JPH06151275A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06151275A JPH06151275A JP4300704A JP30070492A JPH06151275A JP H06151275 A JPH06151275 A JP H06151275A JP 4300704 A JP4300704 A JP 4300704A JP 30070492 A JP30070492 A JP 30070492A JP H06151275 A JPH06151275 A JP H06151275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment marks
- reticle
- semiconductor substrate
- alignment
- coordinates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造工程のフォトリソグラフィ
ー工程におけるアライメント方法の改良に関し、半導体
基板上の複数のアライメントマークと、次工程に用いる
レチクル上の複数のアライメントマークとがそれぞれ最
も近づくように位置合わせすることにより、パターンの
位置ズレを最小にすることが可能となる半導体装置の製
造方法の提供を目的とする。 【構成】 複数のアライメントマークを素子形成領域外
に具備するレチクルを用い、半導体基板に形成されてい
る複数のアライメントマークの位置と、アライメントマ
ークの設計座標の位置との位置ずれを最小にする角度を
算出し、この角度だけ半導体基板を回転させる工程と、
この回転させた半導体基板に形成されているアライメン
トマークの位置と、次工程に用いるレチクルに形成され
ているアライメントマークの位置との位置ずれを最小に
する角度を算出し、この角度だけレチクルを回転させて
露光を行う工程とから構成する。
ー工程におけるアライメント方法の改良に関し、半導体
基板上の複数のアライメントマークと、次工程に用いる
レチクル上の複数のアライメントマークとがそれぞれ最
も近づくように位置合わせすることにより、パターンの
位置ズレを最小にすることが可能となる半導体装置の製
造方法の提供を目的とする。 【構成】 複数のアライメントマークを素子形成領域外
に具備するレチクルを用い、半導体基板に形成されてい
る複数のアライメントマークの位置と、アライメントマ
ークの設計座標の位置との位置ずれを最小にする角度を
算出し、この角度だけ半導体基板を回転させる工程と、
この回転させた半導体基板に形成されているアライメン
トマークの位置と、次工程に用いるレチクルに形成され
ているアライメントマークの位置との位置ずれを最小に
する角度を算出し、この角度だけレチクルを回転させて
露光を行う工程とから構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
のフォトリソグラフィー工程におけるアライメント方法
の改良に関するものである。
のフォトリソグラフィー工程におけるアライメント方法
の改良に関するものである。
【０００２】近年の半導体装置は、16Ｍや64ＭのＤＲＡ
Ｍに代表されるように、0.3 〜0.5μm 幅の非常に微細
なパターンを形成することが要求されている。このため
キープロセスであるフォトリソグラフィー技術が重要に
なっており、パターンを形成する場合に最も重要な露光
装置におけるアライメントの精度は誤差を0.1 μm 以下
のズレに抑えることが望まれている。
Ｍに代表されるように、0.3 〜0.5μm 幅の非常に微細
なパターンを形成することが要求されている。このため
キープロセスであるフォトリソグラフィー技術が重要に
なっており、パターンを形成する場合に最も重要な露光
装置におけるアライメントの精度は誤差を0.1 μm 以下
のズレに抑えることが望まれている。
【０００３】以上のような状況から、高精度のアライメ
ントを速やかに行うことが可能となる半導体装置の製造
方法が要望されている。
ントを速やかに行うことが可能となる半導体装置の製造
方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のレチクルを図４により、従来の半
導体装置の製造方法を図５により詳細に説明する。
導体装置の製造方法を図５により詳細に説明する。
【０００５】図４は従来のレチクルの配置を示す図、図
５は従来の半導体装置の製造方法を示す図である。従来
の縮小投影露光装置における位置合わせ方法は、図４に
示すような素子形成領域11a 外の１箇所にアライメント
マークＰ11を設けたレチクル11を用いて露光することに
より、図５に示すように半導体基板に形成したアライメ
ントマークＰ11A の位置を、レーザービームを利用した
アライメントセンサを用いて測定し、次工程に用いる図
４に示すようなレチクル11に設けられているアライメン
トマークＰ11を、図５に示すように半導体基板に形成し
たアライメントマークＰ11Aの測定位置に位置合わせす
ることにより半導体基板とレチクル11の位置合わせを行
っている。
５は従来の半導体装置の製造方法を示す図である。従来
