KR960032089A - 반사 방지막을 사용하는 레지스트 패턴형성방법, 형성된 레지스트 패턴, 레지스트 패턴을 사용한 에칭방법 및 형성된 생성물 - Google Patents

반사 방지막을 사용하는 레지스트 패턴형성방법, 형성된 레지스트 패턴, 레지스트 패턴을 사용한 에칭방법 및 형성된 생성물 Download PDF

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KR960032089A
KR960032089A KR1019960003963A KR19960003963A KR960032089A KR 960032089 A KR960032089 A KR 960032089A KR 1019960003963 A KR1019960003963 A KR 1019960003963A KR 19960003963 A KR19960003963 A KR 19960003963A KR 960032089 A KR960032089 A KR 960032089A
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가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

리도그래피에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 방법 및 레지스트 패턴을 형성하는데 사용되는 반사 방지층에 관한 것으로서, 기판 표면에 큰 단차가 있어도 만족스러운 반사 방지 효과를 얻을 수 있고, 반사율이 높은 기판에서의 반사에 의한 영향없는 기판 재료에도 불구하고 범용성이 있고, 애스펙트비의 제한에 의해 반사 방지막의 두께를 두껍게 하지 않아도 만족스러운 반사 방지 효과를 얻을 수 있고, 높은 정밀도로 미세 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 패턴 형성 방법과 이 방법에 사용된 반사 방지막을 제공하기 위해, 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록, 노출광을 사용하여 상기 레제스트막사에 패턴을 노출하는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트 막을 현상하는 스텝을 포함한다.
상기에 의해, 기판 표면에 큰 단차가 있어도 만족스러운 반사 방지 효과를 얻을 수 있고, 반사율이 높은 기판에서의 반사에 의한 영향없는 기판 재료에도 불구하고 범용성이 있고, 애스펙트비의 제한에 의해 반사 방지막의 두께를 두껍게 하지 않아도 만족스러운 반사 방지 효과를 얻을 수 있고, 높은 정밀도로 미세 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 패턴 형성 방법과 이 방법에 사용된 반사 방지막이 얻어진다.

Description

반사 방지막을 사용하는 레지스트 패턴 형성방법, 형성된 레지스트 패턴, 레지스트 패턴을 사용한 에칭방법 및 생성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도(a)~(e)는 본 발명의 제1의 실시예의 공정을 나타내는 단면도.

Claims (107)

  1. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트 막을 형성하도록, 노출광을 사용하여 상기 레지스트 막상에 패턴을 노출하는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하여, 상기 반사 방지막은 기판과 레지스트막 이외의 방향으로 두께를 가지며, 노출광에 대한 상기 반사 방지막의 광흡수율은 반사 방지막의 방향에서 불균일한 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스트막의 광흡수율은 상기 반사 방지막 두께의 방향에 있어서 상기 레지스트 막으로의 근접측에서 기판으로의 근접측으로 증가하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 단차부를 갖고, 상기 반사방지막과 상기 레지스트막은 상기 단차부상에 마련되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 평탄하지 않은 면을 갖는 것을 특지응로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  5. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레제스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 노출광을 사용하여 상기 레지스트 막상에 패턴을 노출하는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막은 상기 레지스트막에 근접한 측보다 상기 기판에 근접한 측이 더 큰 노출광에 대한 광흡수율을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반사 방지막의 광흡수율은 상기 레지스트막에 근접한 측에서 상기 기판에 근접한측으로 연속적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 레제스트 패턴형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반사 방지막은 반사 방지층을 형성하는 것에 의해 형성되고, 레제스트막을 형성하기 전에 상기 반사 방지층의 표면을 액체 또는 가스인 약약에 노출시켜 반사 방지층으로 약액을 확산시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기반사 방지막의 재료 니트론 화합물을 포함하고, 상기 약액은 HCI을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 반사 방지막은 레지스트막 근접측에서 기판 근접측의 방향으로의 광흡수 구배를 갖고, 상기 광흡수는 상기 방향으로 증가하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 반사 방지막은 그 드께 방향으로의 광흡수 구배를 갖고, 레지스트가 반사 방지막상에 도포될 때 형성된 혼합층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  11. 제5항에 있어서, 상기 반사 방지막은 그 두께 방향으로의 광흡수 구배를 갖고, CVD법에 의해 형성되고, 광흡수 구배는 반사 방지막의 형성시 막형성 조건을 변경하는 것에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  12. 제5항에 있어서, 상기CVD법에 의해 형성된 막은 SiOxNyHz막이고, 광흡수 구배는 x,y,및z를 변경하여 막의 조성을 변경하는 것에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성 방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 반사 방지막은 그 두께 방향으로의 광흡수 구배를 갖고, 스퍼터링법에 의해 형성되며, 광흡수 구배는 스퍼터링시 스퍼터링법이 실행되는 분위기의 조성을 변경한느 것에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 레제스트 패턴형성방법.
