JP3344347B2 - 近接効果補正方法及びｅｂマスク - Google Patents
近接効果補正方法及びｅｂマスクInfo
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- JP3344347B2 JP3344347B2 JP726899A JP726899A JP3344347B2 JP 3344347 B2 JP3344347 B2 JP 3344347B2 JP 726899 A JP726899 A JP 726899A JP 726899 A JP726899 A JP 726899A JP 3344347 B2 JP3344347 B2 JP 3344347B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム（Ｅ
Ｂ）露光技術に関し、特にＥＢ露光時の近接効果をＥＢ
マスクで補正する近接効果補正技術に関する。
Ｂ）露光技術に関し、特にＥＢ露光時の近接効果をＥＢ
マスクで補正する近接効果補正技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム（ＥＢ）露光方式は、ＫｒＦ
レーザー等を用いた光リソグラフィ方式に比べ、高解像
度および大焦点深度を有する。しかし、従来の可変成形
露光方式や部分一括露光方式では、ショットの数が多く
なり、スループットが大幅に制限されていた。
レーザー等を用いた光リソグラフィ方式に比べ、高解像
度および大焦点深度を有する。しかし、従来の可変成形
露光方式や部分一括露光方式では、ショットの数が多く
なり、スループットが大幅に制限されていた。
【０００３】高スループットを実現するには、大ビーム
電流化が不可欠であり、ビーム電流密度の増大より、シ
ョット面積の拡大が高スループット化のためには、より
有効な手法である。
電流化が不可欠であり、ビーム電流密度の増大より、シ
ョット面積の拡大が高スループット化のためには、より
有効な手法である。
【０００４】一方、大ビーム電流化によるクーロン効果
の影響により、解像度が低下する、という問題点が存在
する。
の影響により、解像度が低下する、という問題点が存在
する。
【０００５】クーロン効果の影響は、加速電圧の上昇に
より減少するため、高スループットと高解像度を両立す
る方法として、高加速電圧化が検討されている。
より減少するため、高スループットと高解像度を両立す
る方法として、高加速電圧化が検討されている。
【０００６】現在、高加速電圧、大転写面積化は、次世
代ＥＢ装置の主流となっている。
代ＥＢ装置の主流となっている。
【０００７】しかしながら、大転写面積のＥＢ露光装置
においては、大面積のパターンが同一の露光量で照射さ
れるため、露光量による近接効果補正は不可能である。
においては、大面積のパターンが同一の露光量で照射さ
れるため、露光量による近接効果補正は不可能である。
【０００８】このため、同一の露光量で近接効果を補正
する方法として、マスクバイアスによる近接効果補正は
有効である。
する方法として、マスクバイアスによる近接効果補正は
有効である。
【０００９】従来より、マスクバイアスにより近接効果
補正が可能である事実は知られていたが、具体的なバイ
アス値を定める方法については、種々の方法が提案され
ている。
補正が可能である事実は知られていたが、具体的なバイ
アス値を定める方法については、種々の方法が提案され
ている。
【００１０】例えば特開昭６１−１０５８３９号公報に
は、マスクを描画する際に、補助露光を行ってパターン
端部の形状を太らせて近接効果を補正している。具体的
には後方散乱径程度ぼかしたビームでパターンと逆トー
ンの補助露光を行う方法「ＧＨＯＳＴ法」というが用い
られる（図１４参照）。図１４において、横軸は位置、
縦軸は露光強度である。
は、マスクを描画する際に、補助露光を行ってパターン
端部の形状を太らせて近接効果を補正している。具体的
には後方散乱径程度ぼかしたビームでパターンと逆トー
ンの補助露光を行う方法「ＧＨＯＳＴ法」というが用い
られる（図１４参照）。図１４において、横軸は位置、
縦軸は露光強度である。
【００１１】このとき、逆トーンの補助露光を、近接効
果補正時の２倍のドーズ量で行い、端部のパターンに意
図的に過剰な露光量を入れる。この結果、端部のパター
ンは太くなり、マスクバイアスを乗せたのと同じ効果が
生じる。
果補正時の２倍のドーズ量で行い、端部のパターンに意
図的に過剰な露光量を入れる。この結果、端部のパター
ンは太くなり、マスクバイアスを乗せたのと同じ効果が
生じる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この補
正法は、マスク作製時に、逆トーンの露光を行う必要が
あるため、逆トーンのパターンデータを作成したり、補
助露光を行ったりするための時間及び作業工数が余分に
