KR970030336A - 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법(method of forming fine contact hole using MLR) - Google Patents
다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법(method of forming fine contact hole using MLR) Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 중가 절연막의 슬로프 에칭을 이용하여 0.2㎛ 이하의 미세 콘택홀을 형성할 수 있는 방법을 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 하부 포토 레지스트막, 중간 절연막 및 상부 포토 레지스트막으로 된 다중 레지스트를 이용하여 콘택홀을 형성하는 데 있어서, 콘택홀이 형성될 부위의 상부 포토 레지스트막을 식각하는 공정과, 상부 포토 레지스트막을 마스크로 하여 중간 절연막을 슬로프 에칭하는 공정과, 슬로프 에칭된 중간 절연막을 마스크로 이용하여 상부 포토 레지스트막을 식각하는 공정과, 슬로프 에칭된 중가 절연막과 하부 포토 레지스트막을 마스크로 이용하여 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함한다. 이때, 중간 절연막의 슬로프 에칭시 산화막에 대한 포토 레지스트막의 식각 선택비가 높은 식각 개스를 이용하여 식각하는데, 식각 개스로 Ar/CHF3/CF4가 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)-(d)는 본 발명의 실시예에 따른 다중 레지스트를 이용한 반도체장치의 미세 콘택홀 형성공정도.
Claims (5)
- 하부 포토 레지스트막(23), 중간 절연막(24) 및 상부 포토 레지스트막(25)으로 된 다중 레지스트를 이용하여 콘택홀을 형성하는 데 있어서, 콘택홀이 형성될 부위의 상부 포토 레지스트막(25)을 식각하는 공정과, 상부 포토레지스트막(25)을 마스크로 하여 중간 절연막(34)을 슬로프 에칭하는 공정과, 슬로프 에칭된 중간 절연막(24)을 마스크로 이용하여 상부 포토 레지스트막(25)을 식각하는 공정과, 슬로프 에칭된 중간 절연막(24)과 하부 포토 레지스트막(23)을 마스크로 이용하여 절연막(22)을 식각하여 콘택홀(26)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 콘택홀의 크기가 중간 절연막의 두께에 따라 조절가능한 것을 특징으로 하는 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 중간 절연막의 슬로프 에칭시 산화막에 대한 포토 레지스트막의 식각 선택비가 높은 식각 개스를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법.
- 제3항에 있어서, 산화막에 대한 포토 레지스트막의 식각 선택비가 높은 개스로 Ar/CHF3/CF4가 사용되는 것을 특징으로 하는 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법.
- 제4항에 있어서, 식각 개스의 유량에 따라 콘택홀의 크기를 조절하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039902A KR970030336A (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법(method of forming fine contact hole using MLR) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950039902A KR970030336A (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법(method of forming fine contact hole using MLR) |
Publications (1)
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|---|---|
| KR970030336A true KR970030336A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66586956
Family Applications (1)
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| KR1019950039902A KR970030336A (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법(method of forming fine contact hole using MLR) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030336A (ko) |
-
1995
- 1995-11-06 KR KR1019950039902A patent/KR970030336A/ko not_active Application Discontinuation
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