KR100243266B1 - (Ge,Si)Nx반사방지막및이를이용한패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

반도체장치 제조시 하지막으로부터 반사되어 포토레지스트막으로 입사되는 빛을 방지하기 위해 사용되는 반사방지막에 있어서, (Ge,Si)Nx로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막을 개시한다. 본 발명의 반사방지막은 그 수용성이 제어된 것이기 때문에 반도체장치 제조시의 현상공정에서 반사방지막이 물에 녹는 문제점이 개선된다.

Description

(Ge,Si)Nx 반사방지막 및 이를 이용한 패턴형성방법{(Ge, Si)Nx antireflective layer and fabricating method of semiconductor device pattern using the same}
본 발명은 반도체장치제조시의 포토리소그래피 공정에서 이용되는 반사방지막에 대한 것으로서, 상세하게는 Ge 함유 반사방지막의 수용성을 제어할 수 있는 반사방지막 및 이를 이용한 패턴형성방법에 대한 것이다.
반도체 기판 위에 소자를 형성하기 위하여는 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 기판을 식각하거나 이온주입을 행하여야 한다. 이때 포토레지스트 패턴 형성을 위한 노광시 하지막에서 반사되어 포토레지스트막 내로 입사되는 빛에 의해 여러 가지 부정적인 문제가 발생한다.
구체적으로 상기 입사된 빛이 포토레지스트막 내에서 다중간섭을 일으키면서 포토레지스트 패턴에 물결모양의 리플을 형성시킨다. 이 리플은 정확한 선폭의 제어를 어렵게 만드는 요인이 된다. PEB(Post Exposure Bake)에 의하여 이러한 리플을 제거한다 하여도 포토레지스트 패턴의 테일(tail)이나 언더컷 현상이 생기는 경우가 많다.
또한 상기 다중간섭 현상에 의하여 같은 노광에너지를 사용하였을 경우라도 포토레지스트에 실제로 흡수된 빛의 양이 포토레지스트의 두께에 따라 주기적으로 변하는 스윙효과(swing effect)가 생겨 선폭을 원하는 범위 안에서 제어하기 힘들다.
나아가 반도체장치의 제조과정 중 생성된 하지막의 단차 부위에서 발생하는 반사광에 의해 포토레지스트 패턴의 노칭(notching) 또는 브리징(bridging) 현상이 생긴다. 반도체장치가 고집적화될수록 웨이퍼 상의 구조는 다양한 토포그래피를 가지게 되므로 상기 문제는 더욱 심각해진다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체장치의 패턴형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들로서, 반도체 기판(1) 상에 트랜지스터 등을 포함하는 하부구조물과의 절연을 위한 절연층(3)을 형성하고, 그 위에 패턴을 형성하고자 하는 물질층(5)과 포토레지스트막(7)을 형성한다(도 1). 다음, 포토마스크(9)를 이용하여 포토레지스트막(7)을 노광한 다음 현상함으로써, 포토레지스트 패턴(11)을 형성한다(도 2).
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 절연층(3)의 표면에는 하부 구조로 인해 단차가 형성되는데, 이로 인해 상기 물질층(5) 위에 도포되는 포토레지스트막은 그 두께가 전면에 걸쳐 균일하지 않게 된다(도 1). 또한 포토마스크(9)를 사용한 노광 및 현상공정 이후에는, 상기한 빛의 다중간섭으로 인해 포토레지스트 패턴의 선폭이 단차가 낮은 부위와 높은 부위에서 서로 달라지며, 그 결과 노칭 또는 브리징이 발생하게 된다.
상기와 같은 문제점들은 패턴을 형성하고자 하는 물질층이 알루미늄과 같은 고반사물질로 형성될 경우 더욱 심각하게 나타난다.
이러한 문제를 해결하는 한 방법으로, 포토레지스트막 하부에 형성된 물질층에서 반사된 빛이 포토레지스트 내부로 입사되지 못하도록 포토레지스트와 물질층 사이에 반사방지막을 형성하는 방법이 알려져 있다.
