JP2002299226A - 電子線露光用ステンシルマスク及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メンブレンの裏面が荒れることを抑制できる
電子線露光用ステンシルマスク及びその作製方法を提供
する。 【解決手段】 本発明に係る電子線露光用ステンシルマ
スクの作製方法は、ステンシルパタンを有するメンブレ
ンとそれを支持する格子状のシリコン支柱部からなる電
子線露光用ステンシルマスクを作製する方法である。メ
ンブレンをドライエッチングする際に用いるドライエッ
チング装置は、電極１２上にステンシルマスク基板１３
を載置し、このステンシルマスク基板にエッチングガス
を供給してエッチングを行う際、メンブレンと電極との
間に入り込んだエッチングガスを排気する機構を備えて
いる。この機構は、上記電極１２上にゲタ１４を取り付
け、このゲタを介してステンシルマスク基板１３を電極
上に載置することにより、該ステンシルマスク基板と該
電極との間に隙間１４ａを形成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光用ステ
ンシルマスク及びその作製方法に係わり、特に、メンブ
レンの裏面が荒れることを抑制できる電子線露光用ステ
ンシルマスク及びその作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、長年微細パタンを形成する手段の主流であった光を
用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子
線、例えば電子線やイオンビームあるいはＸ線を利用す
る新しい露光方式が検討され、実用化されている。この
うち、電子線を利用してパタン形成する電子線露光は、
電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることが出来るため、
０．１μｍあるいはそれ以下の微細パタンを作製できる
点に大きな特徴を有している。

【０００３】しかし、従来からある電子線露光方式は、
一筆書きの方式であったため、微細パタンになればなる
ほど絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長く
なり、スループットに大きな影響を与えることになる。

【０００４】そこで提案されたのが、レチクルを利用し
てウェハ上で数百μｍ角を一括に露光していく方式であ
る。図４（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、図４
（ｂ）は、図４（ａ）に示すレチクルの斜視図である。

【０００５】図４（ａ）に示すように、このレチクル
は、厚さ２μｍ程度のメンブレン状の電子線散乱部（シ
リコンメンブレン部）１に電子線透過部の開口（図示せ
ず）を開けたステンシルタイプのものである。このとき
一回の電子線によって露光できる領域はウェハ上で２５
０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）である。そ
のため、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度の
メンブレンを敷き詰めた構造になっており、これは格子
状のシリコン２で支えられている。

【０００６】上記レチクルは一般的に次のような方法で
作製される。まず、Ｓｉウェハ２にボロンをドープした
（１００）面Ｓｉウェハ２の裏面から水酸化カリウム水
溶液でウエットエッチングする。ウエットエッチングさ
れる場所以外は窒化シリコン等で保護（マスク）されて
いる。また、所望する厚さに１×１０²⁰atom／ｃｍ³の
濃度のボロンをドープさせることにより、そのドープし
たボロンでウエットエッチング速度を遅くできるので、
容易にメンブレンを作製することが出来る。次に、メン
ブレン上にレジストなどを塗布し、電子線描画装置など
を使用してメンブレン上にレジストパタンを露光し、そ
のパタンをマスクとしてシリコンメンブレンをエッチン
グし、ステンシルパタンを作製していた。

【０００７】しかし、上記の方法の場合、ウエットエッ
チングが結晶面異方性であるのでメンブレン間の支柱２
に５４．７４°の角度がついてしまう。このため、１チ
ップ分のレチクルが非常に大きくなってしまう問題があ
り、メンブレン間の支柱２をなるべく細くさらに垂直に
するために、シリコン支柱のエッチングにドライエッチ
ングを使用する方法が提案されてきた。

【０００８】一つが、同じくボロンドープのシリコンウ
ェハを利用した方法である。この方法は図５（ａ）〜
（ｃ）に示されている。まず、図５（ａ）に示すよう
に、シリコンウェハ４の表面にボロンをドープしてボロ
ンドープ層３を形成する。

【０００９】この後、図５（ｂ）に示すように、シリコ
ンウェハ４の裏面から所定の厚さの数十μｍ手前までド
ライエッチングで掘り進めることで、垂直な支柱を形成
する。次に、図５（ｃ）に示すように、所定の厚さのメ
ンブレンでエッチングストップさせるために最後のみウ
エットエッチングを使用する。エッチングされる場所以
外は酸化珪素層５で保護されている。次に、酸化珪素層
５を除去する。

