JPH0279236A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH0279236A JPH0279236A JP63231980A JP23198088A JPH0279236A JP H0279236 A JPH0279236 A JP H0279236A JP 63231980 A JP63231980 A JP 63231980A JP 23198088 A JP23198088 A JP 23198088A JP H0279236 A JPH0279236 A JP H0279236A
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- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光デイスク原盤・回折格子・ホログラム等の
微細パターンの形成方法に関するものである。
微細パターンの形成方法に関するものである。
従来、微細パターンは、基板に感光剤を塗シ、レーザ光
を照射して潜像を刻み、現像を行−パターンを発現させ
、必要ならばさらにエツチングを行うととくより形成さ
れており、パターン入力装置のレーザーとしては主にア
ルゴンレーザー、クリプトンレーザー、炭酸ガスレーザ
ーなどのガス封入式レーザーやイオン封入式レーザーが
使用されてきた。
を照射して潜像を刻み、現像を行−パターンを発現させ
、必要ならばさらにエツチングを行うととくより形成さ
れており、パターン入力装置のレーザーとしては主にア
ルゴンレーザー、クリプトンレーザー、炭酸ガスレーザ
ーなどのガス封入式レーザーやイオン封入式レーザーが
使用されてきた。
しかしながら、これらのレーＭ高価で本体は大きいため
、このタイデレ一番を組み入れた装置本大型化してしま
う問題があった。
、このタイデレ一番を組み入れた装置本大型化してしま
う問題があった。
また、フォトレジストを感光剤として使用した場合、感
光しないように黄色灯のある専用の部屋が必要になると
いう問題があった。
光しないように黄色灯のある専用の部屋が必要になると
いう問題があった。
そこで、本発明者らは、上述の問題点に鑑み鋭意検討し
た結果、安価で小型の半導体レーザーの波長に感度を有
する記録剤を記録層とすることＫよシ、これらの問題点
が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った
。
た結果、安価で小型の半導体レーザーの波長に感度を有
する記録剤を記録層とすることＫよシ、これらの問題点
が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った
。
即ち、本発明は基板上に被エツチング層を成膜し、さら
に光感応性を有する記録層を積層し、半導体レーザー光
を照射することによシ孔または溝を記録層に形成した後
、露出した被エツチング層をエツチングすることを特徴
とする微細パターンの形成方法である。
に光感応性を有する記録層を積層し、半導体レーザー光
を照射することによシ孔または溝を記録層に形成した後
、露出した被エツチング層をエツチングすることを特徴
とする微細パターンの形成方法である。
以下、図面によ〕本発明の詳細な説明する。
まず、第１図のように基板１の上Ｋ、被エツチング層２
をスパッタ、蒸着、湿式法（ディッピング法、スピンコ
ード法）、０ＶＤＫよシ成膜する。被エツチング層２に
は、８１０．や銀のような金属などのエツチング可能な
ものを用いる。
をスパッタ、蒸着、湿式法（ディッピング法、スピンコ
ード法）、０ＶＤＫよシ成膜する。被エツチング層２に
は、８１０．や銀のような金属などのエツチング可能な
ものを用いる。
さらに光感応性を有する記録層３を積層する。
記録層３には、半導体レーザの波長に感度を有するシア
ニン色素やメチン色素のような有機色素あるいはこれら
有機色素にバインダーを加え７たもの、テＡ／ルやテル
ルと他の金属との合金のような金属記録剤といった、半
導体レーザーの波長に感度を有し、レーザー光照射によ
シ露光された部分が昇華して孔の開くヒートモードタイ
プの記録剤を周込る。
ニン色素やメチン色素のような有機色素あるいはこれら
有機色素にバインダーを加え７たもの、テＡ／ルやテル
ルと他の金属との合金のような金属記録剤といった、半
導体レーザーの波長に感度を有し、レーザー光照射によ
シ露光された部分が昇華して孔の開くヒートモードタイ
プの記録剤を周込る。
次に、第２図に示すようｋ、パターンを形成したい部分
に、半導体レーザーを照射して孔あるいは溝を形成する
ことにより孔あるいけ溝と同じパターンに被エツチング
層を露出させる。
に、半導体レーザーを照射して孔あるいは溝を形成する
ことにより孔あるいけ溝と同じパターンに被エツチング
層を露出させる。
続いて、第３図のようＫ、被エツチング層を公知の湿式
エツチングなどの方法によりエツチングすることｋより
、パターンを被エツチング層に形成する。
エツチングなどの方法によりエツチングすることｋより
、パターンを被エツチング層に形成する。
最後化、第４図の如く、記録層５を溶媒を用いて溶解さ
せて除去する。この時、溶解液を用いて超音波洗浄をす
ると記録層の除去は確実になる。
せて除去する。この時、溶解液を用いて超音波洗浄をす
ると記録層の除去は確実になる。
上述の如くして、半導体レーザーを用いて微細パターン
が形成される。
が形成される。
以下、実施例によシ、本発明をさらに詳細に説明する。