の縮小投影露光装置における位置合わせ方法は、図４に
示すような素子形成領域11a 外の１箇所にアライメント
マークＰ11を設けたレチクル11を用いて露光することに
より、図５に示すように半導体基板に形成したアライメ
ントマークＰ11A の位置を、レーザービームを利用した
アライメントセンサを用いて測定し、次工程に用いる図
４に示すようなレチクル11に設けられているアライメン
トマークＰ11を、図５に示すように半導体基板に形成し
たアライメントマークＰ11Aの測定位置に位置合わせす
ることにより半導体基板とレチクル11の位置合わせを行
っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置の製造方法においては、素子形成領域外の１箇
所にアライメントマークを設けたレチクルを用いて露光
してアライメントマークを半導体基板に形成し、このア
ライメントマークの位置をレーザービームを利用したア
ライメントセンサを用いて測定し、次工程に用いるレチ
クルに設けられているアライメントマークをこの測定位
置に位置合わせすることにより半導体基板とレチクルの
位置合わせを行っているので、これらのアライメントマ
ークの近傍においては非常に正確な位置合わせを行うこ
とが可能であるが、レチクルのパターン配置、露光装置
のレンズのディストーション、露光装置間のレンズミス
マッチングなどに起因する、レチクルのパターンと半導
体基板上に形成されているパターンとの間にズレが生じ
た場合には、これらのアライメントマークからの距離が
遠い部分においては、このズレが集積されて大きなパタ
ーンのズレが生じるという問題点があった。
導体装置の製造方法においては、素子形成領域外の１箇
所にアライメントマークを設けたレチクルを用いて露光
してアライメントマークを半導体基板に形成し、このア
ライメントマークの位置をレーザービームを利用したア
ライメントセンサを用いて測定し、次工程に用いるレチ
クルに設けられているアライメントマークをこの測定位
置に位置合わせすることにより半導体基板とレチクルの
位置合わせを行っているので、これらのアライメントマ
ークの近傍においては非常に正確な位置合わせを行うこ
とが可能であるが、レチクルのパターン配置、露光装置
のレンズのディストーション、露光装置間のレンズミス
マッチングなどに起因する、レチクルのパターンと半導
体基板上に形成されているパターンとの間にズレが生じ
た場合には、これらのアライメントマークからの距離が
遠い部分においては、このズレが集積されて大きなパタ
ーンのズレが生じるという問題点があった。
【０００７】本発明は以上のような状況から、半導体基
板に形成されている複数のアライメントマークと、次工
程に用いるレチクルに形成されている複数のアライメン
トマークとを位置合わせする場合に、これらの複数のア
ライメントマークがそれぞれ最も近づくように位置合わ
せすることにより、パターンの位置ズレを最小にするこ
とが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的とし
たものである。
板に形成されている複数のアライメントマークと、次工
程に用いるレチクルに形成されている複数のアライメン
トマークとを位置合わせする場合に、これらの複数のア
ライメントマークがそれぞれ最も近づくように位置合わ
せすることにより、パターンの位置ズレを最小にするこ
とが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的とし
たものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板の表面に形成されている複数のア
ライメントマークと、次工程に用いるレチクルに形成さ
れている複数のアライメントマークとを位置合わせする
方法において、半導体基板に形成されている複数のアラ
イメントマークの位置と、複数のアライメントマークの
設計座標の位置との位置ずれを最小にする角度を算出
し、この角度だけ半導体基板を回転させる工程と、この
回転させた半導体基板に形成されている複数のアライメ
ントマークの位置と、次工程に用いるレチクルに形成さ
れている複数のアライメントマークの位置との位置ずれ
を最小にする角度を算出し、この角度だけレチクルを回
転させて露光を行う工程とから構成する。
造方法は、半導体基板の表面に形成されている複数のア
ライメントマークと、次工程に用いるレチクルに形成さ
れている複数のアライメントマークとを位置合わせする
方法において、半導体基板に形成されている複数のアラ
イメントマークの位置と、複数のアライメントマークの
設計座標の位置との位置ずれを最小にする角度を算出
し、この角度だけ半導体基板を回転させる工程と、この
回転させた半導体基板に形成されている複数のアライメ
ントマークの位置と、次工程に用いるレチクルに形成さ
れている複数のアライメントマークの位置との位置ずれ
を最小にする角度を算出し、この角度だけレチクルを回
転させて露光を行う工程とから構成する。
【０００９】
【作用】即ち本発明においては、半導体基板の表面に形
成されている複数のアライメントマークと、次工程に用
いるレチクルに形成されているアライメントマークとを
位置合わせする方法において、半導体基板に形成されて
