JP2002299229A - 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク - Google Patents
電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスクInfo
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- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な深さ方向で且つ均一な支柱幅を有する
シリコン支柱を容易に加工できる電子線露光用レチクル
ブランクの作製方法及びマスクを提供する。 【解決手段】 本発明に係る電子線露光用レチクルブラ
ンクの作製方法は、複数のメンブレンとそれを支持する
格子状のシリコン支柱部１８ａからなる電子線露光用レ
チクルブランクを作製する方法であって、薄膜シリコン
層１６、酸化珪素層１７及びシリコン支持基板１８から
構成されたＳＯＩウェハを準備する工程と、シリコン支
持基板１８を放電加工で加工することにより、格子状の
シリコン支柱部１８ａを途中まで形成する工程と、上記
酸化珪素層１７をエッチングストッパーとしてシリコン
支持基板をドライエッチングすることにより、格子状の
シリコン支柱部１８ａを最後まで加工する工程と、を具
備するものである。
シリコン支柱を容易に加工できる電子線露光用レチクル
ブランクの作製方法及びマスクを提供する。 【解決手段】 本発明に係る電子線露光用レチクルブラ
ンクの作製方法は、複数のメンブレンとそれを支持する
格子状のシリコン支柱部１８ａからなる電子線露光用レ
チクルブランクを作製する方法であって、薄膜シリコン
層１６、酸化珪素層１７及びシリコン支持基板１８から
構成されたＳＯＩウェハを準備する工程と、シリコン支
持基板１８を放電加工で加工することにより、格子状の
シリコン支柱部１８ａを途中まで形成する工程と、上記
酸化珪素層１７をエッチングストッパーとしてシリコン
支持基板をドライエッチングすることにより、格子状の
シリコン支柱部１８ａを最後まで加工する工程と、を具
備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光用レチ
クルブランクの作製方法及びマスクに係わり、特に、均
一な深さ方向で且つ均一な支柱幅を有するシリコン支柱
を容易に加工できる電子線露光用レチクルブランクの作
製方法及びマスクに関する。
クルブランクの作製方法及びマスクに係わり、特に、均
一な深さ方向で且つ均一な支柱幅を有するシリコン支柱
を容易に加工できる電子線露光用レチクルブランクの作
製方法及びマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、長年微細パタンを形成する手段の主流であった光を
用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子
線、例えば電子線やイオンビームあるいはＸ線を利用す
る新しい露光方式が検討され、実用化されている。この
うち、電子線を利用してパタン形成する電子線露光は、
電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることが出来るため、
０．１μｍあるいはそれ以下の微細パタンを作製できる
点に大きな特徴を有している。
い、長年微細パタンを形成する手段の主流であった光を
用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子
線、例えば電子線やイオンビームあるいはＸ線を利用す
る新しい露光方式が検討され、実用化されている。この
うち、電子線を利用してパタン形成する電子線露光は、
電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることが出来るため、
０．１μｍあるいはそれ以下の微細パタンを作製できる
点に大きな特徴を有している。
【０００３】しかし、従来からある電子線露光方式は、
一筆書きの方式であったため、微細パタンになればなる
ほど絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長く
なり、スループットに大きな影響を与えることになる。
一筆書きの方式であったため、微細パタンになればなる
ほど絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長く
なり、スループットに大きな影響を与えることになる。
【０００４】そこで提案されたのが、レチクルを利用し
てウェハ上で数百μｍ角を一括に露光していく方式であ
る。図３（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、図３
（ｂ）は、図３（ａ）に示すレチクルの斜視図である。
てウェハ上で数百μｍ角を一括に露光していく方式であ
る。図３（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、図３
（ｂ）は、図３（ａ）に示すレチクルの斜視図である。
【０００５】図３（ａ）に示すように、このレチクル
は、厚さ２μｍ程度のメンブレン状の電子線散乱部（シ
リコンメンブレン部）１に電子線透過部の開口（図示せ
ず）を開けたステンシルタイプのものである。このとき
一回の電子線によって露光できる領域はウェハ上で２５
０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）である。そ
