JP2002110508A - 露光処理装置及び露光処理方法 - Google Patents

露光処理装置及び露光処理方法

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JP2002110508A JP2000294313A JP2000294313A JP2002110508A JP 2002110508 A JP2002110508 A JP 2002110508A JP 2000294313 A JP2000294313 A JP 2000294313A JP 2000294313 A JP2000294313 A JP 2000294313A JP 2002110508 A JP2002110508 A JP 2002110508A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 荷電ビーム露光における生産性を向上させ
る。 【解決手段】 荷電ビームによって露光を行うための露
光処理装置であって、部分一括露光用アパーチャ部５に
形成された開口パターン６に関する情報を取得するパタ
ーン情報取得手段８と、開口パターンと比較される比較
パターン２７に関する情報を保持するパターン情報保持
手段２５と、パターン情報取得手段によって取得された
開口パターンに関する情報と、パターン情報保持手段に
保持された比較パターンに関する情報との比較結果に基
づいて、開口パターンの形状を識別するパターン識別手
段２６とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光処理装置及び
露光処理方法、特に荷電ビームによって露光を行うため
の露光処理装置及び露光処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光における部分一括露光
（キャラクタプロジェクション（ＣＰ））は、複数の図
形を含む数μｍ程度の領域を開口パターン（ＣＰパター
ン）として第２成形アパーチャ上に形成し、一括して露
光を行う方法であり、電子ビーム露光のスループットを
向上させる手段として有望視されている。
【０００３】通常、開口パターン数（ＣＰパターン数）
は５個程度であり、ＣＰパターンとＣＰパターンの第２
アパーチャ上の位置に関するテーブルを作成する際に、
従来はオペレーターの手入力によって行っていた。
【０００４】ＣＰパターン数は、電子ビーム露光装置の
スループット向上をさせるために、増加する傾向にあ
る。ＣＰパターンの種類が１００種類を超えるような場
合、上記テーブルの作成作業をオペレーターの手入力に
よって行うことは極めて煩雑である。さらに、この作業
に要する時間やオペレーターの入力ミスによる露光の失
敗などは、電子ビーム露光における生産性を著しく低下
させることになる。
【０００５】一方、ＣＰパターンが形成される基板の厚
さは数μｍ程度と薄いため、ハンドリング等の際にＣＰ
パターンに欠損等が生じるおそれがある。このような欠
陥を有するパターンをそのまま用いて露光を行うと、所
望のパターンとは異なったパターンが露光されてしまう
ことになり、電子ビーム露光における生産性を著しく低
下させることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来
は、ＣＰパターンに関するテーブルの作成作業をオペレ
ーターの手入力によって行っていたため、電子ビーム露
光等の荷電ビーム露光における生産性を著しく低下させ
る要因となっていた。
【０００７】また、欠陥のあるＣＰパターンをそのまま
用いて露光を行うと、目的とするパターンが得られず、
荷電ビーム露光における生産性を著しく低下させる低下
させる要因となっていた。
【０００８】本発明は、上記従来の課題に対してなされ
たものであり、荷電ビーム露光における生産性を向上さ
せることが可能な露光処理装置及び露光処理方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光処理装