【００１０】この方法をさらに簡素化させたものがＳＯ
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェハを利用した方法であ
る。図６は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。ＳＯＩ
ウェハは、図６に示すようにシリコンのシリコン支持基
板（支持ウェハ）８の上に酸化珪素層７が形成され、さ
らにその上に薄膜シリコン層６が形成されている構造と
なっている。そのため、中間の酸化珪素層７をドライエ
ッチングのエッチングストップ層として使用することが
出来、シリコン支持基板８の所定の一部分をドライエッ
チングすることで垂直で数百μｍ幅の支柱を持ったレチ
クルブランクを作製することが可能であった。

【００１１】図７（ａ）〜（ｃ）は、ＳＯＩウェハを用
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。

【００１２】まず、図７（ａ）に示すように、薄膜シリ
コン層６、酸化珪素層７及びシリコン支持基板８から構
成されたＳＯＩウェハを準備する。次に、図７（ｂ）に
示すように、シリコン支持基板８にレジスト又は酸化珪
素層９を形成する。

【００１３】この後、図７（ｃ）に示すように、このレ
ジスト又は酸化珪素層９をパターニングすることによ
り、支柱８ａ〜８ｃを形成する部分にのみレジスト又は
酸化珪素層のパタンを形成する。次に、このパタンをマ
スクとし且つ酸化珪素層７をエッチングストッパーとし
てシリコン支持基板８をドライエッチングする。これに
より、垂直で数百μｍ幅の支柱８ａ〜８ｃを持ったレチ
クルブランクが作製される。この後、上記パタンを除去
する。

【００１４】上記のいずれの方法においても、シリコン
ウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わ
なくてはならない。例えば、３インチウェハ使用時では
３００μｍ以上、図８に示す８インチウェハ使用時では
７００μｍ以上の深さを垂直にエッチングすることが必
要となる。なお、８インチレチクルブランク１０には１
３２ｍｍ×５５ｍｍのメンブレン領域１１が二つ形成さ
れる。

【００１５】上記７００μｍ以上の深さをエッチングす
るためには、側壁保護を利用したエッチングがよく用い
られる。これは、エッチングすべき溝の横方向のエッチ
ングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポ
リマー等を形成するガスをエッチングガスに添加するこ
とで、垂直性のよいエッチングを行うことが出来た。

【００１６】上述したバックエッチング先行プロセス
は、応力開放によるステンシルパタンの位置ズレを最小
限に出来る利点を持っている。しかし、メンブレン状態
でエッチングするため、通常のエッチングと異なり、次
のような問題点がある。メンブレンエッチング時のメン
ブレン冷却法の問題である。これは、エッチングのＯ
Ｎ，ＯＦＦを数分又は数十秒で繰り返し、メンブレンの
温度を上げないようにすることで解決できる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の電子線露光
用ステンシルマスクの作製方法では、メンブレン上にレ
ジストパタンを形成し、そのレジストパタンをマスクと
してシリコンメンブレンをエッチング装置でドライエッ
チングすることによりステンシルパタンを作製する。こ
のドライエッチングの際のステンシルパタン貫通後に、
エッチングガスがメンブレンの裏面に入り込み、そのエ
ッチングガスがエッチング装置の下部電極とメンブレン
との間の空間（下部電極とシリコン支柱部とメンブレン
によって囲まれた空間）に溜まり、その溜まったガスに
よってメンブレンの裏面が荒れてしまったり、メンブレ
ンが破壊することがある。このような問題は、ステンシ
ルパタン密度が大きく且つ０．５μｍ以下の微細パタン
で構成されているメンブレンで発生することが多い。た
だし、ステンシルパタン面積が大きくパタン線幅も大き
い場合は、溜まったエッチングガスが排気され易いの
で、このような問題は発生しない。