のため、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度の
メンブレンを敷き詰めた構造になっており、これは格子
状のシリコン２で支えられている。
は、厚さ２μｍ程度のメンブレン状の電子線散乱部（シ
リコンメンブレン部）１に電子線透過部の開口（図示せ
ず）を開けたステンシルタイプのものである。このとき
一回の電子線によって露光できる領域はウェハ上で２５
０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）である。そ
のため、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度の
メンブレンを敷き詰めた構造になっており、これは格子
状のシリコン２で支えられている。
【０００６】上記レチクルは一般的に次のような方法で
作製される。まず、Ｓｉウェハ２にボロンをドープした
（１００）面Ｓｉウェハ２の裏面から水酸化カリウム水
溶液でウエットエッチングする。ウエットエッチングさ
れる場所以外は窒化シリコン等で保護されている。ま
た、所望する厚さに１×１０20atom／ｃｍ3の濃度のボ
ロンをドープさせることにより、そのドープしたボロン
でウエットエッチング速度を遅くできるので、容易にメ
ンブレンを作製することが出来る。次に、メンブレン上
にレジストなどを塗布し、電子線描画装置などを使用し
てメンブレン上にレジストパタンを露光し、そのパタン
をシリコンメンブレンに転写し、ステンシルパタンを作
製していた。
作製される。まず、Ｓｉウェハ２にボロンをドープした
（１００）面Ｓｉウェハ２の裏面から水酸化カリウム水
溶液でウエットエッチングする。ウエットエッチングさ
れる場所以外は窒化シリコン等で保護されている。ま
た、所望する厚さに１×１０20atom／ｃｍ3の濃度のボ
ロンをドープさせることにより、そのドープしたボロン
でウエットエッチング速度を遅くできるので、容易にメ
ンブレンを作製することが出来る。次に、メンブレン上
にレジストなどを塗布し、電子線描画装置などを使用し
てメンブレン上にレジストパタンを露光し、そのパタン
をシリコンメンブレンに転写し、ステンシルパタンを作
製していた。
【０００７】しかし、上記の方法の場合、ウエットエッ
チングが結晶面異方性であるのでメンブレン間の支柱２
に５４．７４°の角度がついてしまう。このため、１チ
ップ分のレチクルが非常に大きくなってしまう問題があ
り、メンブレン間の支柱２をなるべく細くさらに垂直に
するために、シリコン支柱のエッチングにドライエッチ
ングを使用する方法が提案されてきた。
チングが結晶面異方性であるのでメンブレン間の支柱２
に５４．７４°の角度がついてしまう。このため、１チ
ップ分のレチクルが非常に大きくなってしまう問題があ
り、メンブレン間の支柱２をなるべく細くさらに垂直に
するために、シリコン支柱のエッチングにドライエッチ
ングを使用する方法が提案されてきた。
【０００８】一つが、同じくボロンドープのシリコンウ
ェハを利用した方法である。この方法は図４（ａ）〜
（ｃ）に示されている。まず、図４（ａ）に示すよう
に、シリコンウェハ４の表面にボロンをドープしてボロ
ンドープ層３を形成する。
ェハを利用した方法である。この方法は図４（ａ）〜
（ｃ）に示されている。まず、図４（ａ）に示すよう
に、シリコンウェハ４の表面にボロンをドープしてボロ
ンドープ層３を形成する。
【０００９】この後、図４（ｂ）に示すように、シリコ
ンウェハ４の裏面から所定の厚さの数十μｍ手前までド
ライエッチングで掘り進めることで、垂直な支柱を形成
する。次に、図４（ｃ）に示すように、所定の厚さのメ
ンブレンでエッチングストップさせるために最後のみウ
エットエッチングを使用する。エッチングされる場所以
外は酸化珪素層５で保護されている。次に、酸化珪素層
５を除去する。
ンウェハ４の裏面から所定の厚さの数十μｍ手前までド
ライエッチングで掘り進めることで、垂直な支柱を形成
する。次に、図４（ｃ）に示すように、所定の厚さのメ
ンブレンでエッチングストップさせるために最後のみウ
エットエッチングを使用する。エッチングされる場所以
外は酸化珪素層５で保護されている。次に、酸化珪素層
５を除去する。
【００１０】この方法をさらに簡素化させたものがＳＯ
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェハを利用した方法であ
る。図５は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。ＳＯＩ
ウェハは、図５に示すようにシリコンのシリコン支持基
板（支持ウェハ）８の上に酸化珪素層７が形成され、さ
らにその上に薄膜シリコン層６が形成されている構造と
なっている。そのため、中間の酸化珪素層７をドライエ
ッチングのエッチングストップ層として使用することが
出来、シリコン支持基板８の所定の一部分をドライエッ
チングすることで垂直で数百μｍ幅の支柱を持ったレチ
クルブランクを作製することが可能であった。
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェハを利用した方法であ
る。図５は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。ＳＯＩ
ウェハは、図５に示すようにシリコンのシリコン支持基
板（支持ウェハ）８の上に酸化珪素層７が形成され、さ
らにその上に薄膜シリコン層６が形成されている構造と