いる複数のアライメントマークの位置と、アライメント
マークの設計座標の位置との位置ずれを最小にするよう
に半導体基板を回転させ、この回転させた半導体基板に
形成されているアライメントマークの位置と、次工程に
用いるレチクルに形成されているアライメントマークの
位置との位置ずれを最小にするようにレチクルを回転さ
せて露光を行うので、位置合わせ工程におけるパターン
の位置ズレを最小にすることが可能となる。
成されている複数のアライメントマークと、次工程に用
いるレチクルに形成されているアライメントマークとを
位置合わせする方法において、半導体基板に形成されて
いる複数のアライメントマークの位置と、アライメント
マークの設計座標の位置との位置ずれを最小にするよう
に半導体基板を回転させ、この回転させた半導体基板に
形成されているアライメントマークの位置と、次工程に
用いるレチクルに形成されているアライメントマークの
位置との位置ずれを最小にするようにレチクルを回転さ
せて露光を行うので、位置合わせ工程におけるパターン
の位置ズレを最小にすることが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下図１〜図３により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例のレ
チクルの配置を示す図、図２〜図３は本発明による一実
施例の半導体装置の製造方法を示す図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例のレ
チクルの配置を示す図、図２〜図３は本発明による一実
施例の半導体装置の製造方法を示す図である。
【００１１】本発明による一実施例のレチクル１は図１
に示すように素子形成領域1a外の四隅にアライメントマ
ークＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 を形成したレチクルである。この
ようなレチクルを用いて半導体装置を製造するにはまず
レチクルを用いて半導体基板を露光し、図２(a) に示す
ように半導体基板上にアライメントマークＰA1,ＰA2,Ｐ
A3,ＰA4を形成し、露光装置に設けられているアライメ
ントセンサを用いてこれらのアライメントマークの下記
の座標を求める。
に示すように素子形成領域1a外の四隅にアライメントマ
ークＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 を形成したレチクルである。この
ようなレチクルを用いて半導体装置を製造するにはまず
レチクルを用いて半導体基板を露光し、図２(a) に示す
ように半導体基板上にアライメントマークＰA1,ＰA2,Ｐ
A3,ＰA4を形成し、露光装置に設けられているアライメ
ントセンサを用いてこれらのアライメントマークの下記
の座標を求める。
【００１２】ＰA1の座標──────（ＸA1，ＹA1） ＰA2の座標──────（ＸA2，ＹA2） ＰA3の座標──────（ＸA3，ＹA3） ＰA4の座標──────（ＸA4，ＹA4） つぎに上記の半導体基板上に形成したアライメントマー
クＰA1, ＰA2, ＰA3,ＰA4の座標を用いて下記の重心Ｏ
の座標を算出する。
クＰA1, ＰA2, ＰA3,ＰA4の座標を用いて下記の重心Ｏ
の座標を算出する。
【００１３】
【数１】
【００１４】ついでこの重心Ｏを原点とする上記のアラ
イメントマークＰA1, ＰA2, ＰA3,ＰA4の下記に示す座
標を算出する。
イメントマークＰA1, ＰA2, ＰA3,ＰA4の下記に示す座
標を算出する。
【００１５】
【数２】
【００１６】ここでレチクルの製造に用いる図２(b) に
示すようなアライメントマークＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 の重心
Ｏを原点とする下記の設計座標を用いてＸ軸を基準線と
する偏角θ1,θ2,θ3,θ4 を算出する。
示すようなアライメントマークＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 の重心
Ｏを原点とする下記の設計座標を用いてＸ軸を基準線と
する偏角θ1,θ2,θ3,θ4 を算出する。
【００１７】Ｐ1 の座標────── (Ｘ1 ，Ｙ1 ） Ｐ2 の座標────── (Ｘ2 ，Ｙ2 ） Ｐ3 の座標────── (Ｘ3 ，Ｙ3 ） Ｐ4 の座標────── (Ｘ4 ，Ｙ4 ） θ1 ＝tan -1 (Ｙ1 ／Ｘ1) θ2 ＝tan -1 (Ｙ2 ／Ｘ2) θ3 ＝tan -1 (Ｙ3 ／Ｘ3) θ4 ＝tan -1 (Ｙ4 ／Ｘ4) そして半導体基板に形成されている図３(a) に示すよう
なアライメントマークＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4の座標を用
いてＸ軸を基準線とする偏角α1,α2,α3,α4を算出す
る。
なアライメントマークＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4の座標を用
いてＸ軸を基準線とする偏角α1,α2,α3,α4を算出す
る。
【００１８】
【数３】