掛かる、という問題点を有している。
正法は、マスク作製時に、逆トーンの露光を行う必要が
あるため、逆トーンのパターンデータを作成したり、補
助露光を行ったりするための時間及び作業工数が余分に
掛かる、という問題点を有している。
【００１３】また、未露光部分にも照射を行うため、マ
スクパターン形成の際、レジストコントラストが悪化す
る。
スクパターン形成の際、レジストコントラストが悪化す
る。
【００１４】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、事前に収集でき
るデータのみを用いて補正量を定めることでパラメータ
設定を簡易化しスループットを向上する近接効果補正方
法及びＥＢマスクを提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、事前に収集でき
るデータのみを用いて補正量を定めることでパラメータ
設定を簡易化しスループットを向上する近接効果補正方
法及びＥＢマスクを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の近接効果補正方
法は、 （ａ）パターンデータをＥＢマスク上に転写する前工程
であるパターンデータ処理時に、入力したパターンデー
タから、パターン面密度を測定しパターン面積密度が一
定の領域を選択する工程と、 （ｂ）パターン面積密度が一定のパターンを選択したの
ち、選択したパターンの周辺部分に、後方散乱径程度の
矩形型のメッシュを生成する工程と、 （ｃ）前記メッシュ内に周辺パターンが存在しない場合
には、パターン面積密度一定のパターンに対して同一露
光量で露光した際の近接効果による、パターン端部から
一定の領域におけるパターン寸法の細りを補正するため
に、パターン寸法が変化する領域を抽出し、抽出した部
分のパターンを任意のサイズの矩形型のメッシュに分割
する工程と、 （ｄ）矩形メッシュ分割を行った領域のマスク開口部の
寸法を、パターンデータの設計寸法と、近接効果の十分
飽和した部分でパターン端部における寸法細り量に基づ
き所定の式に従ったマスクバイアス量だけ増加させる工
程と、を含むことを特徴としている。
法は、 （ａ）パターンデータをＥＢマスク上に転写する前工程
であるパターンデータ処理時に、入力したパターンデー
タから、パターン面密度を測定しパターン面積密度が一
定の領域を選択する工程と、 （ｂ）パターン面積密度が一定のパターンを選択したの
ち、選択したパターンの周辺部分に、後方散乱径程度の
矩形型のメッシュを生成する工程と、 （ｃ）前記メッシュ内に周辺パターンが存在しない場合
には、パターン面積密度一定のパターンに対して同一露
光量で露光した際の近接効果による、パターン端部から
一定の領域におけるパターン寸法の細りを補正するため
に、パターン寸法が変化する領域を抽出し、抽出した部
分のパターンを任意のサイズの矩形型のメッシュに分割
する工程と、 （ｄ）矩形メッシュ分割を行った領域のマスク開口部の
寸法を、パターンデータの設計寸法と、近接効果の十分
飽和した部分でパターン端部における寸法細り量に基づ
き所定の式に従ったマスクバイアス量だけ増加させる工
程と、を含むことを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明は、ＥＢ露光時の近接効果をＥＢマスクの
マスクバイアスを用いて補正する方法において、パター
ンデータからパターンの面積密度が一定の領域を抜き出
して、その該領域に対して、事前にセルのパターンデー
タから、近接効果の十分飽和した部分でのパターン端部
における寸法細り量を含むパラメータを抽出し、該抽出
したパラメータから導出されるマスクバイアス量を設定
する。
する。本発明は、ＥＢ露光時の近接効果をＥＢマスクの
マスクバイアスを用いて補正する方法において、パター
ンデータからパターンの面積密度が一定の領域を抜き出
して、その該領域に対して、事前にセルのパターンデー
タから、近接効果の十分飽和した部分でのパターン端部
における寸法細り量を含むパラメータを抽出し、該抽出
したパラメータから導出されるマスクバイアス量を設定
する。
【００１７】本発明は、好ましくは、（ａ）パターンデ
ータをＥＢマスク上に転写する前工程であるパターンデ
ータ処理時に、入力したパターンデータから、パターン
面密度を測定しパターン面積密度が一定の領域を選択す
る工程と、（ｂ）パターン面積密度が一定のパターンを
選択したのち、選択したパターンの周辺部分に、後方散
乱径程度の矩形メッシュを生成する工程と、（ｃ）メッ
シュ内に周辺パターンが存在しない場合には、パターン
面積密度一定のパターンの同一露光量で露光した際の近
接効果による、パターン端部から一定の領域においてパ
ターン寸法の細りを補正するために、パターン寸法が変
化する領域を抽出し、抽出した部分のパターンを任意の
大きさの矩形メッシュに分割する工程と、（ｄ）矩形メ