なっている。そのため、中間の酸化珪素層７をドライエ
ッチングのエッチングストップ層として使用することが
出来、シリコン支持基板８の所定の一部分をドライエッ
チングすることで垂直で数百μｍ幅の支柱を持ったレチ
クルブランクを作製することが可能であった。
【００１１】図６（ａ）〜（ｃ）は、ＳＯＩウェハを用
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。
【００１２】まず、図６（ａ）に示すように、薄膜シリ
コン層６、酸化珪素層７及びシリコン支持基板８から構
成されたＳＯＩウェハを準備する。次に、図６（ｂ）に
示すように、シリコン支持基板８にレジスト又は酸化珪
素層９を形成する。
コン層６、酸化珪素層７及びシリコン支持基板８から構
成されたＳＯＩウェハを準備する。次に、図６（ｂ）に
示すように、シリコン支持基板８にレジスト又は酸化珪
素層９を形成する。
【００１３】この後、図６（ｃ）に示すように、このレ
ジスト又は酸化珪素層９をパターニングすることによ
り、支柱８ａ〜８ｃを形成する部分にのみレジスト又は
酸化珪素層のパタンを残して保護する。次に、このパタ
ンをマスクとし且つ酸化珪素層７をエッチングストッパ
ーとしてシリコン支持基板８をドライエッチングする。
これにより、垂直で数百μｍ幅の支柱８ａ〜８ｃを持っ
たレチクルブランクが作製される。この後、上記パタン
を除去する。
ジスト又は酸化珪素層９をパターニングすることによ
り、支柱８ａ〜８ｃを形成する部分にのみレジスト又は
酸化珪素層のパタンを残して保護する。次に、このパタ
ンをマスクとし且つ酸化珪素層７をエッチングストッパ
ーとしてシリコン支持基板８をドライエッチングする。
これにより、垂直で数百μｍ幅の支柱８ａ〜８ｃを持っ
たレチクルブランクが作製される。この後、上記パタン
を除去する。
【００１４】上記のいずれの方法においても、シリコン
ウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わ
なくてはならない。例えば、３インチウェハ使用時では
３００μｍ以上、８インチウェハ使用時では７００μｍ
以上の深さを垂直にエッチングすることが必要となる。
ウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わ
なくてはならない。例えば、３インチウェハ使用時では
３００μｍ以上、８インチウェハ使用時では７００μｍ
以上の深さを垂直にエッチングすることが必要となる。
【００１５】この深さをエッチングするためには、側壁
保護を利用したエッチングがよく用いられる。これは、
エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるた
め、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成
するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性の
よいエッチングを行うことが出来た。
保護を利用したエッチングがよく用いられる。これは、
エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるた
め、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成
するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性の
よいエッチングを行うことが出来た。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、８イン
チウェハを使ったレチクルの場合、図７に示すようにエ
ッチング面積が非常に大きくなるため、ローディング効
果によりパタン領域中心部と周辺部でエッチング速度が
大きく異なってしまう問題があった。つまり、図７に示
すように、８インチレチクルブランク１０には１３２ｍ
ｍ×５５ｍｍのメンブレン領域１１が二つ形成される。
このため、エッチング面積が非常に大きくなり、エッチ
ング速度が大きく異なる。場合によっては中心部に対し
て周辺部のエッチング速度が２倍近く大きくなってしま
うこともある。
チウェハを使ったレチクルの場合、図７に示すようにエ
ッチング面積が非常に大きくなるため、ローディング効
果によりパタン領域中心部と周辺部でエッチング速度が
大きく異なってしまう問題があった。つまり、図７に示
すように、８インチレチクルブランク１０には１３２ｍ
ｍ×５５ｍｍのメンブレン領域１１が二つ形成される。
このため、エッチング面積が非常に大きくなり、エッチ
ング速度が大きく異なる。場合によっては中心部に対し
て周辺部のエッチング速度が２倍近く大きくなってしま
うこともある。
【００１７】このようにエッチング速度の不均一性が生
じることで、エッチング速度の速い部分ではオーバーエ
ッチング時間が増大してしまい、支柱幅が非常に細くな
ってしまったり、果ては支柱が無くなってしまうという
問題が発生していた。
じることで、エッチング速度の速い部分ではオーバーエ
ッチング時間が増大してしまい、支柱幅が非常に細くな
ってしまったり、果ては支柱が無くなってしまうという
問題が発生していた。
【００１８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、均一な深さ方向で且つ均
一な支柱幅を有するシリコン支柱を容易に加工できる電
子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスクを提
