JPH0286116A - マスクアライメント方法 - Google Patents
マスクアライメント方法Info
- Publication number
- JPH0286116A JPH0286116A JP63238245A JP23824588A JPH0286116A JP H0286116 A JPH0286116 A JP H0286116A JP 63238245 A JP63238245 A JP 63238245A JP 23824588 A JP23824588 A JP 23824588A JP H0286116 A JPH0286116 A JP H0286116A
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- Japan
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- substrate
- epitaxial layer
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上にエピタキシャル層を成長させたのち
、基板上の所定の位置の直上にエピタキシャル層表面上
の膜などのパターンの所定の位置を合わせるマスクアラ
イメント方法に関する。
、基板上の所定の位置の直上にエピタキシャル層表面上
の膜などのパターンの所定の位置を合わせるマスクアラ
イメント方法に関する。
半導体装置の製造のために、半導体基板上にエピタキシ
ャル層を成長させるときシリコンによる結晶成長速度が
面方位により相違するため、エピタキシャル層は基板面
に垂直に成長しない、従って、例えば基板表面に不純物
埋込層を形成すると、エピタキシャル層表面の、その埋
込層に対応するパターンが埋込層の直上に位置しないパ
ターンシフトが生ずる。そのため、例えば埋込層の直上
に素子形成のための不純物の導入を行うことが困難とな
る。パターンシフトの量と方間はエピタキシャル層の成
膜時の温度、速度に太き（依存している。このため、−
触的には、このパターンシフトの量と方向は、エピタキ
シャル層の膜厚、結晶方位から予測し、エピタキシャル
層上の酸化膜のパターン形成のためのフォト工程のマス
クアライメント作業時に、マスクアライナで予測したパ
ターンシフト量だけ顕微鏡を用いての目視で補正してい
る。
ャル層を成長させるときシリコンによる結晶成長速度が
面方位により相違するため、エピタキシャル層は基板面
に垂直に成長しない、従って、例えば基板表面に不純物
埋込層を形成すると、エピタキシャル層表面の、その埋
込層に対応するパターンが埋込層の直上に位置しないパ
ターンシフトが生ずる。そのため、例えば埋込層の直上
に素子形成のための不純物の導入を行うことが困難とな
る。パターンシフトの量と方間はエピタキシャル層の成
膜時の温度、速度に太き（依存している。このため、−
触的には、このパターンシフトの量と方向は、エピタキ
シャル層の膜厚、結晶方位から予測し、エピタキシャル
層上の酸化膜のパターン形成のためのフォト工程のマス
クアライメント作業時に、マスクアライナで予測したパ
ターンシフト量だけ顕微鏡を用いての目視で補正してい
る。
ところが、最近フォト工程のマスクアライメントにレー
ザ光を利用したオートアライメントが用いられるように
なった。しかるに、このオートアライメント時には、レ
ーザ光がレジスト層中を通るときに屈折することによっ
て、「オフセット」と呼ばれるずれ量があり、例えばオ
フセットをＸとすると「＋方向に７ｉｒｍ」のパターン
シフト補正を行わせて、実際には「＋７ｎ±Ｘ」のシフ
トが行われ、このＸの値が大きい場合やウェハごとにば
らつきがある場合、耐圧不良などの素子特性不良の原因
となるという問題があった。
ザ光を利用したオートアライメントが用いられるように
なった。しかるに、このオートアライメント時には、レ
ーザ光がレジスト層中を通るときに屈折することによっ
て、「オフセット」と呼ばれるずれ量があり、例えばオ
フセットをＸとすると「＋方向に７ｉｒｍ」のパターン
シフト補正を行わせて、実際には「＋７ｎ±Ｘ」のシフ
トが行われ、このＸの値が大きい場合やウェハごとにば
らつきがある場合、耐圧不良などの素子特性不良の原因
となるという問題があった。
本発明の課題は、上述のような問題を解決し、パターン
シフト量あるいはそれにオフセットを加えた補正値を予
測でなく実際に検知して、フォトマスクと半導体基板と
の位置を正確に合わせることのできるマスクアライメン
ト方法を提供することにある。
シフト量あるいはそれにオフセットを加えた補正値を予