  14. 제5항에 있어서, 상기 반사 방지막은 그 두께 방향으로의 광흡수 구배를 갖고, Ar과N2의 혼합 가스의 분위기에서 실리콘을 타겟으로 하여 스퍼터링법에 의해 형성되고, 광흡수 구배는 스퍼터링시 N2가스의 양을 변경하는 것에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  15. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 레지스트막상에 패턴을 노출하는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막은 열처리에 의해 반사 방지막의 표면에서 휘발할 수 있는 흡광제를 함유하는 재료로 형성되고, 상기 반사 방지막은 기판상에 형성된 후 열처리되어 반사 방지막의 광흡수율이 레지스트막에 근접한 반사 방지막의 측에서 기판에 근접한 측을 향하여 증가하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 열처리는 광흡수율이 레지스트막에 근접한 반사 방지막의 측에서 기판에 근접한 반사 방지막의 측으로 연속적으로 증가하도록 실행되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 흡광제는 안트라센 유도체인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  18. 기판상에 반사방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 패턴 노출광을 사용하여 레지스트 막상에 패턴을 노출하는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막을 형성하는 스텝은 광흡수 변조광이 조사될 때, 패턴 노출광에 대한 광흡수 레벨이 낮은 패턴 노출광을 흡수할 수 있고, 또한 광흡수 변조광도 흡수할수 있는 재료의 층을 기판상에 퇴적하는 스텝과 그후, 조사된 층을 형성하도록 층의 상면에 광흡수 변조광을 방사하는 스텝을 포함하며, 패턴 노출광에 대해 조사된 층의 광흡수율이 조사된 층의 심층부보다 조사된 층의 상면에서 적은 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 광흡수 변조광의 강도는 형면상에서 균일한 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 재료는 패턴 노출광에 대한 흡광제를 포함하고, 상기 흡광제는 패턴 노출광에 대한 광흡수율이 광흡수 변조광으로 조사되는 것에 따라 감소되는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 흡광제는 니트론 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  22. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 패턴 노출광을 사용하여 레지스트 막상에 패턴을 노출시키는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 형성하는 스텝을 포함하며, 상기반사 방지막을 형성하는 스텝은 광흡수 변조광이 조사될 때 패턴 노출광에 대한 광흡수 레벨이 낮은 패턴 노출광을 흡수할 수 있고 또한 광흡수 변조광도 흡수할 수 있는 재료의 층을 기판상에 퇴적하는 스텝, 조사된 층을 형성하도록 층의 상면에 광흡수 변조광을 방사하는 스텝과 패턴 노출광으로 조사되어도 광흡수율의 특성이 변경되지 않는 막을 형성하도록 가스 또는 액체로 층을 노출시키는 것에 의해 반사 방지막을 마련하기 위해 막을 고정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 층의 상면에 조사된 광흡수 변조광은 평면상에서 균일한 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  24. 기판상에 니트론 화합물을 함유하는 막을 형성하는 스텝, 상기 니트론 화합물을 함유하는 막상에 광흡수 변조광을 방사하는 스텝, 처리된 막을 형성하도록, 상기 니트론 화합물을 함유하는 막을 HCI가스의 분위기내에 설치하는 스텝, 처리된 막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 패턴 노출광을 사용하여 상기 레지스트 막상에 패턴을 노출하는 스텝과 상기 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 페턴형성방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 니트론 화합물을 함유하는 막은 상기 광흡수 변조광을 방사하는 스텝후 HCI가스의 분위기내에 설치되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  26. 다이아조늄염과 페놀을 함유하는 막을 기판상에 형성하는 스텝, 상기 막상에 광흡수 변조광을 방사하는 스텝, 처리된 막을 형성하도록 알카리 증기의 분위기내에 막을 설치하는 스텝 , 처리된 막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록, 패턴 노출광을 사용하여 상기 레지스트막상에 패턴을 노출하는 스엡과 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 다이아조늄염과 페놀을 함유하는 막은 상기 광흡수 변조광을 방사하는 스텝후 알카리 증기의 분위기내에 설치되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  28. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트 막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 패턴 노출광을 사용하여 레지스트 막상에 패턴을 노출하는 스텝과 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 형성하는 스텝을 포함하며 상기 반사 방지막은 패턴 노출광과 함께 광흡수 변조광을 흡수하는 특성을 갖고, 또한 광흡수 변조광으로 조사된 후 열처리될 때 낮은 패턴 노출광을 흡수하는 특성을 갖는 막을 상기 기판상에 퇴적하고, 그후 광흡수 변조광으로 그 상면으로 층을 조사하며, 그후 반사 방지막을 생성하도록 상기 층을 열처리하는 것에 의해 형성되며, 패턴 노출광의 광흡수층은 막의 심층부에서 보다 반사 방지막의 상면에서 작은 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 층은 평면에서 강도가 균일한 광흡수 변조광으로 조사되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법,
  30. 제28항에 있어서, 상기 반사 방지막은 방향촉 아지드를 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  31. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레제스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 레지스트막상에 패턴을 노출하는 스텝과 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막은 제1층과 제2층을 순차 적층하여 되는 2층으로 형성되고, 패턴 노출광에 대한 제1층의 광흡수 계수는 제2층의 광흡수 계수보다 큰 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 제1층과 제2층은 CVD법에 의해 형성되고, 제1층과 제2층의 광흡수 계수는 막형성 조건을 변경하는 것에 의해 변화되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 CVD법에 의해 형성된 층은 각각 SiOxNyHz로 이루어지고, 제1층과 제2층의 광흡수 계수는 적어도 x,y 및 z중의 하나를 변경하는 것에 의해 층의 조성을 변경시켜 변화되는 것을 특징으로 하는 레제스트 패턴형성방법.
  34. 제33항에 있어서, 상기 제1층과 제2층은 스퍼터링에 의해 형성되고, 제1층과 제2층의 광흡수 계수는 스퍼터링 시 스퍼터링 분위기의 조성을 변경하는 것에 의해 변화되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 제1층과 제2층은 Ar과 N2의 혼합 가스의 분위기에서 실리콘을 타겟으로 하여 스퍼터링에 의해 형성되고 제1층과 제2층의 광흡수 계수는 공급된 N2가스의 양을 변경하는 것에 의해 변화되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  36. 제35항에 있어서, KrF엑사이머 레이저빔에 대해 제1층은 2.3굴절율n1(실수부)와 2.8의 소멸 계수k1(굴절율의 허수부)를 갖고, 제2층은 2.3의 굴절율N2(실수부)와 0.6의 소멸 계수k2(굴절율의 허수부)를 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  37. 제31항에 있어서, 상기 레지스트막상에 패턴을 노출하기 위한 노출광에 대해 상기 제1층의 소멸계수(굴절율의 허수부)는 2이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  38. 제35항에 있어서, i선 방사(파장 365㎚)에 대해 제1층은 4.6의 굴절율n1(실수부)와 2.7의 소멸 계수k1(굴절율의 허수부)를 갖고, 제2층은 2.8의 굴절율N2(실수부)와 0.4의 소멸 계수k2(굴절율의 허수부)를 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  39. 반사 방지막을 이루는 제1의 막을 기판상에 형성하는 스텝, 상기 제1의 막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 채턴 노출광을 사용하여 레지스트 막상에 패턴을 노출하는 스텝과 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하며, 반사 방지막을 이루는 상기 제1의 막은 여러개의 층으로 형성되며, 상기 제1의 막의 최하층을 패턴 노출광을 반사하는 막이고, 최하층상의 두 번째층은 패턴노출광에 대해 간섭상 반사 방지막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  40. 제39항에 있어서, 상기 최하층막은 금속막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  41. 제39항에 있어서, 상기 최하층은 Al,W,Ti,Si,Pt로 이루어지는 군에서 선택된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성 방법.
