JP3831188B2 - 露光処理装置及び露光処理方法 - Google Patents

露光処理装置及び露光処理方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光処理装置及び露光処理方法、特に荷電ビームによって露光を行うための露光処理装置及び露光処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子ビーム露光における部分一括露光(キャラクタプロジェクション(CP))は、複数の図形を含む数μm程度の領域を開口パターン(CPパターン)として第2成形アパーチャ上に形成し、一括して露光を行う方法であり、電子ビーム露光のスループットを向上させる手段として有望視されている。
【0003】
通常、開口パターン数(CPパターン数)は5個程度であり、CPパターンとCPパターンの第2アパーチャ上の位置に関するテーブルを作成する際に、従来はオペレーターの手入力によって行っていた。
【0004】
CPパターン数は、電子ビーム露光装置のスループット向上をさせるために、増加する傾向にある。CPパターンの種類が100種類を超えるような場合、上記テーブルの作成作業をオペレーターの手入力によって行うことは極めて煩雑である。さらに、この作業に要する時間やオペレーターの入力ミスによる露光の失敗などは、電子ビーム露光における生産性を著しく低下させることになる。
【0005】
一方、CPパターンが形成される基板の厚さは数μm程度と薄いため、ハンドリング等の際にCPパターンに欠損等が生じるおそれがある。このような欠陥を有するパターンをそのまま用いて露光を行うと、所望のパターンとは異なったパターンが露光されてしまうことになり、電子ビーム露光における生産性を著しく低下させることになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来は、CPパターンに関するテーブルの作成作業をオペレーターの手入力によって行っていたため、電子ビーム露光等の荷電ビーム露光における生産性を著しく低下させる要因となっていた。
【0007】
また、欠陥のあるCPパターンをそのまま用いて露光を行うと、目的とするパターンが得られず、荷電ビーム露光における生産性を著しく低下させる低下させる要因となっていた。
【0008】
本発明は、上記従来の課題に対してなされたものであり、荷電ビーム露光における生産性を向上させることが可能な露光処理装置及び露光処理方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る露光処理装置は、荷電ビームによって露光を行うための露光処理装置であって、部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関する情報を取得するパターン情報取得手段と、前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情報を保持するパターン情報保持手段と、前記パターン情報取得手段によって取得された開口パターンに関する情報と、前記パターン情報保持手段に保持された比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別するパターン識別手段と、を備えたことを特徴とする。
【0010】
前記露光処理装置の好ましい態様は以下の通りである。
【0011】
(1)前記パターン識別手段によって得られた前記開口パターンの識別結果に基づき、前記部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成するパターン情報生成手段をさらに備える。
【0012】
(2)前記パターン識別手段によって得られた前記開口パターンの識別結果に基づき、前記パターン情報保持手段に保持された比較パターンに関する情報を修正するパターン情報修正手段をさらに備える。
【0013】
(3)前記パターン情報取得手段は、前記部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに向けて照射された荷電ビームの反射電子、2次電子又は透過電子を検出することで、前記開口パターンに関する情報を取得する。
【0014】
(4)前記パターン情報取得手段は、前記部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンを撮影することで、前記開口パターンに関する情報を取得する。
【0015】
本発明に係る露光処理方法は、荷電ビームによって露光を行うための露光処理方法であって、部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関する情報を取得する工程と、所得された開口パターンに関する情報と、前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別する工程と、を備えたことを特徴とする。
【0016】
