JP5787473B2 - 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム - Google Patents

Description

関連分野との相互参照
本願は、以下の出願の優先権を主張する：１）「円形パターンを断片化するための、および半導体装置を製造するための方法」（Method For Fracturing Circular Patterns And For Manufacturing A Semiconductor Device）と題された、２００９年８月１２日出願の米国特許出願連続番号第１２／５４０，３２１号；２）「表面上に円形パターンを形成するための方法およびシステム」（Method And System For Forming Circular Patterns On A Surface）と題された、２００９年８月１２日出願の米国特許出願連続番号第１２／５４０，３２２号；３）「文字投影粒子ビームリソグラフィを用いてレチクルを製造するための方法およびシステム」（Method and System for Manufacturing a Reticle Using Character Projection Particle Beam Lithography）と題された、２００８年９月１日出願の米国特許出願連続番号第１２／２０２，３６４号；４）「可変成形ビームリソグラフィを用いて表面および集積回路を製造するための方法」（Method For Manufacturing A Surface And Integrated Circuit Using Variable Shaped Beam Lithography）と題された、２００９年５月２７日出願の米国特許出願連続番号第１２／４７３，２４１号；および５）「表面上の円形パターンおよび集積回路を製造するための方法およびシステム」（Method and System for Manufacturing Circular Patterns On a Surface And Integrated Circuit）と題された、２００９年７月１０日出願の米国仮特許出願連続番号第６１／２２４，８４９号。これらはすべて、あらゆる目的のために、ここに引用により援用される。

開示の背景
この開示はリソグラフィに関し、より特定的には、荷電粒子ビームリソグラフィを用いた、レチクル、ウェハ、または他の表面であってもよい表面の設計および製造に関する。

集積回路などの半導体装置の生産または製造において、半導体装置を作製するために光リソグラフィを用いてもよい。光リソグラフィとは、レチクルから製造されたリソグラフィマスクまたはフォトマスクを用いて、半導体またはシリコンウェハなどの基板にパターンを転写して、集積回路を作成する印刷プロセスである。他の基板は、フラットパネルディスプレイ、または他のレチクルさえも含み得る。また、極紫外線（ＥＵＶ）またはＸ線リソグラフィは一種の光リソグラフィと考えられている。レチクルまたは多数のレチクルは、集積回路の個々の層に対応する回路パターンを含んでいてもよく、このパターンは、フォトレジストまたはレジストとして公知の感放射線性材料の層でコーティングされた基板上のある領域上へと投影され得る。パターニングされた層が一旦転写されると、層は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、および研磨といったさまざまな他のプロセスを経る場合がある。これらのプロセスは、基板の個々の層を仕上げるために採用される。層がいくつか必要とされる場合には、新しい層各々についてプロセス全体またはその変形が繰返される。最終的には、多数のデバイスまたは集積回路の組合せが基板上に存在するようになる。これらの集積回路は次に、ダイシングまたはソーイングによって互いから分離されてもよく、それから個々のパッケージに搭載されてもよい。より一般的な場合、基板上のパターンは、表示画素または磁気記録ヘッドといった人工物を規定するために用いられてもよい。

集積回路などの半導体装置の生産または製造において、半導体装置を作製するためにマスクレス直接書込も用いてもよい。マスクレス直接書込とは、荷電粒子ビームリソグラフィを用いて半導体またはシリコンウェハなどの基板にパターンを転写して、集積回路を作成する印刷プロセスである。他の基板は、フラットパネルディスプレイ、ナノ・インプリンティング用インプリントマスク、またはレチクルさえも含み得る。層の所望のパターンが、この場合同様に基板である表面上に直接書込まれる。パターニングされた層が一旦転写されると、層は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、および研磨といったさまざまな他のプロセスを経る場合がある。これらのプロセスは、基板の個々の層を仕上げるために採用される。層がいくつか必要とされる場合には、新しい層各々についてプロセス全体またはその変形が繰返される。同じ基板を作製するために、いくつかの層のうちの一部は光リソグラフィを用いて書込まれてもよく、一方、それ以外の層はマスクレス直接書込を用いて書込まれてもよい。最終的には、多数のデバイスまたは集積回路の組合せが基板上に存在するようになる。これらの集積回路は次に、ダイシングまたはソーイングによって互いから分離され、それから個々のパッケージに搭載される。より一般的な場合、表面上のパターンは、表示画素または磁気記録ヘッドといった人工物を規定するために用いられてもよい。