ッシュ分割を行った領域のマスク開口部の寸法を、所定
の式に従ったマスクバイアス量だけ増加させる工程と、
を含む。
ータをＥＢマスク上に転写する前工程であるパターンデ
ータ処理時に、入力したパターンデータから、パターン
面密度を測定しパターン面積密度が一定の領域を選択す
る工程と、（ｂ）パターン面積密度が一定のパターンを
選択したのち、選択したパターンの周辺部分に、後方散
乱径程度の矩形メッシュを生成する工程と、（ｃ）メッ
シュ内に周辺パターンが存在しない場合には、パターン
面積密度一定のパターンの同一露光量で露光した際の近
接効果による、パターン端部から一定の領域においてパ
ターン寸法の細りを補正するために、パターン寸法が変
化する領域を抽出し、抽出した部分のパターンを任意の
大きさの矩形メッシュに分割する工程と、（ｄ）矩形メ
ッシュ分割を行った領域のマスク開口部の寸法を、所定
の式に従ったマスクバイアス量だけ増加させる工程と、
を含む。
【００１８】各矩形メッシュにおける線幅の増加量であ
るマスクバイア量Ｂ(x,y)が、 Ｂ(x,y)＝ｄ−Ｌ(x,y) で与えられ、（ｘ，ｙ）は、矩形メッシュ内にある任意
点の座標、パラメータｄは、パターンデータの設計寸法
であり、Ｌ(x,y)については、パラメータａを、近接効
果の十分飽和した部分でパターン端部（ｘ＝０近辺）に
おける寸法細り量、パラメータｂを、加速電圧のみに依
存する後方散乱の影響の及ぶ距離に比例する量、パラメ
ータｃ、ｅを、ｘ、ｙ方向のパターン存在領域の半分と
して、次式（１）〜（３）より求められる。 ｆ（x）＝d−a［cosh｛（x−c）／b｝／cosh（c／b）］ …(1) ｆ（y）＝d−a［cosh｛（y−e）／b｝／cosh（e／b）］ …(2) Ｌ(x,y)＝f(x)・f(y)／ｄ …(3)
るマスクバイア量Ｂ(x,y)が、 Ｂ(x,y)＝ｄ−Ｌ(x,y) で与えられ、（ｘ，ｙ）は、矩形メッシュ内にある任意
点の座標、パラメータｄは、パターンデータの設計寸法
であり、Ｌ(x,y)については、パラメータａを、近接効
果の十分飽和した部分でパターン端部（ｘ＝０近辺）に
おける寸法細り量、パラメータｂを、加速電圧のみに依
存する後方散乱の影響の及ぶ距離に比例する量、パラメ
ータｃ、ｅを、ｘ、ｙ方向のパターン存在領域の半分と
して、次式（１）〜（３）より求められる。 ｆ（x）＝d−a［cosh｛（x−c）／b｝／cosh（c／b）］ …(1) ｆ（y）＝d−a［cosh｛（y−e）／b｝／cosh（e／b）］ …(2) Ｌ(x,y)＝f(x)・f(y)／ｄ …(3)
【００１９】本発明は、（ｅ）メッシュ内にパターン面
積密度の異なる周辺パターンが存在する場合、には、パ
ターン密度を平滑化した後、各メッシュ毎に、マスクバ
イアスを設定する工程を含む。
積密度の異なる周辺パターンが存在する場合、には、パ
ターン密度を平滑化した後、各メッシュ毎に、マスクバ
イアスを設定する工程を含む。
【００２０】また本発明は、パターン面積密度に差のあ
る複数のセル部を含むとき、式（４）のマスクバイアス
値にオフセット項を追加し、最もパターン面積密度の高
いセルパターンのオフセットを０とし、パターン面積密
度が最大でないセルパターン密度毎にオフセットを設定
する。
る複数のセル部を含むとき、式（４）のマスクバイアス
値にオフセット項を追加し、最もパターン面積密度の高
いセルパターンのオフセットを０とし、パターン面積密
度が最大でないセルパターン密度毎にオフセットを設定
する。
【００２１】本発明によれば、パターンデータ、加速電
圧という事前に収集できるデータのみを用いて補正量を
定めるため、パラメータ設定が簡易であり、スループッ
トが向上する。また、簡易な式による近似計算でマスク
バイアス量の導出を行うため、計算速度が速い。
圧という事前に収集できるデータのみを用いて補正量を
定めるため、パラメータ設定が簡易であり、スループッ
トが向上する。また、簡易な式による近似計算でマスク
バイアス量の導出を行うため、計算速度が速い。
【００２２】さらに、本発明によれば、ドーズ量補正の
不可能な大面積マスク描画の際の近接効果を補正でき
る。そして、近接効果の大きな領域を抜き出し不要な領
域の計算を省略するため、マスクバイアスを計算する時
間を短縮する。以下実施例に即して詳説する。
不可能な大面積マスク描画の際の近接効果を補正でき
る。そして、近接効果の大きな領域を抜き出し不要な領
域の計算を省略するため、マスクバイアスを計算する時
間を短縮する。以下実施例に即して詳説する。
【００２３】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は、本発明の一実施例を説明するための図で
あり、ＥＢマスク転写露光にて描画を行うためのパター
ンの形状を示したものである。図１において、ハッチン
グで示した領域は、パターン（白抜きで示す）の面積密
度が一定である領域であり、本発明では、このパターン