이러한 반사방지막은 크게 유기반사방지막과 무기반사방지막으로 대별된다. 유기반사방지막은 유기물질을 스핀 코우팅 방법으로 도포함으로써 얻어지고, 무기반사방지막은 TiNx, SiNx 등과 같은 물질을 스퍼터링법, CVD법, 또는 PECVD법 등의 방법으로 도포함으로써 얻어진다.
상기 두가지 유형의 반사방지막이 모두 포토레지스트로 반사되는 빛으로 인한 문제점을 해결할 수 있는 것이긴 하나 각각 장단점들을 안고 있다. 구체적으로 유기반사방지막의 경우 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각 또는 이온주입공정을 진행한 후 O2 플라즈마를 이용한 포토레지스트 애슁공정에 의하여 남은 반사방지막과 포토레지스트를 쉽게 제거할 수 있는 장점이 있으나, 스핀코우팅 방법을 이용하기 때문에 단차 부위에서 반사방지막의 두께를 균일하게 하는 것이 불가능한 한편, 포토레지스트와 유기반사방지막의 식각선택비가 거의 없으므로 유기반사방지막 식각시 포토레지스트 패턴이 심하게 손실되는 단점이 있다. 반면, 무기반사방지막의 경우 상기한 유기반사방지막의 단점은 극복할 수 있지만 남은 반사방지막을 쉽게 제거하기 어려운 단점이 있다.
본 발명의 발명자 중의 일인(김동완)은 상기 상기 무기반사방지막의 문제점을 해결하기 위하여 게르마늄 나이트라이드(GeNx)를 이용한 반사방지막을 한국특허출원 제96-34761호로 제안한 바 있다.
구체적으로 상기 출원에서의 반사방지막은 게르마늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 바, 이러한 반사방지막은 다른 막질과의 식각선택비 조절이 용이하고 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용한 식각공정이나 이온주입공정 완료 후 잔여 포토레지스트와 반사방지막을 쉽게 제거할 수 있는 장점이 있다.
그러나 상기 반사방지막은 그 광학적 특성이 우수하긴 하나 현상공정에서 사용되는 물에 녹는 수용성을 가지는 단점이 있다. 현재 대부분의 반도체장치 제조공정에서 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)를 현상액으로 사용하며 세정은 물로 이루어진다. 이렇게 사용되는 상기 현상액 및 세정액에 물이 포함되어 있는데, 이 물이 포토레지스트 패턴을 통해 노출되어 있는 반사방지막을 녹이는 것이다. 특히 반도체 장치의 제조공정에서 주로 사용되는 현상액은 알칼리 수용액이며 현상후 세척액으로 물을 사용하므로 상기 문제점은 더욱 심각해진다.
반사방지막을 구성하는 GeNx물질이 물에 녹아서 제거되어져 버리면 포토레지스트 패턴이 하부막으로부터 이탈하는 포토레지스트 리프팅 현상이 발생하는 문제가 생긴다. 이는 상기 GeNx 반사방지막을 실제의 공정에 적용하기 어렵게 만드는 요인이 된다. 도3은 GeNx 반사방지막을 사용하여 현상공정을 진행한 후의 표면사진을 나타낸 것으로서 상기 반사방지막이 물에 녹은 것을 보여준다.
상기 한국특허출원 제96-34761호는 이러한 반사방지막의 수용성 문제를 해결하기 위하여 실리콘 산화물 박막을 반사방지막의 상부에 덮는 방법을 일실시예로 제안한 바 있다. 그러나 이 방법은 실리콘 산화물 박막을 반사방지막의 상부에 도포하는 공정을 추가로 수행해야 하기 때문에 공정이 복잡해지는 단점이 있다. 나아가 반사방지막을 보다 완벽히 덮으려면 웨이퍼 가장자리 부위의 반사방지막을 제거한 뒤 실리콘 산화물 박막으로 상기 반사방지막의 측면을 덮어야 하기 때문에 공정이 더욱 복잡해지는 단점이 있다.
따라서 본 발명은 GeNx 반사방지막 자체의 수용성을 제어함으로써 공정을 단순화함과 동시에 상기 수용성이 더욱 확실히 제어되어질 수 있는 반사방지막 및 이를 이용한 패턴형성방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체장치의 패턴형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 3은 GeNx 반사방지막을 사용하여 현상공정을 진행한 후의 표면사진을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반사방지막을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 11은 현상공정을 진행한 후의 본 발명의 반사방지막의 단면을 보여주는 SEM 사진이다.
