JPH021110A - 露光用マスク及び露光方法 - Google Patents
露光用マスク及び露光方法Info
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- JPH021110A JPH021110A JP63142122A JP14212288A JPH021110A JP H021110 A JPH021110 A JP H021110A JP 63142122 A JP63142122 A JP 63142122A JP 14212288 A JP14212288 A JP 14212288A JP H021110 A JPH021110 A JP H021110A
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造における微細パターン形成の
ための露光技術、特にX線を光源とするX線露光に関す
る。
ための露光技術、特にX線を光源とするX線露光に関す
る。
従来の技術
半導体装置が高密度化され、サブミクロン領域の微細な
パターンを形成するために、従来の紫外光を用いる露光
方法に替って波長が2桁小さい軟X線を用いる露光方法
(X線露光)が検討されている。
パターンを形成するために、従来の紫外光を用いる露光
方法に替って波長が2桁小さい軟X線を用いる露光方法
(X線露光)が検討されている。
このX線露光においては、従来の紫外光を用いる露光方
法と異なり軟XI(以下X線)に対する適切なレンズが
ないため、縮少投影露光法を泪いることができず、等倍
のマスク(X線マスク)を半導体基板に近接して並置し
露光する近接露光法を用いる必要がある。
法と異なり軟XI(以下X線)に対する適切なレンズが
ないため、縮少投影露光法を泪いることができず、等倍
のマスク(X線マスク)を半導体基板に近接して並置し
露光する近接露光法を用いる必要がある。
またサブミクロン領域の微細パターンを大面積の半導体
基板に数多く形成するためには、露光可能面積が小さい
、X線マスクの製作、検査が困難である等の理由で、限
定された小面積、例えば15wm角程度0チップ毎に露
光する逐次露光法が必要である。
基板に数多く形成するためには、露光可能面積が小さい
、X線マスクの製作、検査が困難である等の理由で、限
定された小面積、例えば15wm角程度0チップ毎に露
光する逐次露光法が必要である。
さらに半導体基板に形成されたパターンとX線マスクを
精度良く位置合せするために、半導体基板とX線マスク
に位置合せマークとして形成された回折格子にレーザー
光を照射し、その回折光を検知して両者の位置ずれ量を
測る方法が多(用いられる。
精度良く位置合せするために、半導体基板とX線マスク
に位置合せマークとして形成された回折格子にレーザー
光を照射し、その回折光を検知して両者の位置ずれ量を
測る方法が多(用いられる。
以下に第2図にもとづいて従来のX線露光方法を説明す
る。
る。
第2図において3.31.32は半導体基板の位置合せ
領域に形成された位置合せマーク(基板マーク)、5は
X線マスク、6はX線マスクの転写すべき半導体装置パ
ターン(マスクパターン)、7.71はX線マスクの位
置合せ領域に形成された位置合せマーク(マスクマーク
)であり、半導体装置パターン6の周辺部に形成されて
いる。8は位置合せ用の光学装置であり9は位置合せ用
レーザー光、10.11は回折したレーザー光の受光素
子、12はX線である。またAは位置合せ領域、Pはパ
ターン露光領域である。
領域に形成された位置合せマーク(基板マーク)、5は
X線マスク、6はX線マスクの転写すべき半導体装置パ
ターン(マスクパターン)、7.71はX線マスクの位
置合せ領域に形成された位置合せマーク(マスクマーク
)であり、半導体装置パターン6の周辺部に形成されて
いる。8は位置合せ用の光学装置であり9は位置合せ用
レーザー光、10.11は回折したレーザー光の受光素
子、12はX線である。またAは位置合せ領域、Pはパ
ターン露光領域である。
通常X線露光においては絶縁膜や半導体膜等よりなる複
数個のパターン(基板パターン)2が形成された半導体
基板lの基板マーク3.31゜32と、X線マスク5に
あって各々に対応する位置にあるマスクマークとの相対
的な位置合せをした後、X線を照射してマスクパターン
6を基板パターン20上のレジスト4に転写する。
数個のパターン(基板パターン)2が形成された半導体
基板lの基板マーク3.31゜32と、X線マスク5に
あって各々に対応する位置にあるマスクマークとの相対
的な位置合せをした後、X線を照射してマスクパターン
6を基板パターン20上のレジスト4に転写する。
半導体基板1の基板マーク3とX線マスク5のマスクマ