測でなく実際に検知して、フォトマスクと半導体基板と
の位置を正確に合わせることのできるマスクアライメン
ト方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題の解決のために、本発明は、半導体基板上に
設けられた平行な不純物埋込層よりなる目盛りを有する
主尺とフォトマスクに設けられた平行な目盛りを有する
副尺とからなるアライメントバーニヤを用い、主尺の設
けられた基板上にエピタキシャル層を成長させ、フォト
マスクの副尺目盛りの一つを基板の主尺目盛りの一つの
直上に置き、埋込層から成長してエピタキシャル層の表
面に生じた凸部と重なる副尺目盛りを見出して位置合わ
せ時の補正量を検知するものとする。
設けられた平行な不純物埋込層よりなる目盛りを有する
主尺とフォトマスクに設けられた平行な目盛りを有する
副尺とからなるアライメントバーニヤを用い、主尺の設
けられた基板上にエピタキシャル層を成長させ、フォト
マスクの副尺目盛りの一つを基板の主尺目盛りの一つの
直上に置き、埋込層から成長してエピタキシャル層の表
面に生じた凸部と重なる副尺目盛りを見出して位置合わ
せ時の補正量を検知するものとする。
フォトマスク上の副尺と主尺である半導体基板の不純物
埋込層の上から平行に成長するエピタキシャル層の表面
に生じた凸部とが重なる位置を見出せば、エピタキシャ
ル層成長時のパターンシフト量が検知でき、フォトレジ
スト膜を通して同様な操作を行えば、パターンシフト量
にフォトレジスト膜における屈折によるオフセットが加
えられた量が検知でき、フォトマスクを半導体基板に対
しその量だけずれた方向に補正してマスクアライメント
を行えば、パターンシフト、またオートアライメントの
際にはオフセットの影響が補償される。
埋込層の上から平行に成長するエピタキシャル層の表面
に生じた凸部とが重なる位置を見出せば、エピタキシャ
ル層成長時のパターンシフト量が検知でき、フォトレジ
スト膜を通して同様な操作を行えば、パターンシフト量
にフォトレジスト膜における屈折によるオフセットが加
えられた量が検知でき、フォトマスクを半導体基板に対
しその量だけずれた方向に補正してマスクアライメント
を行えば、パターンシフト、またオートアライメントの
際にはオフセットの影響が補償される。
第１図（ａｌ、（ｂ）は本発明の一実施例に用いるアラ
イメントバーニアを１０００倍に拡大して示す、第１図
ｔａｌにおいては、シリコン基［３に選択拡散により平
行で等しい間隔ｄ、を置いて形成された埋込層が主尺の
目盛り１となる。第１図伽）においてはフォトマスク４
に平行で等しい間隔ｄ８を置いて形成されたパターンが
副尺の目盛り２となる。公知のように主尺の目盛りの間
隔の１／ｎの分解能でパターンシフトを補正する必要の
ある場合は、主尺のｎ±１倍の長さをｎ等分した間隔で
副尺の目盛りを設ければよい０図の例では、主尺１の目
盛り間隔ｄ１を１０１０１ｌ分解能を２μすなわちｎＭ
５と設定したので、副尺２の目盛りは１０ Ｘ （５＋
１）／ ５ ＝ １２からｄｘ−１２−の間隔にしであ
る０分解能２１ｍの設定であるから左端の目盛りに０１
左から３番目゛に４．５番目の目盛りに８の番号を付け
ておく。
イメントバーニアを１０００倍に拡大して示す、第１図
ｔａｌにおいては、シリコン基［３に選択拡散により平
行で等しい間隔ｄ、を置いて形成された埋込層が主尺の
目盛り１となる。第１図伽）においてはフォトマスク４
に平行で等しい間隔ｄ８を置いて形成されたパターンが
副尺の目盛り２となる。公知のように主尺の目盛りの間
隔の１／ｎの分解能でパターンシフトを補正する必要の
ある場合は、主尺のｎ±１倍の長さをｎ等分した間隔で
副尺の目盛りを設ければよい０図の例では、主尺１の目
盛り間隔ｄ１を１０１０１ｌ分解能を２μすなわちｎＭ
５と設定したので、副尺２の目盛りは１０ Ｘ （５＋
１）／ ５ ＝ １２からｄｘ−１２−の間隔にしであ
る０分解能２１ｍの設定であるから左端の目盛りに０１
左から３番目゛に４．５番目の目盛りに８の番号を付け
ておく。
第２図は第１図に示したアライメントバーニアを用いて
の本発明の一実施例でパターンシフト量の検知方法を示
し、シリコン基板３の表面上にエピタキシャル層５を堆
積する。この際、バーニアの主尺目盛り１としての埋込
層の不純物はエピタキシャル層中に広がるが、その上に
堆積するエピタキシャル層は前述により基板面に垂直方
向に成長せず、傾いて成長するため、エピタキシャル層
５の上に生ずる凸部６にはパターンシフトが生じて主尺
目盛り１の直上からｉだけずれる。このようにして作成
された主尺目盛りｌを内部に有する基体上にフォトマス