半導体製造では、特に光リソグラフィを用いてハーフピッチが８０ｎｍ未満のパターンを製造する場合、接点およびビアを確実に製造することは困難かつ重要であり、ここで、ハーフピッチは、接点またはビアの最小サイズの１／２に、接点またはビア同士間の最小必要間隔の１／２を足したものである。接点およびビアは、１つの層上の導電性材料を、別の層上の別の導電性材料に接続する。現在普及している技術のノードよりも比較的大きい旧来の技術のノードでは、正方形のビアおよび接点をウェハ上に製造しようという試みがなされた。正方形の接点およびビアは、下層の導電性材料と上層の導電性材料とを接続する領域の量を最大化するために望ましい。しかしながら、要部サイズの減少に伴い、多数の正方形のパターンを半導体ウェハ上に作成することは極めて高価にまたは非現実的になっている。特にハーフピッチが８０ｎｍ以下では、半導体製造業者等は上から見ると略円状のものをウェハ上に形成することを目標としており、それらは略円筒形の接点またはビアを作成する。所望のウェハ形状を特定する設計データは依然として、所望の形状を正方形として特定している。しかしながら、製造業者等および設計者等はともに、光リソグラフィプロセスの制約により、結果として生じる実際の形状はウェハ上で略円となるであろうと仮定して、取り組んでいる。あらゆる形状に対するこの効果の一般化された事例は、コーナー丸み付けと呼ばれることがある。

設計データにおいて接点およびビアを正方形として特定する従来の慣例の顕著な利点は、正方形のパターンが比較的速くレチクル上に形成可能であるということである。しかしながら、レチクルおよびフォトマスク上での接点およびビア用の正方形のパターンの使用は、半導体装置上でのビアおよび接点の製造をより困難にしている。特に８０ｎｍ未満のハーフピッチについては、フォトマスク上での接点およびビア用の正方形のパターンの使用に関連する製造上の困難を解消することが有利であろう。

開示の概要
フォトマスクおよび光リソグラフィを用いて半導体装置を製造するための方法が開示され、荷電粒子ビーム書込装置を用いて製造されたフォトマスク上の円形パターンを用いることにより、半導体ウェハ上の円形パターンが形成される。一実施例では、荷電粒子ビームの線量（dosage）を変えることにより、さまざまなサイズの円形パターンが、単一の文字投影（ＣＰ：Character Projection）用文字を用いてフォトマスク上に形成される。

円形のＣＰ用文字を用いて、または可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショット（shots）を用いて円形パターンを断片化するための方法も開示され、複数のＶＳＢショットの結合（union）は１セットの所望のパターンとは異なっている。

文字投影（ＣＰ）荷電粒子ビーム書込装置を用いて円形パターンを表面上に形成するための方法も開示され、放射線の線量を変えることにより、異なるサイズの円形パターンが、単一のＣＰ用文字を用いて形成され得る。

可変成形ビーム（ＶＳＢ）荷電粒子ビーム書込装置を用いて円形パターンを表面上に形成するための方法も開示され、ショットの線量は変化してもよく、ショットの結合は１セットの目標パターンとは異なっている。

グリフのライブラリを用いて円形パターンを表面上に形成するための方法も開示され、グリフは、１つ以上の荷電粒子ビームショットからの予め計算された放射線の線量マップである。

この開示のこれらのおよび他の利点は、以下の詳細な説明を添付図面とともに検討後、明らかとなるであろう。

接点またはビアなどの円形パターンをウェハ上に形成する従来の方法を示す図である。 この開示による、接点またはビアなどの円形パターンをウェハ上に形成する方法を示す図である。 文字投影（ＣＰ）能力を有する荷電粒子ビーム書込装置を示す図である。 複数の円形文字を含む文字投影ステンシルを示す図である。 円形の文字投影用文字のショットにより形成されるパターンを示す図である。 図５Ａの文字投影ショットにより記録された表面上のパターンのサイズに対して線量を変化させたときの効果を示す図である。 １セットの円形の文字投影用文字を用いて表面上に形成可能な円形パターンの直径の範囲を示す図である。 円形パターンを書込むために、重なり合うＶＳＢショットをどのように用いるかを示す図である。 円形パターンを書込むために、重なり合わないＶＳＢショットをどのように用いるかを示す図である。 パラメータ化されたグリフを用いて表面上に作成可能な円形パターンを示す図である。 この開示の例示的な方法を用いてレチクルを製造し、集積回路を作製する概念フローチャートを示す図である。 所望の略円形のパターンを示す図である。 図１１Ａのパターンを形成可能な１セットの重なり合わないＶＳＢショットを示す図である。

実施例の詳細な説明
図１は、光リソグラフィを用いて接点およびビアパターンをウェハ上に形成するための従来の慣例を示す。光リソグラフィマシン１００は照明源１０２を含み、それは、多数の矩形の開口パターン１０６を含むフォトマスク１０４上に光放射を放出する。光放射は開
口パターン１０６を通って、および１つ以上のレンズ１０８を通って伝播され、それにより、半導体ウェハなどの表面１１２上にパターン１１０を形成する。表面１１２上のパターン１１０は概して、フォトマスク１０４上の開口パターン１０６に比べ、サイズが小さい。ハーフピッチが８０ｎｍ未満のパターンといった小さい接点およびビアパターンに関する、照明源１０２により作成された放射の波長などの光リソグラフィプロセスの制約に起因して、フォトマスク上の正方形のパターンは、円形または略円形のパターンが基板上に形成されるようにする。