ーク7を精度良く位置合せするには、レンズや鏡、ある
いは光ファイバー等よりなる光学装置8により位相のそ
ろったレーザー光を位置合せマークが形成されている位
置合せ領域Aに導(。格子状の基板マーク3.マスクマ
ーク7を照射し、回折された光をホトダイオードや光電
増倍管等の受光素子10.11で受光し、基板マーク3
とマスクマーク7との相対的な位置ずれを検知する。両
者の位置ずれがある場合は、基板を微動させて、位置ず
れを補正する。位置ずれを検知する方法としては、例え
ば光学装置8に内蔵した基準格子の像をレンズによって
位置合せ領域Aに結像し、この像と基板マーク3.マス
クマーク7との位置ずれを比較することにより基板マー
ク3とマスクマーク7との位置ずれ量を検知する方法、
あるいは基板マーク3の回折光とマスクマーク7の回折
光を受光し、比較することによって位置ずれ量を検知す
る方法等が提案されている。
ーク7を精度良く位置合せするには、レンズや鏡、ある
いは光ファイバー等よりなる光学装置8により位相のそ
ろったレーザー光を位置合せマークが形成されている位
置合せ領域Aに導(。格子状の基板マーク3.マスクマ
ーク7を照射し、回折された光をホトダイオードや光電
増倍管等の受光素子10.11で受光し、基板マーク3
とマスクマーク7との相対的な位置ずれを検知する。両
者の位置ずれがある場合は、基板を微動させて、位置ず
れを補正する。位置ずれを検知する方法としては、例え
ば光学装置8に内蔵した基準格子の像をレンズによって
位置合せ領域Aに結像し、この像と基板マーク3.マス
クマーク7との位置ずれを比較することにより基板マー
ク3とマスクマーク7との位置ずれ量を検知する方法、
あるいは基板マーク3の回折光とマスクマーク7の回折
光を受光し、比較することによって位置ずれ量を検知す
る方法等が提案されている。
なお基板lとX線マスク5との高精度な位置合せ状態を
露光中も保持するためには、X線12が照射されている
間も両者の位置ずれを検知し補正する必要があり、その
ためには前記光学装置8や受光素子10.11はX線1
2を遮ぎらない位置に配置される必要がある。
露光中も保持するためには、X線12が照射されている
間も両者の位置ずれを検知し補正する必要があり、その
ためには前記光学装置8や受光素子10.11はX線1
2を遮ぎらない位置に配置される必要がある。
さらに、高精度の位置合せを行うためには、光学装置8
、受光素子10.11等の位置合せ光学系は、レーザー
光の光軸のずれなどによる位置ずれ検出精度の劣化を防
ぐために露光装置本体に固定されるのが望ましい。
、受光素子10.11等の位置合せ光学系は、レーザー
光の光軸のずれなどによる位置ずれ検出精度の劣化を防
ぐために露光装置本体に固定されるのが望ましい。
上記のように位置合せ光学系が、X線12を遮ぎらない
位置に固定されている露光装置を用いたX線露光におい
て、前述のようなレンズを用いる位置合せ光学系の場合
には、レンズの外径寸法に制約されて隣り合う位置合せ
光学系間の距離、すなわち位置合せ領域A間の距離を小
さく設定することができない。たとえばマスクマーク7
と71を距%iI 20 mと太き(離す必要がある。
位置に固定されている露光装置を用いたX線露光におい
て、前述のようなレンズを用いる位置合せ光学系の場合
には、レンズの外径寸法に制約されて隣り合う位置合せ
光学系間の距離、すなわち位置合せ領域A間の距離を小
さく設定することができない。たとえばマスクマーク7
と71を距%iI 20 mと太き(離す必要がある。
そのため位置合せ領域A間の距離よりも大きいチップ寸
法の半導体装置の製造はできるが、小さいチップ寸法の
半導体装置の製造ができない。
法の半導体装置の製造はできるが、小さいチップ寸法の
半導体装置の製造ができない。
また、位置合せ光学系の寸法による制約がない位置合せ
光学系を用いる場合でも、精度良く位置ずれ量を検出す
るためには位置合せ領域A間の距離が大きいことが要求
される。
光学系を用いる場合でも、精度良く位置ずれ量を検出す
るためには位置合せ領域A間の距離が大きいことが要求
される。
発明が解決しようとする課題
本発明が解決しようとする課題は、複数の位置合せ光学
系がX線を遮ぎらない位置に互いに距離を置いて固定さ
れているマスク合せ露光装置を用いて、任意のチップ寸
法の半導体装置を高精度で位置合せし、X線露光するこ
とである。
系がX線を遮ぎらない位置に互いに距離を置いて固定さ
れているマスク合せ露光装置を用いて、任意のチップ寸
法の半導体装置を高精度で位置合せし、X線露光するこ
とである。
加えて半導体装置のチップの中で、その寸法によらず位
置合せ領域はチップの中央でな(周辺部に形成すること
が望ましく、これも他の課題である。