面積密度一定の領域を抽出する。
する。図１は、本発明の一実施例を説明するための図で
あり、ＥＢマスク転写露光にて描画を行うためのパター
ンの形状を示したものである。図１において、ハッチン
グで示した領域は、パターン（白抜きで示す）の面積密
度が一定である領域であり、本発明では、このパターン
面積密度一定の領域を抽出する。
【００２４】図２は、抽出後のパターン形状であり、ク
ロスハッチで示したパターン端部を破線で示す矩形メッ
シュに分割する。
ロスハッチで示したパターン端部を破線で示す矩形メッ
シュに分割する。
【００２５】図３は、近接効果補正後のＥＢマスクパタ
ーンの上面図であり、図４は図３に示すＡ−Ａ′線の断
面図である。本発明の一実施例においては、図２におい
て、ハッチを掛けた部分、すなわち図３、図４に示す補
正領域１００のマスク開口部の寸法を、設計寸法Ｘか
ら、Ｙ、Ｚに拡大して近接効果補正を行う。
ーンの上面図であり、図４は図３に示すＡ−Ａ′線の断
面図である。本発明の一実施例においては、図２におい
て、ハッチを掛けた部分、すなわち図３、図４に示す補
正領域１００のマスク開口部の寸法を、設計寸法Ｘか
ら、Ｙ、Ｚに拡大して近接効果補正を行う。
【００２６】本発明の一実施例の動作について説明す
る。図５は、本発明の一実施例の動作を説明するための
フローチャートである。
る。図５は、本発明の一実施例の動作を説明するための
フローチャートである。
【００２７】パターンデータをＥＢマスク上に転写する
以前に、パターンデータ５０１を入力して処理する時
に、パターン面密度を測定し（ステップ５０２）、図１
の斜線で示すメモリセルパターンなどパターン面積密度
が一定の領域を選び出す。
以前に、パターンデータ５０１を入力して処理する時
に、パターン面密度を測定し（ステップ５０２）、図１
の斜線で示すメモリセルパターンなどパターン面積密度
が一定の領域を選び出す。
【００２８】パターン面積密度が一定のパターンを選択
したのち、選択したパターンの周辺部分に、図６に示す
ように、後方散乱径程度の矩形メッシュを生成する（ス
テップ５０３）。
したのち、選択したパターンの周辺部分に、図６に示す
ように、後方散乱径程度の矩形メッシュを生成する（ス
テップ５０３）。
【００２９】メッシュ内のパターン面積密度が０の（メ
ッシュ内に周辺パターンが存在しない）ときの補正処理
（ステップ５０５）を以下に示す。
ッシュ内に周辺パターンが存在しない）ときの補正処理
（ステップ５０５）を以下に示す。
【００３０】面積密度一定のパターンを同一の露光量で
照射すると、近接効果の影響でパターン端部から一定の
領域においてパターン寸法が細る。これを補正するた
め、パターン寸法が変化する領域として、図３に斜線で
示す領域を事前に抜き出し、抜き出した部分のパターン
を、図２に破線で示す任意の大きさの矩形メッシュに分
割する。
照射すると、近接効果の影響でパターン端部から一定の
領域においてパターン寸法が細る。これを補正するた
め、パターン寸法が変化する領域として、図３に斜線で
示す領域を事前に抜き出し、抜き出した部分のパターン
を、図２に破線で示す任意の大きさの矩形メッシュに分
割する。
【００３１】次に矩形メッシュ分割を行った領域のマス
ク開口部の寸法を、以下に示す式（４）に従って増加さ
せる。
ク開口部の寸法を、以下に示す式（４）に従って増加さ
せる。
【００３２】このとき、式（４）のＢ（ｘ，ｙ）は、各
矩形メッシュにおける線幅の増加量（マスクバイアス
量）である。なお、ｘ、ｙは、図２に示すパターンの左
コーナーを原点に取ったときの矩形メッシュ内にある任
意点の座標である。
矩形メッシュにおける線幅の増加量（マスクバイアス
量）である。なお、ｘ、ｙは、図２に示すパターンの左
コーナーを原点に取ったときの矩形メッシュ内にある任
意点の座標である。
【００３３】この式（４）の導出について式（１）〜
（３）に示す。式（１）〜（３）において、ｘ、ｙは、
図２に示すパターンの左コーナーを原点に取ったときの
パターンの位置を表す座標である。
（３）に示す。式（１）〜（３）において、ｘ、ｙは、
図２に示すパターンの左コーナーを原点に取ったときの
パターンの位置を表す座標である。
【００３４】パラメータａは、近接効果の十分飽和した
部分（図６の矢印で示す部分）でパターン端部（ｘ＝０
近辺）における寸法細り量である。
部分（図６の矢印で示す部分）でパターン端部（ｘ＝０
近辺）における寸法細り量である。
【００３５】近接効果補正を行わないとき（ステップ５
０５）、パターン端部における寸法変動を、図７に示
す。このときの寸法の変化量ａは、パターン面積密度α
の１次関数で表される（図８）。
０５）、パターン端部における寸法変動を、図７に示
す。このときの寸法の変化量ａは、パターン面積密度α
の１次関数で表される（図８）。
【００３６】パラメータｂは、後方散乱の影響の及ぶ距
