JPS62279652A - 単結晶基板 - Google Patents
単結晶基板Info
- Publication number
- JPS62279652A JPS62279652A JP61121014A JP12101486A JPS62279652A JP S62279652 A JPS62279652 A JP S62279652A JP 61121014 A JP61121014 A JP 61121014A JP 12101486 A JP12101486 A JP 12101486A JP S62279652 A JPS62279652 A JP S62279652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- crystal orientation
- patterns
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳｉ等の単結晶の素材からなる基板に関するも
のである。
のである。
結晶方位に依存するエツチングにより単結晶基板上に微
細加工を施す場合には、まずエツチングのマスクとなる
層を基板上に形成して、そのマスク層に基板の結晶方位
と合せた所望のパターンを転写する必要がある。
細加工を施す場合には、まずエツチングのマスクとなる
層を基板上に形成して、そのマスク層に基板の結晶方位
と合せた所望のパターンを転写する必要がある。
従来、１ｍ光装置を用いてパターンの転写を行う際、基
板の結晶方位と転写すべきパターンの方向とを合せるた
めに、例えば特開昭５９−１３９６２６号に示されるよ
うに、基板の同縁の一部分に設けられた結晶方位を示す
直線部分すなわちオリエンテーションフラットを利用し
ていた。しかし、オリエンテーションフラットは機械加
工されたものであるため所定の結晶方位に対する角度誤
差が生じていること、および、露光装置はこのオリエン
テーションフラットを機械的な粗位置決めに利用してい
ること等から、基板上のマスク層に転写されるパターン
の方向と基板の結晶方位との間に角度誤差が生じること
は避けられない。
板の結晶方位と転写すべきパターンの方向とを合せるた
めに、例えば特開昭５９−１３９６２６号に示されるよ
うに、基板の同縁の一部分に設けられた結晶方位を示す
直線部分すなわちオリエンテーションフラットを利用し
ていた。しかし、オリエンテーションフラットは機械加
工されたものであるため所定の結晶方位に対する角度誤
差が生じていること、および、露光装置はこのオリエン
テーションフラットを機械的な粗位置決めに利用してい
ること等から、基板上のマスク層に転写されるパターン
の方向と基板の結晶方位との間に角度誤差が生じること
は避けられない。
［発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、転写すべきパターンの方向と結晶方位
とを正しく合せるという点で不十分である。その結果、
基板の結晶方位に依存するエツチングにより除去される
部分はマスク層に形成されたパターンより大きくなり、
寸法精度が劣化するという問題点がある。
とを正しく合せるという点で不十分である。その結果、
基板の結晶方位に依存するエツチングにより除去される
部分はマスク層に形成されたパターンより大きくなり、
寸法精度が劣化するという問題点がある。
本発明の目的は上述の問題点を解決し、マスク層に転写
すべきパターンの方向を結晶方位に精度良く合せること
ができる単結晶基板を提供することにある。
すべきパターンの方向を結晶方位に精度良く合せること
ができる単結晶基板を提供することにある。
上記の目的は、結晶基板の少なくとも片面に所定の距離
をおいて少なくとも２個のパターンを形成しておき、そ
の２個のパターンの中心を結ぶ直線が基板の結晶方位と
一致するように配置し、かつ所望のパターンを転写°す
るときに上記２個のパターンを位置合せ用パターンとし
て用いることにより達成される。
をおいて少なくとも２個のパターンを形成しておき、そ
の２個のパターンの中心を結ぶ直線が基板の結晶方位と
一致するように配置し、かつ所望のパターンを転写°す
るときに上記２個のパターンを位置合せ用パターンとし
て用いることにより達成される。
単結晶基板の少なくとも片面に設けられた２個以上のパ
ターンは、露光装置でパターンを転写する際の位置合せ
用パターンの役割を果たす。すなわち、露光装置が通常
有している光学的な位置検出手段により、一定距離をお
いた２ケ所のパターン位置を検出する。この位置検出に
より露光装置に対する基板の回転装着誤差が正確に検出
され、露光装置はこの回転装着誤差を補正してパターン
転写を行う。それによって、転写されるパターンの方向
は、予め基板上に形成しておいた２個のパターンの中心
を結ぶ直線と一致した方向、すなわち基板の結晶方位に
正確に合った方向に転写される。
ターンは、露光装置でパターンを転写する際の位置合せ
用パターンの役割を果たす。すなわち、露光装置が通常
有している光学的な位置検出手段により、一定距離をお
いた２ケ所のパターン位置を検出する。この位置検出に
より露光装置に対する基板の回転装着誤差が正確に検出
され、露光装置はこの回転装着誤差を補正してパターン
転写を行う。それによって、転写されるパターンの方向
は、予め基板上に形成しておいた２個のパターンの中心
を結ぶ直線と一致した方向、すなわち基板の結晶方位に
正確に合った方向に転写される。
［実施例］
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第１図は、面
方位が（１００）であるＳｉ単結晶基板１の概観を示す