置合せ領域はチップの中央でな(周辺部に形成すること
が望ましく、これも他の課題である。
課題を解決するための手段
本発明は、限定された最大露光領域内に、転写しようと
する半導体装置パターンが形成されたパターン露光領域
と、前記最大露光領域の隣り合う2つの境界近傍の定め
られた位置に、マスクマークが形成された位置合せ領域
を有するX線マスクを用いて露光する。この位置合せ領
域はパターン露光領域の内、外を問わない。
する半導体装置パターンが形成されたパターン露光領域
と、前記最大露光領域の隣り合う2つの境界近傍の定め
られた位置に、マスクマークが形成された位置合せ領域
を有するX線マスクを用いて露光する。この位置合せ領
域はパターン露光領域の内、外を問わない。
また、本発明のX線マスクでは前記パターン露光領域が
、前記最大露光領域の隣り合う2つの境界に近接し、パ
ターン露光領域の端が、最大露光領域の境界に重なるか
、またはこの境界と近傍にある位置合せ領域との距離よ
りも小さい距離だけ離れて位置する。
、前記最大露光領域の隣り合う2つの境界に近接し、パ
ターン露光領域の端が、最大露光領域の境界に重なるか
、またはこの境界と近傍にある位置合せ領域との距離よ
りも小さい距離だけ離れて位置する。
作用
本発明においては、X線マスクと半導体基板との位置合
せには、パターン露光領域の位置とは独立に定められた
位置合せ領域内のマスクマークを用いるため、パターン
露光領域の大きさ、すなわち半導体装置の大きさが制約
を受けることがない。またパターン露光領域が最大露光
領域の境界に近接することにより、半導体基板に形成さ
れた半導体装置チップ内の基板マークは、チップの周辺
部に形成される。
せには、パターン露光領域の位置とは独立に定められた
位置合せ領域内のマスクマークを用いるため、パターン
露光領域の大きさ、すなわち半導体装置の大きさが制約
を受けることがない。またパターン露光領域が最大露光
領域の境界に近接することにより、半導体基板に形成さ
れた半導体装置チップ内の基板マークは、チップの周辺
部に形成される。
実施例
以下に第1図にもとづいて一実施例を説明するが、20
〜23は半導体基板に形成されたチップであり、20は
露光しようとするチップ、Mは最大露光領域である。
〜23は半導体基板に形成されたチップであり、20は
露光しようとするチップ、Mは最大露光領域である。
第1図(a)に示すX線マスク5には、最大露光領域M
の境界に近接してパターン露光領域Pが位置し、転写し
ようとするマスクパターン6は、X線の透過率が大きい
保持膜上に吸収体であるW膜で形成されている。マスク
パターン6内に1つの位置合せ領域Aがあって、マスク
マーク71が形成されているが、パターン露光領域Pの
外には、最大露光領域Mの境界近傍に他の位置合せ領域
へがあって、マスクマーク7が形成されている。マスク
マーク7の斜め上方には最大露光領域外にアライメント
光学系の光学装置8が固定して設けられており、また受
光素子10.11もX112を遮ぎらない位置に固定さ
れている。最大露光領域M内ではパターン領域Pと位置
合せ領域AのみにW膜のない透過部があり、その他の領
域には吸収体であるW膜が形成されている。
の境界に近接してパターン露光領域Pが位置し、転写し
ようとするマスクパターン6は、X線の透過率が大きい
保持膜上に吸収体であるW膜で形成されている。マスク
パターン6内に1つの位置合せ領域Aがあって、マスク
マーク71が形成されているが、パターン露光領域Pの
外には、最大露光領域Mの境界近傍に他の位置合せ領域
へがあって、マスクマーク7が形成されている。マスク
マーク7の斜め上方には最大露光領域外にアライメント
光学系の光学装置8が固定して設けられており、また受
光素子10.11もX112を遮ぎらない位置に固定さ
れている。最大露光領域M内ではパターン領域Pと位置
合せ領域AのみにW膜のない透過部があり、その他の領
域には吸収体であるW膜が形成されている。
半導体基板1には第1図(b)、 (C)に示すように
、前工程までで多くの基板パターン(チップ)20゜2
1.22.23等が形成されており、そのうちのチップ
20上にマスクパターン6を転写する場合について述べ
る。
、前工程までで多くの基板パターン(チップ)20゜2
1.22.23等が形成されており、そのうちのチップ
20上にマスクパターン6を転写する場合について述べ
る。
X線マスク5から20μmだけ離して半導体基板1を対
向させ、X線マスク5と半導体基板1との粗い位置合せ
を行なう。この粗い位置合せでは半導体基板全面に対し
て、従来の方法で一度実施することにより、両者の位置
ずれを0.5μm以下にしておく。
向させ、X線マスク5と半導体基板1との粗い位置合せ
を行なう。この粗い位置合せでは半導体基板全面に対し