置は、荷電ビームによって露光を行うための露光処理装
置であって、部分一括露光用アパーチャ部に形成された
開口パターンに関する情報を取得するパターン情報取得
手段と、前記開口パターンと比較される比較パターンに
関する情報を保持するパターン情報保持手段と、前記パ
ターン情報取得手段によって取得された開口パターンに
関する情報と、前記パターン情報保持手段に保持された
比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて、前
記開口パターンの形状を識別するパターン識別手段と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】前記露光処理装置の好ましい態様は以下の
通りである。
【００１１】（１）前記パターン識別手段によって得ら
れた前記開口パターンの識別結果に基づき、前記部分一
括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンの形状
及び配置に関する情報を生成するパターン情報生成手段
をさらに備える。
【００１２】（２）前記パターン識別手段によって得ら
れた前記開口パターンの識別結果に基づき、前記パター
ン情報保持手段に保持された比較パターンに関する情報
を修正するパターン情報修正手段をさらに備える。
【００１３】（３）前記パターン情報取得手段は、前記
部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターン
に向けて照射された荷電ビームの反射電子、２次電子又
は透過電子を検出することで、前記開口パターンに関す
る情報を取得する。
【００１４】（４）前記パターン情報取得手段は、前記
部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターン
を撮影することで、前記開口パターンに関する情報を取
得する。
【００１５】本発明に係る露光処理方法は、荷電ビーム
によって露光を行うための露光処理方法であって、部分
一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに関
する情報を取得する工程と、所得された開口パターンに
関する情報と、前記開口パターンと比較される比較パタ
ーンに関する情報との比較結果に基づいて、前記開口パ
ターンの形状を識別する工程と、を備えたことを特徴と
する。
【００１６】前記露光処理方法の好ましい態様は以下の
通りである。
【００１７】（１）前記開口パターンの形状を識別する
工程で得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記
開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成する工
程をさらに備える。
【００１８】（２）前記開口パターンの形状を識別する
工程で得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記
比較パターンに関する情報を修正する工程をさらに備え
る。
【００１９】本発明によれば、開口パターンに関する情
報と比較パターンに関する情報との比較結果に基づいて
開口パターンの形状を識別することにより、荷電ビーム
露光における生産性を向上させることが可能となる。
【００２０】すなわち、開口パターンの識別結果に基づ
き、開口パターンの形状及び配置に関する情報を生成す
ることにより、開口パターン（ＣＰパターン）に関する
テーブルの作成作業を自動化することができるため、オ
ペレーターのデータ入力作業の軽減やオペレーターのデ
ータ入力ミスの防止をはかることができ、荷電ビーム露
光における生産性を向上させることが可能となる。
【００２１】また、開口パターンの識別結果に基づき、
比較パターンに関する情報を修正することにより、開口
パターン（ＣＰパターン）に欠陥があっても、その欠陥