前記露光処理方法の好ましい態様は以下の通りである。
【0017】
(1)前記開口パターンの形状を識別する工程で得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成する工程をさらに備える。
【0018】
(2)前記開口パターンの形状を識別する工程で得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記比較パターンに関する情報を修正する工程をさらに備える。
【0019】
本発明によれば、開口パターンに関する情報と比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて開口パターンの形状を識別することにより、荷電ビーム露光における生産性を向上させることが可能となる。
【0020】
すなわち、開口パターンの識別結果に基づき、開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成することにより、開口パターン(CPパターン)に関するテーブルの作成作業を自動化することができるため、オペレーターのデータ入力作業の軽減やオペレーターのデータ入力ミスの防止をはかることができ、荷電ビーム露光における生産性を向上させることが可能となる。
【0021】
また、開口パターンの識別結果に基づき、比較パターンに関する情報を修正することにより、開口パターン(CPパターン)に欠陥があっても、その欠陥を考慮した露光を行うことができるため、露光の失敗を未然に防止することができ、荷電ビーム露光における生産性を向上させることが可能となる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【0023】
(実施形態1)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る露光装置について、その概略構成を示した図である。本装置は、部分一括露光(キャラクタプロジェクション(CP))方式の電子ビーム露光装置であり、加速電圧は50kVである。
【0024】
電子銃1から発生した電子ビーム2aは、第1アパーチャ3を透過し、さらに偏向器4aによって第2アパーチャ(部分一括露光用アパーチャ)5上の所望の位置に照射される。この第2アパーチャには、開口パターン(CPパターン)6が設けられている。CPパターン6を通過した電子ビーム2bは、レンズ系によってウエハ7上に縮小投影される。この装置の縮小率は1/10倍であり、ウエハ上での最大ビームサイズは5μmとなっている。
【0025】
本装置には、第2アパーチャ5の上方に中間検出器8が設けられており、第2アパーチャ5で反射した反射電子及び2次電子を検出することができる。また、試料(ウエハ7)の上方には試料上検出器9が設けられている。この検出器9は、試料上で反射した反射電子及び2次電子の検出を行う。また、試料面とほぼ同一面に設けられたファラデーカップ10は、CPパターン6を通過した電子ビーム2bの電流を検出する。
【0026】
CPパターンの形状を求める方法として、ここでは中間検出器8を用いた方法について説明する。レンズ11bを用いて、電子ビーム2aの焦点を第2アパーチャ5上に合わせる。この状態で、第2アパーチャ5からの反射電子及び2次電子を中間検出器8で検出することにより、CPパターン6の画像を取得することができる。
【0027】
本装置の特徴は、予め図形パターン(CPパターン6)の参照テーブルを有し、ビーム走査によって得られたCPパターンのパターン形状と比較、識別を行う点である。以下、図2を用いて、この機能の説明を行う。
【0028】
まず、第2アパーチャ5上に、レンズ11bを用いてビーム焦点を合わせる。続いて、CPパターン6に対してビーム走査を行い、第2アパーチャ5からの反射電子及び2次電子を中間検出器8で検出する。検出信号は、アンプ21を通って制御回路23内のメモリ24に蓄積され、CPパターン6に対応したCP画像22が得られる。
【0029】
制御回路23内には、図2(b)に示すように、参照テーブル25が予め作成されている。参照テーブル25は、基本的な図形パターンとそれに対応した識別番号(ID0)で管理されている。ここでは、1〜nのID0にそれぞれ、図形パターンが512×512画素の階調データとして記述されている。
【0030】
次に、メモリ24に蓄積されたCP画像22が比較回路26に送れられるとともに、参照テーブル25から図形パターン27が比較回路26に送られる。この比較回路26により、図形パターン27とCP画像22との比較をパターンマッチングによって行うことで、CPパターン6の形状を識別(認識)することができる。
【0031】
さらに、比較回路26での比較結果に基づいて、配置テーブル28を作成する。配置テーブル28には、図2(c)に示すように、第2アパーチャ5上における各CPパターン6の位置を示すCP配置座標、CP用のID1、基本的な図形パターンに対応した識別番号ID0、CP画像が記述されている。