離に比例する。後方散乱の影響は加速電圧のみに依存す
る。
離に比例する。後方散乱の影響は加速電圧のみに依存す
る。
【００３７】パラメータｃ、ｅは、ｘ、ｙ方向のパター
ン存在領域の半分であり、パターンデータから容易に求
められる。
ン存在領域の半分であり、パターンデータから容易に求
められる。
【００３８】パラメータｄは、パターンデータの設計寸
法でありこれもパターンデータから容易に求められる。
法でありこれもパターンデータから容易に求められる。
【００３９】これらのパラメータは、事前にパターンデ
ータおよび加速電圧の情報から決定することが可能であ
り、シミュレーションや実験によるパラメータ設定は不
要である。
ータおよび加速電圧の情報から決定することが可能であ
り、シミュレーションや実験によるパラメータ設定は不
要である。
【００４０】 ｆ（x）＝d−a［cosh｛（x−c）／b｝／cosh（c／b）］…(1)
【００４１】 ｆ（y）＝d−a［cosh｛（y−e）／b｝／cosh（e／b）］…(2)
【００４２】 Ｌ(x,y)＝f(x)・f(y)／ｄ …(3)
【００４３】 Ｂ(x,y)＝ｄ−Ｌ(x,y) …(4)
【００４４】また、メモリセルの周辺回路など、パター
ン面積密度の異なる周辺パターンが存在する場合（図９
参照）のメモリセル部の補正（ステップ５０６の処理）
について説明する。
ン面積密度の異なる周辺パターンが存在する場合（図９
参照）のメモリセル部の補正（ステップ５０６の処理）
について説明する。
【００４５】このとき、例えば図６に示すように、メッ
シュ内のパターン密度は０でないため判別が可能であ
る。
シュ内のパターン密度は０でないため判別が可能であ
る。
【００４６】また、メモリセル内でのパターン寸法変化
量ａは、周辺にパターンが全く存在しない場合に比べて
小さくなる。
量ａは、周辺にパターンが全く存在しない場合に比べて
小さくなる。
【００４７】このとき、図９に破線で示すメッシュ内の
パターン面積密度α’をデータ処理により抽出し、この
値α’により式（１）、（２）内のパラメータａを変化
させて補正を行う。
パターン面積密度α’をデータ処理により抽出し、この
値α’により式（１）、（２）内のパラメータａを変化
させて補正を行う。
【００４８】これ以降は、周辺パターンの存在しない場
合と同様の方法でマスクバイアスを求める。
合と同様の方法でマスクバイアスを求める。
【００４９】ところで、ここまで述べた方法では、同一
ショット内に異なるパターン面積密度を持つパターンの
同時補正は不可能である。
ショット内に異なるパターン面積密度を持つパターンの
同時補正は不可能である。
【００５０】例えば、メモリセルに周辺回路が存在する
パターンでは、図１０に示すような露光強度分布を持
ち、後方散乱による蓄積エネルギーの差を生じる。
パターンでは、図１０に示すような露光強度分布を持
ち、後方散乱による蓄積エネルギーの差を生じる。
【００５１】図１０に示す露光強度分布において、その
左半分は、周辺回路の露光強度であり、右半分はメモリ
セルの露光強度である。ここで、文献（J.Vac.Sci.Tech
nol.B10 3072 (1992)）によると、十分に領域の広いパ
ターンでの後方散乱によるエネルギー蓄積量Ebは、 Ｅb=Ｃ1αηＤ (5) (C1:定数、α:パターン面積密度、η:後方散乱係数、D:
露光量) で近似され、パターン面積密度αに差があると、図１０
に示すように、後方散乱による蓄積エネルギーに差が生
じる。
左半分は、周辺回路の露光強度であり、右半分はメモリ
セルの露光強度である。ここで、文献（J.Vac.Sci.Tech
nol.B10 3072 (1992)）によると、十分に領域の広いパ
ターンでの後方散乱によるエネルギー蓄積量Ebは、 Ｅb=Ｃ1αηＤ (5) (C1:定数、α:パターン面積密度、η:後方散乱係数、D:
露光量) で近似され、パターン面積密度αに差があると、図１０
に示すように、後方散乱による蓄積エネルギーに差が生
じる。
【００５２】これはパターン寸法変動の原因となり、メ
モリセルと周辺回路が同一露光量で照射されると、周辺
回路の寸法が減少する。
モリセルと周辺回路が同一露光量で照射されると、周辺
回路の寸法が減少する。
【００５３】図１１に示すように、メモリセル部および
周辺回路の後方散乱蓄積エネルギーをＥ１、Ｅ２、パタ
ーン面積密度をα１、α２とする。なお、図１１におい
て、横軸はＸ座標、縦軸は露光強度を表している。この
とき前方散乱によるエネルギー蓄積量のだれを直線で近
似すると、パターン寸法の線幅変動ΔＬは、パターン面
積密度の差（α１−α２）に比例する。
周辺回路の後方散乱蓄積エネルギーをＥ１、Ｅ２、パタ
ーン面積密度をα１、α２とする。なお、図１１におい
て、横軸はＸ座標、縦軸は露光強度を表している。この
とき前方散乱によるエネルギー蓄積量のだれを直線で近
似すると、パターン寸法の線幅変動ΔＬは、パターン面