供することにある。
れたものであり、その目的は、均一な深さ方向で且つ均
一な支柱幅を有するシリコン支柱を容易に加工できる電
子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスクを提
供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る電子線露光用レチクルブランクの作製
方法は、メンブレンとそれを支持するシリコン支柱部か
らなる電子線露光用レチクルブランクを作製する方法で
あって、シリコン支柱部を加工する際、放電加工により
シリコン基板を途中まで加工した後、ドライエッチング
によりシリコン基板を最後まで加工することを特徴とす
る。
め、本発明に係る電子線露光用レチクルブランクの作製
方法は、メンブレンとそれを支持するシリコン支柱部か
らなる電子線露光用レチクルブランクを作製する方法で
あって、シリコン支柱部を加工する際、放電加工により
シリコン基板を途中まで加工した後、ドライエッチング
によりシリコン基板を最後まで加工することを特徴とす
る。
【００２０】上記電子線露光用レチクルブランクの作製
方法によれば、支柱形成時に途中まではドライエッチン
グに比べて均一性のよい加工が可能な放電加工で加工を
行ない、残りをドライエッチングで加工している。これ
により、途中までの加工の均一性を上げることが出来、
ドライエッチングでの加工の不均一性の影響を少なく抑
えることが出来る。従って、支柱形成時に深さ方向に均
一に加工でき、その結果、支柱幅も均一なレチクルブラ
ンクを作製することが可能となる。また、放電加工で最
後まで加工せず、最終工程でドライエッチングに切り替
える理由は、放電加工では正確に加工を停止することが
困難であるためである。
方法によれば、支柱形成時に途中まではドライエッチン
グに比べて均一性のよい加工が可能な放電加工で加工を
行ない、残りをドライエッチングで加工している。これ
により、途中までの加工の均一性を上げることが出来、
ドライエッチングでの加工の不均一性の影響を少なく抑
えることが出来る。従って、支柱形成時に深さ方向に均
一に加工でき、その結果、支柱幅も均一なレチクルブラ
ンクを作製することが可能となる。また、放電加工で最
後まで加工せず、最終工程でドライエッチングに切り替
える理由は、放電加工では正確に加工を停止することが
困難であるためである。
【００２１】本発明に係る電子線露光用レチクルブラン
クの作製方法は、メンブレンとそれを支持するシリコン
支柱部からなる電子線露光用レチクルブランクを作製す
る方法であって、薄膜シリコン層、酸化珪素層及びシリ
コン支持基板から構成されたＳＯＩウェハを準備する工
程と、シリコン支持基板を放電加工で加工することによ
り、シリコン支柱部を途中まで形成する工程と、上記酸
化珪素層をエッチングストッパーとしてシリコン支持基
板をドライエッチングすることにより、シリコン支柱部
を最後まで加工する工程と、を具備することを特徴とす
る。
クの作製方法は、メンブレンとそれを支持するシリコン
支柱部からなる電子線露光用レチクルブランクを作製す
る方法であって、薄膜シリコン層、酸化珪素層及びシリ
コン支持基板から構成されたＳＯＩウェハを準備する工
程と、シリコン支持基板を放電加工で加工することによ
り、シリコン支柱部を途中まで形成する工程と、上記酸
化珪素層をエッチングストッパーとしてシリコン支持基
板をドライエッチングすることにより、シリコン支柱部
を最後まで加工する工程と、を具備することを特徴とす
る。
【００２２】上記電子線露光用レチクルブランクの作製
方法によれば、シリコン支持基板の途中まではドライエ
ッチングに比べて均一性のよい加工が可能な放電加工で
加工を行ない、残りをドライエッチングで加工し、酸化
珪素層をエッチングストップ層としてエッチング加工を
止めている。これにより、途中までの加工の均一性を上
げることが出来、ドライエッチングでの加工の不均一性
の影響を少なく抑えることが出来る。また、放電加工で
最後まで加工せず、最終工程でドライエッチングに切り
替える理由は、放電加工では酸化珪素層で加工を停止す
ることが困難であるためである。
方法によれば、シリコン支持基板の途中まではドライエ
ッチングに比べて均一性のよい加工が可能な放電加工で
加工を行ない、残りをドライエッチングで加工し、酸化
珪素層をエッチングストップ層としてエッチング加工を
止めている。これにより、途中までの加工の均一性を上
げることが出来、ドライエッチングでの加工の不均一性
の影響を少なく抑えることが出来る。また、放電加工で
最後まで加工せず、最終工程でドライエッチングに切り
替える理由は、放電加工では酸化珪素層で加工を停止す
ることが困難であるためである。
【００２３】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
ブランクの作製方法において、上記放電加工を行う際に
用いる放電加工用電極には、上記シリコン基板に一括で
格子形状を加工するために格子状の溝が掘り込まれてい
ることが好ましい。つまり、放電加工では、ひとつひと
つメンブレン領域を作製していくのではなく、シリコン
支柱部の縦横の支柱に相当するような溝を大きい放電加
工用電極に掘り込んでおくことで、シリコン基板のある
領域又は全体を一括して加工することが可能となる。
ブランクの作製方法において、上記放電加工を行う際に
用いる放電加工用電極には、上記シリコン基板に一括で
格子形状を加工するために格子状の溝が掘り込まれてい