【００１９】ここで重心Ｏからの距離に比例する回転ズ
レに対して持たせる重みを示す重み量を下記の計算式を
用いて算出する。
レに対して持たせる重みを示す重み量を下記の計算式を
用いて算出する。
【００２０】
【数４】
【００２１】上記の偏角α1,α2,α3,α4と、偏角θ1,
θ2,θ3,θ4と、重み量Ｗ1,Ｗ2,Ｗ3,Ｗ4とを用いて下記
の算式により回転角βを求める。
θ2,θ3,θ4と、重み量Ｗ1,Ｗ2,Ｗ3,Ｗ4とを用いて下記
の算式により回転角βを求める。
【００２２】
【数５】
【００２３】この回転角βだけ回転させた半導体基板上
に形成されているアライメントマークＰA1,ＰA2,ＰA3,
ＰA4 の位置は、下記の算式により算出される座標の位
置になる。
に形成されているアライメントマークＰA1,ＰA2,ＰA3,
ＰA4 の位置は、下記の算式により算出される座標の位
置になる。
【００２４】
【数６】
【００２５】ここで回転角βだけ回転させた半導体基板
上のアライメントマークＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4と位置合
わせする図３(b)に示すようなレチクルのアライメント
マークＰB1,ＰB2,ＰB3,ＰB4 の下記の座標を露光装置に
設けられているアライメントセンサを用いて求める。
上のアライメントマークＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4と位置合
わせする図３(b)に示すようなレチクルのアライメント
マークＰB1,ＰB2,ＰB3,ＰB4 の下記の座標を露光装置に
設けられているアライメントセンサを用いて求める。
【００２６】ＰB1の座標──────（ＸB1，ＹB1） ＰB2の座標──────（ＸB2，ＹB2） ＰB3の座標──────（ＸB3，ＹB3） ＰB4の座標──────（ＸB4，ＹB4） つぎに上記のレチクル１に形成されているアライメント
マークＰB1,ＰB2,ＰB3 ,ＰB4の座標を用いて下記の重心
Ｏの座標を算出する。
マークＰB1,ＰB2,ＰB3 ,ＰB4の座標を用いて下記の重心
Ｏの座標を算出する。
【００２７】
【数７】
【００２８】ついでこの重心Ｏを原点とする上記のアラ
イメントマークＰB1, ＰB2, ＰB3,ＰB4の下記に示す座
標を算出する。
イメントマークＰB1, ＰB2, ＰB3,ＰB4の下記に示す座
標を算出する。
【００２９】
【数８】
【００３０】ここでレチクルに形成されている、図３
(b) に示すようなアライメントマークＰB1, ＰB2, Ｐ
B3, ＰB4の重心Ｏを原点とする座標を用いてＸ軸を基準
線とする偏角ε1,ε2,ε3,ε4 を算出する。
(b) に示すようなアライメントマークＰB1, ＰB2, Ｐ
B3, ＰB4の重心Ｏを原点とする座標を用いてＸ軸を基準
線とする偏角ε1,ε2,ε3,ε4 を算出する。
【００３１】
【数９】
【００３２】そして回転角βだけ回転させた半導体基板
に形成されている、図３(b) に示すようなアライメント
マークＰA11,ＰA21,ＰA31,ＰA41 の座標を用いてＸ軸を
基準線とする偏角γ1,γ2,γ3,γ4 を算出する。
に形成されている、図３(b) に示すようなアライメント
マークＰA11,ＰA21,ＰA31,ＰA41 の座標を用いてＸ軸を
基準線とする偏角γ1,γ2,γ3,γ4 を算出する。
【００３３】
【数１０】
【００３４】上記の偏角γ1,γ2,γ3,γ4 と、偏角ε1,
ε2,ε3,ε4 と、上記の〔数５〕で求めた重み量とを用
いて下記の算式により回転角φを求める。
ε2,ε3,ε4 と、上記の〔数５〕で求めた重み量とを用
いて下記の算式により回転角φを求める。
【００３５】
【数１１】
【００３６】この回転角φだけ回転させたレチクル１上
に形成されているアライメントマークＰB1,ＰB2,ＰB3,
ＰB4 の位置は、下記の算式により算出される座標の位
置になり、回転角βだけ回転させた半導体基板上に形成
されているアライメントマークＰA11,ＰA21,ＰA31,Ｐ
A41 に対してそれぞれ最も近ずけることが可能となる。
に形成されているアライメントマークＰB1,ＰB2,ＰB3,
ＰB4 の位置は、下記の算式により算出される座標の位
置になり、回転角βだけ回転させた半導体基板上に形成
されているアライメントマークＰA11,ＰA21,ＰA31,Ｐ
A41 に対してそれぞれ最も近ずけることが可能となる。
【００３７】
【数１２】
【００３８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば半導体基板に形成されている複数のアライメン
トマークと、次工程に用いるレチクルに形成されている
複数のアライメントマークとが、それぞれ最も近づくよ
うに位置合わせすることが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装
置の製造方法の提供が可能である。
によれば半導体基板に形成されている複数のアライメン
トマークと、次工程に用いるレチクルに形成されている
複数のアライメントマークとが、それぞれ最も近づくよ
うに位置合わせすることが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装