て、従来の方法で一度実施することにより、両者の位置
ずれを0.5μm以下にしておく。
次に半導体基板1をチップ単位で移動させて、露光しよ
うとするチップ20をマスクパターン6下にもって(る
。この時、マスクパターン6とチップ20の位置ずれは
0.5μm以下に保たれており、Xll1[マスク5の
3つの位置合せ領域には異なるチップ20,21.22
の位置合せ領域が対向している。
うとするチップ20をマスクパターン6下にもって(る
。この時、マスクパターン6とチップ20の位置ずれは
0.5μm以下に保たれており、Xll1[マスク5の
3つの位置合せ領域には異なるチップ20,21.22
の位置合せ領域が対向している。
次にX線マスク5の位置合せ領域Aにあるマスクマーク
7と、これに対向する位置にあるチップ21の基板マー
ク3との位置ずれ量を、光学装置8や受光素子10.1
1よりなる位置合せ光学系によって検知する。
7と、これに対向する位置にあるチップ21の基板マー
ク3との位置ずれ量を、光学装置8や受光素子10.1
1よりなる位置合せ光学系によって検知する。
同時にチップ20の基板マーク31とマスクマーク71
.チップ22の基板マーク32とそれに対向する基板マ
ークとの位置ずれ量も検知し、これらの位置ずれ量から
半導体基板の位置補正量を算出して、その量だけ半導体
基板を移動あるいは回転させる。その結果、X線マスク
5のマスクパターン6とチップ20の基板パターンとの
位置すれが0.05μm以下になるように位置合せをす
ることができる。
.チップ22の基板マーク32とそれに対向する基板マ
ークとの位置ずれ量も検知し、これらの位置ずれ量から
半導体基板の位置補正量を算出して、その量だけ半導体
基板を移動あるいは回転させる。その結果、X線マスク
5のマスクパターン6とチップ20の基板パターンとの
位置すれが0.05μm以下になるように位置合せをす
ることができる。
その後はX線を照射してパターン露光領域Pと位置合せ
領域Aのレジスト4を露光するが、X線マスク5の位置
合せ領域Aに、新たに半導体基板1に転写するマスクマ
ークが形成されていると、この露光により新たな基板マ
ークがチップ20゜21.22の位置合せ領域に転写さ
れる。
領域Aのレジスト4を露光するが、X線マスク5の位置
合せ領域Aに、新たに半導体基板1に転写するマスクマ
ークが形成されていると、この露光により新たな基板マ
ークがチップ20゜21.22の位置合せ領域に転写さ
れる。
従って、半導体基板上ではチップ20の基板パターンや
基板マーク31と、゛チップ21.22の各基板マーク
3,32とがあたかも1つのチップ内のパターンのよう
に同時に露光される。一方チツブ20内にあっても基板
マーク30はこの時には露光されず、隣接したチップの
基板パターンを露光する際に位置合せ領域Aに照射され
たX線によって露光され゛る。
基板マーク31と、゛チップ21.22の各基板マーク
3,32とがあたかも1つのチップ内のパターンのよう
に同時に露光される。一方チツブ20内にあっても基板
マーク30はこの時には露光されず、隣接したチップの
基板パターンを露光する際に位置合せ領域Aに照射され
たX線によって露光され゛る。
そのため、固定された隣りあう2つの位置合せ領域間の
距離よりも小さい寸法の半導体装置でも、位置合せ、露
光をすることができる。
距離よりも小さい寸法の半導体装置でも、位置合せ、露
光をすることができる。
一方、チップ寸法が大きい場合には位置合せ領域Aはパ
ターン露光領域P内に形成され、七たがってチップ20
を露光する際にチップ20内にある基板マークを用いる
ことになり、この場合は従来の露光方法と同様となる。
ターン露光領域P内に形成され、七たがってチップ20
を露光する際にチップ20内にある基板マークを用いる
ことになり、この場合は従来の露光方法と同様となる。
さらに、X線マスクのパターン露光領域Pを最大露光領
域Mの境界に近接して、つまりパターン露光領域P端が
最大露光領域Mの端と位置合せ領域Aとの間にあるよう
にして、第1図(b)に示すように露光領域Pを隅に寄
せて形成することにより、すべてのチップの基板マーク
はチップの周辺近傍に形成され、この基板マークが常に
スクライブライン上に形成することもできる。このこと
は、メモリーのようなチップ中央に高密度パターンを形
成するためチップ中央には位置合せ領域が形成できない
半導体装置の製造も可能にする。
域Mの境界に近接して、つまりパターン露光領域P端が
最大露光領域Mの端と位置合せ領域Aとの間にあるよう
にして、第1図(b)に示すように露光領域Pを隅に寄
せて形成することにより、すべてのチップの基板マーク
はチップの周辺近傍に形成され、この基板マークが常に