を考慮した露光を行うことができるため、露光の失敗を
未然に防止することができ、荷電ビーム露光における生
産性を向上させることが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
【００２３】（実施形態１）図１は、本発明の第１の実
施形態に係る露光装置について、その概略構成を示した
図である。本装置は、部分一括露光（キャラクタプロジ
ェクション（ＣＰ））方式の電子ビーム露光装置であ
り、加速電圧は５０ｋＶである。
【００２４】電子銃１から発生した電子ビーム２ａは、
第１アパーチャ３を透過し、さらに偏向器４ａによって
第２アパーチャ（部分一括露光用アパーチャ）５上の所
望の位置に照射される。この第２アパーチャには、開口
パターン（ＣＰパターン）６が設けられている。ＣＰパ
ターン６を通過した電子ビーム２ｂは、レンズ系によっ
てウエハ７上に縮小投影される。この装置の縮小率は１
／１０倍であり、ウエハ上での最大ビームサイズは５μ
ｍとなっている。
【００２５】本装置には、第２アパーチャ５の上方に中
間検出器８が設けられており、第２アパーチャ５で反射
した反射電子及び２次電子を検出することができる。ま
た、試料（ウエハ７）の上方には試料上検出器９が設け
られている。この検出器９は、試料上で反射した反射電
子及び２次電子の検出を行う。また、試料面とほぼ同一
面に設けられたファラデーカップ１０は、ＣＰパターン
６を通過した電子ビーム２ｂの電流を検出する。
【００２６】ＣＰパターンの形状を求める方法として、
ここでは中間検出器８を用いた方法について説明する。
レンズ１１ｂを用いて、電子ビーム２ａの焦点を第２ア
パーチャ５上に合わせる。この状態で、第２アパーチャ
５からの反射電子及び２次電子を中間検出器８で検出す
ることにより、ＣＰパターン６の画像を取得することが
できる。
【００２７】本装置の特徴は、予め図形パターン（ＣＰ
パターン６）の参照テーブルを有し、ビーム走査によっ
て得られたＣＰパターンのパターン形状と比較、識別を
行う点である。以下、図２を用いて、この機能の説明を
行う。
【００２８】まず、第２アパーチャ５上に、レンズ１１
ｂを用いてビーム焦点を合わせる。続いて、ＣＰパター
ン６に対してビーム走査を行い、第２アパーチャ５から
の反射電子及び２次電子を中間検出器８で検出する。検
出信号は、アンプ２１を通って制御回路２３内のメモリ
２４に蓄積され、ＣＰパターン６に対応したＣＰ画像２
２が得られる。
【００２９】制御回路２３内には、図２（ｂ）に示すよ
うに、参照テーブル２５が予め作成されている。参照テ
ーブル２５は、基本的な図形パターンとそれに対応した
識別番号（ＩＤ０）で管理されている。ここでは、１〜
ｎのＩＤ０にそれぞれ、図形パターンが５１２×５１２
画素の階調データとして記述されている。
【００３０】次に、メモリ２４に蓄積されたＣＰ画像２
２が比較回路２６に送れられるとともに、参照テーブル
２５から図形パターン２７が比較回路２６に送られる。
この比較回路２６により、図形パターン２７とＣＰ画像
２２との比較をパターンマッチングによって行うこと
で、ＣＰパターン６の形状を識別（認識）することがで
きる。
【００３１】さらに、比較回路２６での比較結果に基づ
いて、配置テーブル２８を作成する。配置テーブル２８
には、図２（ｃ）に示すように、第２アパーチャ５上に
おける各ＣＰパターン６の位置を示すＣＰ配置座標、Ｃ
Ｐ用のＩＤ１、基本的な図形パターンに対応した識別番
号ＩＤ０、ＣＰ画像が記述されている。
【００３２】次に、上記ＣＰ配置テーブル２８を用いて
露光データを作成する機能について、図３及び図４を用
いて説明を行う。
【００３３】まず、ＬＳＩの設計データ３１を制御計算
機３２に入力する。この際、設計データ３１は、参照テ
ーブル２５に記述された基本的な図形パターンの集合と
して構成されているものとする。
【００３４】設計データ３１は、描画データ３３ａに変
換される。この際、設計データの基本図形パターン及び
