JP3162505B2 - 半導体写真触刻方法 - Google Patents
半導体写真触刻方法Info
- Publication number
- JP3162505B2 JP3162505B2 JP27230592A JP27230592A JP3162505B2 JP 3162505 B2 JP3162505 B2 JP 3162505B2 JP 27230592 A JP27230592 A JP 27230592A JP 27230592 A JP27230592 A JP 27230592A JP 3162505 B2 JP3162505 B2 JP 3162505B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- semiconductor wafer
- orientation flat
- orientation
- azimuth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種半導体装置の製造
プロセスに使用される半導体写真触刻方法に関するもの
であり、特に、半導体ウェハのオリエンテーションフラ
ットの方位のずれを修正するために方位表示パターンを
周辺部に形成したマスクを使用することにより加工精度
の向上を実現した半導体写真触刻方法に関するものであ
る。
プロセスに使用される半導体写真触刻方法に関するもの
であり、特に、半導体ウェハのオリエンテーションフラ
ットの方位のずれを修正するために方位表示パターンを
周辺部に形成したマスクを使用することにより加工精度
の向上を実現した半導体写真触刻方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】各種半導体装置の製造プロセスに利用さ
れる写真触刻方法は、表面に一様なホトレジスト層を形
成した半導体ウェハ上にワーキングマスクを配置し、紫
外線などの光や電子ビームなどを照射することによって
光や電子ビームの照射の有無に応じた可溶性／不可溶性
のパターンをホトレジスト層上に作成し、可溶性の部分
を薬品で溶解除去し、残存のホトレジスト層のパターン
をマスクとして半導体ウェハの触刻（エッチング）を行
うようになっている。
れる写真触刻方法は、表面に一様なホトレジスト層を形
成した半導体ウェハ上にワーキングマスクを配置し、紫
外線などの光や電子ビームなどを照射することによって
光や電子ビームの照射の有無に応じた可溶性／不可溶性
のパターンをホトレジスト層上に作成し、可溶性の部分
を薬品で溶解除去し、残存のホトレジスト層のパターン
をマスクとして半導体ウェハの触刻（エッチング）を行
うようになっている。
【０００３】上記半導体ウェハのエッチングにおいて
は、面方位によるエッチング速度の差を利用する異方性
エッチングが往々にして採用される。この異方性エッチ
ングでは、半導体ウェハの方位とマスクの方位とを正確
に調整することが重要であり、これがエッチングによる
加工精度に大きな影響を与える。すなわち、両者の方位
がずれていると、マスクの直下にエッチングが進行する
サイドエッチングなどが生じ加工精度が低下する。
は、面方位によるエッチング速度の差を利用する異方性
エッチングが往々にして採用される。この異方性エッチ
ングでは、半導体ウェハの方位とマスクの方位とを正確
に調整することが重要であり、これがエッチングによる
加工精度に大きな影響を与える。すなわち、両者の方位
がずれていると、マスクの直下にエッチングが進行する
サイドエッチングなどが生じ加工精度が低下する。
【０００４】通常、半導体ウェハには所定の結晶方向を
示すオリエンテーションフラットが形成され、このオリ
エンテーションフラットを基準としてマスクの方位を調
整することが行われている。しかしながら、このオリエ
ンテーションフラットは、所定の結晶方向よりも±１°
程度のずれを含んでいるため、要求される方位合わせの
精度がこれ以下の場合には、何らかの工夫が必要にな
る。従来、そのような高精度が必要な場合、実際の半導
体ウェハに対して試行的に異方性エッチングを行い、そ
の結果からオリエンテーションフラットの方位ずれを検
出し、そのずれを補正しながら最終的な方位合わせを行
う方法が採用されている。
示すオリエンテーションフラットが形成され、このオリ
エンテーションフラットを基準としてマスクの方位を調
整することが行われている。しかしながら、このオリエ
ンテーションフラットは、所定の結晶方向よりも±１°
程度のずれを含んでいるため、要求される方位合わせの
精度がこれ以下の場合には、何らかの工夫が必要にな
る。従来、そのような高精度が必要な場合、実際の半導
体ウェハに対して試行的に異方性エッチングを行い、そ
の結果からオリエンテーションフラットの方位ずれを検
出し、そのずれを補正しながら最終的な方位合わせを行
う方法が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のオリエンテ
ーションフラットの方位ずれを検出する方法では、試行
的な異方性エッチングに多大な時間と労力が必要になる
という問題がある。また、試行的に使用するマスクやホ
トレジスト層ににピンホールなどの欠陥が存在すると、
その直下の半導体ウェハの表面がエッチングによって破
損してしまい、使用不能になるなどの問題もある。
ーションフラットの方位ずれを検出する方法では、試行
的な異方性エッチングに多大な時間と労力が必要になる
という問題がある。また、試行的に使用するマスクやホ