半導体リソグラフィでは、マスク誤差増大係数（Mask Error Enhancement Factor：ＭＥＥＦ）と呼ばれる重要な概念がある。フォトマスクを用いる典型的な半導体製造プロセスでは、フォトマスクはウェハの寸法の４倍である。たとえば、表面上の５０ｎｍの目標形状は、フォトマスク上では２００ｎｍの形状として現われる。ＭＥＥＦが１．０の場合、フォトマスク上の４ｎｍのオフセット誤差は、ウェハ上では１ｎｍのオフセットとなる。しかしながら、相互接続層または配線層上などの線および空間についての典型的なＭＥＥＦは、２である。コンタクト層については、典型的なＭＥＥＦは４であり、それは、フォトマスク上の４ｎｍのオフセット誤差がウェハ上では４ｎｍのオフセットとなることを意味している。ハーフピッチが８０ｎｍ未満のコンタクト層を有する先進技術のノードでは、１０もの高いＭＥＥＦが投影される場合がある。そのような場合、フォトマスク上の４ｎｍのオフセットはウェハ上では１０ｎｍのオフセットとなる。このため、フォトマスク、特にコンタクト層用のフォトマスクは、ＭＥＥＦ倍された表面上の誤差が最大許容誤差を上回らないよう、極めて正確であることが要求される。

ＭＥＥＦを改良するための１つの公知の方法は、いわゆる周長ルールである。周長ルールは、所与の包囲された形状に対し、その形状の面積に対するその形状の周長の比率が高いほど、ＭＥＥＦが大きくなる、ということを述べている。半導体製造では、マスク上の各形状にとって適正量の総エネルギでレジストを露光することが、リソグラフィ行程において最も重要である。したがって、各パターンまたは形状にとっては、パターンまたは形状の他の寸法よりも総面積について、精度がより重要である。半導体製造プロセスにおける誤差のさまざまな原因が周長に作用し、それは形状を包囲する１組の縁である。これらの縁は、所望の場所と比べて内側または外側に動いてもよい。面積に対する周長の比率が比較的大きい場合、所与の距離、たとえば１ｎｍだけ内側に動いた全周長は、比率が比較的より小さい場合よりも大きな量、包囲された面積を縮める。総面積は総エネルギであり、総エネルギは各形状にとって重大なので、あらゆる形状についてより小さい比率が望まれる。さまざまな幾何学的図形の中でも、円は、あらゆる形状の単位面積当たり最小の周長を有する。したがって、円形の形状またはパターンは、どの非円形形状よりも小さいＭＥＥＦを有するであろう。略円形の形状は、ほぼ最適なＭＥＥＦを有するであろう。

図２は、この開示によって接点またはビアがシリコンウェハ上にどのように作成可能かを示す。光リソグラフィマシン２００は照明源２０２を含み、それは、多数の円形の開口パターン２０６を含むフォトマスク２０４上に光放射を放出する。光放射は開口パターン２０６を通って、および１つ以上のレンズ２０８を通って伝播され、それにより、半導体ウェハなどの表面２１２上にパターン２１０を形成する。上述の周長ルールのため、フォトマスク２０４上の円形または略円形の開口２０６の使用は、図１のフォトマスク１０４上の正方形の開口１０６の使用よりも低い（より良好な）ＭＥＥＦをもたらす。

今日のマスク作成は、レーザベースのマスク書込装置、または荷電粒子ビームマスク書込装置、たとえば電子ビームマスク書込装置によって行なわれる。ハーフピッチが８０ｎｍを下回る最小の形状構成を有する最先端技術のノードのための今日の生産ツールは、（５０ＫｅＶ以上の）高電圧電子銃を用いる可変成形ビーム（ＶＳＢ）技術を用いた電子ビームマスク書込装置を用いて、すべて行なわれる。従来のレチクルまたはマスク書込は、
あらゆる所望のマスク形状を、或るサイズ限度（たとえば幅が１ｎｍ〜１０００ｎｍ）がある、構成要素である矩形および４５度の三角形に断片化して、すべての形状の結合（和集合）がおそらく或る最小しきい値内で元の形状となるよう、また構成形状が重なり合わないようにするステップを含む。断片化された形状は、電子ビームマスク書込装置によりＶＳＢショットとして個々に書込まれる。レチクル書込は通常、多数の通過（passes）を伴い、それにより、レチクル上の所与の形状が書込まれ、上書きされる。通常、誤差を平均化してレチクルを書込むために２〜４回の通過が使用され、より正確なフォトマスクの作成を可能にする。従来、単一の通過では、構成形状は重なり合わない。実際には、電子ビームマスク書込装置は完全に正確ではないので、当接するよう設計されたいくつかのＶＳＢショットが若干重なり合うであろう。また、当接するよう設計されたいくつかのＶＳＢショット間に微細な隙間が生じるであろう。これらの重なり合いおよび隙間によって生じる問題を回避するために、電子ビームマスク書込装置の配置精度と半導体の設計とは注意深く連係される。生じる問題は、特に１ｎｍ以下の小さい誤差について最小であるが、これは、伝播中の電子ビームが（サイズがほぼ２０〜３０ｎｍの）自然にぼやけた半径を有するためであり、形状の引かれた縁を越える伝達されたエネルギのガウス分布をもたらす。ＶＳＢショットの各々についての放射線量は、後の別個のステップで割当てられる。放射線量は、シャッタ速度、または電子が表面に伝播されている時間の量を決定する。結果として生じるフォトマスクの形状を、元々望まれるフォトマスクの形状にできるだけ近づけるために、近接効果補正および他の補正方法が、どれだけの放射線量を各ＶＳＢショットに加えるべきかを決定する。