【0032】
次に、上記CP配置テーブル28を用いて露光データを作成する機能について、図3及び図4を用いて説明を行う。
【0033】
まず、LSIの設計データ31を制御計算機32に入力する。この際、設計データ31は、参照テーブル25に記述された基本的な図形パターンの集合として構成されているものとする。
【0034】
設計データ31は、描画データ33aに変換される。この際、設計データの基本図形パターン及びアレイ配置を保持したまま、データ変換を行う。データ変換の際には、各基本図形パターンに識別ID2が振り分けられ、さらにID2及び図形パターン情報がメモリ上に設計データテーブル36として格納される。この際の描画データは、基本図形パターンのID2及び各図形のチップ内での配置情報で構成されている。作成された設計データテーブル36の情報は、比較器34aに送られる。
【0035】
比較器34aでは、設計データテーブル36のID2に対応した第2アパーチャ上の基本図形パターンを、画像データを媒介して参照テーブル25から読み出し、描画データテーブル37aとしてメモリに格納する。描画データテーブル37aには、ID2と対応するID0の情報が記述される。さらに、この描画データテーブル37a内のID0に対応するCP配置情報を、ID0を媒介して配置テーブル28から読み出し、描画データテーブル37bとしてメモリに格納する。作成された描画データテーブル37bは、描画データ33a及びCP配置テーブル28とセットで、描画データセット38として格納される。
【0036】
上述の手順によって作成された描画データセット38を用いて、描画がどのように行われるかを、図5を用いて以下に説明する。
【0037】
制御計算機から、描画データセット38は、描画データ33a、描画データテーブル37b及びCP配置テーブル28に分割されて、それぞれ制御回路50に送られる。これらの描画データ33a、描画データテーブル37b及びCP配置テーブル28は、それぞれメモリ52a、メモリ52b及びメモリ52cに格納される。
【0038】
パターン生成回路51に送られる描画データ33aの形式は、CPの識別番号ID2、CP偏向量及び試料上の描画位置の情報で形成されている。パターン生成回路51には、読み出し装置57により、ID2に対応するCP配置ID1がCP配置テーブル28より読み出され、さらにCP配置情報ID1に対応するCP偏向量データが偏向パラメータテーブル53より読み出される。偏向パラメータテーブル53には、第2アパーチャ上における各CPパターンの偏向量データ(CP偏向器4aの偏向量データ)や試料面上でのフォーカス位置、非点情報などが記述されている。
【0039】
パターン生成回路51によって得られた描画データ54は、偏向アンプ制御部510a及び510b、レンズ制御部511、ステージ56の制御部55等に送られ、各制御部からの信号に基づいて露光が行われる。
【0040】
上述したように、本実施形態によれば、CPパターンの種類が100種類を超えるようなケースにおいても、個々のCPパターンの図形データと第2アパーチャ上の位置を対応させたテーブルの作成作業を自動化することが可能になる。その結果、描画データ作成における操作が容易になり、作業時間を短縮することができるとともに、オペレーターの入力ミスによる露光の失敗がなくなり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。
【0041】
(実施形態2)
上述した実施形態1では、CPパターンの形状を求める方法として中間検出器8を用いたが、ここではファラデーカップを10を用いた方法について、図6を用いて説明する。
【0042】
まず、第2アパーチャ5上に、レンズ11bを用いてビーム焦点を合わせ、CPパターン6に対してビーム走査を行う。CPパターン6を通過した電子ビーム2bは、レンズ11cにより、電子ビーム露光装置の偏向領域中心に位置するファラデーカップ10上に集束され、ファラデーカップ10によって電子ビーム2bが検出される。検出信号は、アンプ21を通って制御回路23内のメモリ24に蓄積され、CPパターン6に対応したCP画像22が得られる。
【0043】
以後の制御回路23内の動作は実施形態1と同様であり、また露光データを作成する機能(図3、図4参照)及び描画機能(図5参照)についても、実施形態1と同様であるため、これらの説明は省略する。
【0044】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。
【0045】
(実施形態3)
上述した実施形態1では、CPパターンの形状を求める方法として中間検出器8を用いたが、ここでは試料上検出器9を用いた方法について、図7を用いて説明する。
【0046】
まず、第2アパーチャ5上に、レンズ11bを用いてビーム焦点を合わせ、CPパターン6に対してビーム走査を行う。CPパターン6を通過した電子ビーム2bは、レンズ11cによりウエハ7上に集束されるとともに、偏向器4bによってウエハ7上に作成されたマーク71上に照射される。試料上検出器9では、マーク71から放出された2次電子及び反射電子を検出する。検出信号は、アンプ21を通って制御回路23内のメモリ24に蓄積され、CPパターン6に対応したCP画像22が得られる。