直径１３０寓、内径１５■、厚さ１．２ ｇｍのガラス
基板に、銀を８０ ｎｍの厚さにスパッタすることｋよ
シ成膜し九。次に、 ｔ／シアニン色素ジクロロエタン
に溶解させスピンコード法によ）銀の上に積層した。こ
の記録層に波長８５０圓の半導体レーザーを８ ｍＷ
で照射して、パターンを入力した。そしてエツチング液
として過酸化水素水とアンモニア水の混合液を用いて、
浸漬法によりエツチングし、さらｋ、記録層をアセトン
を用すで超音波洗浄をして溶解除去した。
基板に、銀を８０ ｎｍの厚さにスパッタすることｋよ
シ成膜し九。次に、 ｔ／シアニン色素ジクロロエタン
に溶解させスピンコード法によ）銀の上に積層した。こ
の記録層に波長８５０圓の半導体レーザーを８ ｍＷ
で照射して、パターンを入力した。そしてエツチング液
として過酸化水素水とアンモニア水の混合液を用いて、
浸漬法によりエツチングし、さらｋ、記録層をアセトン
を用すで超音波洗浄をして溶解除去した。
これｋよ）、約１μｍの幅を持ったパターンが得られた
。
。
本発明の方法によれば、半導体レーザーの波長に感度を
有する記録剤を使用するため、パターン入力装置として
小型で安価な半導体レーザーの使用が可能となシ、白色
灯下での微細パ、ターンの加工が容易にできるようにな
ったため、工業上鏝れた効果を奏する。
有する記録剤を使用するため、パターン入力装置として
小型で安価な半導体レーザーの使用が可能となシ、白色
灯下での微細パ、ターンの加工が容易にできるようにな
ったため、工業上鏝れた効果を奏する。
第１図〜４図は本発明の方法の手順を示すものであシ、
１は基板、２は被エツチング層、３は記録層を示す。 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和６３年特許願＠２３１９８０号
２発明の名称 微細パターンの形成方法五補正をする
者 事件との関係 特許出願人 東京都中央区京橋二丁目３番１９号 （６０３）三菱レイヨン株式会社 取締役社長 永 井 彌太部 ４、代 理 人 〒１０４東京都中央区京橋二丁目３番１９号明細書の「
発明の詳細な説明」の欄
１は基板、２は被エツチング層、３は記録層を示す。 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和６３年特許願＠２３１９８０号
２発明の名称 微細パターンの形成方法五補正をする
者 事件との関係 特許出願人 東京都中央区京橋二丁目３番１９号 （６０３）三菱レイヨン株式会社 取締役社長 永 井 彌太部 ４、代 理 人 〒１０４東京都中央区京橋二丁目３番１９号明細書の「
発明の詳細な説明」の欄
Claims (1)
- 基板上に被エッチング層を成膜し、さらに光感応性を有
する記録層を積層し、半導体レーザ光を照射することに
より孔または溝を記録層に形成した後、露出した被エッ
チング層をエッチングすることを特徴とする微細パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63231980A JPH0279236A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63231980A JPH0279236A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279236A true JPH0279236A (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=16932058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63231980A Pending JPH0279236A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0749419A (ja) * | 1993-01-28 | 1995-02-21 | Gold Star Co Ltd | ホログラム光学素子の製造方法 |
| US5847542A (en) * | 1993-09-17 | 1998-12-08 | Nec Corporation | Circuit for preventing overdischarge of rechargeable battery pack consisting of a plurality of rechargeable batteries |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63231980A patent/JPH0279236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0749419A (ja) * | 1993-01-28 | 1995-02-21 | Gold Star Co Ltd | ホログラム光学素子の製造方法 |
| US5847542A (en) * | 1993-09-17 | 1998-12-08 | Nec Corporation | Circuit for preventing overdischarge of rechargeable battery pack consisting of a plurality of rechargeable batteries |
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