従来より、１つの正方形の接点またはビアパターンを形成するために、１回のＶＳＢショットが必要とされる。従来のマスク書込技術を用いて円形パターンをレチクル上に形成することは、多数のＶＳＢショットを必要とする。ＶＳＢショットの数の増加は、レチクルに書込むために必要な時間の量に直接的な影響をもたらし、それは直接、フォトマスクのコストとなる。典型的な集積回路設計のためには、何百万もの接点およびビアパターンを形成しなければならないので、従来のＶＳＢショットを用いて円形の接点またはビアパターンをレチクル上に形成することは、現実的とは考えられない。

図７は、多数の重なり合うＶＳＢショットを用いるこの開示により、小さい円形パターン７００をレチクルなどの表面上にどのようにして形成するかという一例を示す。図７の例では、３つのＶＳＢショット、すなわち矩形のショット７０２、矩形のショット７０４、および正方形のショット７０６が示されている。重なり合うショットの使用は、従来の方法で必要とされるよりも少ないＶＳＢショットでパターンが書込まれることを可能にする。荷電粒子の前方散乱、クーロン効果、および他の物理的、化学的、ならびに電磁効果によって生じる荷電粒子ビームのぼやけが円の直径と同一オーダーの小さい円にとって、ショットを重なり合わせる手法は特に効果的である。図７からわかるように、３つのＶＳＢショット、すなわちショット７０２、ショット７０４、およびショット７０６の結合（和集合）は、目標円形パターン７００と等しくない。各ショットの放射線量は、「通常の」ＶＳＢ線量の一部として示されており、ショット７０２およびショット７０４は通常の０．７倍の放射線量を有し、ショット７０６は通常の０．６倍の放射線量を有する。図示されているように、円７００の中央７１０における全ショットから合計された総放射線量は、したがって通常の２．０倍である。マスク作製プロセスの中には、通常の放射線量の２倍といった最大放射線量限度を有するものもある。通常より少ないショット放射線量を補償するために、ショット７０２、７０４、および７０６についてのＶＳＢショット境界線は、目標円７００の境界線を越えて延長される。結果として生じるパターンが目標円形パターン７００の所望の公差内にあることを検証するために、荷電粒子ビームシミュレーションを用いて、表面上に形成されるパターンを計算してもよい。

図８は、多数の重なり合わないＶＳＢショットを用いるこの開示により、小さい円形パ
ターン８０２をレチクルなどの表面上にどのようにして形成するかという一例を示す。この例では、ショット８０４、ショット８０６、ショット８０８、ショット８１０、およびショット８１２という５つのショットが使用される。見てわかるように、ショット８０４、８０６、８０８、８１０、および８１２の結合（和集合）は、目標パターン８０２とは異なっている。パターンを満たすために５つのショットを使用することは、目標円形パターンの境界線にできるだけ接近して整合するようショットを生成する従来の方法に比べ、低減したショット回数を依然として表わす。図８の例では、ショット境界線は、図７の例ほど、目標円形パターンの境界線を越えて延長されていない。これは、図８の例のＶＳＢショットは重なり合わないので、図８の個々のＶＳＢショットの放射線量を、最大放射線量限度を越えることを気にせず、図７のＶＳＢショットの放射線量よりも大きくすることができるためである。図７の例と同様に、結果として生じるパターンが目標円形パターン８０２の所望の公差内にあることを検証するために、荷電粒子ビームシミュレーションを用いて、表面上に形成されるパターンを計算してもよい。

図３は、文字投影（ＣＰ）能力を有する荷電粒子ビーム書込装置３００を示す。図示されているように、粒子または電子ビーム源３０２が第１のマスク３０８に粒子または電子ビーム３０４を与えており、それは、第１のマスク３０８に形成された第１の開口３０６により矩形の形状３１０に形成され得る。矩形のビーム３１０は次に第２のマスクまたはステンシル３１２に向けられ、ステンシル３１２に形成された第２の開口または文字３１４を通る。荷電粒子ビーム３１０の文字３１４を通った部分は表面３２６に向けられ、そこでそれは文字３１４の形状をしたパターン３２４を形成する。図３のこの例示的な実施例では、ステンシル３１２は、さまざまなサイズの３つの円形文字、すなわち文字３１６、３１８、および３２０も含む。ステンシル３１２はＶＳＢショット用の矩形の開口３２２も含み、同じステンシル３１２を用いたＶＳＢショットおよびＣＰショットの作成を可能にする。現在利用可能なＣＰ荷電粒子ビームシステムは、シリコンウェハなどの基板上にパターンを直接形成するために使用できるが、フォトマスクの作成のためにレチクルに書込むことには好適でない。レチクル用の荷電粒子ビーム書込装置において文字投影（ＣＰ）能力が利用可能であったとしても、従来のマスク書込方法論およびシステムは、ステンシル３１２上の文字３１６、文字３１８、および文字３２０といった、ステンシル上の円形のＣＰ用文字のサイズに基づいて、予め指定された直径の円を書込むことのみ可能であろう。従来の方法論を用いると、代替的なサイズの数は、ステンシル上に配置され得る文字の数によって制限されるであろう。