【0047】
以後の制御回路23内の動作は実施形態1と同様であり、また露光データを作成する機能(図3、図4参照)及び描画機能(図5参照)についても、実施形態1と同様であるため、これらの説明は省略する。
【0048】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。
【0049】
(実施形態4)
上記実施形態1では、参照テーブル25内の図形パターンのデータ形式として、512×512画素の階調データを用いたが、本実施形態では、参照テーブルの図形パターンが、三角形、矩形、台形、円などの基本図形の集合として記述されている。以下、本実施形態について、図8を参照して説明する。
【0050】
図形パターン83は、基本図形の組み合わせとして登録されている。基本図形82には、例えば、大面積矩形は00、縦長矩形は01、横長矩形は02、三角形は03というようにID0がつけられ、基本図形テーブル85に記述されている(図8(c)参照)。図形パターン83の情報は、基本図形82の集合として、参照テーブル81に記述される(図8(b)参照)。
【0051】
以下、本実施形態における配置テーブル28(図8(a)参照)の作成機能について説明する。
【0052】
まず、第2アパーチャ5上に、レンズ11bを用いてビーム焦点を合わせる。続いて、CPパターン6に対してビーム走査を行い、第2アパーチャ5からの反射電子及び2次電子を中間検出器8で検出する。検出信号は、アンプ21を通って制御回路23内のメモリ24に蓄積され、CPパターン6に対応したCP画像22が得られる。
【0053】
制御回路23内には、図8(b)に示すように、参照テーブル81が予め作成されている。参照テーブル81は、基本的な図形パターン83とそれに対応した識別番号(ID0)及び基本図形配置情報で管理されている。
【0054】
次に、メモリ24に蓄積されたCP画像22が比較回路26aに送れられるとともに、基本図形テーブル85から基本図形82が比較回路26aに送られる。比較回路26aでは、CP画像22と基本図形82との比較が行われ、CP画像22は基本図形82の集合情報に書き直される。
【0055】
その後、参照テーブル81から図形パターン83が比較回路26bに送られ、比較回路26bでは、図形パターン83と基本図形の集合情報に書き直されCP画像との比較をパターンマッチングによって行う。さらに、比較回路26bでの比較結果に基づいて、配置テーブル28を作成する。
【0056】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。
【0057】
(実施形態5)
上記実施形態1では、参照テーブル25内の図形パターンのデータ形式として、512×512画素の階調データを用いたが、本実施形態では、参照テーブルの図形パターンが、多角形の頂点座標を含む形式で記述されている。以下、本実施形態について、図9を参照して説明する。
【0058】
図形パターン93は、多角形の頂点数及び図形総数で記述されている。具体的には、図形パターン93の情報は、基本図形92の頂点数と図形パターン93内の図形数で記述される(図9(b)参照)。
【0059】
以下、本実施形態における配置テーブル28(図9(a)参照)の作成機能について説明する。
【0060】
まず、第2アパーチャ5上に、レンズ11bを用いてビーム焦点を合わせる。続いて、CPパターン6に対してビーム走査を行い、第2アパーチャ5からの反射電子及び2次電子を中間検出器8で検出する。検出信号は、アンプ21を通って制御回路23内のメモリ24に蓄積され、CPパターン6に対応したCP画像22が得られる。
【0061】
制御回路23内には、図9(b)に示すように、参照テーブル91が予め作成されている。参照テーブル91は、基本的な図形パターン93とそれに対応した識別番号(ID0)及び基本図形配置情報で管理されている。
【0062】
次に、メモリ24に蓄積されたCP画像22が比較回路26aに送られ、CP画像は図形数と各図形の頂点数の情報に書き直される。
【0063】
続いて、参照テーブル91から図形パターン93が比較回路26bに送られ、比較回路26bでは、図形パターン93と図形数と各図形の頂点数の情報に書き直されCP画像との比較をパターンマッチングによって行う。さらに、比較回路26bでの比較結果に基づいて、配置テーブル28を作成する。
【0064】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。
【0065】
なお、本実施形態では、図形パターンを図形数と各図形の頂点数で記述したが、他の方法でもよい。例えば、参照テーブルの図形パターンが多角形の頂点座標を含む形式で記述されており、且つ頂点座標が基準座標からのべクトルで記述されていてもよい。また、参照テーブルの形式として、図形パターンが、素子の一部機能を有する図形パターンの集合として記述されていてもよい。