積密度の差（α１−α２）に比例する。
【００５４】周辺回路での近接効果補正は、パターン面
積密度αの差を考慮する必要があり、メッシュ毎にパタ
ーンを分割してそれぞれαを求める。
積密度αの差を考慮する必要があり、メッシュ毎にパタ
ーンを分割してそれぞれαを求める。
【００５５】また上記文献（J.Vac.Sci.Technol. B10 3
072 (1992)）に掲載されているスムージング（図１２参
照）で隣接するパターンからの影響を考慮することもで
きる。
072 (1992)）に掲載されているスムージング（図１２参
照）で隣接するパターンからの影響を考慮することもで
きる。
【００５６】一例として３×３のメッシュにおけるスム
−ジング処理の式を、以下の式（６）に示す。
−ジング処理の式を、以下の式（６）に示す。
【００５７】パターン密度のスムージングを行い（ステ
ップ５０４）、パターン面積密度αをα’で置き換えた
とき、周辺回路でのマスクバイアス値は最も密度の高い
メモリセルのパターン面積密度α0との差（α0−α′）
に比例し、 Ｂ（ｘ，ｙ）＝Ｃ2（α0−α） である。
ップ５０４）、パターン面積密度αをα’で置き換えた
とき、周辺回路でのマスクバイアス値は最も密度の高い
メモリセルのパターン面積密度α0との差（α0−α′）
に比例し、 Ｂ（ｘ，ｙ）＝Ｃ2（α0−α） である。
【００５８】またパターン面積密度に差のある複数のメ
モリセル部を含むとき、次式（６）のマスクバイアス補
正法を用いる。
モリセル部を含むとき、次式（６）のマスクバイアス補
正法を用いる。
【００５９】
【００６０】上式（４）のマスクバイアス値にオフセッ
ト項を追加する。最も密度の高いセルパターンのパター
ン面積密度をα0とすると、オフセット項は、パターン
面積密度αの差（α0−α）に比例して定められる。す
なわち、パターン面密度が最大でないセルに対して、オ
フセットを設定する（ステップ５１０）。
ト項を追加する。最も密度の高いセルパターンのパター
ン面積密度をα0とすると、オフセット項は、パターン
面積密度αの差（α0−α）に比例して定められる。す
なわち、パターン面密度が最大でないセルに対して、オ
フセットを設定する（ステップ５１０）。
【００６１】このときの補正量Ｂ（ｘ，ｙ）を式（７）
に示す。
に示す。
【００６２】 Ｂ（ｘ，ｙ）＝ｄ−Ｌ（ｘ，ｙ）＋Ｃ2（α0−α） …(7) (Ｃ2:定数、α:パターン面積密度)
【００６３】式（７）で求めたバイアス量Ｂ（ｘ，ｙ）
をパターンに適用した結果を、図１３に示す。
をパターンに適用した結果を、図１３に示す。
【００６４】コーナー部のマスク開口部を太く変化さ
せ、露光強度およびレジストパターン形状を、図１３
（ｃ）の破線から実線のように変化させてパターン寸法
のばらつきを抑える。そして上式（５）、（６）を用い
れば、周辺回路との同時補正が可能になる。
せ、露光強度およびレジストパターン形状を、図１３
（ｃ）の破線から実線のように変化させてパターン寸法
のばらつきを抑える。そして上式（５）、（６）を用い
れば、周辺回路との同時補正が可能になる。
【００６５】上式（１）〜（４）に用いられる各パラメ
ータは、いずれも事前にパターンデータ、および加速電
圧の情報から定めることが可能であり、シミュレーショ
ンや実験によるパラメータ設定は不要である。
ータは、いずれも事前にパターンデータ、および加速電
圧の情報から定めることが可能であり、シミュレーショ
ンや実験によるパラメータ設定は不要である。
【００６６】また近接効果補正が必要な一定の領域（図
２のハッチングを施した部分）を抜き出して、簡易な式
（１）〜（４）を用いて補正を行うため、マスクバイア
ス量の計算が簡便であり、計算時間も短い。
２のハッチングを施した部分）を抜き出して、簡易な式
（１）〜（４）を用いて補正を行うため、マスクバイア
ス量の計算が簡便であり、計算時間も短い。
【００６７】再び図５を参照すると、マスクパタン形成
した後、ＥＢマスクを作成し、ＥＢ描画を行う（ステッ
プ５１１〜５１３）。
した後、ＥＢマスクを作成し、ＥＢ描画を行う（ステッ
プ５１１〜５１３）。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【００６９】本発明の第１の効果は、パターンデータ、
加速電圧という事前に収集できるデータのみを用いて補
正量を定めているため、パラメータ設定が簡易であり、
良好なスループットを実現する、ということである。
加速電圧という事前に収集できるデータのみを用いて補
正量を定めているため、パラメータ設定が簡易であり、
良好なスループットを実現する、ということである。
【００７０】本発明の第２の効果は、簡易な式によって
近似計算を行っているため、計算処理時間が短くて済
む、ということである。
近似計算を行っているため、計算処理時間が短くて済
む、ということである。
【００７１】本発明の第３の効果は、ドーズ量補正の不