アレイ配置を保持したまま、データ変換を行う。データ
変換の際には、各基本図形パターンに識別ＩＤ２が振り
分けられ、さらにＩＤ２及び図形パターン情報がメモリ
上に設計データテーブル３６として格納される。この際
の描画データは、基本図形パターンのＩＤ２及び各図形
のチップ内での配置情報で構成されている。作成された
設計データテーブル３６の情報は、比較器３４ａに送ら
れる。
【００３５】比較器３４ａでは、設計データテーブル３
６のＩＤ２に対応した第２アパーチャ上の基本図形パタ
ーンを、画像データを媒介して参照テーブル２５から読
み出し、描画データテーブル３７ａとしてメモリに格納
する。描画データテーブル３７ａには、ＩＤ２と対応す
るＩＤ０の情報が記述される。さらに、この描画データ
テーブル３７ａ内のＩＤ０に対応するＣＰ配置情報を、
ＩＤ０を媒介して配置テーブル２８から読み出し、描画
データテーブル３７ｂとしてメモリに格納する。作成さ
れた描画データテーブル３７ｂは、描画データ３３ａ及
びＣＰ配置テーブル２８とセットで、描画データセット
３８として格納される。
【００３６】上述の手順によって作成された描画データ
セット３８を用いて、描画がどのように行われるかを、
図５を用いて以下に説明する。
【００３７】制御計算機から、描画データセット３８
は、描画データ３３ａ、描画データテーブル３７ｂ及び
ＣＰ配置テーブル２８に分割されて、それぞれ制御回路
５０に送られる。これらの描画データ３３ａ、描画デー
タテーブル３７ｂ及びＣＰ配置テーブル２８は、それぞ
れメモリ５２ａ、メモリ５２ｂ及びメモリ５２ｃに格納
される。
【００３８】パターン生成回路５１に送られる描画デー
タ３３ａの形式は、ＣＰの識別番号ＩＤ２、ＣＰ偏向量
及び試料上の描画位置の情報で形成されている。パター
ン生成回路５１には、読み出し装置５７により、ＩＤ２
に対応するＣＰ配置ＩＤ１がＣＰ配置テーブル２８より
読み出され、さらにＣＰ配置情報ＩＤ１に対応するＣＰ
偏向量データが偏向パラメータテーブル５３より読み出
される。偏向パラメータテーブル５３には、第２アパー
チャ上における各ＣＰパターンの偏向量データ（ＣＰ偏
向器４ａの偏向量データ）や試料面上でのフォーカス位
置、非点情報などが記述されている。
【００３９】パターン生成回路５１によって得られた描
画データ５４は、偏向アンプ制御部５１０ａ及び５１０
ｂ、レンズ制御部５１１、ステージ５６の制御部５５等
に送られ、各制御部からの信号に基づいて露光が行われ
る。
【００４０】上述したように、本実施形態によれば、Ｃ
Ｐパターンの種類が１００種類を超えるようなケースに
おいても、個々のＣＰパターンの図形データと第２アパ
ーチャ上の位置を対応させたテーブルの作成作業を自動
化することが可能になる。その結果、描画データ作成に
おける操作が容易になり、作業時間を短縮することがで
きるとともに、オペレーターの入力ミスによる露光の失
敗がなくなり、電子ビーム露光における生産性を著しく
向上させることが可能になる。
【００４１】（実施形態２）上述した実施形態１では、
ＣＰパターンの形状を求める方法として中間検出器８を
用いたが、ここではファラデーカップを１０を用いた方
法について、図６を用いて説明する。
【００４２】まず、第２アパーチャ５上に、レンズ１１
ｂを用いてビーム焦点を合わせ、ＣＰパターン６に対し
てビーム走査を行う。ＣＰパターン６を通過した電子ビ
ーム２ｂは、レンズ１１ｃにより、電子ビーム露光装置
の偏向領域中心に位置するファラデーカップ１０上に集
束され、ファラデーカップ１０によって電子ビーム２ｂ
が検出される。検出信号は、アンプ２１を通って制御回
路２３内のメモリ２４に蓄積され、ＣＰパターン６に対
応したＣＰ画像２２が得られる。
【００４３】以後の制御回路２３内の動作は実施形態１
と同様であり、また露光データを作成する機能（図３、
図４参照）及び描画機能（図５参照）についても、実施
形態１と同様であるため、これらの説明は省略する。