【0066】
(実施形態6)
本実施形態では、予め決められたビーム形状及び走査方法により、CPパターン上をビーム走査する機能について説明する。
【0067】
以下、本実施形態における配置テーブル28の作成機能について説明する(図10参照)。
【0068】
第2アパーチャ5上に、レンズ11bを用いてビーム焦点を合わせる点は、他の実施形態と同様である。本実施形態の特徴は、CPパターン6上のビーム走査を図10(b)〜図10(d)に示すように行う点である。
【0069】
まず、第2アパーチャ5上にレンズ11bを用いてビーム焦点を合わせ、CPパターン6に対してビーム走査を行うが、本実施形態では図10に示すように行った。すなわち、図10(b)に示すように、CPパターン6上のビーム走査101を間引いて行った。その結果、中間検出器8の検出信号は、アンプ21を通って制御回路23内のメモリ24に蓄積され、図10(c)に示すようなCP画像102が得られる。なお、比較のため、実施形態1におけるビーム走査を間引かない場合の例を、図11(a)及び(b)に示した。
【0070】
制御回路23内には、参照テーブル25が予め作成されている。参照テーブル25は、基本的な図形パターン27とそれに対応した識別番号(ID0)及び基本図形配置情報で管理されている。また、制御回路23内には、ビーム走査順序を記述した走査テーブル104が設けられている。走査テーブル104内には、512×512画素のビットマップ情報として、ビーム走査順序が記述されている。
【0071】
参照テーブル25から図形パターン27が比較回路26aに送られるとともに、走査テーブル104よりビーム走査情報が比較回路26aに送られる。比較器26aでは、ビーム走査情報と図形パターンとの重ね合わせ演算が行われる。その結果、図10(d)に示すように、図形パターン27bが得られる。図形パターン27b及びCP画像102は比較器26bに送られ、パターンマッチングによるパターン識別が行われ、CP配置テーブル28が作成される。
【0072】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。
【0073】
なお、本実施形態では、図形パターンをビットマップ形式で記述したが、他の方法でもよい。例えば、参照テーブルの図形パターンが多角形の頂点座標を含む形式で記述されており、且つ頂点座標が基準座標からのべクトルで記述されていてもよい。また、参照テーブルの形式として、図形パターンが、素子の一部機能を有する図形パターンの集合として記述されていてもよい。
【0074】
また、図12に示すように、TVカメラ121によってCP画像を取得し、取得した画像によって、CPパターンの形状及び位置を決定してもよい。これにより、CPパターン位置の粗調整が可能になり、高速かつ簡便なビーム走査が可能になる。
【0075】
(実施形態7)
本実施形態では、CPパターン画像を変換する手段として、参照テーブルの図形パターンを所望の関数を用いてぼかす機能について、図13を参照して説明する。
【0076】
本実施形態の露光装置には、図13(a)及び図13(b)に示すように、図形パターンをぼかす手段として、関数テーブル131が備えられている。ここでは、図形パターンをぼかす関数として、ガウシアン関数を用いた。
【0077】
まず、実施形態1等と同様にして得られたCP画像102が、制御回路23内のメモリ24に送られる。制御回路23内の参照テーブル25からは図形パターン27が、関数テーブル131からは関数パターンが、それぞれ重畳回路132に送られる。この重畳回路132では、ガウシアン関数を用いて重畳計算が行われ、図形パターン27のぼかしパターン133が作成される。比較回路26には、重畳回路132からのぼかしパターン133と、メモリ24からのCP画像22が入力され、パターンマッチングによるパターン識別が行われ、CP配置テーブル28が作成される。
【0078】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。また、本実施形態の方法によれば、パターンマッチング精度を向上させることが可能になる。
【0079】
なお、上記実施形態では、図形パターン27をガウシアン関数によってぼかしてから、パターンマッチングを行ったが、他の方法を用いてもよい。例えば、取得したCPパターンの画像データの輪郭抽出を行って、輸郭抽出したデータと参照テーブルとを比較してもよい。
【0080】
また、CPパターン画像の一部分のみを、対応する図形パターンの一部と比較してもよい。その際、取得したCPパターン画像を、参照テーブルの図形パターンの記述形式に変換してもよい。また、ビーム走査によって得られたCPパターン形状と参照テーブルの図形パターンとを比較する際に、パターンのマッチング率の高い順に参照図形をソートし、ソートされた参照図形の特徴的な一部とCPパターン画像を比較してもよい。このような機能を用いることによって、高速なパターンマッチングが可能になる。