【００１８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、メンブレン状態でエッチ
ングしてステンシルパタンを形成しても、メンブレンの
裏面が荒れることを抑制できる電子線露光用ステンシル
マスク及びその作製方法を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る電子線露光用ステンシルマスクの作製
方法は、ステンシルパタンを有するメンブレンとそれを
支持するシリコン支柱部からなる電子線露光用ステンシ
ルマスクを作製する方法であって、メンブレンとシリコ
ン支柱部からなるステンシルマスク基板を準備する工程
と、メンブレン上にレジストパタンを形成する工程と、
ドライエッチングにより、上記レジストパタンをマスク
として上記メンブレンをエッチングすることにより該メ
ンブレンにステンシルパタンを形成するエッチング工程
と、を具備し、上記エッチング工程は、電極上にステン
シルマスク基板を載置し、このステンシルマスク基板に
エッチングガスを供給してエッチングを行う際、メンブ
レンと電極との間に入り込んだエッチングガスを排気す
ることを含むことを特徴とする。

【００２０】上記電子線露光用ステンシルマスクの作製
方法によれば、メンブレンをドライエッチングする際
に、エッチングガスがメンブレンの裏面に入り込んで
も、そのエッチングガスをスムーズに排気することがで
きる。従って、エッチングガスによりメンブレンの裏面
が荒れてしまったり、メンブレンが破壊することを抑制
することができる。

【００２１】また、本発明に係る電子線露光用ステンシ
ルマスクの作製方法において、上記エッチング工程で
は、上記電極上にゲタを取り付け、このゲタを介してス
テンシルマスク基板を電極上に載置することにより、該
ステンシルマスク基板と該電極との間に隙間を形成する
ものであることが好ましい。これにより、メンブレンを
ドライエッチングする際に、ステンシルマスク基板全体
を電極から上げて設置することができるので、エッチン
グガスがメンブレンの裏面に入り込んでも、ステンシル
マスク基板と電極との間の隙間からそのエッチングガス
を排気することができる。

【００２２】また、本発明に係る電子線露光用ステンシ
ルマスクの作製方法において、上記エッチング工程で
は、上記電極におけるステンシルマスク基板を載置する
載置面に複数の溝を形成し、該溝を利用してエッチング
ガスを排気することが好ましい。これにより、メンブレ
ンをドライエッチングする際に、エッチングガスがメン
ブレンの裏面に入り込んでも、そのエッチングガスを電
極の溝を通ってメンブレンの裏面から排気することがで
きる。

【００２３】本発明に係る電子線露光用ステンシルマス
クは、ステンシルパタンを有するメンブレンと、このメ
ンブレンを支持する格子状のシリコン支柱部と、このシ
リコン支柱部におけるメンブレンと相対する側に形成さ
れた複数の溝と、を具備することを特徴とする。

【００２４】本発明に係る電子線露光用ステンシルマス
クの作製方法は、ステンシルパタンを有するメンブレン
とそれを支持する格子状のシリコン支柱部からなる電子
線露光用ステンシルマスクを作製する方法であって、メ
ンブレンとシリコン支柱部からなり、該シリコン支柱部
におけるメンブレンと相対する側に複数の溝が形成され
たステンシルマスク基板を準備する工程と、メンブレン
上にレジストパタンを形成する工程と、ドライエッチン
グにより、上記レジストパタンをマスクとして上記メン
ブレンをエッチングすることにより該メンブレンにステ
ンシルパタンを形成するエッチング工程と、を具備し、
上記ドライエッチング工程は、電極上にステンシルマス
ク基板を載置し、このステンシルマスク基板にエッチン
グガスを供給してエッチングを行う際、メンブレンと電
極との間に入り込んだエッチングガスを上記溝から排気
することを含むことを特徴とする。

【００２５】上記電子線露光用ステンシルマスクの作製
方法によれば、ステンシルマスク基板のシリコン支柱部
におけるメンブレンと相対する側に複数の溝を形成して
いる。このため、通常のエッチング電極にステンシルマ
スク基板を置き、メンブレンをドライエッチングする際
において、エッチングガスがメンブレンの裏面に入り込
んでも、そのエッチングガスを上記溝を通ってメンブレ
ンの裏面から排気することができる。従って、メンブレ
ンの裏面が荒れてしまったり、メンブレンが破壊するこ
とを抑制することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態による電子線露光用ステンシルマスクの作
製方法を説明するものであって、（ａ）は平面図であ
り、（ｂ）は側面図である。

【００２７】まず、シリコンウェハを加工して図４に示
すようなステンシルマスク基板を準備する。すなわち、
シリコンウェハの裏面をエッチングすることにより、厚
さ２μｍ程度のメンブレン状の電子線散乱部（シリコン
メンブレン部）が格子状のシリコン支柱部で支えられた
ステンシルマスク基板を準備する。

