JPS60167328A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS60167328A JPS60167328A JP59021625A JP2162584A JPS60167328A JP S60167328 A JPS60167328 A JP S60167328A JP 59021625 A JP59021625 A JP 59021625A JP 2162584 A JP2162584 A JP 2162584A JP S60167328 A JPS60167328 A JP S60167328A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- distortion
- transferred
- pattern
- exposure
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、露光技術、特に重ね合わせ露光技術に関し、
たとえば、半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程
に使用して有効な技術に関する。
たとえば、半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程
に使用して有効な技術に関する。
［背景技術］
半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程においては
、多種類のパターンが同一の基板上に重ね合わせて転写
される。
、多種類のパターンが同一の基板上に重ね合わせて転写
される。
そして、生産性向上等の点から、複数台の露光装置を用
いて重ね合わせ露光することが考えられる。
いて重ね合わせ露光することが考えられる。
しかし、複数台の露光装置を用いて重ね合わせ露光を行
うと、各露光装置ごとに固有の光学的歪があるため、重
ね合わせ露光したときに各光学的歪が相剰し合い重ね合
わせの誤差が大きくなってしまうという問題点があるこ
とが、本発明者によって明らかにされた。
うと、各露光装置ごとに固有の光学的歪があるため、重
ね合わせ露光したときに各光学的歪が相剰し合い重ね合
わせの誤差が大きくなってしまうという問題点があるこ
とが、本発明者によって明らかにされた。
［発明の目的］
本発明の目的は、光学的歪による誤差のない転写パター
ンを得ることができる露光方法を提供することにある。
ンを得ることができる露光方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、光学系固有の光学的歪を解消するように補償
されているパターンを形成されたマスクを使用して露光
を行うことにより、実際の転写パターンにおいて歪のな
い適正な像を得るようにし、これにより、重ね合わせ露
光による相剰的な誤差の発生を防止し得るようにしたも
のである。
されているパターンを形成されたマスクを使用して露光
を行うことにより、実際の転写パターンにおいて歪のな
い適正な像を得るようにし、これにより、重ね合わせ露
光による相剰的な誤差の発生を防止し得るようにしたも
のである。
［実施例］
第１図〜第４図は本発明の一実施例である露光方法を説
明するための各説明図である。
明するための各説明図である。
本実施例において、転写されるべき適正なパターンは、
第１図に示されている正方形の枠線２の中に十字線３が
描かれているパターン１であるとする。
第１図に示されている正方形の枠線２の中に十字線３が
描かれているパターン１であるとする。
今、第１露光装置（図示せず）において、第１図に示さ
れているパターン１が形成されたマスク（図示せず）を
用いて転写を実施した場合、第２図に実線で示されてい
るような誤差のある転写パターン４が得られたとする。
れているパターン１が形成されたマスク（図示せず）を
用いて転写を実施した場合、第２図に実線で示されてい
るような誤差のある転写パターン４が得られたとする。
すなわち、第１誤差パターン４は、枠線２が中央部が外
側にふくらんだ円弧形状ｆ−＊ ５になり、かつ十字線
３が外側に延びた延長線６になっている。
側にふくらんだ円弧形状ｆ−＊ ５になり、かつ十字線
３が外側に延びた延長線６になっている。
次に、第２露光装置（図示せず）において、第１図に示
されているパターン１が形成されたマスクを用いて転写
を実施した場合、第３図に実線で示されているような誤
差のある転写パターン７が得られたとする。すなわち、
第２誤差パターン７は、枠線２がひし影線８に歪み、十
字線３が斜線９に傾いている。
されているパターン１が形成されたマスクを用いて転写
を実施した場合、第３図に実線で示されているような誤
差のある転写パターン７が得られたとする。すなわち、
第２誤差パターン７は、枠線２がひし影線８に歪み、十
字線３が斜線９に傾いている。
そして、第３図に示されているように、第１誤差パター
ン４に第２誤差パターン７を重ね合わせて焼き付けると
、互いに異なったずれをそれぞれ示すため、誤差が相刺
され重ね合わせは極めて不正確になる。
ン４に第２誤差パターン７を重ね合わせて焼き付けると
、互いに異なったずれをそれぞれ示すため、誤差が相刺
され重ね合わせは極めて不正確になる。
このように、各露光装置ごとに転写パターンの誤差が異
なる理由は、露光装置のレンズ、ミラー等の光学系にお
いて収差等の光学的な歪が存在し、かつこの歪は装置ご
とに固有のものであるためである。しかも、この固有の