  42. 제39항에 있어서, 상기 간섭상 반사 방지막은 노출광에 대해 소멸 계수가 상기 최하층보다 작은 것을 특징으로 하는 패턴방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 최하층과 상기 간섭성 반사 방지막은 CVD법에 의해 형성된 SiOxNyHz막이고, 이들 막의 소멸 계수는 x,y및z의 적어도 하나를 변경하는 것에 의해 이들 조성이 변경되어 변화되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  44. 제39항에 있어서, 상기 간섭상 반사 방지막은 스퍼터링에 의해 형성된 막이고, 패턴 노출광에 대해 상기 간섭상 반사 방지막의 소멸계수는 스퍼터링시 가스 분위기의 조성을 변경하는 것에 의해 최하층의 소멸계수보다 작게 되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  45. 제44항에 있어서, 상기 스퍼터링은 N2와 불황성 가스의 혼합가스의 분위기에서 Si를 타겟으로 실행되고, 제1의 막의 소멸계수는 공급된 N2가스의 양을 변경하는 것에 의해 변화되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  46. 제39항에 있어서, 기판을 이루는 최상층은 패턴 노출광에 투명한 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  47. 제39항에 있어서, 상기 기판은 평탄하지 않은 면을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  48. 반사 방지막을 이루는 제1의 막을 기판상에 형성하는 스텝, 상기 제1의 막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 패턴 노출광을 사용하여 상기 레지스트막상에 원하는 채턴을 노출하는 스텝과 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막을 이루는 제1의 막은 제1층상에 적층된 제2층의 2층막이고, 상기 제1층은 상기 제2층보다 패턴 노출광을 더 흡수하며, 상기 제2층은 패턴 노출광에 대해 간섭성 반사 방지막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  49. 반사 방지막을 이루는 제1의 막을 기판상에 형성하는 스텝, 상기 제1의 막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 패턴 노출광을 사용하여 상기 레지스트막상에 원하는 채턴을 노출하는 스텝과 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 형성하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막을 이루는 제1의 막은 제1층과 제2층이 순차적층되어 형성된 2층막이고, 상기 제1층은 패턴 노출광을 반사하는 층이며, 상기 제2층은 간섭성 반사 방지막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  50. 제49항에 있어서, 상기 제1층은 금속층인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  51. 제49항에 있어서, 상기 제1층은 Al,W,Ti,Si,Pt로 이루어지는 군에서 선택된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성 방법.