図５Ａおよび図５Ｂは、ショット放射線量を変えることにより、さまざまな直径の円を表面上に形成するために、単一のＣＰ用文字をどのように用いるかという一例を示す。図５Ａは、文字３１８のような円形のＣＰ用文字を用いる図３に示すようなＣＰ荷電粒子ビーム書込装置を用いて表面上に形成可能な公称円形パターン５００を示す。線５０２は、円形パターン５００を二等分する。図５Ｂは、パターン５００を通る線５０２に沿った放射線量分布を示す。横軸は線５０２に沿った線形位置に対応しており、縦軸は放射線量を示している。ショット放射線量５０４、ショット放射線量５０６、およびショット放射線量５０８について、３つの放射線量分布が示されている。放射線量曲線の各々は、荷電粒子ビームのガウス分布を例示している。図５Ｂはレジストしきい値レベル５２０も示しており、それは、それより上でパターンが表面上に記録される放射線量レベルである。図示されているように、最も大きいショット放射線量５０４はサイズ５１０のパターンを記録し、中間のショット放射線量５０６は中間サイズ５１２のパターンを記録し、最も低いショット放射線量５０８は最も小さいサイズ５１４のパターンを記録する。パターンは円形であるため、このサイズの差は直径の差である。こうして、ショット放射線量を変えることにより、異なる直径の円を単一のＣＰ用文字を用いて表面上に形成することができる。

図４は、さまざまなサイズの複数の円形のＣＰ用文字を含むＣＰステンシルの例示的な
一実施例を示す。ステンシル４０２は、異なるサイズの５つの円形のＣＰ用文字、すなわち、文字４０４、文字４０６、文字４０８、文字４１０、および文字４１２を含む。加えて、ステンシル４０２は、ＶＳＢショット用の矩形の開口４１４と、同じくＶＳＢショット用の１セットの三角形の開口４１６とを含む。この発明のいくつかの実施例では、ステンシル４０２は三角形の開口４１６を含んでいなくてもよいが、矩形および円形の開口のみを含んでいてもよい。円形のＣＰ用文字４０４、４０６、４０８、４１０、および４１２の各々は、上述のようにショット放射線量を変えることにより、さまざまな直径の円形パターンを表面上に形成できる。ステンシルの設計中に円形のＣＰ用文字のサイズを適切に選択することにより、広範な範囲のサイズの円形パターンを表面上に形成することができる。図６は、広範なサイズの円を表面上に形成するために、適切なサイズの５つの円形のＣＰ用文字の群をどのように使用するかという一例を示す図を例示している。図６の例では、ＣＰ用文字「Ａ」はサイズの範囲６０２において円形パターンを形成可能である。ＣＰ用文字「Ｂ」はサイズの範囲６０４において円形パターンを形成可能である。ＣＰ用文字「Ｃ」はサイズの範囲６０６において円形パターンを形成可能である。ＣＰ用文字「Ｄ」はサイズの範囲６０８において円形パターンを形成可能である。ＣＰ用文字「Ｅ」はサイズの範囲６１０において円形パターンを形成可能である。図示されているように、サイズの範囲６０２はサイズの範囲６０４と重なり合っており、サイズの範囲６０４はサイズの範囲６０６と重なり合っており、サイズの範囲６０６はサイズの範囲６０８と重なり合っており、サイズの範囲６０８はサイズの範囲６１０と重なり合っている。したがって、５つのＣＰ用文字のみを用いて、総範囲６２０における任意のサイズの円形パターンが形成可能である。直径の範囲がかなりの程度重なり合うことは厳密に必要とはされていないものの、１つの円形のＣＰ用文字で形成可能な最大の円が少なくとも、次に大きい円形のＣＰ用文字を用いて形成可能な最小の円と同じぐらい大きいことだけが必要とされる。他の実施例では、可能な直径の範囲が連続的であることは必要ではない。ステンシル４０２上の文字を用いて形成可能な円形パターンの利用可能なサイズは、複数の非連続的な範囲のサイズであってもよい。

単一の荷電粒子ビームショットまたは荷電粒子ビームショット同士の組合せにより表面上に生成されることが公知である放射線量の二次元マップは、グリフと呼ばれる。各グリフは、グリフを構成する荷電粒子ビームショットの各々に関する位置およびショット放射線量情報をそれと関連付けたものであってもよい。グリフのライブラリが予め計算され、断片化およびマスクデータ準備機能にとって利用可能とされてもよい。グリフはまた、パラメータ化されてもよい。図９は、パラメータ化されたグリフにより形成され得る１セットのパターンを表わす、表面上の円形パターンの一例を示す。グリフ９０２のパラメータはその直径「ｄ」であり、ここで「ｄ」は５０〜１００単位の任意の値であってもよい。一実施例では、５０〜１００単位のサイズ範囲内の円形パターンを表わす放射線量マップを可変ショット放射線量を用いて生成可能な１セットの円形のＣＰ用文字を用いて、グリフを計算してもよい。