도 12는 본 발명에 따른 반사방지막의 노광파장과 굴절율과의 관계를 도시한 그래프이다.
도 13은 본 발명에 따른 반사방지막의 노광파장과 소멸계수와의 관계를 도시한 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에서의 반사방지막 샘플들의 노광파장에 따른 굴절율과 소멸계수를 함께 도시한 그래프이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 반도체장치 제조시 하지막으로부터 반사되어 포토레지스트로 입사되는 빛을 방지하기 위해 사용되는 반사방지막에 있어서, (Ge,Si)Nx물질로 구성된 반사방지막을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 상기 반사방지막은 반도체 장치의 제조공정에서 많이 사용되는 산소, 주석, 납, 탄소, 수소, 또는 불소 등의 다른 원소를 적어도 하나 이상 함유할 수 있다.
상기 반사방지막내의 Si 성분은 본 발명의 반사방지막에서 다음과 같은 작용을 한다. 첫째, Ge과 Si은 원소주기율표의 같은 족에 있는 관계로 그 광학적 특성이 비슷하다. 따라서 본 발명의 Si 성분이 혼합된 (Ge,Si)Nx 반사방지막은 Ge성분만을 포함하는 반사방지막의 특성을 그대로 유지할 수 있다.
즉 본 발명의 반사방지막을 이용하여 노광 및 현상을 하면 단차부위에서의 포토레지스트막의 두께 변화에도 불구하고 선폭 변화가 없고 노칭이 없는 포토레지스트 패턴을 생성할 수 있으며, 스퍼터링 방법을 사용하여 반사방지막을 형성할 수 있기 때문에 스핀 코우팅 방법을 사용하는 유기반사방지막과 비교할 때 단차 부위에서 두께가 균일한 반사방지막이 얻어진다. 또한 잔여 반사방지막을 가열된 황산/과산화수소수 혼합액으로 쉽게 제거할 수 있다.
상기한 바와 같은 게르마늄 함유 반사방지막의 특성에 더하여, SiNx가 물에 녹지 않으므로 Si이 GeNx에 혼합된 (Ge,Si)Nx 반사방지막은 Si의 양에 의해 그 수용성이 제어되어진다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 단차가 형성된 하부구조물을 덮는 제1물질층을 형성하는 제1단계; 상기 제1물질층 상에 패턴을 형성하고자 하는 제2물질층을 형성하는 제2단계; 상기 제2물질층 상에 (Ge,Si)Nx 물질로 이루어진 반사방지막을 형성하는 제3단계; 상기 반사방지막 상에 포토레지스트막을 형성하는 제4단계; 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 제5단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반사방지막 및 제2물질층을 식각함으로써, 반사방지막 패턴 및 제2물질층 패턴을 차례로 형성하는 제6단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제7단계; 및 상기 반사방지막 패턴을 제거하는 제8단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 (Ge,Si)Nx 반사방지막을 이용한 반도체장치 패턴형성방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 반사방지막은 RF스퍼터링법으로 형성되어진다. 구체적으로 멀티 타겟 또는 GeSi 타겟을 사용하여 아르곤/질소 가스가 혼합된 분위기에서 RF스퍼터링 법으로 증착되어진다.
상기 RF스퍼터링시 아르곤 및 질소 가스의 유량과 RF파워를 조절함으로써 (Ge,Si)Nx 반사방지막의 소멸계수와 굴절율을 조절할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 반사방지막의 굴절율은 1.5 이상이고, 소멸계수는 0.05 이상이다.