【００２８】この後、シリコンメンブレン部上にレジス
ト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することに
より、該シリコンメンブレン部上にレジストパタンが形
成される。このレジストパタンは、電子線透過部を開口
するためのものである。

【００２９】次に、レジストパタンをマスクとしてシリ
コンメンブレン部をドライエッチングすることにより、
該シリコンメンブレン部における電子線透過部を開口す
る。この際のエッチング方法について次に詳しく説明す
る。

【００３０】図１（ａ）に示すように、シリコンメンブ
レン部上にレジストパタンが形成された加工ウェハ１３
をドライエッチング装置のチャンバー内に挿入し、その
チャンバー内の下部電極１２上に加工ウェハ１３を載置
する。この際、下部電極１２の周辺部には高さ３０μｍ
以上の３点のゲタ１４が取り付けられており、加工ウェ
ハ１３の外周部が３点のゲタ１４に載せられ、加工ウェ
ハ１３の外周の３箇所がゲタ１４によって支えられた状
態となる。このため、円形の平面形状を有する下部電極
１２に加工ウェハ１３を載置しても、図１（ｂ）に示す
ように、加工ウェハ１３と下部電極１２との間にはゲタ
１４によって隙間１４ａを形成することができる。

【００３１】次に、加工ウェハ１３のシリコンメンブレ
ン部にエッチングガスを供給し、プラズマを発生させ
る。これにより、レジストパタンをマスクとしてシリコ
ンメンブレン部がエッチングされ、該シリコンメンブレ
ン部における電子線透過部が開口される。このようにし
て電子線露光用ステンシルマスクを作製する。

【００３２】上記第１の実施の形態によれば、シリコン
メンブレン部をドライエッチングする際において、ステ
ンシルパタンを貫通した後に、エッチングガスがメンブ
レンの裏面に入り込んでも、加工ウェハ１３と下部電極
１２との間の隙間１４ａからそのエッチングガスを排気
することができる。従って、従来の電子線露光用ステン
シルパタンのエッチング方法のように下部電極とシリコ
ン支柱部とメンブレンによって囲まれた空間にエッチン
グガスが溜まることがない。これにより、メンブレンの
裏面が荒れてしまったり、メンブレンが破壊することを
抑制することができる。

【００３３】図２は、本発明に係る第２の実施の形態に
よる電子線露光用ステンシルマスクの作製方法を説明す
るものであって、（ａ）はドライエッチング装置の下部
電極を示す平面図であり、（ｂ）は該下部電極の一部を
拡大して示す側面図である。なお、第１の実施の形態と
同様の部分の説明は省略する。

【００３４】シリコンウェハを加工してステンシルマス
ク基板を準備し、シリコンメンブレン部上にレジストパ
タンを形成した後、このレジストパタンをマスクとして
シリコンメンブレン部をドライエッチングする。この際
のエッチング方法について次に詳しく説明する。

【００３５】図２（ａ）に示すように、ドライエッチン
グ装置の下部電極１５におけるステンシルマスク基板を
載置する載置面には格子状の溝１６が複数掘り込まれて
いる。この溝１６は、レチクルグリレッジと同じピッチ
の格子状であり、下部電極１５上にステンシルマスク基
板を載置した際に溝１６の格子の交差部がメンブレンの
中央に位置するように配置されている。

【００３６】シリコンメンブレン部上にレジストパタン
が形成された加工ウェハをドライエッチング装置のチャ
ンバー内に挿入し、そのチャンバー内の上記下部電極１
５上に加工ウェハを載置する。そして、加工ウェハのシ
リコンメンブレン部にエッチングガスを供給することに
より、レジストパタンをマスクとしてシリコンメンブレ
ン部がエッチングされ、該シリコンメンブレン部におけ
る電子線透過部が開口される。このようにして電子線露
光用ステンシルマスクを作製する。

【００３７】上記第２の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、
シリコンメンブレン部をドライエッチングする際におい
て、ステンシルパタンを貫通した後に、エッチングガス
がメンブレンの裏面に入り込んでも、下部電極に形成さ
れた溝１６からそのエッチングガスをメンブレンの裏面
から排気することができる。従って、メンブレンの裏面
が荒れてしまったり、メンブレンが破壊することを抑制
することができる。