トレジスト層ににピンホールなどの欠陥が存在すると、
その直下の半導体ウェハの表面がエッチングによって破
損してしまい、使用不能になるなどの問題もある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体写真触刻方法は、１点から所定の角度で放射
状に延長される線分群又は所定の間隔で互いに平行に延
長される所定長の線分群から成る方位を示すパターンを
周辺部に形成したマスクを準備することと、半導体ウェ
ハのオリエンテーションフラットの方位ずれを検出する
ことと、この検出したオリエンテーションフラットの方
位ずれを前記マスクの周辺部に形成した方位を示すパタ
ーンを用いて修正しながら前記半導体ウェハ上に前記マ
スクを配置することとを含んでいる。
明の半導体写真触刻方法は、１点から所定の角度で放射
状に延長される線分群又は所定の間隔で互いに平行に延
長される所定長の線分群から成る方位を示すパターンを
周辺部に形成したマスクを準備することと、半導体ウェ
ハのオリエンテーションフラットの方位ずれを検出する
ことと、この検出したオリエンテーションフラットの方
位ずれを前記マスクの周辺部に形成した方位を示すパタ
ーンを用いて修正しながら前記半導体ウェハ上に前記マ
スクを配置することとを含んでいる。
【０００７】
【作用】マスクの周辺部には、１点から所定の角度で放
射状に延長される線分群などから成る分度器に類した方
位表示用のパターンが予め形成される。また、半導体ウ
ェハのオリエンテーションフラットの方位ずれは、Ｘ線
などを利用して正確に検出することができる。従って、
この検出した方位ずれをマスクの周辺部に形成した方位
を示すパターンを利用して修正しながら半導体ウェハ上
にマスクを配置することにより、両者の正確な方位合わ
せを容易に実現できる。
射状に延長される線分群などから成る分度器に類した方
位表示用のパターンが予め形成される。また、半導体ウ
ェハのオリエンテーションフラットの方位ずれは、Ｘ線
などを利用して正確に検出することができる。従って、
この検出した方位ずれをマスクの周辺部に形成した方位
を示すパターンを利用して修正しながら半導体ウェハ上
にマスクを配置することにより、両者の正確な方位合わ
せを容易に実現できる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に使用するマスク
１０を半導体ウェハ２０と共に示す平面図である。この
マスク１０の中央部には、半導体ウェハ２０の表面に形
成されているホトレジスト層に焼付けようとする素子パ
ターン１１が形成されると共に、その周辺部には方位表
示用のパターン１２が形成されている。この方位表示用
のパターンは、下方に拡大して示すように、１点Ｃから
素子パターン１１のの下辺に平行に延長された１本の水
平線分と、この水平成分を中心に所定の角度間隔、例え
ば、0.2 °の間隔で±１°の角度範囲にわたって放射状
に延長される１０本の線分から構成されている。
１０を半導体ウェハ２０と共に示す平面図である。この
マスク１０の中央部には、半導体ウェハ２０の表面に形
成されているホトレジスト層に焼付けようとする素子パ
ターン１１が形成されると共に、その周辺部には方位表
示用のパターン１２が形成されている。この方位表示用
のパターンは、下方に拡大して示すように、１点Ｃから
素子パターン１１のの下辺に平行に延長された１本の水
平線分と、この水平成分を中心に所定の角度間隔、例え
ば、0.2 °の間隔で±１°の角度範囲にわたって放射状
に延長される１０本の線分から構成されている。
【０００９】半導体ウェハ２０のオリエンテーションフ
ラット２１に関しては、所定の結晶方向からのずれ量が
Ｘ線などを利用して予め検出される。例えば、この検出
された方位のずれ量が＋0.2 °であれば、方位表示用パ
ターンの水平線分に対して＋0.2 °の角度で延長される
線分とオリエンテーションフラット２１とを一致させな
がら半導体ウェハ２０上にマスク１０を配置される。こ
の結果、オリエンテーションフラットによって表示しよ
うとする所定の方位とマスクの方位とを十分高い精度で
一致させることができる。
ラット２１に関しては、所定の結晶方向からのずれ量が
Ｘ線などを利用して予め検出される。例えば、この検出
された方位のずれ量が＋0.2 °であれば、方位表示用パ
ターンの水平線分に対して＋0.2 °の角度で延長される
線分とオリエンテーションフラット２１とを一致させな
がら半導体ウェハ２０上にマスク１０を配置される。こ
の結果、オリエンテーションフラットによって表示しよ
うとする所定の方位とマスクの方位とを十分高い精度で
一致させることができる。
【００１０】図２は、方位表示用のパターンの他の一例
を示す図である。このパターンは、所定の間隔ｄで互い
に平行に延長される所定長Ｌの適宜本数（ｎ本）の線分
群から構成されている。各線分の一方の端点Ｐ1 ，Ｐ2
・・・Ｐn と、他方の端点Ｑ1 ，Ｑ2 ・・・Ｑn を半導
体ウェハのオリエンテーションフラットと一致させるこ
とにより、θ≒ tanθ＝ｍ・ｄ／Ｌ、ｍ≦ｎ、のオリエ
ンテーションフラットの角度ずれを修正しながら半導体
ウェハ上にマスクを配置することができる。
を示す図である。このパターンは、所定の間隔ｄで互い
に平行に延長される所定長Ｌの適宜本数（ｎ本）の線分
群から構成されている。各線分の一方の端点Ｐ1 ，Ｐ2
・・・Ｐn と、他方の端点Ｑ1 ，Ｑ2 ・・・Ｑn を半導
体ウェハのオリエンテーションフラットと一致させるこ