【００４４】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。
【００４５】（実施形態３）上述した実施形態１では、
ＣＰパターンの形状を求める方法として中間検出器８を
用いたが、ここでは試料上検出器９を用いた方法につい
て、図７を用いて説明する。
【００４６】まず、第２アパーチャ５上に、レンズ１１
ｂを用いてビーム焦点を合わせ、ＣＰパターン６に対し
てビーム走査を行う。ＣＰパターン６を通過した電子ビ
ーム２ｂは、レンズ１１ｃによりウエハ７上に集束され
るとともに、偏向器４ｂによってウエハ７上に作成され
たマーク７１上に照射される。試料上検出器９では、マ
ーク７１から放出された２次電子及び反射電子を検出す
る。検出信号は、アンプ２１を通って制御回路２３内の
メモリ２４に蓄積され、ＣＰパターン６に対応したＣＰ
画像２２が得られる。
【００４７】以後の制御回路２３内の動作は実施形態１
と同様であり、また露光データを作成する機能（図３、
図４参照）及び描画機能（図５参照）についても、実施
形態１と同様であるため、これらの説明は省略する。
【００４８】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。
【００４９】（実施形態４）上記実施形態１では、参照
テーブル２５内の図形パターンのデータ形式として、５
１２×５１２画素の階調データを用いたが、本実施形態
では、参照テーブルの図形パターンが、三角形、矩形、
台形、円などの基本図形の集合として記述されている。
以下、本実施形態について、図８を参照して説明する。
【００５０】図形パターン８３は、基本図形の組み合わ
せとして登録されている。基本図形８２には、例えば、
大面積矩形は００、縦長矩形は０１、横長矩形は０２、
三角形は０３というようにＩＤ０がつけられ、基本図形
テーブル８５に記述されている（図８（ｃ）参照）。図
形パターン８３の情報は、基本図形８２の集合として、
参照テーブル８１に記述される（図８（ｂ）参照）。
【００５１】以下、本実施形態における配置テーブル２
８（図８（ａ）参照）の作成機能について説明する。
【００５２】まず、第２アパーチャ５上に、レンズ１１
ｂを用いてビーム焦点を合わせる。続いて、ＣＰパター
ン６に対してビーム走査を行い、第２アパーチャ５から
の反射電子及び２次電子を中間検出器８で検出する。検
出信号は、アンプ２１を通って制御回路２３内のメモリ
２４に蓄積され、ＣＰパターン６に対応したＣＰ画像２
２が得られる。
【００５３】制御回路２３内には、図８（ｂ）に示すよ
うに、参照テーブル８１が予め作成されている。参照テ
ーブル８１は、基本的な図形パターン８３とそれに対応
した識別番号（ＩＤ０）及び基本図形配置情報で管理さ
れている。
【００５４】次に、メモリ２４に蓄積されたＣＰ画像２
２が比較回路２６ａに送れられるとともに、基本図形テ
ーブル８５から基本図形８２が比較回路２６ａに送られ
る。比較回路２６ａでは、ＣＰ画像２２と基本図形８２
との比較が行われ、ＣＰ画像２２は基本図形８２の集合
情報に書き直される。
【００５５】その後、参照テーブル８１から図形パター
ン８３が比較回路２６ｂに送られ、比較回路２６ｂで
は、図形パターン８３と基本図形の集合情報に書き直さ
れＣＰ画像との比較をパターンマッチングによって行
う。さらに、比較回路２６ｂでの比較結果に基づいて、
配置テーブル２８を作成する。
【００５６】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。
【００５７】（実施形態５）上記実施形態１では、参照
テーブル２５内の図形パターンのデータ形式として、５
１２×５１２画素の階調データを用いたが、本実施形態
では、参照テーブルの図形パターンが、多角形の頂点座
標を含む形式で記述されている。以下、本実施形態につ
いて、図９を参照して説明する。
【００５８】図形パターン９３は、多角形の頂点数及び
図形総数で記述されている。具体的には、図形パターン
９３の情報は、基本図形９２の頂点数と図形パターン９