置の製造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例のレチクルの配置を示
す図、
す図、
【図２】 本発明による一実施例の半導体装置の製造方
法を示す図(1) 、
法を示す図(1) 、
【図３】 本発明による一実施例の半導体装置の製造方
法を示す図(2) 、
法を示す図(2) 、
【図４】 従来のレチクルの配置を示す図、
【図５】 従来の半導体装置の製造方法を示す図、
ＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4 はアライメントマーク、 ＰA11,ＰA21,ＰA31,ＰA41 はアライメントマーク、 １はレチクル、 1aは素子形成領域、 Ｐ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 はアライメントマーク、 ＰB1,ＰB2,ＰB3,ＰB4 はアライメントマーク、 θ1,θ2,θ3,θ4 は偏角、 α1,α2,α3,α4 は偏角、 ε1,ε2,ε3,ε4 は偏角、 γ1,γ2,γ3,γ4 は偏角、 βは回転角、 φは回転角、
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に形成されている複数
のアライメントマーク (ＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4) と、次
工程に用いる素子形成領域(1a)外に複数のアライメント
マークを具備するレチクル(1) に形成されているアライ
メントマーク(ＰB1,ＰB2,ＰB3,ＰB4) とを位置合わせす
る方法において、 前記半導体基板の表面に形成されている複数のアライメ
ントマーク(ＰA1,ＰA2 ,ＰA3,ＰA4) の位置を測定し、該
複数のアライメントマーク (ＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4)の重
心を原点とする、該複数のアライメントマーク(ＰA1,Ｐ
A2,ＰA3,ＰA4)の位置を示す座標を算出する工程と、 前記複数のアライメントマーク(ＰA1,ＰA2,ＰA3,ＰA4)
の位置のＸ軸に対する偏角 (α1,α2,α3,α4)と、前記
複数のアライメントマーク(ＰA1,ＰA2,ＰA3,Ｐ A4) の形
成に用いたレチクル(1) の複数のアライメントマークの
位置の設計座標のＸ軸に対する偏角 (θ1,θ2,θ3,θ4)
とを算出し、該偏角 (θ1,θ2,θ3,θ4)と、前記偏角
(α1,α2,α3,α4)と、前記設計座標から求めた前記重
心からの距離に比例する重み量とから算出することがで
きる、前記複数のアライメントマーク (ＰA1,ＰA2,Ｐ
A3,ＰA4)と前記設計座標の複数のアライメントマークと
を、それぞれ最も近ずけることが可能となる回転角(β)
を算出して該回転角(β）だけ前記半導体基板を回転さ
せる工程と、 該回転角 (β) だけ回転した後の、前記半導体基板の表
面上に形成されている複数のアライメントマーク(ＰA1,
ＰA2,ＰA3,ＰA4) の位置を示す座標を算出する工程と、 次工程に用いるレチクル(1) に形成されている複数のア
ライメントマーク (Ｐ B1,ＰB2,ＰB3,ＰB4) の位置を測
定し、該複数のアライメントマーク (ＰB1,ＰB2 ,ＰB3,
ＰB4)の重心を原点とする、該複数のアライメントマー
ク(ＰB1,ＰB2,ＰB3 ,ＰB4) の位置を示す座標を算出する
工程と、 前記レチクル(1)に形成されている複数のアライメント
マーク(ＰB1,ＰB2,ＰB3 ,ＰB4) の位置のＸ軸に対する偏
角 (ε1,ε2,ε3,ε4)と、回転角(β) だけ回転させた
前記半導体基板に形成されている複数のアライメントマ
ーク (ＰA11,ＰA2 1,ＰA31,ＰA41)の位置のＸ軸に対する
偏角 (γ1,γ2,γ3,γ4)とを算出し、前記偏角 (ε1,ε
2,ε3,ε4)と、前記偏角 (γ1,γ2,γ3,γ4)と、前記設
計座標から求めた前記重心からの距離に比例する重み量
と、から算出することができる、回転角 (β) だけ回転
させた前記半導体基板に形成されている複数のアライメ
ントマーク (ＰA11,ＰA21,ＰA31,ＰA41)と前記レチクル
(1) に形成されている複数のアライメントマーク(ＰB1,
ＰB2,ＰB3,ＰB4) とを、それぞれ最も近ずけることが可
能となる回転角 (φ) を算出し、該回転角 (φ) だけ前
記レチクル(1) を回転させる工程と、 からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4300704A JPH06151275A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4300704A JPH06151275A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151275A true JPH06151275A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17888085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4300704A Withdrawn JPH06151275A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151275A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990047447A (ko) * | 1997-12-04 | 1999-07-05 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 노광 장치 |