可能な大面積マスク描画の際の近接効果を補正すること
ができる、ということである。
可能な大面積マスク描画の際の近接効果を補正すること
ができる、ということである。
【００７２】本発明の第４の効果は、近接効果の大きな
領域を抜き出し不要な領域の計算を省略するため、マス
クバイアスを計算する時間を短縮することができる、と
いうことである。
領域を抜き出し不要な領域の計算を省略するため、マス
クバイアスを計算する時間を短縮することができる、と
いうことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明するための図であり、
パターン面積密度一定部を例示する図である。
パターン面積密度一定部を例示する図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための図であり、
抽出後のパターン形状を示す図である。
抽出後のパターン形状を示す図である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための図であり、
近接効果補正後のＥＢマスクパターンの上面図である。
近接効果補正後のＥＢマスクパターンの上面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ′線の断面図である。
【図５】本発明の一実施例における処理手順を示す流れ
図である。
図である。
【図６】本発明の一実施例を説明するための図であり、
後方散乱径程度の矩形メッシュの生成の一例を示す図で
ある。
後方散乱径程度の矩形メッシュの生成の一例を示す図で
ある。
【図７】本発明の一実施例を説明するための図であり、
近接効果補正を行わないとき、パターン端部における寸
法変動を例示するグラフである。
近接効果補正を行わないとき、パターン端部における寸
法変動を例示するグラフである。
【図８】本発明の一実施例を説明するための図であり、
パラメータａとパターン密度の関係を示す図である。
パラメータａとパターン密度の関係を示す図である。
【図９】本発明の一実施例を説明するための図であり、
パターン面積密度の異なる周辺パターンが存在する場合
のメモリセル部の補正を説明するための図である。
パターン面積密度の異なる周辺パターンが存在する場合
のメモリセル部の補正を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施例を説明するための図であ
り、メモリセルに周辺回路が存在するパターンにおける
後方散乱による蓄積エネルギーの差を示す図である。
り、メモリセルに周辺回路が存在するパターンにおける
後方散乱による蓄積エネルギーの差を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図１２】本発明の一実施例を説明するための図であ
り、文献（J.Vac.Sci.Technol. B103072 (1992)）に掲
載されているスムージングを説明するための図である。
り、文献（J.Vac.Sci.Technol. B103072 (1992)）に掲
載されているスムージングを説明するための図である。
【図１３】本発明の一実施例を説明するための図であ
り、（ａ）はＥＢマスクの断面、（ｂ）は露光強度、
（ｃ）はレジスト形状をそれぞれ示す図である。
り、（ａ）はＥＢマスクの断面、（ｂ）は露光強度、
（ｃ）はレジスト形状をそれぞれ示す図である。
【図１４】従来の方法を説明するための図である。
１００ 補正領域 １０１ メモリセル部 １０２ メッシュ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−261012（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−90878（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−105839（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−303120（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−199389（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−31727（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−225816（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08 G03F 1/16 G03F 7/20
Claims (3)
- 【請求項１】 （ａ）パターンデータをＥＢマスク上に転
写する前工程であるパターンデータ処理時に、入力した
パターンデータから、パターン面密度を測定しパターン