歪は経時的に殆ど変動しないと考えてよい。
なる理由は、露光装置のレンズ、ミラー等の光学系にお
いて収差等の光学的な歪が存在し、かつこの歪は装置ご
とに固有のものであるためである。しかも、この固有の
歪は経時的に殆ど変動しないと考えてよい。
そこで、まず、各露光装置ごとに光学的な歪を定量的に
測定する。たとえば、あらかじめ高精密に作成された網
目模様のゲージパターンを各露光装置ごとにそれぞれ露
光転写し、各転写パターンとゲージパターンとをそれぞ
れ比較することにより、各装装置ごとの歪が定量的に測
定できる。
測定する。たとえば、あらかじめ高精密に作成された網
目模様のゲージパターンを各露光装置ごとにそれぞれ露
光転写し、各転写パターンとゲージパターンとをそれぞ
れ比較することにより、各装装置ごとの歪が定量的に測
定できる。
次に、所望のパターンのマスクを作成する時に、その所
望のパターンを歪の測定値により歪が解消されるように
補償してやる。たとえば、この所望のパターンを作成す
る光学的パターンジェネレータや電子線描画装置におけ
る描画信号発生制御部に、歪測定値データを入力して描
画信号を微調整することにより、補償は容易に実現でき
る。
望のパターンを歪の測定値により歪が解消されるように
補償してやる。たとえば、この所望のパターンを作成す
る光学的パターンジェネレータや電子線描画装置におけ
る描画信号発生制御部に、歪測定値データを入力して描
画信号を微調整することにより、補償は容易に実現でき
る。
前記第１露光装置においては、第２図に破線で示される
ような補償パターン１０を作成すれば、第２図に想像線
で示されるように、第１図に示された適正パターン１の
転写像が確保されることになる。すなわち、誤差パター
ン４の外側にふくらんだ円弧形状線５は、補償パターン
１０の内側にへこんだ円弧形状線１１によりふくらみを
解消されて直線となる。
ような補償パターン１０を作成すれば、第２図に想像線
で示されるように、第１図に示された適正パターン１の
転写像が確保されることになる。すなわち、誤差パター
ン４の外側にふくらんだ円弧形状線５は、補償パターン
１０の内側にへこんだ円弧形状線１１によりふくらみを
解消されて直線となる。
前記第２露光装置においては、第４図に破線で示される
ような補償パターン１２を作成すれば、第４図に想像線
で示されるように、第１図に示された適正パターン２の
転写像が確保されることになる。すなわち、誤差パター
ン４の右下がりに傾斜したひし影線８は、補償パターン
１２の左下がりに傾斜したひし影線１３により傾斜を解
消されて正方形の枠線２になる。なお、十字線について
もこれに準する。
ような補償パターン１２を作成すれば、第４図に想像線
で示されるように、第１図に示された適正パターン２の
転写像が確保されることになる。すなわち、誤差パター
ン４の右下がりに傾斜したひし影線８は、補償パターン
１２の左下がりに傾斜したひし影線１３により傾斜を解
消されて正方形の枠線２になる。なお、十字線について
もこれに準する。
このようにして、第１露光装置および第２露光装置のい
ずれにおいても適正なパターンｌがそれぞれ転写される
ので、重ね合わせた際にも適正な重ね合わせが確保され
ることになる。
ずれにおいても適正なパターンｌがそれぞれ転写される
ので、重ね合わせた際にも適正な重ね合わせが確保され
ることになる。
なお、便宜上、同一の適正なパターンを重ね合わせる場
合につき説明したが、異なるパターンを重ね合わせる場
合でも、適正なパターンどうしを重ね合わせれば、重ね
合わせに誤差は発生しないことは勿論である。これは何
層重ね合わせても間しである。
合につき説明したが、異なるパターンを重ね合わせる場
合でも、適正なパターンどうしを重ね合わせれば、重ね
合わせに誤差は発生しないことは勿論である。これは何
層重ね合わせても間しである。
［効果］
（１）、転写すべきパターンを光学系固有の光学的歪を
解消するようにあらかじめ形成しておくこ浜により、光
学系の歪による転写パターンの誤差が回避できるため、
高精密な重ね合わせ露光が実現できる。
解消するようにあらかじめ形成しておくこ浜により、光
学系の歪による転写パターンの誤差が回避できるため、
高精密な重ね合わせ露光が実現できる。
（２）、縮小投影露光技術においては同一の基板上に同
一のパターンが繰り返し転写されて行くため、重ね合わ
せ誤差が発生すると、当該基板上の全てのベレットが不
良になるが、高精密な重ね合わせ露光が実現されること
により、全ペレット不良が回避できるので、生産性が大
幅に向上できる。
一のパターンが繰り返し転写されて行くため、重ね合わ
せ誤差が発生すると、当該基板上の全てのベレットが不
良になるが、高精密な重ね合わせ露光が実現されること
により、全ペレット不良が回避できるので、生産性が大
幅に向上できる。
（３）、高精密な重ね合わせが実現できることにより、
ペレットレイアウト時の合わせ余裕を小さく設定するこ
とができ、また、ペレソトザイズの縮小または高集積化
が可能である。
ペレットレイアウト時の合わせ余裕を小さく設定するこ
とができ、また、ペレソトザイズの縮小または高集積化
が可能である。
（４）、マスクパターンの作成時に光学系の歪を補償す
ることにより、レンズ等光学系の精度を緩和させること
ができる。
ることにより、レンズ等光学系の精度を緩和させること
ができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、重ね合わせ露光する場合に限らず、単一の露
光にも適用できる。