  52. 제49항에 있어서, 상기 제1층의 굴절율과 소멸계수는 각각 약 2.3과 2.8이며, 상기 제2층의 굴절율과 소멸계수는 각각 약 2.3과 0.6인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  53. 제52항에 있어서, 상기 제2층의 두께는 0.017㎛와 0.039㎛사이의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  54. 제49항에 있어서, 상기 제1층과 굴절율과 소멸계수는 각각 약 2.2와 1.8이고, 상기 제2층의 굴절율과 소멸계수는 각각 약 2.1과 0.7인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  55. 제49항에 있어서, 상기 제1층은 알루미늄막이고, 상기 제2층은 굴절율과 소멸 계수는 각각 약 2.48과 0.9인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  56. 제49항에 있어서, 상기 제1층은 알루미늄막이고, 상기 제2층은 굴절율과 소멸 계수는 각각 약 2.13과 0.8인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  57. 제56항에 있어서, 상기 알루미늄막의 굴절율과 소멸계수는 각각 약 0.19와 2.94인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  58. 제55항에 있어서, 상기 알루미늄막의 굴절율과 소멸계수는 각각 약 0.19와 2.94인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  59. 제56항에 있어서, 상기 알루미늄막의 두께는 0.04㎛이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  60. 제49항에 있어서, 상기 제1층은 텅스텐막이고, 상기 제2층은 굴절율과 소멸 계수는 각각 약 2.3과 0.6인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  61. 제49항에 있어서, 상기 제1층은 텅스텐막이고, 상기 제2층의 굴절율과 소멸 계수는 각각 약 2.08과 0.6인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  62. 제61항에 있어서, 상기 텅스텐막의 굴절율과 소멸 계수는 각각 약 3.4과 2.85인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  63. 제61항에 있어서, 상기 텅스텐막의 두께는 0.02㎛이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  64. 제61항에 있어서, 상기 텅스텐막의 굴절율과 소멸 계수는 각각 약 3.4과 2.85인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  65. 제60항에 있어서, 상기 텅스텐막의 두께는 0.02㎛이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  66. 제49항에 있어서, 기판을 이루는 최상층막은 패턴 노출광에 투명한 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  67. 제49항에 있어서, 간섭성 반사 방지막은 패턴 노출광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  68. 제49항에 있어서, 상기 기판은 단차를 갖고, 상기 제1의 막과 레지스트막은 기판의 다른 부분과 상기 단차부에 며련되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  69. 기판에 레지스트를 도포하는 스텝, 노출된 레지스트를 형성하도록 레지스트상에 패턴을 노출하는 스텝과 원하는 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트를 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 레지스트는 산촉매 반응을 이용한 화학 증폭계 레지스트이고, 실리콘을 함유하는 스퍼터된 막은 상기 기판상에 형성되는 것을특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  70. 제69항에 있어서, 상기 스퍼터된 막은 기판에 레지스트를 도포하는 스텝 이전에 형성되고, 스퍼터된 막은 상기 기판과 레지스트막사이에 형성된 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  71. 기판상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 레지스트막상에 패턴을 노출하고, 또한 상기 반사 방지막의 표면부분이 노출시 광에 노출되는 스텝과, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트를 현상하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막은 노출된 레지스트막을 형성하도록 노출광의 광흡수율이 노출시에 광에 노출된 것의 광흡수율보다 작은 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
  72. 적어도 1층의 금속막 또는 금속 함유막을 포함하는 피가공막을 제1의 기학학적 형상으로 처리하는 피가공막 에칭 방법에 있어서, 상기 피가공막에 포함된 금속 또는 금속함유막과 동일 금속막 또는 금속함유막을 피가공막상에 형성하는 스텝, 상기 동일 금속막 또는 금속함유막상에 제2의 막을 형성하는 스텝, 상기 제2의 막상에 레제스트막을 형성하는 스텝, 패턴 노출광을 사용하여 레지스트막상에 패턴을 노출하는 스텝, 현상된 레지스트막을 형성하도록 상기 레지스트막을 현상하는 스텝, 현상된 레지스트막을 마스크로 하여 상기 동일 금속막 또는 금속함유막과 박막을 에칭하는 스텝, 상기 피가공막내의 금속막 또는 금속함유막이 노출될 때까지 상기 피가공막을 에칭하는 스텝, 레지스트를 제거하는 스텝과 상기 레지스트를 제거한후 피가공막을 다시 에칭하는 스텝을 포함하며, 상기 제2의 막은 패턴 노출광에 대한 간섭성 막인 것을 특징으로 하는 피가공막 에칭방법.
  73. 제72항에 있어서, 상기 피가공막을 다시 에칭하는 스텝에 있어서, 상기 동일 금속막 또는 금속함유막도 에칭되는 것을 특징으로 하는 피가공막 에칭방법.
  74. 제72항에 있어서, 상기 동일 금속막 또는 금속함유막은 Al,W,Ti,Ta,Pt,텅스텐 실리사이드, 티타늄 실시사이드로 이루어지는 군에서 선택된 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 피가공막 에칭방법.
  75. 제72항에 있어서, 상기 제2의 막은 SiNx막 또는 SiOxNyHz막인 것을 특징으로 하는 피가공막 에칭방법.