ることが好ましい。つまり、放電加工では、ひとつひと
つメンブレン領域を作製していくのではなく、シリコン
支柱部の縦横の支柱に相当するような溝を大きい放電加
工用電極に掘り込んでおくことで、シリコン基板のある
領域又は全体を一括して加工することが可能となる。
【００２４】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
ブランクの作製方法において、上記放電加工用電極に掘
り込まれた格子状の溝の幅は、放電ギャップの２倍の幅
とシリコン支柱部の相互間隔である溝幅との和であるこ
とが好ましい。これにより、所望の溝幅を有する格子状
のシリコン支柱部を形成することができる。
ブランクの作製方法において、上記放電加工用電極に掘
り込まれた格子状の溝の幅は、放電ギャップの２倍の幅
とシリコン支柱部の相互間隔である溝幅との和であるこ
とが好ましい。これにより、所望の溝幅を有する格子状
のシリコン支柱部を形成することができる。
【００２５】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
ブランクの作製方法においては、上記放電加工を行う前
に、シリコン基板の加工面に金属膜（例えばクロム、ニ
ッケルなど）を成膜しておくことも可能である。これに
より、この金属膜をドライエッチングの際にマスクとし
て使用することができる。
ブランクの作製方法においては、上記放電加工を行う前
に、シリコン基板の加工面に金属膜（例えばクロム、ニ
ッケルなど）を成膜しておくことも可能である。これに
より、この金属膜をドライエッチングの際にマスクとし
て使用することができる。
【００２６】また、本発明に係るマスクは、メンブレン
とそれを支持するシリコン支柱部からなる電子線露光用
レチクルブランクを作製する方法を用いて作られたマス
クであって、シリコン支柱部を加工する際、放電加工に
よりシリコン基板を途中まで加工した後、ドライエッチ
ングによりシリコン基板を最後まで加工する電子線露光
用レチクルブランクの作製方法を用いて作られたことを
特徴とする。
とそれを支持するシリコン支柱部からなる電子線露光用
レチクルブランクを作製する方法を用いて作られたマス
クであって、シリコン支柱部を加工する際、放電加工に
よりシリコン基板を途中まで加工した後、ドライエッチ
ングによりシリコン基板を最後まで加工する電子線露光
用レチクルブランクの作製方法を用いて作られたことを
特徴とする。
【００２７】また、本発明に係るマスクは、メンブレン
とそれを支持するシリコン支柱部からなる電子線露光用
レチクルブランクを作製する方法を用いて作られたマス
クであって、薄膜シリコン層、酸化珪素層及びシリコン
支持基板から構成されたＳＯＩウェハを準備する工程
と、シリコン支持基板を放電加工で加工することによ
り、シリコン支柱部を途中まで形成する工程と、上記酸
化珪素層をエッチングストッパーとしてシリコン支持基
板をドライエッチングすることにより、シリコン支柱部
を最後まで加工する工程と、を具備する電子線露光用レ
チクルブランクの作製方法を用いて作られたことを特徴
とする。
とそれを支持するシリコン支柱部からなる電子線露光用
レチクルブランクを作製する方法を用いて作られたマス
クであって、薄膜シリコン層、酸化珪素層及びシリコン
支持基板から構成されたＳＯＩウェハを準備する工程
と、シリコン支持基板を放電加工で加工することによ
り、シリコン支柱部を途中まで形成する工程と、上記酸
化珪素層をエッチングストッパーとしてシリコン支持基
板をドライエッチングすることにより、シリコン支柱部
を最後まで加工する工程と、を具備する電子線露光用レ
チクルブランクの作製方法を用いて作られたことを特徴
とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本
発明の実施の形態による電子線縮小露光用レチクルブラ
ンクの作製方法を示す断面図である。図２は、電子線縮
小露光用レチクルブランクを作製する際の放電加工時に
用いる放電加工用電極を示す斜視図である。
施の形態について説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本
発明の実施の形態による電子線縮小露光用レチクルブラ
ンクの作製方法を示す断面図である。図２は、電子線縮
小露光用レチクルブランクを作製する際の放電加工時に
用いる放電加工用電極を示す斜視図である。
【００２９】まず、図１（ａ）に示すように、薄膜シリ
コン層１６、酸化珪素層１７及びシリコン支持基１８板
から構成されたＳＯＩウェハを準備する。このＳＯＩウ
ェハは厚さ７２５μｍで８インチウェハである。次に、
このＳＯＩウェハのシリコン支持基板側に厚さ０．２μ
ｍ程度のクロム膜１４を成膜する。
コン層１６、酸化珪素層１７及びシリコン支持基１８板
から構成されたＳＯＩウェハを準備する。このＳＯＩウ
ェハは厚さ７２５μｍで８インチウェハである。次に、
このＳＯＩウェハのシリコン支持基板側に厚さ０．２μ
ｍ程度のクロム膜１４を成膜する。
【００３０】この後、図１（ｂ）に示すように、ＳＯＩ
ウェハのクロム膜１４及びシリコン支持基板１８を放電
加工することにより、該シリコン支持基板１８に格子状
の溝を加工してシリコン支柱部１８ａを途中まで形成す
る。この際の放電加工では、図１（ｂ）に示すような支
柱部１８ａの形状に相当するような格子状の溝１３を持
った図２に示す銅製又はＡｌ製の放電加工用電極１２を
用いる。この放電加工用電極１２は、シリコン支持基板
１８を加工してシリコン支柱部１８ａを形成する全領域
の１／８の大きさのものを用いる。