ク４を配置する。この際フォトマスク４の縁部はシリコ
ン基板３の縁部の直上に位置するように、換言すれば第
３図に示すように、フォトマスクの左端の副尺目盛り２
が番号０の付された主尺目盛り１の直上に位置するよう
にする必要がある０次いで、光学ｗＡ微鏡を用いてフォ
トマスク４上から観察し、凸部６のうちアライメントバ
ーニアの副尺目盛り２の重なるものを見出す、この場合
は４の番号を付した副尺目盛り４が重なっているのでパ
ターンシフト量ｌが４Ｊｒｍであることがわかる。従っ
てフォト工程時にモニタにより得られるこのパターンシ
フト量を補正したマスクアライメントを行えば、エピタ
キシャル層上の所期の位置へのパターン形成ができる。
の本発明の一実施例でパターンシフト量の検知方法を示
し、シリコン基板３の表面上にエピタキシャル層５を堆
積する。この際、バーニアの主尺目盛り１としての埋込
層の不純物はエピタキシャル層中に広がるが、その上に
堆積するエピタキシャル層は前述により基板面に垂直方
向に成長せず、傾いて成長するため、エピタキシャル層
５の上に生ずる凸部６にはパターンシフトが生じて主尺
目盛り１の直上からｉだけずれる。このようにして作成
された主尺目盛りｌを内部に有する基体上にフォトマス
ク４を配置する。この際フォトマスク４の縁部はシリコ
ン基板３の縁部の直上に位置するように、換言すれば第
３図に示すように、フォトマスクの左端の副尺目盛り２
が番号０の付された主尺目盛り１の直上に位置するよう
にする必要がある０次いで、光学ｗＡ微鏡を用いてフォ
トマスク４上から観察し、凸部６のうちアライメントバ
ーニアの副尺目盛り２の重なるものを見出す、この場合
は４の番号を付した副尺目盛り４が重なっているのでパ
ターンシフト量ｌが４Ｊｒｍであることがわかる。従っ
てフォト工程時にモニタにより得られるこのパターンシ
フト量を補正したマスクアライメントを行えば、エピタ
キシャル層上の所期の位置へのパターン形成ができる。
第４図は別の実施例を示し、エピタキシャル層５上の酸
化膜７を成膜し、その上にフォトレジスト層８を塗布し
、オートアライメントしたフォトマスクを用いてレジス
ト層８の所定の部分を除去したのち、エツチングにより
酸化膜７に開口部を形成する場合である。この場合は、
主尺目盛り１はシリコン基板３の素子に用いられない縁
部に、副尺目盛り２は酸化膜開口部形成のためのフォト
マスク４の縁部に形成しておき、オートアライメントの
際レーザ光により凸部６に重なる副尺目盛り２を見出し
、オフセットを含んだパターンシフト量を検知し、マス
クアライメント位置の補正を自動的に行う。
化膜７を成膜し、その上にフォトレジスト層８を塗布し
、オートアライメントしたフォトマスクを用いてレジス
ト層８の所定の部分を除去したのち、エツチングにより
酸化膜７に開口部を形成する場合である。この場合は、
主尺目盛り１はシリコン基板３の素子に用いられない縁
部に、副尺目盛り２は酸化膜開口部形成のためのフォト
マスク４の縁部に形成しておき、オートアライメントの
際レーザ光により凸部６に重なる副尺目盛り２を見出し
、オフセットを含んだパターンシフト量を検知し、マス
クアライメント位置の補正を自動的に行う。
本発明によれば、エピタキシャル層堆積前の基板に不純
物埋込層で主尺目盛りを、またフォトマスクに副尺目盛
りを形成することにより、埋込層からのエピタキシャル
層成長により生ずる凸部のパターンシフト量が主尺と副
尺とからなるアライメントバーニアより検知できる。こ
の結果、エピタキシャル成長の方向性に基づくパターン
シフトあるいはさらにレーザ光のフォトレジスト層中で
の屈折に基づくオートアライメント時のオフセントを、
半導体基板ごとのフォト工程時に、モニタあるいは基板
自体に形成したアライメントバーニアにより実際に検知
することによって、埋込層に対応する所期の位置へのフ
ォト工程が正確に実施でき、得られる効果は極めて大き
い。
物埋込層で主尺目盛りを、またフォトマスクに副尺目盛
りを形成することにより、埋込層からのエピタキシャル
層成長により生ずる凸部のパターンシフト量が主尺と副
尺とからなるアライメントバーニアより検知できる。こ
の結果、エピタキシャル成長の方向性に基づくパターン
シフトあるいはさらにレーザ光のフォトレジスト層中で
の屈折に基づくオートアライメント時のオフセントを、
半導体基板ごとのフォト工程時に、モニタあるいは基板
自体に形成したアライメントバーニアにより実際に検知
することによって、埋込層に対応する所期の位置へのフ
ォト工程が正確に実施でき、得られる効果は極めて大き
い。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例に用いるアラ