なお、集積回路の設計では一般的なことであるが、円などの二次元形状は、上から下に見た場合の半導体ウェハ上の形状を指す。接点およびビアの場合、三次元に製造された実際の形状は円筒形または略円筒形であってもよい。

ここに述べた、ＶＳＢショットまたは円形のＣＰ用文字を用いてレチクルなどの表面上に円を形成するための方法は、マスクレス直接書込を用いてシリコンウェハなどの基板上にパターンを直接形成するためにも使用されてもよい。なお、直接書込については、ＭＥＥＦは問題とはならない。

この開示の手法は、表面上に形成される所望のパターンが略円形である場合にも使用されてもよい。図１１Ａは、接点またはビア用の所望のマスクパターンであり得る略円形の
パターン１１０２を示す。パターン１１０２は、たとえば、接点またはビア上方の層における導電性材料と接点またはビア下方の層における導電性材料との間の最大接触面積とＭＥＥＦとの間の望ましいトレードオフであってもよい。図１１Ｂは、ＶＳＢショット、この例では重なり合わないＶＳＢショットの、５つのショットからなる群１１０４を示しており、それは、所望のパターン１１０２に近いパターンを適正な放射線量で表面上に記録可能である。ショット群１１０４は、ショット１１１０、ショット１１１２、ショット１１１４、ショット１１１６、およびショット１１１８からなり、それらは、この例示的な実施例では、幅および高さが異なる矩形のショットである。ショット群１１０４におけるショットの放射線量は、互いに対して異なっていてもよい。表面をコーティングするレジスト上に記録されたパターンは形状１１２０であり、それは予め定められた公差内で形状１１０２と同等である。この例は、この開示の手法で略円形のパターンがどのように形成可能であるかを例示している。

表面上での円の形成は、多角形などの非円形形状により近似され得る。表面上またはシリコンウェハなどの基板上に円が望まれる場合、結果は、円によく似た曲線形状などの略円であってもよい。

図１０は、光リソグラフィを用いて集積回路などの基板をシリコンウェハ上に作製する際に用いるための表面を準備するためのこの開示の一実施例の概念フローチャート１０００である。このプロセスのための入力は、フォトマスク上に形成される１セットの所望のパターン１００２である。１セットの所望のパターン１００２は１セットの所望の円形パターンを含んでいてもよく、それらは入力装置によって受取られる。ステップ１００４は、マスクデータ準備（ＭＤＰ）ステップである。ＭＤＰステップ１００４は断片化動作を含んでいてもよく、断片化動作では、ショットの重なり合いが許可されても許可されなくてもよく、また、通常以外の放射線量割当てが許可されている。断片化は、１セットのＶＳＢショットを決定するステップを含んでいてもよく、または、ＣＰステンシル情報１００６を用いてＣＰ用文字およびショット放射線量を決定するステップを含んでいてもよく、もしくは、ＶＳＢショットとＣＰショットとの組合せを決定するステップを含んでいてもよい。ＭＤＰステップ１００４はまた、所望のパターンに整合するよう、１つ以上のグリフをグリフライブラリ１００８から選択するステップを含んでいてもよい。選択されたグリフは、パラメータ化されたグリフを含んでいてもよい。ＭＤＰステップ１００４はまた、各所望のパターンを用いるのに最適な方法、すなわちＶＳＢショット、ＣＰ用文字ショット、またはグリフを決定する動作を含んでいてもよい。最適化の基準は、たとえば、ショット回数または荷電粒子ビームシステム書込時間を最小化することであってもよい。ＭＤＰステップ１００４はまた、１セットのショットにより表面上に形成されるパターンを計算するために粒子ビームシミュレーションを用いるステップを含んでいてもよく、計算されたパターンと所望のパターンとの違いが予め定められた公差を上回る場合には、１セットのショットを修正してパターンを再計算するステップも含んでいてもよい。粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、後方散乱、ローディング、フォギング、およびエッチングシミュレーションのうちのいずれかを含んでいてもよく、荷電粒子ビームシステムおよびプロセス情報１０１０を用いてもよい。ＭＤＰステップ１００４は、ＶＳＢおよびＣＰショット、ならびにグリフからのショットの組合されたリストを含む決定されたショットリスト１０１２を、出力装置に出力する。ショットリスト１０１２におけるショットは、放射線量情報を含む。ステップ１０１４で、近接効果補正（ＰＥＣ）および／または他の補正が行なわれてもよく、もしくは、初期の概算から補正が改善されてもよい。ステップ１０１４はショットリスト１０１２を入力として使用し、ショット放射線量が調節された最終的なショットリスト１０１６を生成する。最終的なショットリスト１０１６は、レチクルをコーティングしたレジストを露光するために荷電粒子ビームシステム１０１８によって使用され、それにより１セットのパターン１０２０をレジスト上に形成する。さまざまな処理ステップ１０２２の後で、レチクルはフォト
マスク１０２４に変わる。フォトマスク１０２４は光リソグラフィマシン１０２６において、フォトマスク１０２４上の円形パターンなどの１セットの所望のパターンを、シリコンウェハなどの基板上に転写するために使用され、ウェハ画像１０２８を作成し、それからシリコンウェハが生成される。