３内の図形数で記述される（図９（ｂ）参照）。
【００５９】以下、本実施形態における配置テーブル２
８（図９（ａ）参照）の作成機能について説明する。
【００６０】まず、第２アパーチャ５上に、レンズ１１
ｂを用いてビーム焦点を合わせる。続いて、ＣＰパター
ン６に対してビーム走査を行い、第２アパーチャ５から
の反射電子及び２次電子を中間検出器８で検出する。検
出信号は、アンプ２１を通って制御回路２３内のメモリ
２４に蓄積され、ＣＰパターン６に対応したＣＰ画像２
２が得られる。
【００６１】制御回路２３内には、図９（ｂ）に示すよ
うに、参照テーブル９１が予め作成されている。参照テ
ーブル９１は、基本的な図形パターン９３とそれに対応
した識別番号（ＩＤ０）及び基本図形配置情報で管理さ
れている。
【００６２】次に、メモリ２４に蓄積されたＣＰ画像２
２が比較回路２６ａに送られ、ＣＰ画像は図形数と各図
形の頂点数の情報に書き直される。
【００６３】続いて、参照テーブル９１から図形パター
ン９３が比較回路２６ｂに送られ、比較回路２６ｂで
は、図形パターン９３と図形数と各図形の頂点数の情報
に書き直されＣＰ画像との比較をパターンマッチングに
よって行う。さらに、比較回路２６ｂでの比較結果に基
づいて、配置テーブル２８を作成する。
【００６４】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。
【００６５】なお、本実施形態では、図形パターンを図
形数と各図形の頂点数で記述したが、他の方法でもよ
い。例えば、参照テーブルの図形パターンが多角形の頂
点座標を含む形式で記述されており、且つ頂点座標が基
準座標からのべクトルで記述されていてもよい。また、
参照テーブルの形式として、図形パターンが、素子の一
部機能を有する図形パターンの集合として記述されてい
てもよい。
【００６６】（実施形態６）本実施形態では、予め決め
られたビーム形状及び走査方法により、ＣＰパターン上
をビーム走査する機能について説明する。
【００６７】以下、本実施形態における配置テーブル２
８の作成機能について説明する（図１０参照）。
【００６８】第２アパーチャ５上に、レンズ１１ｂを用
いてビーム焦点を合わせる点は、他の実施形態と同様で
ある。本実施形態の特徴は、ＣＰパターン６上のビーム
走査を図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）に示すように行う点
である。
【００６９】まず、第２アパーチャ５上にレンズ１１ｂ
を用いてビーム焦点を合わせ、ＣＰパターン６に対して
ビーム走査を行うが、本実施形態では図１０に示すよう
に行った。すなわち、図１０（ｂ）に示すように、ＣＰ
パターン６上のビーム走査１０１を間引いて行った。そ
の結果、中間検出器８の検出信号は、アンプ２１を通っ
て制御回路２３内のメモリ２４に蓄積され、図１０
（ｃ）に示すようなＣＰ画像１０２が得られる。なお、
比較のため、実施形態１におけるビーム走査を間引かな
い場合の例を、図１１（ａ）及び（ｂ）に示した。
【００７０】制御回路２３内には、参照テーブル２５が
予め作成されている。参照テーブル２５は、基本的な図
形パターン２７とそれに対応した識別番号（ＩＤ０）及
び基本図形配置情報で管理されている。また、制御回路
２３内には、ビーム走査順序を記述した走査テーブル１
０４が設けられている。走査テーブル１０４内には、５
１２×５１２画素のビットマップ情報として、ビーム走
査順序が記述されている。
【００７１】参照テーブル２５から図形パターン２７が
比較回路２６ａに送られるとともに、走査テーブル１０
４よりビーム走査情報が比較回路２６ａに送られる。比
較器２６ａでは、ビーム走査情報と図形パターンとの重
ね合わせ演算が行われる。その結果、図１０（ｄ）に示
すように、図形パターン２７ｂが得られる。図形パター
ン２７ｂ及びＣＰ画像１０２は比較器２６ｂに送られ、
パターンマッチングによるパターン識別が行われ、ＣＰ