図であり、この基板には従来結晶方位を示すために機械
加工されたオリエンテーションフラット４が設けられて
いる。基板１の表面には２個の溝パターン２が形成され
ており、この溝パターン２の中心を結ぶ直線３は基板１
の＜０１１＞方向を正確に示している。溝パターン２の
幅は、２〜１０μｍである。
方位が（１００）であるＳｉ単結晶基板１の概観を示す
図であり、この基板には従来結晶方位を示すために機械
加工されたオリエンテーションフラット４が設けられて
いる。基板１の表面には２個の溝パターン２が形成され
ており、この溝パターン２の中心を結ぶ直線３は基板１
の＜０１１＞方向を正確に示している。溝パターン２の
幅は、２〜１０μｍである。
次に、基板１に溝パターン２を形成する方法を第２図に
より説明する。第２図は、基板１上に形成すべきパター
ン２の原画（開口部）８を有するホトマスク７と、Ｘｆ
ｉ回折により結晶方位を知るためのＸ線源９およびＸｖ
Ａカウンタ１０を備えた等倍のパターン転写装置を示し
ている。本転写装置の試料台５には回転テーブル６が設
けられている。回転テーブル上らホトレジスト（図示し
ていない）を塗布したＳｉ単結晶基板１を装着し、回転
テーブル６を回転させると、Ｘ線カウンタ１０の出力値
は第３図に示す曲線１１を描く。本実施例では、Ｘ線ｇ
９とＸ線カウンタ１０との相対位置をブラッグ反射角θ
＝ ２３．６４° に設定しであるので、第３図に示す
曲線１７がピークとなる位置が〈０１１〉方向を正確に
表わしている。ここで回転テーブル６の回転を止め、ホ
トマスク７上の開ロバターンを露光する。現像処理後、
残存レジストをマスクとして基板１をエツチング（等方
エツチングでよい）すれば溝パターン２が形成される。
より説明する。第２図は、基板１上に形成すべきパター
ン２の原画（開口部）８を有するホトマスク７と、Ｘｆ
ｉ回折により結晶方位を知るためのＸ線源９およびＸｖ
Ａカウンタ１０を備えた等倍のパターン転写装置を示し
ている。本転写装置の試料台５には回転テーブル６が設
けられている。回転テーブル上らホトレジスト（図示し
ていない）を塗布したＳｉ単結晶基板１を装着し、回転
テーブル６を回転させると、Ｘ線カウンタ１０の出力値
は第３図に示す曲線１１を描く。本実施例では、Ｘ線ｇ
９とＸ線カウンタ１０との相対位置をブラッグ反射角θ
＝ ２３．６４° に設定しであるので、第３図に示す
曲線１７がピークとなる位置が〈０１１〉方向を正確に
表わしている。ここで回転テーブル６の回転を止め、ホ
トマスク７上の開ロバターンを露光する。現像処理後、
残存レジストをマスクとして基板１をエツチング（等方
エツチングでよい）すれば溝パターン２が形成される。
θを適宜変えることにより、所望の・面方位を有する基
板に同様のパターン２を形成することが可能である。
板に同様のパターン２を形成することが可能である。
本実施例で示した単結晶基板を用いれば、基板上に所望
のパターンを露光装置を用いて転写する際、露光装置が
通常有している光学的な位置検出手段により２ケ所の溝
パターン２の位置を検出し、基板１の回転装着誤差を正
確に検出できる。その回転装着誤差に応じて基板１を回
転してパターン露光を行うことにより、転写すべきパタ
ーンの方向と、基板１の結晶方位とを正しく合せること
ができる。
のパターンを露光装置を用いて転写する際、露光装置が
通常有している光学的な位置検出手段により２ケ所の溝
パターン２の位置を検出し、基板１の回転装着誤差を正
確に検出できる。その回転装着誤差に応じて基板１を回
転してパターン露光を行うことにより、転写すべきパタ
ーンの方向と、基板１の結晶方位とを正しく合せること
ができる。
第２図では、溝パターン２の形状として１ケの直線形状
の例を示したが、このパターンはパターン転写用の露光
装置が検出できるものであればよく、１ケの直線パター
ンの形状に限られるものでない。さらにパターンとして
は、溝パターンのような段差のみならずクロム等の金属
を使用することも可能である。また、特定の波長の光に
対して回折像を形成し、その形成した像をもって位置情
報を与えることの可能なパターンを用いることも可能で
ある。また、ボロン等のイオンをドープしてパターンと
することも可能である。
の例を示したが、このパターンはパターン転写用の露光
装置が検出できるものであればよく、１ケの直線パター
ンの形状に限られるものでない。さらにパターンとして
は、溝パターンのような段差のみならずクロム等の金属
を使用することも可能である。また、特定の波長の光に
対して回折像を形成し、その形成した像をもって位置情
報を与えることの可能なパターンを用いることも可能で
ある。また、ボロン等のイオンをドープしてパターンと
することも可能である。
以上説明したように、本発明に係る単結晶基板において
は、マスク層に転写すべきパターンの方向と単結晶基板
の結晶方位とを正しく合せることができるので、結晶方
位に依存するエツチングを用いた微細加工を施すときの
寸法精度を向上させる効果がある。
は、マスク層に転写すべきパターンの方向と単結晶基板
の結晶方位とを正しく合せることができるので、結晶方
位に依存するエツチングを用いた微細加工を施すときの
寸法精度を向上させる効果がある。
第１図は本発明の一実施例である単結晶基板の概念を示
す平面図、第２図は結晶方位に合せた溝パターンを形成
する装置を示す概念図、第３図はＸ線回折により方位を
知るためのカウンタ出力値を示す図である。 １・・Ｓｉ単結晶基板、２・・・溝パターン。乙ｒ。 代理人 弁理士 小川勝馬、 。 蒋／図 第２０ ２ 真ノ＼６クーン
す平面図、第２図は結晶方位に合せた溝パターンを形成