ウェハのクロム膜１４及びシリコン支持基板１８を放電
加工することにより、該シリコン支持基板１８に格子状
の溝を加工してシリコン支柱部１８ａを途中まで形成す
る。この際の放電加工では、図１（ｂ）に示すような支
柱部１８ａの形状に相当するような格子状の溝１３を持
った図２に示す銅製又はＡｌ製の放電加工用電極１２を
用いる。この放電加工用電極１２は、シリコン支持基板
１８を加工してシリコン支柱部１８ａを形成する全領域
の１／８の大きさのものを用いる。
【００３１】すなわち、ＳＯＩウェハ及び放電加工用電
極１２を絶縁体の液体に浸漬し、放電加工用電極１２を
陰極に接続し、加工基板であるシリコン支持基板１８側
を陽極に接続し、３０Ｖ程度の電圧をかけながら、放電
加工用電極１２を加工基板に押し付ける。これにより、
クロム膜１４及び支持基板１８に深さ６８０μｍ程度の
加工が行われる。１回の放電加工でシリコン支柱部１８
ａを形成する全領域の１／８の加工を行うものであるた
め、７回ステップさせることで８インチＳＯＩウェハの
全領域を加工する。
極１２を絶縁体の液体に浸漬し、放電加工用電極１２を
陰極に接続し、加工基板であるシリコン支持基板１８側
を陽極に接続し、３０Ｖ程度の電圧をかけながら、放電
加工用電極１２を加工基板に押し付ける。これにより、
クロム膜１４及び支持基板１８に深さ６８０μｍ程度の
加工が行われる。１回の放電加工でシリコン支柱部１８
ａを形成する全領域の１／８の加工を行うものであるた
め、７回ステップさせることで８インチＳＯＩウェハの
全領域を加工する。
【００３２】次に、図１（ｃ）に示すように、ＳＯＩウ
ェハを洗浄した後、クロム膜１４のパタンをマスクとし
且つ中間の酸化珪素層１７をエッチングストッパーとし
て、残り４５μｍのシリコン支持基板１８をドライエッ
チングする。
ェハを洗浄した後、クロム膜１４のパタンをマスクとし
且つ中間の酸化珪素層１７をエッチングストッパーとし
て、残り４５μｍのシリコン支持基板１８をドライエッ
チングする。
【００３３】その後、図１（ｄ）に示すように、クロム
膜１４を除去し、フッ酸とフッ化アンモニウム混合溶液
で露出している酸化珪素層１７を除去する。これによ
り、電子線露光用レチクルブランクが完成する。
膜１４を除去し、フッ酸とフッ化アンモニウム混合溶液
で露出している酸化珪素層１７を除去する。これによ
り、電子線露光用レチクルブランクが完成する。
【００３４】上記実施の形態によれば、シリコン支持基
板１８の途中まではドライエッチングに比べて均一性の
よい加工が可能な放電加工で加工を行ない、残りをドラ
イエッチングで加工し、酸化珪素層１７をエッチングス
トップ層としてエッチング加工を止めている。これによ
り、途中までの加工の均一性を上げることが出来、ドラ
イエッチングでの加工の不均一性の影響を最小限に抑え
ることが出来る。従って、支柱形成時に深さ方向に均一
に加工でき、その結果、支柱幅も均一なレチクルブラン
クを作製することが可能となる。
板１８の途中まではドライエッチングに比べて均一性の
よい加工が可能な放電加工で加工を行ない、残りをドラ
イエッチングで加工し、酸化珪素層１７をエッチングス
トップ層としてエッチング加工を止めている。これによ
り、途中までの加工の均一性を上げることが出来、ドラ
イエッチングでの加工の不均一性の影響を最小限に抑え
ることが出来る。従って、支柱形成時に深さ方向に均一
に加工でき、その結果、支柱幅も均一なレチクルブラン
クを作製することが可能となる。
【００３５】また、本実施の形態では、放電加工で最後
まで加工せず、最終工程でドライエッチングに切り替え
るため、酸化珪素層１７で加工を停止することが容易と
なる。
まで加工せず、最終工程でドライエッチングに切り替え
るため、酸化珪素層１７で加工を停止することが容易と
なる。
【００３６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記実施の形態で
は、シリコン支柱部１８ａを形成する全領域の１／８の
大きさの放電加工用電極１２を用いているが、放電加工
用電極の大きさは限定されるものではなく、他の大きさ
の放電加工用電極を用いることも可能である。
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記実施の形態で
は、シリコン支柱部１８ａを形成する全領域の１／８の
大きさの放電加工用電極１２を用いているが、放電加工
用電極の大きさは限定されるものではなく、他の大きさ
の放電加工用電極を用いることも可能である。
【００３７】また、上記実施の形態では、ＳＯＩウェハ
を用いているが、シリコンウェハを用いることも可能で
ある。
を用いているが、シリコンウェハを用いることも可能で
ある。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、支
柱形成時に途中まではドライエッチングに比べて均一性
のよい加工が可能な放電加工で加工を行ない、残りをド
ライエッチングで加工している。したがって、均一な深
さ方向で且つ均一な支柱幅を有するシリコン支柱を容易
に加工できる電子線露光用レチクルブランクの作製方法
及びマスクを提供することができる。
柱形成時に途中まではドライエッチングに比べて均一性
のよい加工が可能な放電加工で加工を行ない、残りをド
ライエッチングで加工している。したがって、均一な深
さ方向で且つ均一な支柱幅を有するシリコン支柱を容易
に加工できる電子線露光用レチクルブランクの作製方法
