JP2004273580A - レチクルブランクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レチクル全面において均一且つ十分な剛性を有するストラット構造を有するレチクルブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン支持基板21の裏面には、レジスト24が塗布されている。レジスト24がパターニングされて、パターン24a〜24cが形成される。このパターン24a〜24cの上に、遮蔽板を1a、1b、1cの順番で取りかえながら、エッチング作業を繰り返し、最後に遮蔽板なしでエッチングを行う。遮蔽板1a〜1cには各々メンブレン領域におけるエッチング速度の分布に応じた開口10a〜10cが設けられており、これを用いることにより、エッチングの進行具合がメンブレン部の全面で均一になるように、各部分のエッチング時間を調整する。
【選択図】 図1
【解決手段】シリコン支持基板21の裏面には、レジスト24が塗布されている。レジスト24がパターニングされて、パターン24a〜24cが形成される。このパターン24a〜24cの上に、遮蔽板を1a、1b、1cの順番で取りかえながら、エッチング作業を繰り返し、最後に遮蔽板なしでエッチングを行う。遮蔽板1a〜1cには各々メンブレン領域におけるエッチング速度の分布に応じた開口10a〜10cが設けられており、これを用いることにより、エッチングの進行具合がメンブレン部の全面で均一になるように、各部分のエッチング時間を調整する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、格子状のストラットとその間のメンブレン部を有するレチクルブランクの製造方法に関する。特には、全面において均一且つ十分な剛性を有するストラット構造を有するレチクルブランクの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、長年、微細なパターンを形成する手段の主流であった光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やX線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されつつある。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線露光は、電子線そのものを数nmにまで絞ることができるため、0.1μmあるいはそれ以下の微細なパターンを作製できる点に大きな特徴を有している。
【0003】
しかし、従来からある電子線露光方式は一筆書き方式を採っているので、パターンが微細になればなるほど、より絞った電子線で描画せねばならない。このため、描画時間が長くなり、スループットを上げられない。
【0004】
そこで、レチクルを利用してウェハ上で数百μm角のパターンを一括して露光する方式(分割転写方式)が提案されている。
図3は、分割転写方式の電子線露光で用いるレチクルの一例を模式的に示す図である。図3(A)は、レチクルの断面図であり、図3(B)は、レチクルの斜視図である。
【0005】
図3(A)に示すレチクルは、厚さ2μm程度のメンブレン状の電子線散乱部(シリコンメンブレン部)51に電子線透過部の開口(図示されていない。)を設けたステンシルタイプのものである。このとき、一度に電子線で露光できる領域(サブフィールド)は、ウェハ上で250μm角程度(レチクル上で1mm角程度)である。一方、ウェハ上のデバイスパターン(チップ)の全体の寸法は、例えば25mm角である。したがって、100×100=1万個のサブフィールドをつなぎ合わせて1つのチップのパターンを完成させる。このようなデバイスパターンの原版であるレチクルは、1mm角程度のメンブレンを上述の例では1万個敷き詰めた構造となっており、1個のメンブレン51の周囲には格子状のストラット(支柱)52が形成されており、このストラット52がレチクルを支える剛性部材となっている。
【0006】
以下に、ボロン(B)ドープのシリコン(Si)ウェハを利用したレチクルブランクの作製方法について、図4を参照しながら説明する。
図4は、ボロンドープのシリコンウェハを利用した電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、図4(A)に示すように、(100)面シリコンウェハ61の表面(図中上方)にボロンをドープしてボロンドープ層62を形成する。
次に、図4(B)に示すように、シリコンウェハ61の裏面(図中下方)から所定の厚さの数十μm手前までドライエッチングで掘り進めることで、垂直なストラットを形成する。このとき、エッチングされる場所以外は、窒化シリコン、酸化シリコン等の膜63で保護されている。
そして、図4(C)に示すように、所定の厚さのメンブレンでエッチングストップさせるために、最後のみウェットエッチングを使用する。このウェットエッチングには、水酸化カリウム水溶液を使用し、エッチングされる場所以外には、膜63を形成することにより保護されている。また、一例で1×1020atom/cm3程度のボロンを所望の厚さにドープさせ、このボロンによりウェットエッチングの速度を遅くする。これにより、容易にメンブレンを作製することができる。
最後に、この膜63を除去する(図4(C))。
【0007】
この方法をさらに簡素化させた方法が、SOI(Silicon On Insulator)ウェハを利用したものである。以下に、SOIウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の概要について、図5を参照しながら説明する。
【0008】
図5は、SOIウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、SOIウェハを準備する。図5(A)に示すように、SOIウェハは、シリコン支持基板(支持ウェハ)71の上に酸化シリコン層72が形成され、その上にシリコンメンブレン層73が形成されている。このため、中間の酸化シリコン層72をドライエッチングのエッチングトップ層として使用することができ、シリコン支持基板71の所定の部分をドライエッチングすることで、数百μm幅でレチクル面に対して垂直なストラットを持つレチクルブランクを作製することが可能である。
次に、図5(B)に示すように、シリコン支持基板71の図中下面に、レジスト又は酸化シリコン層74を形成する。
そして、図5(C)に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層74をパターニングし、ストラット(図5(D)及び(E)の71a〜71c)を形成する部分にのみレジスト又は酸化シリコン層74のパターンを残して保護する(74a〜74c)。
図5(D)に示すように、このパターン74a〜74cをマスクとして、且つ、酸化シリコン層72をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板71をドライエッチングし、ストラット71a〜71cを形成する。
最後に、パターン74a〜74cをウェットエッチングにより除去する(図5(E))。
【0009】
上記のいずれの方法においても、シリコンウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わなくてはならない。例えば、3インチウェハでは300μm以上、8インチウェハでは700μm以上の深さを垂直にエッチングすることが必要となる。
【0010】
このエッチングの際には、側壁保護を利用したエッチングがよく用いられる。これにより、エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性のよいエッチングを行うことができる(例えば、特許文献1参照。)。
【0011】
【特許文献1】
特開平10−106943号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上述の例のように、エッチングによりストラット構造を形成する際には、ローディング効果によりエッチングの速度がレチクル(メンブレン領域)の場所によって異なる。ここで、ローディング効果とは、レチクルをエッチングする際、メンブレン領域の中央部の方が、周辺部に比べてエッチングの進行に伴って発生するガスの排気効率が悪いため、周辺部の方がエッチャントの空間濃度分布が高くなることにより、周辺部ほどエッチングの進行が速くなることをいう。
【0013】
図6は、図5のレチクルブランクの製造方法におけるエッチング速度の分布の一例を示す等高線図である。
図6に示すように、レチクル800は、8インチSOIウェハ83で作製されており、同ウェハ83上には、一例で縦(D1)132mm×横(D2)55mmの大きさのメンブレン域81が横に2つ並べて形成されている。メンブレン域81は、半導体チップ全体を焼くために1mm角程度のメンブレン(サブフィールド)85を敷き詰めた構造となっており、格子状のストラット(支柱)86によって支えられている。
2つのメンブレン域81の間の部分は、メジャーストラット82である。メジャーストラット82は、ストラット86よりも太い梁であって、レチクル800のたわみを低減する。
図6においては、エッチング速度の分布が、等高線80a〜80cで表されており、一番外側が80c、その内側が80b、さらにその内側が80aである。エッチング速度は80c、80b、80aの順に遅くなっている。
このため、上述の例のように、レチクルブランクの全面に対して一律にエッチングを進めると、レチクルのストラット構造が不均一になるという問題がある。例えば、周辺部ほどエッチングの進行が速いので、周辺部のストラットがオーバーエッチングされてしまう。このため、周辺部のストラットの幅が細くなることにより、レチクルブランクの剛性を保つことができなくなるおそれがある。
【0014】
上記の点に鑑み、本発明は、レチクル全面において均一且つ十分な剛性を有するストラット構造を有するレチクルブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明のレチクルブランクの製造方法は、転写の原版となるデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)からなる支持基板部と、を備える電子線露光用のレチクルブランクの製造方法であって、前記支柱となる部分を残して基板を選択的にエッチングして前記メンブレン部を形成する際に、前記基板面におけるエッチング速度の分布に対応して、前記基板の各部でエッチングを行う時間を変えることを特徴とする。
本発明のレチクルブランクの製造方法によれば、エッチング速度の分布(図6参照。)に対応して、メンブレン領域の各部分ごとにエッチングする時間を調整することにより、メンブレン領域の全面のエッチングの進行状況の不均一さを減らすことができるので、レチクル上の場所によって厚みの差の少ないストラット構造を得ることができる。
【0016】
上記のレチクルブランクの製造方法においては、エッチング速度の速い部分を遮蔽板で蔽うことによりエッチングを行う時間を変えるようにすることができる。
この場合、簡単な方法でエッチング時間の調整を行うことができる。
【0017】
上記のレチクルブランクの製造方法においては、シリコンメンブレン層、酸化シリコン層及びシリコン支持基板が順に積層されたSOIウェハを準備する工程と、前記SOIウェハのシリコン支持基板の表面(酸化シリコン層の反対側の面)にレジスト膜を塗布する工程と、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記レジスト膜をパターニングにより除去し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとするとともに、前記酸化シリコン層をエッチングストッパーとして、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記シリコン支持基板をエッチングにより除去し、格子状のストラットを形成する工程と、前記格子状のストラットに囲まれた酸化シリコン層、及び、該ストラットの端面(最外層)のレジストパターンを除去する工程と、を有することとできる。
この場合、SOIウェハを用いることにより、工程を簡素化することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るレチクルブランクの製造方法に用いる遮蔽板を示す図である。
図1に示す遮蔽板1a〜1cは、シリコン又はセラミックスからなり、一例で厚さが1mm以下の円板状である。遮蔽板1a〜1cの中央には、それぞれ開口10a〜10cが形成されている。この開口10a〜10cは、左右対称でアレイ状に形成されており、10a、10b、10cの順に大きくなっている。開口10a〜10cは、図6の3本の等高線80a〜80cの形状にそれぞれ対応して形成されている。なお、図1に示す開口10a〜10cの中央部(アレイの柄の部分)は、メジャーストラット82(図6参照)の位置に当たり開口となっているが、非開口として開口10a〜10cが左右に分かれていてもよい。
遮蔽板1a〜1cの表面及び開口10a〜10cの断面には、エッチングによる侵蝕を防ぐためにレジストが塗布されている。なお、遮蔽板1a〜1cは、エッチングにより侵蝕されない材料(例えば、セラミックス等。)であればそのまま用いることができる。
【0019】
本実施形態においては、エッチングの際に、この3枚の遮蔽板1a〜1cを順番に用いてレチクルを蔽ってエッチングを行うことにより、メンブレン領域の全面においてエッチングの進行具合が同じになるようにエッチング時間を調整する。
【0020】
図2は、本発明の一実施形態に係るSOIウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の示すレチクルブランクの断面図である。
まず、SOIウェハを準備する。図2(A)に示すように、SOIウェハは、シリコン支持基板(支持ウェハ)21の上に酸化シリコン層22が形成され、その上にシリコンメンブレン層23が形成されている。このため、中間の酸化シリコン層22をドライエッチングのエッチングトップ層として使用することができ、シリコン支持基板21の所定の部分をドライエッチングすることで、数百μm幅でレチクル面に対して垂直なストラットを持つレチクルブランクを作製することが可能である。
【0021】
次に、図2(B)に示すように、シリコン支持基板21の図中下面に、レジスト又は酸化シリコン層24を形成する。
そして、図2(C)に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層24をパターニングし、ストラット(図2(E)及び(F)の21a〜21c)を形成する部分にのみレジスト又は酸化シリコン層24のパターンを残して保護する。図2においては、パターンは簡単のため24a〜24cの3箇所のみ示されている。
【0022】
図2(D)に示すように、最も小さい開口10aの形成された遮蔽板1a(図1(A)参照。)をレチクルの図中下面に設置し、上記パターン24a〜24cをマスクとして、且つ、酸化シリコン層22をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板21をドライエッチングする。そして、遮蔽板1aを取り外して、開口10aより少し大きい開口10bの形成された遮蔽板1b(図1(B)参照。)を取りつけてエッチングを行い、その次に3枚の遮蔽板の中で最も大きい開口10cの形成された遮蔽板1c(図1(B)参照。)を取りつけてエッチングを行う。この遮蔽板を用いたエッチングを行う時間は、一例で1枚の遮蔽板につきそれぞれ1時間程度である。
図2(E)に示すように、遮蔽板を取り除いた状態で、上記パターン24a〜24cをマスクとして、且つ、酸化シリコン層22をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板21をドライエッチングして、ストラット21a〜21cを形成する。このときのエッチング時間は一例で3時間程度である。
図2(D)及び図2(E)の工程におけるエッチングの際には、側壁保護を利用したエッチングがよく用いられる。これにより、エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性のよいエッチングを行うことができる。
最後に、パターン24a〜24cをウェットエッチングにより除去する(図2(F))。
【0023】
本実施形態によれば、エッチング速度分布に応じた遮蔽板を用いてエッチング時間を調整することにより、メンブレン領域の全面におけるエッチングの進行具合が同じになるように調節することができる。これにより、均一なストラット構造を得ることができる。
【0024】
本実施形態においては、遮蔽板を3枚用いたが、遮蔽板の枚数はこれに限るものではなく、エッチング速度の分布に応じて適当な枚数の遮蔽板を製作して使用することができる。
【0025】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によると、エッチング速度の分布に応じて、レチクルの各部分に対するエッチングを行う時間を調整することにより、メンブレン領域の全面におけるエッチングの進行具合が同じになるように調節することができる。これにより、メンブレン領域の周辺部のストラットがオーバーエッチングされるのを防止することができ、均一なストラット構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るレチクルブランクの製造方法に用いる遮蔽板を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態に係るSOIウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の示すレチクルブランクの断面図である。
【図3】分割転写方式の電子線露光で用いるレチクルの一例を模式的に示す図である。
(A) レチクルの断面図である。
(B) レチクルの斜視図である。
【図4】ボロンドープのシリコンウェハを利用した電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【図5】SOIウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【図6】図5のレチクルブランクの製造方法におけるエッチング速度の分布の一例を示す等高線図である。
【符号の説明】
1a、1b、1c 遮蔽板
10a、10b、10c 開口
21 シリコン支持基板(支持ウェハ)
21a、21b、21c ストラット
22 酸化シリコン層
23 シリコンメンブレン層
24 レジスト又は酸化シリコン層
24a、24b、24c パターン
【発明の属する技術分野】
本発明は、格子状のストラットとその間のメンブレン部を有するレチクルブランクの製造方法に関する。特には、全面において均一且つ十分な剛性を有するストラット構造を有するレチクルブランクの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、長年、微細なパターンを形成する手段の主流であった光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やX線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されつつある。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線露光は、電子線そのものを数nmにまで絞ることができるため、0.1μmあるいはそれ以下の微細なパターンを作製できる点に大きな特徴を有している。
【0003】
しかし、従来からある電子線露光方式は一筆書き方式を採っているので、パターンが微細になればなるほど、より絞った電子線で描画せねばならない。このため、描画時間が長くなり、スループットを上げられない。
【0004】
そこで、レチクルを利用してウェハ上で数百μm角のパターンを一括して露光する方式(分割転写方式)が提案されている。
図3は、分割転写方式の電子線露光で用いるレチクルの一例を模式的に示す図である。図3(A)は、レチクルの断面図であり、図3(B)は、レチクルの斜視図である。
【0005】
図3(A)に示すレチクルは、厚さ2μm程度のメンブレン状の電子線散乱部(シリコンメンブレン部)51に電子線透過部の開口(図示されていない。)を設けたステンシルタイプのものである。このとき、一度に電子線で露光できる領域(サブフィールド)は、ウェハ上で250μm角程度(レチクル上で1mm角程度)である。一方、ウェハ上のデバイスパターン(チップ)の全体の寸法は、例えば25mm角である。したがって、100×100=1万個のサブフィールドをつなぎ合わせて1つのチップのパターンを完成させる。このようなデバイスパターンの原版であるレチクルは、1mm角程度のメンブレンを上述の例では1万個敷き詰めた構造となっており、1個のメンブレン51の周囲には格子状のストラット(支柱)52が形成されており、このストラット52がレチクルを支える剛性部材となっている。
【0006】
以下に、ボロン(B)ドープのシリコン(Si)ウェハを利用したレチクルブランクの作製方法について、図4を参照しながら説明する。
図4は、ボロンドープのシリコンウェハを利用した電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、図4(A)に示すように、(100)面シリコンウェハ61の表面(図中上方)にボロンをドープしてボロンドープ層62を形成する。
次に、図4(B)に示すように、シリコンウェハ61の裏面(図中下方)から所定の厚さの数十μm手前までドライエッチングで掘り進めることで、垂直なストラットを形成する。このとき、エッチングされる場所以外は、窒化シリコン、酸化シリコン等の膜63で保護されている。
そして、図4(C)に示すように、所定の厚さのメンブレンでエッチングストップさせるために、最後のみウェットエッチングを使用する。このウェットエッチングには、水酸化カリウム水溶液を使用し、エッチングされる場所以外には、膜63を形成することにより保護されている。また、一例で1×1020atom/cm3程度のボロンを所望の厚さにドープさせ、このボロンによりウェットエッチングの速度を遅くする。これにより、容易にメンブレンを作製することができる。
最後に、この膜63を除去する(図4(C))。
【0007】
この方法をさらに簡素化させた方法が、SOI(Silicon On Insulator)ウェハを利用したものである。以下に、SOIウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の概要について、図5を参照しながら説明する。
【0008】
図5は、SOIウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、SOIウェハを準備する。図5(A)に示すように、SOIウェハは、シリコン支持基板(支持ウェハ)71の上に酸化シリコン層72が形成され、その上にシリコンメンブレン層73が形成されている。このため、中間の酸化シリコン層72をドライエッチングのエッチングトップ層として使用することができ、シリコン支持基板71の所定の部分をドライエッチングすることで、数百μm幅でレチクル面に対して垂直なストラットを持つレチクルブランクを作製することが可能である。
次に、図5(B)に示すように、シリコン支持基板71の図中下面に、レジスト又は酸化シリコン層74を形成する。
そして、図5(C)に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層74をパターニングし、ストラット(図5(D)及び(E)の71a〜71c)を形成する部分にのみレジスト又は酸化シリコン層74のパターンを残して保護する(74a〜74c)。
図5(D)に示すように、このパターン74a〜74cをマスクとして、且つ、酸化シリコン層72をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板71をドライエッチングし、ストラット71a〜71cを形成する。
最後に、パターン74a〜74cをウェットエッチングにより除去する(図5(E))。
【0009】
上記のいずれの方法においても、シリコンウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わなくてはならない。例えば、3インチウェハでは300μm以上、8インチウェハでは700μm以上の深さを垂直にエッチングすることが必要となる。
【0010】
このエッチングの際には、側壁保護を利用したエッチングがよく用いられる。これにより、エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性のよいエッチングを行うことができる(例えば、特許文献1参照。)。
【0011】
【特許文献1】
特開平10−106943号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上述の例のように、エッチングによりストラット構造を形成する際には、ローディング効果によりエッチングの速度がレチクル(メンブレン領域)の場所によって異なる。ここで、ローディング効果とは、レチクルをエッチングする際、メンブレン領域の中央部の方が、周辺部に比べてエッチングの進行に伴って発生するガスの排気効率が悪いため、周辺部の方がエッチャントの空間濃度分布が高くなることにより、周辺部ほどエッチングの進行が速くなることをいう。
【0013】
図6は、図5のレチクルブランクの製造方法におけるエッチング速度の分布の一例を示す等高線図である。
図6に示すように、レチクル800は、8インチSOIウェハ83で作製されており、同ウェハ83上には、一例で縦(D1)132mm×横(D2)55mmの大きさのメンブレン域81が横に2つ並べて形成されている。メンブレン域81は、半導体チップ全体を焼くために1mm角程度のメンブレン(サブフィールド)85を敷き詰めた構造となっており、格子状のストラット(支柱)86によって支えられている。
2つのメンブレン域81の間の部分は、メジャーストラット82である。メジャーストラット82は、ストラット86よりも太い梁であって、レチクル800のたわみを低減する。
図6においては、エッチング速度の分布が、等高線80a〜80cで表されており、一番外側が80c、その内側が80b、さらにその内側が80aである。エッチング速度は80c、80b、80aの順に遅くなっている。
このため、上述の例のように、レチクルブランクの全面に対して一律にエッチングを進めると、レチクルのストラット構造が不均一になるという問題がある。例えば、周辺部ほどエッチングの進行が速いので、周辺部のストラットがオーバーエッチングされてしまう。このため、周辺部のストラットの幅が細くなることにより、レチクルブランクの剛性を保つことができなくなるおそれがある。
【0014】
上記の点に鑑み、本発明は、レチクル全面において均一且つ十分な剛性を有するストラット構造を有するレチクルブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明のレチクルブランクの製造方法は、転写の原版となるデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)からなる支持基板部と、を備える電子線露光用のレチクルブランクの製造方法であって、前記支柱となる部分を残して基板を選択的にエッチングして前記メンブレン部を形成する際に、前記基板面におけるエッチング速度の分布に対応して、前記基板の各部でエッチングを行う時間を変えることを特徴とする。
本発明のレチクルブランクの製造方法によれば、エッチング速度の分布(図6参照。)に対応して、メンブレン領域の各部分ごとにエッチングする時間を調整することにより、メンブレン領域の全面のエッチングの進行状況の不均一さを減らすことができるので、レチクル上の場所によって厚みの差の少ないストラット構造を得ることができる。
【0016】
上記のレチクルブランクの製造方法においては、エッチング速度の速い部分を遮蔽板で蔽うことによりエッチングを行う時間を変えるようにすることができる。
この場合、簡単な方法でエッチング時間の調整を行うことができる。
【0017】
上記のレチクルブランクの製造方法においては、シリコンメンブレン層、酸化シリコン層及びシリコン支持基板が順に積層されたSOIウェハを準備する工程と、前記SOIウェハのシリコン支持基板の表面(酸化シリコン層の反対側の面)にレジスト膜を塗布する工程と、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記レジスト膜をパターニングにより除去し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとするとともに、前記酸化シリコン層をエッチングストッパーとして、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記シリコン支持基板をエッチングにより除去し、格子状のストラットを形成する工程と、前記格子状のストラットに囲まれた酸化シリコン層、及び、該ストラットの端面(最外層)のレジストパターンを除去する工程と、を有することとできる。
この場合、SOIウェハを用いることにより、工程を簡素化することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るレチクルブランクの製造方法に用いる遮蔽板を示す図である。
図1に示す遮蔽板1a〜1cは、シリコン又はセラミックスからなり、一例で厚さが1mm以下の円板状である。遮蔽板1a〜1cの中央には、それぞれ開口10a〜10cが形成されている。この開口10a〜10cは、左右対称でアレイ状に形成されており、10a、10b、10cの順に大きくなっている。開口10a〜10cは、図6の3本の等高線80a〜80cの形状にそれぞれ対応して形成されている。なお、図1に示す開口10a〜10cの中央部(アレイの柄の部分)は、メジャーストラット82(図6参照)の位置に当たり開口となっているが、非開口として開口10a〜10cが左右に分かれていてもよい。
遮蔽板1a〜1cの表面及び開口10a〜10cの断面には、エッチングによる侵蝕を防ぐためにレジストが塗布されている。なお、遮蔽板1a〜1cは、エッチングにより侵蝕されない材料(例えば、セラミックス等。)であればそのまま用いることができる。
【0019】
本実施形態においては、エッチングの際に、この3枚の遮蔽板1a〜1cを順番に用いてレチクルを蔽ってエッチングを行うことにより、メンブレン領域の全面においてエッチングの進行具合が同じになるようにエッチング時間を調整する。
【0020】
図2は、本発明の一実施形態に係るSOIウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の示すレチクルブランクの断面図である。
まず、SOIウェハを準備する。図2(A)に示すように、SOIウェハは、シリコン支持基板(支持ウェハ)21の上に酸化シリコン層22が形成され、その上にシリコンメンブレン層23が形成されている。このため、中間の酸化シリコン層22をドライエッチングのエッチングトップ層として使用することができ、シリコン支持基板21の所定の部分をドライエッチングすることで、数百μm幅でレチクル面に対して垂直なストラットを持つレチクルブランクを作製することが可能である。
【0021】
次に、図2(B)に示すように、シリコン支持基板21の図中下面に、レジスト又は酸化シリコン層24を形成する。
そして、図2(C)に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層24をパターニングし、ストラット(図2(E)及び(F)の21a〜21c)を形成する部分にのみレジスト又は酸化シリコン層24のパターンを残して保護する。図2においては、パターンは簡単のため24a〜24cの3箇所のみ示されている。
【0022】
図2(D)に示すように、最も小さい開口10aの形成された遮蔽板1a(図1(A)参照。)をレチクルの図中下面に設置し、上記パターン24a〜24cをマスクとして、且つ、酸化シリコン層22をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板21をドライエッチングする。そして、遮蔽板1aを取り外して、開口10aより少し大きい開口10bの形成された遮蔽板1b(図1(B)参照。)を取りつけてエッチングを行い、その次に3枚の遮蔽板の中で最も大きい開口10cの形成された遮蔽板1c(図1(B)参照。)を取りつけてエッチングを行う。この遮蔽板を用いたエッチングを行う時間は、一例で1枚の遮蔽板につきそれぞれ1時間程度である。
図2(E)に示すように、遮蔽板を取り除いた状態で、上記パターン24a〜24cをマスクとして、且つ、酸化シリコン層22をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板21をドライエッチングして、ストラット21a〜21cを形成する。このときのエッチング時間は一例で3時間程度である。
図2(D)及び図2(E)の工程におけるエッチングの際には、側壁保護を利用したエッチングがよく用いられる。これにより、エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性のよいエッチングを行うことができる。
最後に、パターン24a〜24cをウェットエッチングにより除去する(図2(F))。
【0023】
本実施形態によれば、エッチング速度分布に応じた遮蔽板を用いてエッチング時間を調整することにより、メンブレン領域の全面におけるエッチングの進行具合が同じになるように調節することができる。これにより、均一なストラット構造を得ることができる。
【0024】
本実施形態においては、遮蔽板を3枚用いたが、遮蔽板の枚数はこれに限るものではなく、エッチング速度の分布に応じて適当な枚数の遮蔽板を製作して使用することができる。
【0025】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によると、エッチング速度の分布に応じて、レチクルの各部分に対するエッチングを行う時間を調整することにより、メンブレン領域の全面におけるエッチングの進行具合が同じになるように調節することができる。これにより、メンブレン領域の周辺部のストラットがオーバーエッチングされるのを防止することができ、均一なストラット構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るレチクルブランクの製造方法に用いる遮蔽板を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態に係るSOIウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の示すレチクルブランクの断面図である。
【図3】分割転写方式の電子線露光で用いるレチクルの一例を模式的に示す図である。
(A) レチクルの断面図である。
(B) レチクルの斜視図である。
【図4】ボロンドープのシリコンウェハを利用した電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【図5】SOIウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【図6】図5のレチクルブランクの製造方法におけるエッチング速度の分布の一例を示す等高線図である。
【符号の説明】
1a、1b、1c 遮蔽板
10a、10b、10c 開口
21 シリコン支持基板(支持ウェハ)
21a、21b、21c ストラット
22 酸化シリコン層
23 シリコンメンブレン層
24 レジスト又は酸化シリコン層
24a、24b、24c パターン
Claims (3)
- 転写の原版となるデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面(裏面)に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)からなる支持基板部と、
を備える電子線露光用のレチクルブランクの製造方法であって、
前記支柱となる部分を残して基板を選択的にエッチングして前記メンブレン部を形成する際に、
前記基板面におけるエッチング速度の分布に対応して、前記基板の各部でエッチングを行う時間を変えることを特徴とするレチクルブランクの製造方法。 - エッチング速度の速い部分を遮蔽板で蔽うことによりエッチングを行う時間を変えることを特徴とする請求項1記載のレチクルブランクの製造方法。
- シリコンメンブレン層、酸化シリコン層及びシリコン支持基板が順に積層されたSOIウェハを準備する工程と、
前記SOIウェハのシリコン支持基板の表面(酸化シリコン層の反対側の面)にレジスト膜を塗布する工程と、
ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記レジスト膜をパターニングにより除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとするとともに、前記酸化シリコン層をエッチングストッパーとして、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記シリコン支持基板をエッチングにより除去し、格子状のストラットを形成する工程と、
前記格子状のストラットに囲まれた酸化シリコン層、及び、該ストラットの端面(最外層)のレジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項記載のレチクルブランクの製造方法。
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- 2003-03-06 JP JP2003059313A patent/JP2004273580A/ja active Pending
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