面積密度が一定の領域を選択する工程と、 （ｂ）パターン面積密度が一定のパターンを選択したの
ち、選択したパターンの周辺部分に、後方散乱径程度の
矩形型のメッシュを生成する工程と、 （ｃ）前記メッシュ内に周辺パターンが存在しない場合
には、パターン面積密度一定のパターンに対して同一露
光量で露光した際の近接効果による、パターン端部から
一定の領域におけるパターン寸法の細りを補正するため
に、パターン寸法が変化する領域を抽出し、抽出した部
分のパターンを任意のサイズの矩形型のメッシュに分割
する工程と、 （ｄ）矩形メッシュ分割を行った領域のマスク開口部の
寸法を、パターンデータの設計寸法と、近接効果の十分
飽和した部分でパターン端部における寸法細り量に基づ
き所定の式に従ったマスクバイアス量だけ増加させる工
程と、 を含むことを特徴とする近接効果補正方法。 - 【請求項２】 （ｅ）メッシュ内にパターン面積密度の異
なる周辺パターンが存在する場合には、パターン密度を
平滑化した後、各メッシュ毎に、マスクバイアスを設定
する工程、 を含むことを特徴とする請求項２記載の近接効果補正方
法。 - 【請求項３】 パターン面積密度に差のある複数のセル部
を含むとき、マスクバイアス値にオフセット項を追加
し、最もパターン面積密度の高いセルパターンのオフセ
ットを０とし、パターン面積密度が最大でないセルパタ
ーン密度毎にオフセットを設定する、ことを特徴とする
請求項２記載の近接効果補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP726899A JP3344347B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 近接効果補正方法及びｅｂマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP726899A JP3344347B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 近接効果補正方法及びｅｂマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208401A JP2000208401A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3344347B2 true JP3344347B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=11661293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP726899A Expired - Fee Related JP3344347B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 近接効果補正方法及びｅｂマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344347B2 (ja) |
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| JP2002328460A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン形成方法、露光用マスクの形成方法及び露光用マスク |
| JP4603305B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2010-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 露光方法、パターン寸法調整方法及び焦点ぼかし量取得方法 |
| JP2006100336A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Advantest Corp | 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| JP2009295893A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 近接効果補正方法及びその方法を用いた電子線描画装置 |
| US10705420B2 (en) * | 2018-05-15 | 2020-07-07 | Asml Us, Llc | Mask bias approximation |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP726899A patent/JP3344347B2/ja not_active Expired - Fee Related
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