KR970072134A - 반도체 장치의 실리콘 나이트라이드막 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 실리콘 나이트라이드막 에칭 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 반도체 기판상의 도전층 위에 적층된 실리콘 나이트라이드막을 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여 에칭하는 데 있어서, O2/CHF3/NF3/Ar으로 이루어지는 제1혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 나이트라이드막을 저스트 에칭하여 실리콘 나이트라이드막 패턴을 형성하는 1차 에칭 단계와, CHF3/Ar으로 이루어지는 제2혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 나이트라이드막을 오버 에칭하는 2차 에칭 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 도전층의 상부에 형성된 실리콘 나이트라이드막의 양호한 버티칼 프로파일 형성이 가능하고, 또한 포토레지스트와의 고선택적 에칭이가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도내지 제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 나이트라이드막의 에칭 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
Claims (3)
- 반도체 기판상의 도전층 위에 적층된 실리콘 나이트라이드막을 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여 에칭하는 데 있어서, O2/CHF3/NF3/Ar으로 이루어지는 제1혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 나이트라이드막을 저스트 에칭하여 실리콘 나이트라이드막 패턴을 형성하는 1차 에칭 단계와, CHF3/Ar으로 이루어지는 제2혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 나이트라이드막을 오버 에칭하는 2차 에칭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1혼합 가스는 1~40부피%의 O2와, 0~100부피%의 Ar을 포함하고, 0.01≤〔NF3〕/(〔CHF3〕+〔NF3〕)〈1 및 0≤〔Ar〕/(〔O2〕+〔CHF3〕+〔NF3〕+〔Ar〕)〈1의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2혼합 가스는 0≤〔CHF3〕/(〔Ar〕+〔CHF3〕〈1의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 에칭 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012487A KR970072134A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 장치의 실리콘 나이트라이드막 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012487A KR970072134A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 장치의 실리콘 나이트라이드막 에칭 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072134A true KR970072134A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66217139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012487A KR970072134A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 장치의 실리콘 나이트라이드막 에칭 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072134A (ko) |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012487A patent/KR970072134A/ko not_active Application Discontinuation
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