한편, 상기 반사방지막 패턴은 가열된 황산과 과산화수소수가 혼합된 용액을 이용하여 제거할 수 있는 것일 뿐만 아니라 현상공정에서 물에 쉽게 녹지 않는 수불용성을 가진다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반사방지막을 형성하는 단계 이후, 고온열처리 공정을 수행하여 반사방지막의 막질을 개선하거나, RF 플라즈마 처리를 실시하여 반사방지막의 표면상태를 개선할 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반사방지막을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 반도체 기판(50) 상에 트랜지스터 등을 포함하는 하부구조물(도시되지 않음)을 덮는 제1 물질층(52)이 형성되어 있으며, 상기 제1물질층(52) 상에 패턴을 형성하고자 하는 제2 물질층(54)이 형성되어 있다. 또한 상기 제2 물질층(54)으로 입사된 빛이 반사되지 않도록 하기 위해 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막(56)이 상기 제2 물질층 상에 형성되어 있으며, 포토레지스트막(58)이 상기 반사방지막(56) 위에 형성되어 있다. 상기 제2 물질층(54)의 패턴 형성시 마스크로 사용될 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해, 포토마스크(60)을 이용하여 상기 포토레지스트막(58)을 노광시킨다.
본 발명에 따른 반사방지막(56)은, 다른 막질과의 식각선택비 조절이 용이하고 습식식각에 의해 쉽게 제거될 수 있을 뿐만 아니라, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 노광 및 현상공정에서 물에 녹지 않는 수불용성을 가지는 것이다.
한편, 본 발명에 따른 상기 반사방지막(56)은 스퍼터링법 또는 화학기상증착법으로 증착되기 때문에 그 두께가 균일하게 형성되어진다.
이하에서는 상기 반사방지막(56)의 반사방지 작용에 대하여 설명한다.
제2물질층(54)에서 포토레지스트막(58)으로 반사되는 빛은 포토레지스트막(58)과 반사방지막과의 경계면에서 반사된 빛(E1)과 반사방지막(56)과 제2 물질층(54)과의 경계면에서 반사된 빛(E2)과의 합이 된다.
따라서, 제2 물질층(54)에서 포토레지스트막(58)으로 반사되는 빛을 줄이기 위해서는, 포토레지스트막(58)과 반사방지막(56)과의 경계면에서 반사된 빛(E1)과, 반사방지막(56)과 제2 물질층(54)과의 경계면에서 반사된 빛(E2)이 서로 180°의 위상차를 가지게 하여 소멸간섭을 하도록 하거나, 또는 입사된 빛이 반사방지막을 통과하는 과정에서 거의 흡수되게 하여 반사방지막(56)과 제2 물질층(54)과의 경계면에서 반사된 빛(E2)이 포토레지스트막(58)으로 거의 반사되지 않도록 하여야 한다. 여기서 전자의 경우를 간섭형 반사방지막이라 하고 후자의 경우를 흡수형 반사방지막이라 한다.
통상 간섭형 반사방지막의 두께(d)는 λ/4n의 홀수배 근방의 두께를 가져야 한다. 여기서 λ는 노광파장이고 n은 노광파장에서 반사방지막의 굴절율을 말한다. 간섭형 반사방지막의 정확한 최적 두께는 노광파장에서 상기 반사방지막의 굴절율과 그 상하부에 형성되는 막들의 굴절율을 고려한 반사율 계산을 통하여 결정된다, 이와 같이, 간섭형 반사방지막은 두께 조절이 용이하고 균일한 두께로 증착될 수 있는 물질로 형성되어야 한다.
반면, 흡수형 반사방지막으로 사용하기 위해서는 입사한 빛이 반사방지막을 통과하면서 흡수될 수 있도록 충분히 두꺼운 두께의 반사방지막을 사용하여야 한다.
본 발명에 따른 상기 (Ge,Si)Nx 반사방지막(56)은 스퍼터링 또는 화학기상증착법으로 형성되므로, 단차부위에서 균일한 두께로 형성할 수 있으며, 두께 조절이 용이하여, 간섭형 또는 흡수형 반사방지막으로 사용될 수 있다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 5는 포토레지스트막(58)을 형성하는 단계를 도시한다.
반도체 기판(50) 상에 트랜지스트 등을 포함하는 하부구조물(도시되지 않음)을 형성하고, 그 위에 하부구조물을 덮는 제1 물질층(52), 예컨데 절연층을 형성한다. 제1 물질층(52) 상에 패턴을 형성하고자 하는 물질을 증착하여 제2 물질층(54)을 형성한 다음, 제2 물질층(54)으로 입사된 빛이 반사되지 않도록 하기 위해 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막(56)을 형성한다. 다음, 상기 반사방지막(56) 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막(58)을 형성한다.