する装置を示す概念図、第３図はＸ線回折により方位を
知るためのカウンタ出力値を示す図である。 １・・Ｓｉ単結晶基板、２・・・溝パターン。乙ｒ。 代理人 弁理士 小川勝馬、 。 蒋／図 第２０ ２ 真ノ＼６クーン
Claims (1)
- １、少なくとも片面に、パターンを２個以上形成し、２
個の該パターンの中心位置を結ぶ直線がその素材の特定
の結晶方位を正確に示すことを特徴とする単結晶基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121014A JPS62279652A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 単結晶基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121014A JPS62279652A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 単結晶基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279652A true JPS62279652A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14800671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121014A Pending JPS62279652A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 単結晶基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62279652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279077A (en) * | 1992-03-12 | 1994-01-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor wafer |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61121014A patent/JPS62279652A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279077A (en) * | 1992-03-12 | 1994-01-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor wafer |
| US5439723A (en) * | 1992-03-12 | 1995-08-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate for producing semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001066757A (ja) | 露光方法 | |
| US6970231B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JPH11162833A (ja) | 基板周縁露光方法 | |
| JPS62279652A (ja) | 単結晶基板 | |
| WO2006137396A1 (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JPH06324475A (ja) | レチクル | |
| JP2004145174A (ja) | 両面マスクの作成方法 | |
| JP3120345B2 (ja) | 位相シフトマスク及び半導体装置 | |
| JPS63155722A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0337229Y2 (ja) | ||
| JPS58127322A (ja) | ステツパ−アライナのアライメント方法 | |
| JPH05158218A (ja) | マスク基板および描画方法 | |
| JP3038956B2 (ja) | レティクル位置合せ方法 | |
| JP4591039B2 (ja) | 両面マスクの表裏パターンずれの測定方法および両面マスクの作成方法 | |
| JP2544665B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法 | |
| JPS622542A (ja) | 単結晶基板 | |
| JP2541386B2 (ja) | レ―ザ―マ―キング方法及びその精度管理方法 | |
| JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
| JPS6244740A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5821824A (ja) | ウエハアライメント方法 | |
| JPH06151275A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3413947B2 (ja) | 周辺露光装置 | |
| JPS60240126A (ja) | フオトマスク若しくはレチクル | |
| JP5324206B2 (ja) | 位置合わせ方法、ホトマスクおよびウエハ | |
| JP2882821B2 (ja) | アライメント装置 |