【0081】
(実施形態8)
本実施形態は、図形パターンを記述した参照テーブルが、パターン密度をパラメータとしてグループ化されていることを特徴とする。以下、図14を参照して、本実施形態を説明する。
【0082】
本実施形態の参照テーブル141は、図14(b)に示すように、パターン密度をパラメータとしてグループ化されている。ここでは、パターン密度が大きい順に、グループAからグループZまでグルーピングされている。グループAにはパターン密度80%以上の図形パターン142が含まれており、グループZにはパターン密度5%以下の図形パターン142が含まれている。
【0083】
まず、実施形態1等と同様にして得られたCP画像22が、メモリ24を経由して参照回路143に送られる。参照回路143では、CP画像22のパターン密度を求め、パターン密度情報を参照テーブル141に送る。参照テーブル141では、参照回路143からの情報に基づき、パターン密度毎にグルーピングされたグループを選択し、グループ化された図形データ142の情報を比較回路26に送る。比較回路26では、参照テーブル141からのグループ化された図形パターン情報142と、参照回路143からのCP画像22をパターンマッチングによって識別し、CP配置テーブル28を作成する。
【0084】
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能となり、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させることが可能になる。また、本実施形態の方法によれば、パターンマッチング速度及びパターンマッチング精度を向上させることが可能になる。
【0085】
なお、本実施形態では、図形パターンを記述した参照テーブルは、パターン密度をパラメータとしてグループ化されていたが、他の方法でもよい。例えば、参照テーブルが、頂点数及び頂点座標をパラメータとしてグループ化されていてもよい。また、参照テーブルが、ベクトルの方向或いはベクトルの数をパラメータとしてグループ化されていてもよい。さらに、参照テーブルが、基本図形の種類、基本図形の数或いは基本図形の配置をパラメータとしてグループ化されていてもよい。
【0086】
(実施形態9)
本実施形態は、識別された図形パターンの情報に基づいて、マスク(第2アパーチャ)上のCPパターン・配置テーブルの修正を行うことを特徴とする。以下、図15を参照して、本実施形態を説明する。
【0087】
まず、実施形態1等と同様にして得られたCP画像22が、制御回路23内のメモリ24に送られる。制御回路23内には、参照テーブル25が予め作成されている。メモリ24に蓄積されたCP画像22が比較回路26に送れられるとともに、参照テーブル25から図形パターン27が比較回路26に送られる。比較回路26では、図形パターン27とCP画像22の比較、識別をパターンマッチングによって行う。
【0088】
比較回路26での比較結果に基づいて、配置テーブル151を作成する。この際、図15(b)に示すように、パターンがマッチングしない部分152についての欠陥情報153(不足パターンの情報)をCP配置テーブル151に付加する。ここではCPパターンに欠損が生じている場合を示しており、欠陥情報153には、欠陥を補償するためのパターンの大きさ及び位置が記述される。
【0089】
次に、本実施形態の露光方法について、図16(a)を参照して説明する。
【0090】
まず、描画データ161に基づき、検査を行うCPパターンを選択する。続いて、予め作成されている配置テーブル151からCPパターン情報を取得する。取得したCPパターン情報に基づき、CPパターンの検査を行う。検査方法については、上述した通りである。
【0091】
検査したCPパターンに欠陥がある場合には、CP配置テーブル151に欠陥情報を付加する。すなわち、図15に示したように、CPパターンに不足パターンがある場合には、欠陥情報153として補償パターンを付加する。
【0092】
一方、図17(a)に示すように、CPパターンに余分なパターンが生じている場合、このようなパターン22cは使用しないものとする。この場合には、このようなパターン22cの代わりにVSB露光データ25pを作成し、これをCP配置テーブル151に記述する。
【0093】
検査したCPパターン22aに欠陥がない場合(図形パターン27と一致する場合)には、露光量を設定値通り(ここでは1とする)とするが、CPパターン22dが所望寸法(正規の寸法)より小さい場合には、寸法変化を補償するように、ドーズ量変化ΔDを設定露光量に付加する。補償露光量は、図17(b)に示すように、CPパターン寸法とドーズ量との関係を予め用意しておくことで、求めることができる。
【0094】
上述した工程を描画データ161に含まれる全てのCPパターンについて行うことにより、欠陥情報153が付加されたCP配置テーブル151aを得ることができる。