とにより、θ≒ tanθ＝ｍ・ｄ／Ｌ、ｍ≦ｎ、のオリエ
ンテーションフラットの角度ずれを修正しながら半導体
ウェハ上にマスクを配置することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体写真触刻方法によれば、周辺部に方位表示パターン
を形成したマスクを準備しておき、半導体ウェハのオリ
エンテーションフラットについて検出済みの方位ずれを
方位表示パターンを用いて修正しながら半導体ウェハ上
にマスクを配置する構成であるから、簡易な構成のもと
に高精度の方位合わせが実現でき高精度の加工結果を得
ることができるという効果が奏される。
導体写真触刻方法によれば、周辺部に方位表示パターン
を形成したマスクを準備しておき、半導体ウェハのオリ
エンテーションフラットについて検出済みの方位ずれを
方位表示パターンを用いて修正しながら半導体ウェハ上
にマスクを配置する構成であるから、簡易な構成のもと
に高精度の方位合わせが実現でき高精度の加工結果を得
ることができるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に使用するマスクを半導体ウ
ェハと共に示す平面図である。
ェハと共に示す平面図である。
【図２】本発明の他の実施例に使用するマスクの周辺部
に形成される方位表示用のパターンを示す図である。
に形成される方位表示用のパターンを示す図である。
【符号の説明】 １０ マスク １１ 素子パターン １２ 方位表示用のパターン ２０ 半導体ウェハ ２１ オリエンテーションフラット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−230751（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128347（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−98573（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08,9/00
Claims (2)
- 【請求項１】１点から所定の角度で放射状に延長される
線分群から成る方位を示すパターンを周辺部に形成した
マスクを準備することと、 半導体ウェハのオリエンテーションフラットの方位ずれ
を検出することと、 前記検出したオリエンテーションフラットの方位ずれを
前記マスクの周辺部に形成した方位を示すパターンを用
いて修正しながら前記半導体ウェハ上に前記マスクを配
置することとを含むことを特徴とする半導体写真触刻方
法。 - 【請求項２】所定の間隔で互いに平行に延長される所定
長の線分群から成る方位を示すパターンを周辺部に形成
したマスクを準備することと、 半導体ウェハのオリエンテーションフラットの方位ずれ
を検出することと、 前記検出したオリエンテーションフラットの方位ずれを
前記マスクの周辺部に形成した方位を示すパターンを用
いて修正しながら前記半導体ウェハ上に前記マスクを配
置することとを含むことを特徴とする半導体写真触刻方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27230592A JP3162505B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 半導体写真触刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27230592A JP3162505B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 半導体写真触刻方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697026A JPH0697026A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3162505B2 true JP3162505B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17512029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27230592A Expired - Fee Related JP3162505B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 半導体写真触刻方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3162505B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173285A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Nec Electronics Corp | ウェーハプローバ装置およびウェーハ検査方法 |
-
1992
- 1992-09-16 JP JP27230592A patent/JP3162505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697026A (ja) | 1994-04-08 |
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