スクライブライン上に形成することもできる。このこと
は、メモリーのようなチップ中央に高密度パターンを形
成するためチップ中央には位置合せ領域が形成できない
半導体装置の製造も可能にする。
一般にレンズを用いる光露光装置に於ては、露光領域の
端はレンズの色収差のために正常なパターンが転写でき
ないことが多いが、X線露光において、特にX線源とし
て平行度が良いSORを用いると、最大露光領域の端で
も、いわゆるランアウト誤差を小さ(することができ、
露光領域の隅に寄せてパターンを形成することの欠点は
殆どないと言える。
端はレンズの色収差のために正常なパターンが転写でき
ないことが多いが、X線露光において、特にX線源とし
て平行度が良いSORを用いると、最大露光領域の端で
も、いわゆるランアウト誤差を小さ(することができ、
露光領域の隅に寄せてパターンを形成することの欠点は
殆どないと言える。
なお、基板マークの寸法が小さいか、またはスクライブ
レーンの幅が広いか、あるいはその両方のために、基板
マークがスクライブレーン内に形成することができる場
合には、基板マークのすべてはスクライブレーン内に形
成することができ、チップ内のパターンを基板マーク(
従って位置合せ領域)に全(影響を受けることな(自由
に配置することができる。
レーンの幅が広いか、あるいはその両方のために、基板
マークがスクライブレーン内に形成することができる場
合には、基板マークのすべてはスクライブレーン内に形
成することができ、チップ内のパターンを基板マーク(
従って位置合せ領域)に全(影響を受けることな(自由
に配置することができる。
以上に述べた実施例は、パターン露光領域Pの端が最大
露光領域Mの隣接する2つの境界に近接する場合につい
て述べたが、第1図(C)に示すように、パターン露光
領域Pの端が、露光領域Mの境界より大きく離れて位置
する場合には、基板マークの位置が半導体装置チップの
周辺に限定できない。それでも異なる寸法の半導体装置
を製造することができるという本発明の効果が損なわれ
ることはない。
露光領域Mの隣接する2つの境界に近接する場合につい
て述べたが、第1図(C)に示すように、パターン露光
領域Pの端が、露光領域Mの境界より大きく離れて位置
する場合には、基板マークの位置が半導体装置チップの
周辺に限定できない。それでも異なる寸法の半導体装置
を製造することができるという本発明の効果が損なわれ
ることはない。
この場合には、チップ20を露光する場合でもチップ2
0内に形成されたどの基板マーク、30をも用いること
がな(、隣接する3つのチップ21.23.22内に形
成された位置合せマーク3.31.32を用いて位置ず
れが検出される。
0内に形成されたどの基板マーク、30をも用いること
がな(、隣接する3つのチップ21.23.22内に形
成された位置合せマーク3.31.32を用いて位置ず
れが検出される。
発明の効果
本発明によると、位置合せ光学系の位置が固定されたX
線露光装置に於ても、異なる寸法の半導体装置をX線露
光の長所を損なうことなく製造することができる。
線露光装置に於ても、異なる寸法の半導体装置をX線露
光の長所を損なうことなく製造することができる。
また、半導体装置のチップ内に形成される位置合せの為
の基板マークはパターンの端近傍に形成されるため、半
導体装置パターン配置に対する位置合せ領域の制約が大
きく緩和される。
の基板マークはパターンの端近傍に形成されるため、半
導体装置パターン配置に対する位置合せ領域の制約が大
きく緩和される。
第1図(a)は本発明のX線マスクを用いた露光方法を
説明する為の部分断面図、第1図(b) 、 (c)は
露光領域近傍の半導体基板の部分平面図、第2図(a)
は従来のX線露光方法を説明する為の同様の部分断面図
、同(b)は半導体基板の部分平面図である。 2・・・・・・基板パターン、3・・・・・・基板マー
ク、5・・・・・・X線マスク、6・・・・・・マスク
パターン、7・・・・・・マスクマーク、8・・・・・
・位置合せ用光学装置、12・・・・・・X線、M・・
・・・・最大露光領域、P・・・・・・パターン露光領
域。
説明する為の部分断面図、第1図(b) 、 (c)は
露光領域近傍の半導体基板の部分平面図、第2図(a)
は従来のX線露光方法を説明する為の同様の部分断面図
、同(b)は半導体基板の部分平面図である。 2・・・・・・基板パターン、3・・・・・・基板マー
ク、5・・・・・・X線マスク、6・・・・・・マスク
パターン、7・・・・・・マスクマーク、8・・・・・
・位置合せ用光学装置、12・・・・・・X線、M・・
・・・・最大露光領域、P・・・・・・パターン露光領
域。
Claims (5)
- (1)設定された矩形の最大露光領域に、パターン露光