【0095】
次に、このようにして得られたCP配置テーブル151aを用いた露光方法について、図16(b)及び図18を参照して説明する。
【0096】
描画データ161に基づき、CP配置テーブル151aからCPパターン情報が呼び出される。図18(a)に示すように、制御回路23内のパターン発生回路182では、CPパターン情報に基づき、ブランカ181及び偏向器4a及び4bを制御し、露光を行う。例えば、CP配置(0,1)について、欠陥情報が付加されている場合、そのパターンが呼び出された際には、VSBデータを呼び出して露光したり、ブランカ181を制御して露光量を変化させたりする。
【0097】
本実施形態によれば、CPパターン上の欠陥を検査することが可能になるため、露光の際に、欠陥のあるCPパターンを使用しない、或いは他のパターンで代用するなどの方策を講じることによって、露光の失敗をなくすことができる。その結果、電子ビーム露光における生産性が向上する。
【0098】
なお、本実施形態では、参照テーブル内に記述されたCPパターンの寸法もしくは所望寸法からのずれ量に基づき、寸法ずれを修正もしくは補償するように露光量を決定したが、他の方法と併用することも可能である。例えば、参照テーブル内に記述されたCPパターンの寸法もしくは所望寸法からのずれ量に基づき、寸法ずれを修正もしくは補償するように補助パターンを露光データに含めるようにしてもよい。
【0099】
また、本実施形態では、修正された配置テーブルに基づき、露光の際に図形を呼び出す方法について示したが、描画データ自体を変更してもよい。
【0100】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【0101】
【発明の効果】
本発明によれば、開口パターンに関する情報と比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて開口パターンの形状を識別することにより、荷電ビーム露光における生産性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る露光装置本体の概略構成を示した図。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る露光装置について、描画データ作成機能を示した図。
【図4】本発明の第1の実施形態に係る露光装置について、データ作成の流れを示した図。
【図5】本発明の第1の実施形態に係る露光装置について、露光機能を説明するための図。
【図6】本発明の第2の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図7】本発明の第3の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図8】本発明の第4の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図9】本発明の第5の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図10】本発明の第6の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図11】本発明の第1の実施形態に係る露光装置について、ビーム走査方法を示した図。
【図12】本発明の第6の実施形態に係る露光装置の変形例を説明するための図。
【図13】本発明の第7の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図14】本発明の第8の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図15】本発明の第9の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【図16】本発明の第9の実施形態に係る露光装置について、欠陥修正方法の流れを示した図。
【図17】本発明の第9の実施形態に係る露光装置について、欠陥修正方法の具体例を示した図。
【図18】本発明の第9の実施形態に係る露光装置を説明するための図。
【符号の説明】
1…電子銃
2a、2b…電子ビーム
3…第1アパーチャ
4a、4b…偏向器
5…第2アパーチャ(部分一括露光用アパーチャ)
6…CPパターン(開口パターン)
7…ウエハ
8…中間検出器
9…試料上検出器
10…ファラデーカップ
11a、11b、11c…レンズ
21…アンプ
22、102…CP画像
23…制御回路
24…メモリ
25、81、91、141…参照テーブル
26、26a、26b…比較回路
27、27b、83、93、142…図形パターン
28、151、151a…配置テーブル
31…設計データ
32…制御計算機
33a、54、161…描画データ
34a、34b…比較器
36…設計データテーブル
37a、37b…描画データテーブル
38…描画データセット
50…制御回路
