９の個数と高密着性金属ターゲット６に対応する磁石９の個数を異ならせ、回路形成用金属ターゲット５に作用する磁束密度と高密着性金属ターゲット６に作用する磁束密度を異ならせることによって、導体膜４を形成する回路形成用金属と高密着性金属の濃度を調整することができるものである。

例えば図５（ｃ）のように、回路形成用金属ターゲット５に対応する磁石９の個数を多く、高密着性金属ターゲット６に対応する磁石９の個数を少なくすると、回路形成用金属ターゲット５に作用する磁束密度が高密着性金属ターゲット６に作用する磁束密度よりも高くなり、回路形成用金属の濃度が高く高密着性金属の濃度が低い導体膜４を形成することができるものである。

尚、図１の実施の形態のように、複数のカソード電極１，１にそれぞれ回路形成用金属ターゲット５と高密着性金属ターゲット６を設けるようにしたものにおいて、一方のカソード電極１に設ける磁石９の個数と他方のカソード電極１に設ける磁石９の個数を異ならせることによって、回路形成用金属ターゲット５に作用する磁束密度と高密着性金属ターゲット６に作用する磁束密度を異ならせることができ、同様に導体膜４を形成する回路形成用金属と高密着性金属の濃度を調整することができるものである。

図６は他の実施の形態を示すものであり、ターゲット２として、Ｃｕのような回路形成用金属と、Ｃｒのような基板３との密着性が高い高密着性金属とが混在する合金を用いるようにしてある。そしてカソード電極１にこのターゲット２を設けてスパッタを行なうと、ターゲット２から回路形成用金属原子と密着性金属原子がそれぞれ飛び出して、基板３の表面に付着し、回路形成用金属と密着性金属の合金からなる導体膜４を基板３の表面に形成することができるものである。

このようにターゲット２として回路形成用金属と高密着性金属が混在するものを用いることによって、一種類のターゲット材料で回路形成用金属と高密着性金属の合金からなる導体膜４を形成することができるものであり、カソード電極１の数も少なくて済んで電源数の減少による装置の簡略化と相俟って、コストダウンが可能になるものである。また、ターゲット２の回路形成用金属と高密着性金属の混在比率に応じて、導体膜４の回路形成用金属と高密着性金属の濃度比率を調整することができるものであり、回路形成用金属と高密着性金属の所望の濃度比率を有する導体膜４を容易に形成することができるものである。

ここで、ターゲット２を構成する回路形成用金属としてＣｕを、高密着性金属としてＣｒを用いて、スパッタリングを行なうと、Ｃｒ−Ｃｕ合金の導体膜４を形成することができるが、Ｃｒ−ＣｕのＣｒ濃度が高いと導体膜４の表面が酸化され易くなり、図９（ｅ）のように導体膜４にＣｕを電気メッキする際の密着力が低下するおそれがある。このために、ターゲット２としてＣｒとＣｕの混在金属を用いる場合には、Ｃｒ濃度が３０質量％以下のものを用いることが好ましく、特に１２質量％以下のＣｒ濃度であることがより好ましい。

上記の各実施の形態では、回路形成用金属ターゲット５を形成する金属としてＣｕを、高密着性金属ターゲット６を形成する金属としてＣｒを用いるようにしたが、高密着性金属ターゲット６を形成する金属としてＴｉを用いるようにしてもよい、Ｃｒは酸化されることによって毒性を持つが、Ｔｉは生体組織との親和性が良好であるので、この点で好ましい。

本発明の実施の形態の一例を示す概略図である。基板に形成した導体膜の態様を示すものであり、（ａ）（ｂ）はそれぞれ概略図である。本発明の他の実施の形態を示すものであり、（ａ）（ｂ）はそれぞれ概略図である。本発明の他の実施の形態を示す概略図である。本発明の他の実施の形態を示すものであり、（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ概略図である。本発明の他の実施の形態を示す概略図である。スパッタリング装置を示す概略図である。スパッタリングの原理を説明する概略図である。基板に導電性回路を形成する工程を説明するものであり、（ａ）乃至（ｆ）はそれぞれ概略図である。従来例を示す概略図である。

符号の説明

１カソード電極
２ターゲット
３基板
４導体膜
５回路形成用金属ターゲット
６高密着性金属ターゲット
７シャッター
８シャッター
９磁石
１０導電性回路

Claims

カソード電極に設けたターゲットからスパッタさせた金属原子を基板の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板に回路形成用の導体膜を形成する工程を有する導電性回路形成方法において、ターゲットとして、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲットと、回路形成用金属よりも基板に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲットを用い、各ターゲットから同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜を基板に形成することを特徴とする導電性回路形成方法。
回路形成用金属ターゲットと高密着性金属ターゲットをそれぞれ独立したカソード電極に設け、回路形成用金属ターゲットに印加する電力と高密着性金属ターゲットに印加する電力を変化させることによって、基板に近い部分は高密着性金属の濃度が高く、表面部は回路形成用金属の濃度が高い導体膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の導電性回路形成方法。
導体膜を形成する回路形成用金属と高密着性金属の比率に応じて回路形成用金属ターゲットと高密着性金属ターゲットの面積を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の導電性回路形成方法。
回路形成用金属ターゲットと基板の間、高密着性金属ターゲットと基板の間に、それぞれシャッターを配置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の導電性回路形成方法。
カソード電極に回路形成用金属ターゲットと高密着性金属ターゲットにそれぞれ対応する位置において磁石を設けることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の導電性回路形成方法。
カソード電極に設けたターゲットからスパッタさせた金属原子を基板の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板に回路形成用の導体膜を形成する工程を有する導電性回路形成方法において、ターゲットとして、回路形成用の金属と、回路形成用金属よりも基板に対する密着性の高い金属とを混在させて形成したものを用い、ターゲットから回路形成用の金属と高密着性金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜を基板に形成することを特徴とする導電性回路形成方法。
高密着性金属がＴｉであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の導電性回路形成方法。