光にも適用できる。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おけるリソグラフィ工程に通用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、グラ
ビア印刷における原板の作成技術等にも適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おけるリソグラフィ工程に通用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、グラ
ビア印刷における原板の作成技術等にも適用できる。
第１図、第２図、第３図および第４図は本発明の一実施
例を説明するだめの各説明図である。 ■・・・適正なパターン、２・・・枠線、３・・・十字
線、４・・・第１誤差パターン、７・・・第２誤差パタ
ーン、１０・・・第１補償パターン、１２・・・第２補
償パターン。
例を説明するだめの各説明図である。 ■・・・適正なパターン、２・・・枠線、３・・・十字
線、４・・・第１誤差パターン、７・・・第２誤差パタ
ーン、１０・・・第１補償パターン、１２・・・第２補
償パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 工、転写すべきパターンが光学系固有の光学的歪を解消
するように補償されているマスクを光学系ごとに使用す
ることを特徴とする露光方法。 ２、転写すべきパターンの補償が、光学系固有の光学的
歪を定量的に測定し、この測定値データにより描画信号
を微調整することにより行われることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021625A JPS60167328A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021625A JPS60167328A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167328A true JPS60167328A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12060242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021625A Pending JPS60167328A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167328A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563012A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Multi mask method for selective mask feature enhancement |
| US6121129A (en) * | 1997-01-15 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Method of contact structure formation |
| US6433437B1 (en) | 2000-08-28 | 2002-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing process for semiconductor device, photomask, and manufacturing apparatus for semiconductor device |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021625A patent/JPS60167328A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563012A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Multi mask method for selective mask feature enhancement |
| US6121129A (en) * | 1997-01-15 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Method of contact structure formation |
| US6433437B1 (en) | 2000-08-28 | 2002-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing process for semiconductor device, photomask, and manufacturing apparatus for semiconductor device |
| US6503852B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing process for semiconductor device, photomask, and manufacturing apparatus for semiconductor device |
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