領域と、前記最大露光領域の隣り合う2つの境界近傍に
あって、露光装置の位置合せ光学系の位置により限定さ
れた位置に複数の位置合せ領域を有することを特徴とす
る露光用マスク。 - (2)パターン露光領域が、最大露光領域の隣り合う2
つの境界線に近接して位置することを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の露光用マスク。 - (3)複数の位置合せ領域のうち少なくとも1つが、パ
ターン領域の外にあることを特徴とする特許請求の範囲
第2項に記載の露光用マスク。 - (4)最大露光領域外に固定された位置合せ光学系を有
する逐次露光装置を用い、前記最大露光領域の隣り合う
2つの境界線近傍に位置する複数の位置合せ領域内の位
置合せマークを用いて露光用マスクと半導体基板の位置
ずれを検出し、前記露光用マスクと前記半導体基板との
位置合せをした後、前記位置合せ領域とパターン露光領
域に同時にX線を照射することを特徴とする露光方法。 - (5)パターン露光領域が前記最大露光領域の隣り合う
2つの境界に近接して位置することを特徴とする特許請
求の範囲第4項に記載の露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63142122A JPH021110A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 露光用マスク及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63142122A JPH021110A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 露光用マスク及び露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH021110A true JPH021110A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=15307906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63142122A Pending JPH021110A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 露光用マスク及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH021110A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5716889A (en) * | 1996-05-29 | 1998-02-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of arranging alignment marks |
US6005294A (en) * | 1996-05-29 | 1999-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of arranging alignment marks |
US6118517A (en) * | 1996-08-29 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Mask pattern for alignment |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP63142122A patent/JPH021110A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5716889A (en) * | 1996-05-29 | 1998-02-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of arranging alignment marks |
US6005294A (en) * | 1996-05-29 | 1999-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of arranging alignment marks |
US6118517A (en) * | 1996-08-29 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Mask pattern for alignment |
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