여기서 상기 절연층(52)은 불순물이 도우프되지 않은 실리콘 산화물, 불순물이 도우프된 실리콘 산화물, 열산화에 의해 성장된 실리콘 산화물, 옥시나이트라이드, 또는 실리콘 나이트라이드로 구성된 투명하거나 반투명한 절연층을 말한다.
또한 상기 패턴을 형성하고자 하는 제2 물질층(54)은 고반사율을 갖는 고반사물질층으로서, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 코발트 실리사이드, 폴리실리콘, 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 폴리실리콘층 위에 증착된 금속실리사이드 등으로 구성되어진다.
고반사물질층인 상기 제2 물질층(54)은 스퍼터링, CVD, 또는 PECVD법 등의 통상의 방법으로 형성된다.
본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막은 멀티 타겟 또는 GeSi 타겟을 사용하고 질소가스 또는 질소가스와 아르곤가스가 혼합된 분위기에서 RF스퍼터링법으로 형성하거나, CVD법, PECVD법, 졸-겔법, 또는 레이져 어블레이션법에 의해 형성될 수 있다. 따라서 스핀코우팅을 이용하던 종래의 유기 반사방지막에 비해 단차부위에서 균일한 두께가 얻어진다.
아래의 표 1은 본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막을 RF스퍼터링법으로 증착할 때의 증착조건을 나타낸 것이다.
샘플 파워(W)/증착시간 Ar(sccm) N2(sccm) 압력(mtorr) 두께(Å)
YGSN0001 250/10분 60 30 16.5 2000
YGSN0002 250/10분 60 40 32.1 1160
YGSN0003 250/10분 60 45 43.1 5260
YGSN0004 250/10분 45 45 21.3 1260
YGSN0005 350/10분 40 45 15.9 2400
YGSN0006 350/10분 60 30 31.8 3000
YGSN0007 350/10분 60 40 42.5 2000
YGSN0008 350/10분 60 45 21 1570
YGSN0009 350/10분 45 45 16.3 2310
YGSN00010 250/10분 40 45 16.5 3600
본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막은, 동일한 노광파장에서 게르마늄 및 실리콘의 함유량에 따라 소멸계수(extinction coefficient, k)가 다르게 나타난다. 따라서 상기 표 1에서 나타난 바와 같이 파워와 질소가스의 유량을 적절히 선택함으로써 반사방지막의 소멸계수를 조절할 수 있다.
한편 상기 반사방지막을 형성한 후, 어닐링과 같은 고온열처리를 수행함으로써 반사방지막의 막질을 향상시킬 수 있으며, RF 플라즈마 처리를 함으로써 반사방지막의 표면상태를 개선시킬 수 있다.
도 6은 포토레지스트 패턴(62)을 형성하는 단계를 도시한다.
포토마스크(60)을 이용하여 상기 포토레지스트막(58)을 노광 및 현상함으로써 상기 반사방지막(56) 상에 포토레지스트 패턴(62)을 형성한다. 도 6에서 나타난 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트이다.
도 6에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 (Ge,Si)Nx반사방지막은 현상과정에서 사용되는 물에 의하여 녹지 않는 수불용성을 가진다.
도 7은 반사방지막 패턴(56') 및 제2 물질층 패턴(54')을 형성하는 단계를 나타낸 것이다.
구체적으로 상기 포토레지스트 패턴(62)을 식각마스크로 하고 상기 반사방지막(56) 및 제2 물질층(54)을 식각함으로써 반사방지막 패턴(56')과 제2 물질층 패턴(54')을 차레로 형성한다.
이때 본 발명의 반사방지막은 포토레지스트와의 식각선택비가 크기 때문에 포토레지스트 패턴의 손실을 피할 수 있다.
도 8은 포토레지스트 패턴(62) 및 반사방지막 패턴(56')을 제거하는 단계를 도시한 것이다.
상기 포토레지스트 패턴(62)을, 예컨데 산소플라즈마를 이용한 포토레지스트애슁공정으로 제거하고, 이어서 상기 반사방지막 패턴(56')을 가열된 황산과 과산화수소수의 혼합액을 사용하여 제거한다.