  76. 제72항에 있어서, 상기 피가공막은 평탄하지 않은 면을 갖는 것을 특징으로 한느 피가공막 에칭방법.
  77. 제72항에 있어서, 상기 피가공막은 단차면을 갖고 상기 제2의 막과 레지스트막은 상기 단차면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 피가공막 에칭방법.
  78. 에칭될 기판상에 반사 방지막을 마련하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 상기 레지스트막상에 패턴을 노출하는 스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 노출된 레지스트막을 현상하는 스텝, 마스크로서 레지스트 패턴을 사용하여 상기 반사 방지막을 제거하는 스텝, 레지스트 패턴을 제거하는 스텝과, 레지스트 패턴을 제거한 후, 에칭액으로 기판을 에칭하는 스텝을 포함하며, 상기 반사 방지막과 기판의 양쪽이 상기 에칭액으로 에칭되는 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  79. 제78항에 있어서 상기 반사 방지막은 실리콘 질화막이고, 상기 기판은 폴리실리콘, 실시사이드, 폴리사이드로 이루어진 군에서 선택된 재료의 적어도 하나의 막인 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  80. 제78항에 있어서, 상기 기판은 도전층인 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  81. 제80항에 있어서, 상기 도전층은 절연막상에 마련된 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  82. 제78항에 있어서, 상기 반사 방지막은 레지스트막을 노출하는 노출광에 대한 광흡수율을 갖고, 광흡수율은 상기 반사 방지막의 두께 방향으로 불균일한 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  83. 제78항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 기판의 재료와 거의 동일한 에칭액에서의 에칭율을 갖는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  84. 제78항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 레지스트막상의 패턴을 노출하는 노출광에 대한 광흡수율은 상기 반사 방지막 두께 방향에서 불균일 한 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  85. 제84항에 있어서, 상기 반사 방지막의 광흡수율은 레지스트막에 근접한 측보다 기판에 근접한 측에서 더 큰 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  86. 제78항에 있어서, 상기 반사 방지막은 기판에 근접한 제1층과 제1층상의 제2층의 2층막이고, 상기 제1층은 노출을 위해 사용된 패턴 노출광을 반사하는 층이고, 상기 제2층은 간섭성 반사 방지층인 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  87. 제86항에 있어서 상기 간섭성 반사 방지막은 패턴 노출광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  88. 제78항에 있어서, 상기 반사 방지막은 기판에 근접한 제1층과 제1층상의 제2층의 2층막이고, 상기 제2층은 간겁겅 반사 방지층이며, 상기 제1층은 상기 노출을 위해 사용된 패턴 노출광에 대한 광흡수율이 상기 제2층보다 큰 것을 특징으로 하는 기판에칭방법.
  89. 반도체 기판상의 절연막상에 도전막을 형성하는 스텝, 상기 도전막상에 반사 방지막을 형성하는 스텝, 상기 반사 방지막상에 레지스트막을 형성하는 스텝, 노출된 레지스트막을 형성하도록 반도체 장치의 구성을 위한 패턴 내에 노출광으로 레지스트막을 노출하는 스텝과 노출된 레지스트 막을 현상하는 스텝을 포함하며, (a)상기 반사 방지막은 상기 방지막의 두께 방향으로의 노출광에 대해 불균일 한 광흡수율을 갖고, 또는 (b)상기 반사 방지막은 기판에 근접한 제1층과 제1층상의 제2층의 2층막이고, 상기 제1층은 노출광을 반사하는 층이고, 제2층은 간겁겅 반사 방지층이며, 또는 (c)상기 반사 방지막은 기판에 근접한 제1층과 제1층상의 제2층의 2층막이고, 상기 제2층은 간섭성 반사 방지층이고, 상기 제1층은 상기 패턴 노출광에 대한 광흡수율이 제2층보다 큰 것을 특직으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  90. 제89항에 있어서, 상기 패턴은 반도체 장치의 워드선을 형성하기 위한 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  91. 