【００３８】図３は、本発明に係る第３の実施の形態に
よる電子線露光用ステンシルマスクを示す斜視図であ
る。

【００３９】この電子線露光用ステンシルマスクは、ス
テンシルパタン（図示せず）を有するシリコンメンブレ
ン部１８とそれを支持する格子状のシリコン支柱部２０
から構成されている。このシリコン支柱部２０には高さ
３０μｍ、幅３０μｍの溝（切り込み）１９が掘り込ま
れている。この溝１９は、メンブレン部１８と相対する
側のストラッド上中央部に位置しており、その溝１９を
結ぶ線は格子状となる。

【００４０】次に、上記電子線露光用ステンシルマスク
の作製方法について説明する。まず、薄膜シリコン層、
酸化珪素層及びシリコン支持基板から構成されたＳＯＩ
（Silicon On Insulator）ウェハを準備し、このＳＯＩ
ウェハのシリコン支持基板を放電加工することにより、
該シリコン支持基板に溝１９を有するシリコン支柱部２
０を途中まで形成する。この際の放電加工では、支柱部
２０の形状に相当するような溝を持った放電加工用電極
を用いる。

【００４１】次に、ＳＯＩウェハを洗浄した後、中間の
酸化珪素層をエッチングストッパーとして、残りのシリ
コン支持基板をドライエッチングし、その後、露出して
いる酸化珪素層を除去することにより、シリコンメンブ
レン部１８がシリコン支柱部２０で支持された電子線露
光用ステンシルマスク基板が完成する。

【００４２】この後、シリコンメンブレン部１８上にレ
ジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像するこ
とにより、該シリコンメンブレン部上にレジストパタン
が形成される。このレジストパタンは、電子線透過部を
開口するためのものである。

【００４３】次に、レジストパタンをマスクとしてシリ
コンメンブレン部１８をドライエッチングすることによ
り、該シリコンメンブレン部における電子線透過部を開
口する。この際のエッチング方法について次に詳しく説
明する。

【００４４】シリコンメンブレン部１８上にレジストパ
タンが形成されたステンシルマスク基板を通常のドライ
エッチング装置のチャンバー内に挿入し、そのチャンバ
ー内の下部電極上にステンシルマスク基板を載置する。
次に、ステンシルマスク基板のシリコンメンブレン部に
エッチングガスを供給し、プラズマを発生させる。これ
により、レジストパタンをマスクとしてシリコンメンブ
レン部がエッチングされ、該シリコンメンブレン部にお
ける電子線透過部が開口される。このようにして電子線
露光用ステンシルマスクを作製する。

【００４５】上記第３の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、
通常のエッチング電極にステンシルマスク基板を置き、
シリコンメンブレン部１８をドライエッチングする際に
おいて、ステンシルパタンを貫通した後に、エッチング
ガスがメンブレンの裏面に入り込んでも、そのエッチン
グガスをステンシルマスク基板の溝１９を通ってメンブ
レン部の裏面から排気することができる。従って、メン
ブレンの裏面が荒れてしまったり、メンブレンが破壊す
ることを抑制することができる。

【００４６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記第２の実施の形
態では、下部電極１５の溝１６をレチクルグリレッジと
同じピッチの格子状の溝としているが、このような格子
状の溝である必要は必ずしも無く、溝のピッチ、深さ、
大きさ等は適宜変更可能である

【００４７】また、上記第３の実施の形態では、溝１９
をメンブレン部１８と相対する側のストラッド上中央部
に形成しているが、溝を形成する位置はこれに限定され
るものではなく、シリコン支柱部２０の他の位置に溝を
形成することも可能である。

【００４８】また、上記第３の実施の形態では、ＳＯＩ
ウェハのシリコン支持基板を放電加工することにより、
該シリコン支持基板に溝１９を有するシリコン支柱部２
０を形成しているが、ＳＯＩウェハのシリコン支持基板
をエッチングすることにより、該シリコン支持基板に溝
１９を有するシリコン支柱部を形成することも可能であ
る。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、メ
ンブレンをドライエッチングする際に、メンブレンの裏
面に入り込んだエッチングガスを排気する機構を備えて
いる。したがって、メンブレン状態でエッチングしてス
テンシルパタンを形成しても、メンブレンの裏面が荒れ
ることを抑制できる電子線露光用ステンシルマスク及び
その作製方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施の形態による電子線露
光用ステンシルマスクの作製方法を説明するものであっ
て、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。