配置テーブル２８が作成される。
【００７２】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。
【００７３】なお、本実施形態では、図形パターンをビ
ットマップ形式で記述したが、他の方法でもよい。例え
ば、参照テーブルの図形パターンが多角形の頂点座標を
含む形式で記述されており、且つ頂点座標が基準座標か
らのべクトルで記述されていてもよい。また、参照テー
ブルの形式として、図形パターンが、素子の一部機能を
有する図形パターンの集合として記述されていてもよ
い。
【００７４】また、図１２に示すように、ＴＶカメラ１
２１によってＣＰ画像を取得し、取得した画像によっ
て、ＣＰパターンの形状及び位置を決定してもよい。こ
れにより、ＣＰパターン位置の粗調整が可能になり、高
速かつ簡便なビーム走査が可能になる。
【００７５】（実施形態７）本実施形態では、ＣＰパタ
ーン画像を変換する手段として、参照テーブルの図形パ
ターンを所望の関数を用いてぼかす機能について、図１
３を参照して説明する。
【００７６】本実施形態の露光装置には、図１３（ａ）
及び図１３（ｂ）に示すように、図形パターンをぼかす
手段として、関数テーブル１３１が備えられている。こ
こでは、図形パターンをぼかす関数として、ガウシアン
関数を用いた。
【００７７】まず、実施形態１等と同様にして得られた
ＣＰ画像１０２が、制御回路２３内のメモリ２４に送ら
れる。制御回路２３内の参照テーブル２５からは図形パ
ターン２７が、関数テーブル１３１からは関数パターン
が、それぞれ重畳回路１３２に送られる。この重畳回路
１３２では、ガウシアン関数を用いて重畳計算が行わ
れ、図形パターン２７のぼかしパターン１３３が作成さ
れる。比較回路２６には、重畳回路１３２からのぼかし
パターン１３３と、メモリ２４からのＣＰ画像２２が入
力され、パターンマッチングによるパターン識別が行わ
れ、ＣＰ配置テーブル２８が作成される。
【００７８】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。また、本実施形態の方法によれば、
パターンマッチング精度を向上させることが可能にな
る。
【００７９】なお、上記実施形態では、図形パターン２
７をガウシアン関数によってぼかしてから、パターンマ
ッチングを行ったが、他の方法を用いてもよい。例え
ば、取得したＣＰパターンの画像データの輪郭抽出を行
って、輸郭抽出したデータと参照テーブルとを比較して
もよい。
【００８０】また、ＣＰパターン画像の一部分のみを、
対応する図形パターンの一部と比較してもよい。その
際、取得したＣＰパターン画像を、参照テーブルの図形
パターンの記述形式に変換してもよい。また、ビーム走
査によって得られたＣＰパターン形状と参照テーブルの
図形パターンとを比較する際に、パターンのマッチング
率の高い順に参照図形をソートし、ソートされた参照図
形の特徴的な一部とＣＰパターン画像を比較してもよ
い。このような機能を用いることによって、高速なパタ
ーンマッチングが可能になる。
【００８１】（実施形態８）本実施形態は、図形パター
ンを記述した参照テーブルが、パターン密度をパラメー
タとしてグループ化されていることを特徴とする。以
下、図１４を参照して、本実施形態を説明する。
【００８２】本実施形態の参照テーブル１４１は、図１
４（ｂ）に示すように、パターン密度をパラメータとし
てグループ化されている。ここでは、パターン密度が大
きい順に、グループＡからグループＺまでグルーピング
されている。グループＡにはパターン密度８０％以上の
図形パターン１４２が含まれており、グループＺにはパ
ターン密度５％以下の図形パターン１４２が含まれてい
る。
【００８３】まず、実施形態１等と同様にして得られた
ＣＰ画像２２が、メモリ２４を経由して参照回路１４３
に送られる。参照回路１４３では、ＣＰ画像２２のパタ
ーン密度を求め、パターン密度情報を参照テーブル１４
１に送る。参照テーブル１４１では、参照回路１４３か