| US5976737A (en) * | 1997-06-02 | 1999-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor devices utilizing alignment of bed shot and stage shot through rotation to almost overlap respective distortions |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP4300704A patent/JPH06151275A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976737A (en) * | 1997-06-02 | 1999-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor devices utilizing alignment of bed shot and stage shot through rotation to almost overlap respective distortions |
| KR19990047447A (ko) * | 1997-12-04 | 1999-07-05 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 노광 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09148243A (ja) | 半導体素子のオーバレイ検査方法 | |
| JP2646412B2 (ja) | 露光装置 | |
| CN100559283C (zh) | 测量方镜非正交性角度和缩放比例因子校正值的方法 | |
| JPH0140492B2 (ja) | ||
| JPH06151275A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0581046B2 (ja) | ||
| JPH0353770B2 (ja) | ||
| JP2002169266A (ja) | マスク、結像特性計測方法、及び露光方法 | |
| CN103454862B (zh) | 用于光刻设备的工件台位置误差补偿方法 | |
| JP3245859B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2004145174A (ja) | 両面マスクの作成方法 | |
| JP2860567B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS59161815A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS58127322A (ja) | ステツパ−アライナのアライメント方法 | |
| JP6639082B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品製造方法 | |
| JPH1089921A (ja) | アライメント測定誤差補正方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS6380529A (ja) | 半導体焼付け装置 | |
| US20010031406A1 (en) | Photomask and exposure method | |
| JPH04255210A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP2882821B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JP4591039B2 (ja) | 両面マスクの表裏パターンずれの測定方法および両面マスクの作成方法 | |
| JP3162505B2 (ja) | 半導体写真触刻方法 | |
| JPH1079333A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH1050601A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP2004029372A (ja) | マスク、結像特性計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |