JP2006049339A - マスクパターン配置方法、マスク作製方法、プログラムおよびマスク - Google Patents
マスクパターン配置方法、マスク作製方法、プログラムおよびマスク Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】メンブレンの形成に不具合がある領域を予めパターン配置禁止領域として特定する。そして、パターンの相補分割ならびに各マスク領域への配置が完了した後に(ステップST1,ST2)、パターン配置禁止領域内に配置された再配置対象パターン44を抽出し(ステップST3)、別のマスク領域へ再配置することにより(ステップST4)、仮にマスクブランクスにパターン形成が困難な領域が存在しても、マスクパターン形成可能なパターン配置が得られる。
【選択図】図6
Description
本発明のマスク作製方法では、再配置後のパターン配置に従ったマスクパターンを形成することから、仮に薄膜部の形成不良が生じた場合であっても、マスクパターンの貫通孔が形成される。
本発明のマスクでは、薄膜部のうち予め特定された貫通孔の形成が困難な薄膜部の領域を避けて、マスクパターンの貫通孔が形成されていることから、被露光体に精度良くパターンを露光することができる。
そのため、本発明のマスク作製方法によれば、上記のパターン配置に従ったマスクパターンを形成することから、貫通孔の形成が困難な薄膜部が一部に存在する場合においても、マスクパターンを良好に形成することができる。
本発明のマスクによれば、貫通孔の形成が困難な薄膜部が一部に存在する場合においても、当該領域を避けるようにマスクパターンが配置されていることから、被露光体に精度良くパターンを露光することができる。
本実施形態に係るマスク1は、支持枠2により囲まれた中央領域に、貫通孔からなるマスクパターンが形成される複数のメンブレン(薄膜部)3と、各メンブレン3の強度を補強するためメンブレン3を区画する厚膜の梁(梁部)4とを有する。梁4の膜厚は、支持枠2の膜厚と同程度であり、例えば725μmである。メンブレン3の膜厚は、例えば500nm程度である。
メンブレン3には、貫通孔からなるマスクパターン5が形成される。後述するように、マスクパターン5は設計パターンを相補分割したパターンからなる。マスクパターン5は、メンブレン3をエッチングすることにより形成するが、マスクパターン5が良好に形成される前提として、マスクブランクスにおいて500nm程度の一定膜厚のメンブレン3が良好に形成されている必要がある。マスクパターン5が形成されていない状態における図1に示す構造体をマスクブランクスと称する。
パターン配置禁止領域とは、メンブレン3形成に不具合が生じると想定される領域をいう。パターン配置禁止領域は、例えば、あらかじめ同形状の梁構造を持つマスクブランクスを作製して特定する、もしくはエッチング条件等のデータを参照し、エッチング速度が早くなる、もしくは遅くなる箇所を特定することで行なう。
例えば、本実施形態では、図1を参照して梁構造の一例を説明したが、梁構造には限定はない。また、パターン配置禁止領域6の一例を説明したが、テスト用マスクを用いた検証あるいはシミュレーション等により、メンブレン3の形成に不具合が想定される箇所であれば特に限定はない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (7)
- 厚膜の梁部によって支持された複数の薄膜部によって定義される領域に、設計パターンを相補分割した分割パターンを配置するステップと、
配置後の分割パターンのうち、予め特定されたマスクパターンの形成が困難な前記薄膜部の領域に配置された再配置対象パターンを抽出するステップと、
抽出された再配置対象パターンを他の薄膜部の領域へ再配置するステップと
を有するマスクパターン配置方法。 - 前記再配置を行うステップの後、
前記再配置先の薄膜部の領域において、相補分割が必要なパターンが発生するか否かを検証するステップと、
相補分割が必要なパターンが発生する場合に、前記再配置対象パターンを他の薄膜部の領域へ再度配置するステップと
を有する請求項1記載のマスクパターン配置方法。 - 厚膜の梁部によって支持された複数の薄膜部によって定義される領域に、設計パターンを相補分割した分割パターンを配置するステップと、
配置後の分割パターンのうち、予め特定されたマスクパターンの形成が困難な前記薄膜部の領域に配置された再配置対象パターンを抽出するステップと、
抽出された再配置対象パターンを他の薄膜部の領域へ再配置するステップと、
再配置後のパターン配置に従って、厚膜の梁部によって支持された複数の薄膜部に、エッチングにより貫通孔からなるマスクパターンを形成するステップと
を有するマスク作製方法。 - 前記再配置を行うステップの後、マスクパターンを形成するステップの前に、
前記再配置先の薄膜部の領域において、相補分割が必要なパターンが発生するか否かを検証するステップと、
相補分割が必要なパターンが発生する場合に、前記再配置対象パターンを他の薄膜部の領域へ再度配置するステップと
を有する請求項3記載のマスク作製方法。 - 厚膜の梁部によって支持された複数の薄膜部によって定義される領域に、設計パターンを相補分割した分割パターンを配置するステップと、
配置後の分割パターンのうち、予め特定されたマスクパターンの形成が困難な前記薄膜部の領域に配置された再配置対象パターンを抽出するステップと、
抽出された再配置対象パターンを他の薄膜部の領域へ再配置するステップと
をコンピュータに実行させるプログラム。 - 前記再配置を行うステップの後、
前記再配置先の薄膜部の領域において、相補分割が必要なパターンが発生するか否かを検証するステップと、
相補分割が必要なパターンが発生する場合に、前記再配置対象パターンを他の薄膜部の領域へ再度配置するステップと
をコンピュータに実行させる請求項5記載のプログラム。 - 厚膜の梁部によって支持された複数の薄膜部に、設計パターンを相補分割した形状をもつマスクパターンの貫通孔が形成されたマスクであって、
前記薄膜部のうち予め特定された貫通孔の形成が困難な前記薄膜部の領域を避けて、マスクパターンの貫通孔が形成された
マスク。
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Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240363A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-12 | Canon Inc | 反射型マスクの作製方法と製造装置およびこれを用いた反射型マスク、該反射型マスクを用いた露光装置と半導体デバイス |
JPH11121329A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nikon Corp | マスク用基板の製造方法及びマスクの製造方法 |
JP2001007013A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nikon Corp | 転写マスクブランクス及びその製造方法 |
JP2001244192A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nec Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
JP2003059819A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
JP2003092250A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003151885A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2003151877A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
JP2003282419A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Sony Corp | マスクパターン検証方法およびマスクパターン作成方法 |
JP2003332210A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Sony Corp | マスクパターン作成方法 |
JP2004079699A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Sony Corp | マスクパターン分割方法、マスクパターン分割プログラム、露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
JP2004088072A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Sony Corp | マスクおよびその検査方法 |
JP2004134476A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Sony Corp | 露光装置、アライメント方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004228109A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Sony Corp | 露光用パターン又はマスクの形成方法とそのプログラム、半導体装置の製造方法、露光用パターン又はマスク、及びプログラム内蔵の記録媒体 |
JP2004319790A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Sony Corp | 相補分割条件決定方法、相補分割方法およびプログラム |
JP2007214545A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の作製方法、及びrfidタグ |
-
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- 2004-07-30 JP JP2004223635A patent/JP4657646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240363A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-12 | Canon Inc | 反射型マスクの作製方法と製造装置およびこれを用いた反射型マスク、該反射型マスクを用いた露光装置と半導体デバイス |
JPH11121329A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nikon Corp | マスク用基板の製造方法及びマスクの製造方法 |
JP2001007013A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nikon Corp | 転写マスクブランクス及びその製造方法 |
JP2001244192A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nec Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
JP2003059819A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
JP2003092250A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003151877A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
JP2003151885A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2003282419A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Sony Corp | マスクパターン検証方法およびマスクパターン作成方法 |
JP2003332210A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Sony Corp | マスクパターン作成方法 |
JP2004088072A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Sony Corp | マスクおよびその検査方法 |
JP2004079699A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Sony Corp | マスクパターン分割方法、マスクパターン分割プログラム、露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
JP2004134476A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Sony Corp | 露光装置、アライメント方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004228109A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Sony Corp | 露光用パターン又はマスクの形成方法とそのプログラム、半導体装置の製造方法、露光用パターン又はマスク、及びプログラム内蔵の記録媒体 |
JP2004319790A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Sony Corp | 相補分割条件決定方法、相補分割方法およびプログラム |
JP2007214545A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の作製方法、及びrfidタグ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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