【図２】本発明に係る第２の実施の形態による電子線露
光用ステンシルマスクの作製方法を説明するものであっ
て、（ａ）はドライエッチング装置の下部電極を示す平
面図であり、（ｂ）は該下部電極の一部を拡大して示す
側面図である。

【図３】本発明に係る第３の実施の形態による電子線露
光用ステンシルマスクを示す斜視図である。

【図４】（ａ）は、電子線露光用ステンシルマスク基板
を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す電子線露
光用ステンシルマスク基板の斜視図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、従来の電子線露光用レチク
ルブランクの作製方法を示す断面図である。

【図６】ＳＯＩウェハを示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、ＳＯＩウェハを用いてレチ
クルブランクを作製する方法を示す断面図である。

【図８】８インチウェハを使ったレチクルを示す平面図
である。

【符号の説明】

１…電子線散乱部（シリコンメンブレン部） ２…格子状のシリコン ３…ボロンドー
プ層 ４…シリコンウェハ ５…酸化珪素層 ６…薄膜シリコン層 ７…酸化珪素層 ８…シリコン支持基板 ８ａ〜８ｃ…支
柱 ９…レジスト又は酸化珪素層 １０…８インチレ
チクルブランク １１…メンブレン領域 １２…ドライエ
ッチング装置の下部電極 １３…加工ウェハ １４…３点のゲ
タ １４ａ…加工ウェハと下部電極との間の隙間 １５…ドライエッチング装置の下部電極 １６…溝 １８…シリコン
メンブレン部 １９…溝（切り込み） ２０…シリコン
支柱部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ステンシルパタンを有するメンブレンと
   それを支持するシリコン支柱部からなる電子線露光用ス
   テンシルマスクを作製する方法であって、 メンブレンとシリコン支柱部からなるステンシルマスク
   基板を準備する工程と、 メンブレン上にレジストパタンを形成する工程と、 ドライエッチングにより、上記レジストパタンをマスク
   として上記メンブレンをエッチングすることにより該メ
   ンブレンにステンシルパタンを形成するエッチング工程
   と、 を具備し、 上記エッチング工程は、電極上にステンシルマスク基板
   を載置し、このステンシルマスク基板にエッチングガス
   を供給してエッチングを行う際、メンブレンと電極との
   間に入り込んだエッチングガスを排気することを含むこ
   とを特徴とする電子線露光用ステンシルマスクの作製方
   法。
2. 【請求項２】 上記エッチング工程では、上記電極上に
   ゲタを取り付け、このゲタを介してステンシルマスク基
   板を電極上に載置することにより、該ステンシルマスク
   基板と該電極との間に隙間を形成することを特徴とする
   請求項１に記載の電子線露光用ステンシルマスクの作製
   方法。
3. 【請求項３】 上記エッチング工程では、上記電極にお
   けるステンシルマスク基板を載置する載置面に複数の溝
   を形成し、該溝を利用してエッチングガスを排気するこ
   とを特徴とする請求項１に記載の電子線露光用ステンシ
   ルマスクの作製方法。
4. 【請求項４】 ステンシルパタンを有するメンブレン
   と、 このメンブレンを支持する格子状のシリコン支柱部と、 このシリコン支柱部におけるメンブレンと相対する側に
   形成された複数の溝と、 を具備することを特徴とする電子線露光用ステンシルマ
   スク。
5. 【請求項５】 ステンシルパタンを有するメンブレンと
   それを支持する格子状のシリコン支柱部からなる電子線
   露光用ステンシルマスクを作製する方法であって、 メンブレンとシリコン支柱部からなり、該シリコン支柱
   部におけるメンブレンと相対する側に複数の溝が形成さ
   れたステンシルマスク基板を準備する工程と、 メンブレン上にレジストパタンを形成する工程と、 ドライエッチングにより、上記レジストパタンをマスク
   として上記メンブレンをエッチングすることにより該メ
   ンブレンにステンシルパタンを形成するエッチング工程
   と、 を具備し、 上記ドライエッチング工程は、電極上にステンシルマス
   ク基板を載置し、このステンシルマスク基板にエッチン
   グガスを供給してエッチングを行う際、メンブレンと電
   極との間に入り込んだエッチングガスを上記溝から排気
   することを含むことを特徴とする電子線露光用ステンシ
   ルマスクの作製方法。