図１０におけるグリフ作成ステップ１０３０は、特定の放射線量でのＣＰ用文字ショットから、またはおそらくさまざまな放射線量を有する１セットのＶＳＢショットから、放射線量マップを計算する。グリフ作成ステップ１０３０は、ＣＰステンシル情報１００６を使用する。ＣＰステンシル情報は、異なるサイズの複数の円形のＣＰ用文字についての情報を含んでいてもよい。グリフ作成ステップ１０３０はまた、グリフを計算するために荷電粒子ビームシミュレーションを用いるステップを含んでいてもよい。グリフの粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、およびエッチングシミュレーションのうちのいずれかを含んでいてもよく、荷電粒子ビームシステムおよびプロセス情報１０１０を用いてもよい。グリフ作成ステップ１０３０はまた、パラメータ化されたグリフを作成するための１セットのグリフの計算を含んでいてもよい。

この開示で説明されたさまざまなフローは、適切なコンピュータソフトウェアを有する汎用コンピュータを計算装置として用いて実現されてもよい。必要とされる計算の量が多いため、多数のコンピュータまたはプロセッサコアを並行して使用してもよい。一実施例では、並行処理をサポートするために、フローにおける、計算をたくさん行なう１つ以上のステップ用に、計算を複数の二次元の幾何学的領域に細分してもよい。別の実施例では、単独でまたは多数で使用される特定用途のハードウェア装置を用いて、汎用コンピュータまたはプロセッサコアを用いるよりも速い速度で１つ以上のステップの計算を行なってもよい。この開示で説明された最適化およびシミュレーションプロセスは、シミュレートされたアニーリングなどを用いた反復最適化プロセスを含んでいてもよく、または反復改善のない建設的な、欲張りな、決定論的な、または他のプロセスのみを構成してもよい。

この開示における円への言及はすべて、略円も含むと解釈されるべきである。同様に、円形パターン、円形開口、円形文字、または円形ＣＰ用文字への言及はすべて、略円形パターン、開口、文字、またはＣＰ用文字も含むと解釈されるべきである。また、円筒への言及はすべて、略円筒を含むと解釈されるべきであり、円筒形への言及はすべて、略円筒形を含むべきである。

特定の実施例に関して明細書が詳細に説明されてきたが、当業者であれば、前述の事項を理解した上で、これらの実施例の代替、変更、および均等物を容易に考案し得る、ということが理解されるであろう。この発明の、円形パターンを表面上に製造するためのシステムおよび方法、集積回路を製造するための方法、断片化またはマスクデータ準備のための方法およびシステムに対するこれらのおよび他の修正および変更は、特許請求の範囲により特定的に述べられたこの発明の主題の精神および範囲から逸脱することなく、当業者によって実践され得る。さらに、当業者であれば、前述の説明が単なる例示であり、限定的とは意図されていないことを理解するであろう。このため、この発明の主題は、特許請求の範囲およびそれらの均等物の範囲内に該当するような修正および変更を網羅することが意図されている。

２００ 光リソグラフィマシン、２０２ 照明源、２０４ フォトマスク、２０６ 円形の開口パターン、２０８ レンズ、２１０ パターン、２１２ 表面、３００ 荷電粒子ビーム書込装置、３０２ 粒子または電子ビーム源、３０４ 電子ビーム、３０６ 第１の開口、３０８ 第１のマスク、３１０ 矩形のビーム、３１２ ステンシル、３１４、３１６、３１８、および３２０ 文字、３２４ パターン、３２６ 表面、３２２ 開
口。

Claims (20)