51、182…パターン発生回路
52a、52b、52c、52d…メモリ
53…偏向パラメータテーブル
55、510a、510b、511…制御部
56…ステージ
57…読み出し装置
82、92…基本図形
85…基本図形テーブル
104…走査テーブル
121…テレビカメラ
131…関数テーブル
132…重畳回路
133…ぼかしパターン
143…参照回路
181…ブランカ

Claims (6)

  1. 荷電ビームによって露光を行うための露光処理装置であって、
    部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関する情報を取得するパターン情報取得手段と、
    前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情報を保持するパターン情報保持手段と、
    前記パターン情報取得手段によって取得された開口パターンに関する情報と、前記パターン情報保持手段に保持された比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別するパターン識別手段と、
    前記パターン識別手段によって得られた前記開口パターンの識別結果に基づき、前記部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成するパターン情報生成手段と、
    を備えたことを特徴とする露光処理装置。
  2. 荷電ビームによって露光を行うための露光処理装置であって、
    部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関する情報を取得するパターン情報取得手段と、
    前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情報を保持するパターン情報保持手段と、
    前記パターン情報取得手段によって取得された開口パターンに関する情報と、前記パターン情報保持手段に保持された比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別するパターン識別手段と、
    前記開口パターンの形状及び配置に関する情報を保持する配置テーブルと、
    前記パターン識別手段によって得られた前記開口パターンの識別結果に基づき、前記開口パターンの欠陥を補償するための欠陥情報を前記配置テーブルに付加する欠陥情報付加手段と、
    を備えたことを特徴とする露光処理装置。
  3. 前記パターン情報取得手段は、前記部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに向けて照射された荷電ビームの反射電子、2次電子又は透過電子を検出することで、前記開口パターンに関する情報を取得する
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光処理装置。
  4. 前記パターン情報取得手段は、前記部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンを撮影することで、前記開口パターンに関する情報を取得する
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光処理装置。
  5. 荷電ビームによって露光を行うための露光処理方法であって、
    部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関する情報を取得する工程と、
    取得された開口パターンに関する情報と、前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別する工程と、
    前記開口パターンの形状を識別する工程で得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成する工程と、
    を備えたことを特徴とする露光処理方法。
  6. 荷電ビームによって露光を行うための露光処理方法であって、
    部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関する情報を取得する工程と、
    取得された開口パターンに関する情報と、前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別する工程と、
    前記開口パターンの形状を識別する工程で得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記開口パターンの欠陥を補償するための欠陥情報を前記開口パターンの形状及び配置に関する情報を保持する配置テーブルに付加する工程と、
    を備えたことを特徴とする露光処理方法。
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