イメントバーニアの主尺および副尺を示す平面図、第２
図、第３図は第１図に示したアライメントバーニアを用
いての本発明の一実施例の説明図で、第２図は断面図、
第３図は平面図、第４図は本発明の別の実施例を示す断
面図である。 １：主尺目盛り、２：ｇｌｆｆ尺目盛り、３：シリコン
基板、４＝フオトマスク、５：エピタキシャル第２図 ／ ４フイトヱスク 第１図 第３図
イメントバーニアの主尺および副尺を示す平面図、第２
図、第３図は第１図に示したアライメントバーニアを用
いての本発明の一実施例の説明図で、第２図は断面図、
第３図は平面図、第４図は本発明の別の実施例を示す断
面図である。 １：主尺目盛り、２：ｇｌｆｆ尺目盛り、３：シリコン
基板、４＝フオトマスク、５：エピタキシャル第２図 ／ ４フイトヱスク 第１図 第３図
Claims (1)
- １）半導体基板上に設けられた平行な不純物埋込層より
なる目盛りを有する主尺とフォトマスクに設けられた平
行な目盛りを有する副尺とからなるアライメントバーニ
ヤを用い、主尺の設けられた基板上にエピタキシャル層
を成長させ、フォトマスクの副尺目盛りの一つを基板の
主尺目盛りの一つの直上に置き、埋込層から成長してエ
ピタキシャル層の表面に生じた凸部と重なる副尺目盛り
を見出して位置合わせ時の補正量を検知することを特徴
とするマスクアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238245A JPH0286116A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | マスクアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238245A JPH0286116A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | マスクアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286116A true JPH0286116A (ja) | 1990-03-27 |
Family
ID=17027305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238245A Pending JPH0286116A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | マスクアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0286116A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311669A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2022193915A1 (zh) * | 2021-03-18 | 2022-09-22 | 上海信及光子集成技术有限公司 | 测量外延前后光刻套刻误差的方法及结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147028A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Fukuda Metal Foil Powder | Dodenseitoryo |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63238245A patent/JPH0286116A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147028A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Fukuda Metal Foil Powder | Dodenseitoryo |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311669A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2022193915A1 (zh) * | 2021-03-18 | 2022-09-22 | 上海信及光子集成技术有限公司 | 测量外延前后光刻套刻误差的方法及结构 |
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