제89항에 있어서, 상기 도전막은 평탄하지 않은 면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  92. 제89항에 있어서, 상기 도전막은 단차부를 갖고, 상기 반사 방지막과 레지스트막은 상기 단차부를 덮고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  93. 제89항에 있어서, 현상된 레지스트막을 마련하도록 레지스트막을 현상한 후, 현상된 레지스트막을 마스크로서 사용하여 반사 방지막을 선택적으로 제거하여 반사 방지막의 일부를 남겨두는 스텝을 또 포함하며, 상기 반사 방지막의 일부는 마스크로서 사용되어 도전막을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  94. 제93항에 있어서, 상기 도전막은 에칭액을 사용하는 에칭에 의해 선택적으로 제거되고, 현상된 레지스트막은 도전막을 에칭하기 전에 제거되며, 반사 방지막의 재료가 상기 에칭액에 의해 에칭되는 것에 의해 상기 반사 방지막의 일부는 에칭에 의한 도전막의 선택적인 제거시에 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  95. 제89항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 레지스트막상에 패턴을 노출하는 노출광에 대한 광흡수율을 갖고, 광흡수율도 상기 반사 방지막의 두께 방향에서 불균일한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  96. 제95항에 있어서, 상기 반사 방지막의 광흡수율은 레지스트막에 근접한 측보다 기판에 근접한 측에서 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  97. 제89항에 있어서, 상기 반사 방지막은 기판에 근접한 제1층과 제1층상의 제2층의 2층막이고, 상기 제1층은 노출을 위해 사용된 패턴 노출광을 반사하는 층이고, 상기 제2층은 간겁겅 반사 방지층인 것을 특징으로하는 반도체 장치의 제조방법.
  98. 제97항에 있어서, 상기 간섭성 반사 방지막은 패턴 노출광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  99. 제89항에 있어서, 상기 반사 방지막은 기판에 근접한 제1층과 제1층상의 제2층의 2층막이고, 상기 제2층은 간섭성 방사 방지층이며, 상기 제1층은 상기 노출을 위해 사용된 패턴 노출광에 대한 광흡수율이 상기 제2층보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  100. 도전막상에 산화실리콘막을 형성하는 스텝, 실리콘막을 형성하도록 스퍼터링에 의해 적어도 0.025㎛의 두께로 산화 실리콘막상에 실리콘을 퇴적하는 스텝, 스퍼터링에 의해 상기 실리콘막사에 SiNx막을 퇴적하는 스텝, 상기 SiNx막상에 레지스트를 도포하는스텝, 레지스트 패턴을 형성하도록 레지스트를 노출하여 현상하는 스텝, 레지스트 패턴을 마스크로서 사용하여 SiNx, 실리콘 및 산화 실리콤막을 에칭하여 산화 실리콘막 패턴을 형성하는 스텝, 레지스트 패턴을 제거하는 스텝과 산화 실리콘막 패턴을 마스크로하여 도전막을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선형성방법.
  101. 제100항에 있어서, 상기 도전막은 폴리실리콘막, 텅스텐 실리사이드막, 텅스텐 폴리사이드막으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 배선형성방법.
  102. 패턴 노출광을 흡수하도록 기판과 레지스트막사이에 형성되고, 노출광에 대한 흡수율이 상기 레지스트막에 근접한 측에서 보다 기판에 근접한 측에서 더 큰 것을 특징으로 하는 리도그래피를 사용한 반사 방지막.
  103. 제102항에 있어서, 상기 반사 방지막의 광흡수율은 상기 레지스트막에 근접한 측에서 기판에 근접한 측으로 연속적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 리도그래피를 사용한 반사 방지막.
  104. 패턴 노출광을 흡수하도록 기판과 레지스트막사이에 형성되고, 패턴 노출광에 노출되는 광흡수율이 작게 되는 패턴 노출광에 대한 광흡수율을 갖는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 리도그래피를 사용한 반사 방지막.
  105. 특허청구의 범위 제5항의 방법으로 형성된 생성물.
  106. 특허청구의 범위 제39항의 방법으로 형성된 생성물.
  107. 특허청구의 범위 제48항의 방법으로 형성된 생성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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