한편 본 발명에 따른 패턴형성방법은 상기 제1실시예에서와 같이 패턴을 형성하고자 하는 제2 물질층(54) 상에 반사방지막(56)을 직접 형성하는 경우 뿐만 아니라 제2 물질층(54) 상에 노광파장에 대해 투명하거나 반투명한 물질층(55)을 형성하고 그 위에 반사방지막(56)을 형성하는 경우(도 9 참조)나 포토레지스트막(58)과 반사방지막(56) 사이에 노광파장에 대해 투명하거나 반투명한 물질층(55)을 형성하는 경우(도 10 참조)에도 모두 적용될 수 있다. 여기서, 노광파장에 대해 투명하거나 반투명한 상기 물질층(55)은 불순물이 도우프되지 않은 실리콘산화물, 불순물이 도우프된 실리콘산화물, 열산화에 의해 성장된 실리콘산화물, 옥시나이트라이드, 또는 실리콘 나이트라이드를 사용하여 형성할 수 있다.
도 11은 현상공정을 진행한 후의 본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막 단면을 SEM사진으로 보인 것이다. 구체적으로 본 발명의 반사방지막의 상하부에는 각각 실리콘 기판과 포토레지스트 패턴이 존재한다. 도 11에서 볼 수 있듯이 Si이 첨가된 (Ge,Si)Nx 막은 그 노출된 표면이 거의 식각되어지지 않는다. 이로부터 본 발명의 반사방지막은 현상공정 중에 사용되는 물에 의하여 거의 영향을 받지 않는 것을 알 수 있다.
도 12는 본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막의 노광파장에 따른 굴절율(n)을 나타낸 것이다. 구체적으로 상기 표 1에 기재한 샘플 반사방지막 YGSN0001 내지 YGSN0009의 파장에 따른 굴절율을 도시하였다. 도 12에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 표 1의 샘플 YGSN0003을 제외하고는 파장에 따라 모든 시료가 유사한 분포를 가지며, 248nm에서 2 이상의 굴절율을 가진다.
도 13은 본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막의 노광파장에 따른 소멸계수(k)를 나타낸 것이다. 구체적으로 샘플 k3을 제외하고는 모든 샘플의 소멸계수가 유사한 것과 248nm에서 0.25 이상의 소멸계수를 가지는 것을 알 수 있다.
도 14는 상기 표 1에서 보인 본 발명 실시예의 샘플들에서의 굴절율과 소멸계수를 함께 그래프로 도시한 것이다. 구체적으로 248nm에서의 각 시료의 굴절율과 소멸계수를 함께 나타낸 것이다. 도 14로부터 알 수 있는 바와 같이 샘플들 중에서 GSN4, GSN7, GSN8이 우수한 특성을 보인다.
아래의 표2는 GeNx막과 본 발명의 (Ge,Si)Nx막의 조성을 각각 X P S 법으로 분석, 비교한 것이다. 아래 표에 나타난 수치는 각 원자의 원자%를 나타낸다.
Ge N O C Si
GeNx 32.9 12.7 45.8 8.6 0
(Ge,Si)Nx 24.3 6.5 53.6 14.8 0.8
상기 표 2로부터 본 발명의 (Ge,Si)Nx 반사방지막 내의 Si 함유량이 0.8 원자 %(Atomic %)이 되는 것을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시에에만 한정되는 것이 아니고 당업계의 평균적인 기술적 지식을 가진 자에 의하여 변형되어 적용될 수 있는 것이다. 예컨데 본 발명의 실시예에서 설명한 스퍼터링법은 CVD법으로 대체되어질 수 있다. CVD법을 이용할 때에는 본 발명의 반사방지막이 SiH4와 GeH4를 원료가스로 하여 N2, Ar개스 분위기에서 증착되어진다.
또한 본 발명의 바람직한 실시예에서 비록 반도체 집적회로가 그 주된 대상으로서 설명되어졌지만, 디스크레트(discrete) 소자, 또는 태양전지 등의 반도체 기판을 사용하는 모든 제품의 제조에 본 발명의 반사방지막이 적용되어질 수 있음도 명백하다. 상기 반도체기판은 단결정 실리콘 기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판, SOS(Silicon On Sapphire) 기판, 또는 갈륨비소 기판 등의 반도체 기판을 모두 포함하는 의미로 해석되어져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, GeNx 반사방지막의 수용성이 제어됨으로써 현상공정시 사용되는 물에 의하여 반사방지막이 녹는 단점이 개선된다.