1. 半導体装置を基板上に製造するための方法であって、
   フォトマスクを設けるステップを含み、フォトマスクは複数の円形パターンを含み、フォトマスクは荷電粒子ビームシステムを用いて製造されたものであり、前記方法はさらに、
   フォトマスクの円形パターンを用いて複数の円形パターンを基板上に形成するために、光リソグラフィを用いるステップを含み、
   マスク誤差増大係数（ＭＥＥＦ）は、フォトマスク上の円形フォトマスクパターンを用いることによって、フォトマスク上の矩形パターンに比べて低減し、
   フォトマスク上の円形パターンは、荷電粒子ビームシステムからの複数の可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショットを用いて製造されたものであり、複数のショットにおけるショット同士は互いに重なり合うことができたものであり、複数のショットの結合はフォトマスク上の円形パターンとは異なったものであり、複数のショットにおけるショットの放射線量は互いに対して異なったものである、方法。
2. 基板上の複数の円形パターンは、半導体装置用の接点またはビア用のパターンを含む、請求項１に記載の方法。
3. 荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法であって、
   円として形成される１セットのパターンを表面上に入力するステップと、
   １セットの円形パターンを表面上に形成可能な１セットのショットを決定するステップとを含み、１セットのショットにおけるショットの放射線量は、放射線量の補正の前に互いに対して異なっており、前記方法はさらに、
   放射線量を含む１セットのショットを出力するステップを含み、
   決定するステップは、入力された１セットのパターンにおける選択されたパターンのために可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップを含み、
   １セットのショットの結合は選択されたパターンとは異なっている、方法。
4. １セットのグリフを入力するステップをさらに含み、決定するステップにおいて、１セットのショットはグリフを含む、請求項３に記載の方法。
5. グリフは、パラメータ化されたグリフである、請求項４に記載の方法。
6. 前記ＶＳＢショット同士は互いに重なり合うことができる、請求項３に記載の方法。
7. 前記ＶＳＢショットは、重なり合わないＶＳＢショットである、請求項３に記載の方法。
8. 決定された１セットのショットは次に、フォトマスク上に円を製造するために用いられ、フォトマスクはその後、ウェハ上に円筒を製造するために用いられる、請求項３に記載の方法。
9. 複数の円形パターンを表面上に形成するための方法であって、
   荷電粒子ビーム源を設けるステップと、
   複数の円形のキャラクタプロジェクション（ＣＰ）用キャラクタを含むステンシルを設けるステップとを含み、それを通して荷電粒子ビーム源が発射されてもよく、キャラクタのサイズは、可変放射線量を用いることにより、最小のＣＰ用キャラクタと最大のＣＰ用キャラクタとの間の任意のサイズの円形パターンが表面上に形成されるように計算され、前記方法はさらに、
   放射線量の補正の前にショット放射線量を変えることにより、異なるサイズの複数の円形パターンを、単一のＣＰ用キャラクタを用いて表面上に形成するステップを含む、方法。
10. 複数の円形パターンを表面上に形成するための方法であって、
    荷電粒子ビーム源を設けるステップと、
    複数の円形パターンにおける所望の各円形パターンのために複数の可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップとを含み、ショット同士は互いに重なり合ってもよく、ショットの放射線量は互いに対して異なっていてもよく、複数のショットの結合は所望の円形パターンとは異なっており、前記方法はさらに、
    決定または修正された複数のＶＳＢショットを用いて、複数の円形パターンを表面上に形成するステップを含む、方法。
11. 複数のＶＳＢショットから、表面上の計算されたパターンを計算するステップと、
    計算されたパターンと所望の円形パターンとの違いが予め定められた公差を上回る場合には、複数のＶＳＢショットを修正して、計算されたパターンを再計算するステップとをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
12. 複数のＶＳＢショットは、反復のないやり方で決定される、請求項１０に記載の方法。
13. 計算するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを用いる、請求項１０に記載の方法。
14. 荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、ローディングおよびレジストチャージングからなる群のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
15. 複数のＶＳＢショットを決定するステップにおいて、複数のＶＳＢショットは重なり合わない、請求項１０に記載の方法。
16. 荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステムであって、
    レチクル上に形成される１セットの円形パターンを受取り可能な入力装置と、
    １セットの円形パターンを形成するために使用可能な１セットのショットを決定可能な計算装置とを含み、ショットの放射線量は放射線量の補正の前に互いに対して異なっていてもよく、
    １セットの円形パターンにおける選択されたパターンを形成するために決定されたショットは、複数の可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショットを含み、複数のＶＳＢショットは互いに重なり合ってもよく、複数のＶＳＢショットの結合は選択されたパターンとは異なっており、前記システムはさらに、
    放射線量を含む決定された１セットのショットを受取り可能な出力装置を含む、システム。
17. グリフライブラリをさらに含み、計算装置は、グリフを含み得る１セットのショットを決定可能である、請求項１６に記載のシステム。
18. 複数の円形パターンを表面上に形成するためのシステムであって、
    荷電粒子ビーム源と、
    異なるサイズの１つ以上の円形のキャラクタプロジェクション（ＣＰ）用キャラクタを含むステンシルとを含み、それを通して荷電粒子ビーム源が発射されてもよく、キャラクタのサイズは、可変放射線量を用いることにより、最小のＣＰ用キャラクタと最大のＣＰ用キャラクタとの間の任意のサイズの円形パターンが表面上に形成されるように計算され、前記システムはさらに、
    計算装置を含み、計算装置は、単一のＣＰ用キャラクタを用いて異なるサイズの複数の円形パターンを表面上に形成するために、どの放射線量を使用すべきかを決定可能である、システム。
19. 複数の円形パターンを表面上に形成するためのシステムであって、
    荷電粒子ビーム源と、
    可変成形ビーム（ＶＳＢ）開口を含むステンシルと、
    計算装置とを含み、計算装置は、複数の円形パターンにおける選択された円形パターンのために複数の可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定可能であり、複数のショットは重なり合ってもよく、複数のショットの結合は選択された円形パターンとは異なっている、システム。
20. 計算装置はさらに、
    複数のＶＳＢショットから、表面上の計算されたパターンを計算すること、および
    計算されたパターンと選択された円形パターンとの違いが予め定められた公差を上回る場合には、複数のＶＳＢショットを修正して、計算されたパターンを再計算することが可能である、請求項１９に記載のシステム。