及びマスクを提供することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態による
電子線縮小露光用レチクルブランクの作製方法を示す断
面図である。
電子線縮小露光用レチクルブランクの作製方法を示す断
面図である。
【図２】電子線縮小露光用レチクルブランクを作製する
際の放電加工時に用いる放電加工用電極を示す斜視図で
ある。
際の放電加工時に用いる放電加工用電極を示す斜視図で
ある。
【図３】（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、
（ｂ）は、（ａ）に示すレチクルの斜視図である。
（ｂ）は、（ａ）に示すレチクルの斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来の電子線露光用レチク
ルブランクの作製方法を示す断面図である。
ルブランクの作製方法を示す断面図である。
【図５】ＳＯＩウェハを示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ＳＯＩウェハを用いてレチ
クルブランクを作製する方法を示す断面図である。
クルブランクを作製する方法を示す断面図である。
【図７】８インチウェハを使ったレチクルを示す平面図
である。
である。
１…電子線散乱部（シリコンメンブレン部） ２…格子状のシリコン ３…ボロンドー
プ層 ４…シリコンウェハ ５…酸化珪素層 ６，１６…薄膜シリコン層 ７，１７…酸化
珪素層 ８，１８…シリコン支持基板 ８ａ〜８ｃ…支
柱 ９…レジスト又は酸化珪素層 １０…８インチレ
チクルブランク １１…メンブレン領域 １２…放電加工
用電極 １３…格子状の溝 １４…クロム膜 １８…シリコン支柱部
プ層 ４…シリコンウェハ ５…酸化珪素層 ６，１６…薄膜シリコン層 ７，１７…酸化
珪素層 ８，１８…シリコン支持基板 ８ａ〜８ｃ…支
柱 ９…レジスト又は酸化珪素層 １０…８インチレ
チクルブランク １１…メンブレン領域 １２…放電加工
用電極 １３…格子状の溝 １４…クロム膜 １８…シリコン支柱部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BA08 BB02 BB16 BC27 BC28 5F004 AA01 DB01 EB07 FA08 5F056 AA22 FA05 FA10
Claims (7)
- 【請求項１】 メンブレンとそれを支持するシリコン支
柱部からなる電子線露光用レチクルブランクを作製する
方法であって、 シリコン支柱部を加工する際、放電加工によりシリコン
基板を途中まで加工した後、ドライエッチングによりシ
リコン基板を最後まで加工することを特徴とする電子線
露光用レチクルブランクの作製方法。 - 【請求項２】 メンブレンとそれを支持するシリコン支
柱部からなる電子線露光用レチクルブランクを作製する
方法であって、 薄膜シリコン層、酸化珪素層及びシリコン支持基板から
構成されたＳＯＩウェハを準備する工程と、 シリコン支持基板を放電加工で加工することにより、シ
リコン支柱部を途中まで形成する工程と、 上記酸化珪素層をエッチングストッパーとしてシリコン
支持基板をドライエッチングすることにより、シリコン
支柱部を最後まで加工する工程と、 を具備することを特徴とする電子線露光用レチクルブラ
ンクの作製方法。 - 【請求項３】 上記放電加工を行う際に用いる放電加工
用電極には、上記シリコン基板に一括で格子形状を加工
するために格子状の溝が掘り込まれていることを特徴と
する請求項１に記載の電子線露光用レチクルブランクの
作製方法。 - 【請求項４】 上記放電加工用電極に掘り込まれた格子
状の溝の幅は、放電ギャップの２倍の幅とシリコン支柱
部の相互間隔である溝幅との和であることを特徴とする
請求項３に記載の電子線露光用レチクルブランクの作製
方法。 - 【請求項５】 上記放電加工を行う前に、シリコン基板
の加工面に金属膜を成膜しておくことを特徴とする請求
項１に記載の電子線露光用レチクルブランクの作製方
法。 - 【請求項６】 メンブレンとそれを支持するシリコン支
柱部からなる電子線露光用レチクルブランクを作製する
方法を用いて作られたマスクであって、 シリコン支柱部を加工する際、放電加工によりシリコン
基板を途中まで加工した後、ドライエッチングによりシ
リコン基板を最後まで加工する電子線露光用レチクルブ
ランクの作製方法を用いて作られたことを特徴とするマ
スク。 - 【請求項７】 メンブレンとそれを支持するシリコン支
柱部からなる電子線露光用レチクルブランクを作製する
方法を用いて作られたマスクであって、 薄膜シリコン層、酸化珪素層及びシリコン支持基板から
構成されたＳＯＩウェハを準備する工程と、 シリコン支持基板を放電加工で加工することにより、シ
リコン支柱部を途中まで形成する工程と、 上記酸化珪素層をエッチングストッパーとしてシリコン
支持基板をドライエッチングすることにより、シリコン
支柱部を最後まで加工する工程と、 を具備する電子線露光用レチクルブランクの作製方法を
用いて作られたことを特徴とするマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001104439A JP2002299229A (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク |
| US10/086,682 US20020139770A1 (en) | 2001-04-03 | 2002-02-28 | Methods for fabricating segmented reticle blanks having uniformly machined grillage, and reticle blanks and reticles formed thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001104439A JP2002299229A (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299229A true JP2002299229A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18957296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001104439A Pending JP2002299229A (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020139770A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002299229A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007091657A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | メンブレン構造体及びその製造方法 |
| JP2009233812A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Univ Nihon | 微細形状加工方法及びマイクロチップ |
| JP2011197386A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Seiko Epson Corp | 光フィルターおよび分析機器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2972659A1 (fr) * | 2011-03-18 | 2012-09-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement par electroerosion d'une surface d'un element en silicium et plaque de silicium obtenue grace a un tel traitement |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401932A (en) * | 1992-02-07 | 1995-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing a stencil mask |
| JP2000331905A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法 |
-
2001
- 2001-04-03 JP JP2001104439A patent/JP2002299229A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-28 US US10/086,682 patent/US20020139770A1/en not_active Abandoned
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007091657A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | メンブレン構造体及びその製造方法 |
| JPWO2007091657A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-02 | 東京エレクトロン株式会社 | メンブレン構造体及びその製造方法 |
| JP4547429B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | メンブレン構造体及びその製造方法 |
| JP2009233812A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Univ Nihon | 微細形状加工方法及びマイクロチップ |
| JP2011197386A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Seiko Epson Corp | 光フィルターおよび分析機器 |
| US9703092B2 (en) | 2010-03-19 | 2017-07-11 | Seiko Epson Corporation | Optical filter including a substrate having a groove with a pair of curved surfaces and analytical instrument |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020139770A1 (en) | 2002-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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