Claims (20)

  1. 반도체장치 제조시 하지막으로부터 반사되어 포토레지스트막으로 입사되는 빛을 방지하기 위해 사용되는 반사방지막에 있어서, 상기 반사방지막은 (Ge,Si)Nx로 이루어지고, 450nm 이하의 노광파장에서 소멸계수가 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막이 산소, 주석, 납, 탄소, 수소 및 불소로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하지막은 고반사물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  4. 제3항에 있어서, 상기 고반사물질은 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 코발트 실리사이드, 폴리실리콘, 알루미늄, 알루미늄 합금, 및 폴리실리콘과 금속 실리사이드가 적층된 폴리사이드로 구성된 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  5. 제1항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막의 두께가 5nm 이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  6. 제1항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막은 450nm 이하의 노광파장에서 굴절율이 1.5 이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  7. 제1항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막에 함유되는 Ge와 Si의 함유량 비율이 0.01 내지 100인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  8. 제1항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막은 Si을 0.8 원자%(atomic %) 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 반사방지막.
  9. 단차가 형성된 하부구조물을 덮는 제1 물질층을 형성하는 제1단계;
    상기 제1물질층 상에 패턴을 형성하고자 하는 제2 물질층을 형성하는 제2 단계;
    상기 제2 물질층 상에 (Ge,Si)Nx로 이루어지고, 450nm 이하의 노광파장에서 소멸계수가 0.05 이상인 반사방지막을 형성하는 제3단계;
    상기 반사방지막 상에 포토레지스트막을 형성하는 제4단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 제5단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반사방지막 및 제2 물질층을 식각함으로써, 반사방지막 패턴 및 제2 물질층 패턴을 차례로 형성하는 제6단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제7단계; 및
    상기 반사방지막 패턴을 제거하는 제8 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  10. 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막은 멀티타겟을 사용하여 아르곤 가스와 질소가스가 혼합된 분위기에서 RF스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 아르곤 가스와 상기 질소가스의 혼합비는 0.5 내지 2.5인 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 RF스퍼터링시 질소가스의 유량과 RF 파워를 조절하여 상기 (Ge,Si)Nx 반사방지막의 상기 소멸계수를 0.05 이상으로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도채장치 패턴형성방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막에 함유되는 Ge와 Si의 비율이 0.01 내지 100인 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 (Ge,Si)Nx로 이루어진 반사방지막이 Si을 0.8 원자%(atomic %) 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 반사방지막 패턴은 가열된 황산과 과산화수소수의 혼합용액을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 반사방지막을 형성하는 단계 후, 고온열처리 공정을 수행하여 반사방지막의 막질을 개선하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  17. 제9항에 있어서, 상기 반사방지막을 형성하는 단계 후, RF 플라즈마 처리를 수행하여 반사방지막의 표면상태를 개선하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  18. 제9항에 있어서, 상기 제2단계 후 상기 제2 물질층 상에 노광파장에 대해 투명하거나 반투명한 물질층을 형성하는 단계와, 상기 제6 단계에서 반사방지막 패턴을 형성한 후 제2 물질층 패턴을 형성하기 전에 상기 노광파장에 대해 투명하거나 반 투명한 물질층의 패턴을 형성하고, 상기 제8 단계 후 상기 노광파장에 대해 투명하거나 반투명한 물질층의 패턴을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  19. 제9항에 있어서, 상기 노광파장에 대해 투명하거나 반투명한 물질층은 불순물이 도우프되지 않은 실리콘 산화물, 불순물이 도우프된 실리콘 산화물, 옥시나이트라이드, 및 실리콘 나이트라이드로 구성된 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
  20. 제9항에 있어서, 상기 반사방지막은 스퍼터링(sputtering)법, 화학기상증착(CVD)법, 플라즈마 처리된 화학기상증착(PECVD)법, 졸-겔(sol-gel)법, 또는 레이져 어블레이션(laser ablation)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패턴형성방법.
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