らの情報に基づき、パターン密度毎にグルーピングされ
たグループを選択し、グループ化された図形データ１４
２の情報を比較回路２６に送る。比較回路２６では、参
照テーブル１４１からのグループ化された図形パターン
情報１４２と、参照回路１４３からのＣＰ画像２２をパ
ターンマッチングによって識別し、ＣＰ配置テーブル２
８を作成する。
【００８４】本実施形態においても、第１の実施形態と
同様、テーブルの作成作業を自動化することが可能とな
り、電子ビーム露光における生産性を著しく向上させる
ことが可能になる。また、本実施形態の方法によれば、
パターンマッチング速度及びパターンマッチング精度を
向上させることが可能になる。
【００８５】なお、本実施形態では、図形パターンを記
述した参照テーブルは、パターン密度をパラメータとし
てグループ化されていたが、他の方法でもよい。例え
ば、参照テーブルが、頂点数及び頂点座標をパラメータ
としてグループ化されていてもよい。また、参照テーブ
ルが、ベクトルの方向或いはベクトルの数をパラメータ
としてグループ化されていてもよい。さらに、参照テー
ブルが、基本図形の種類、基本図形の数或いは基本図形
の配置をパラメータとしてグループ化されていてもよ
い。
【００８６】（実施形態９）本実施形態は、識別された
図形パターンの情報に基づいて、マスク（第２アパーチ
ャ）上のＣＰパターン・配置テーブルの修正を行うこと
を特徴とする。以下、図１５を参照して、本実施形態を
説明する。
【００８７】まず、実施形態１等と同様にして得られた
ＣＰ画像２２が、制御回路２３内のメモリ２４に送られ
る。制御回路２３内には、参照テーブル２５が予め作成
されている。メモリ２４に蓄積されたＣＰ画像２２が比
較回路２６に送れられるとともに、参照テーブル２５か
ら図形パターン２７が比較回路２６に送られる。比較回
路２６では、図形パターン２７とＣＰ画像２２の比較、
識別をパターンマッチングによって行う。
【００８８】比較回路２６での比較結果に基づいて、配
置テーブル１５１を作成する。この際、図１５（ｂ）に
示すように、パターンがマッチングしない部分１５２に
ついての欠陥情報１５３（不足パターンの情報）をＣＰ
配置テーブル１５１に付加する。ここではＣＰパターン
に欠損が生じている場合を示しており、欠陥情報１５３
には、欠陥を補償するためのパターンの大きさ及び位置
が記述される。
【００８９】次に、本実施形態の露光方法について、図
１６（ａ）を参照して説明する。
【００９０】まず、描画データ１６１に基づき、検査を
行うＣＰパターンを選択する。続いて、予め作成されて
いる配置テーブル１５１からＣＰパターン情報を取得す
る。取得したＣＰパターン情報に基づき、ＣＰパターン
の検査を行う。検査方法については、上述した通りであ
る。
【００９１】検査したＣＰパターンに欠陥がある場合に
は、ＣＰ配置テーブル１５１に欠陥情報を付加する。す
なわち、図１５に示したように、ＣＰパターンに不足パ
ターンがある場合には、欠陥情報１５３として補償パタ
ーンを付加する。
【００９２】一方、図１７（ａ）に示すように、ＣＰパ
ターンに余分なパターンが生じている場合、このような
パターン２２ｃは使用しないものとする。この場合に
は、このようなパターン２２ｃの代わりにＶＳＢ露光デ
ータ２５ｐを作成し、これをＣＰ配置テーブル１５１に
記述する。
【００９３】検査したＣＰパターン２２ａに欠陥がない
場合（図形パターン２７と一致する場合）には、露光量
を設定値通り（ここでは１とする）とするが、ＣＰパタ
ーン２２ｄが所望寸法（正規の寸法）より小さい場合に
は、寸法変化を補償するように、ドーズ量変化ΔＤを設
定露光量に付加する。補償露光量は、図１７（ｂ）に示
すように、ＣＰパターン寸法とドーズ量との関係を予め
用意しておくことで、求めることができる。
【００９４】上述した工程を描画データ１６１に含まれ
る全てのＣＰパターンについて行うことにより、欠陥情
報１５３が付加されたＣＰ配置テーブル１５１ａを得る
ことができる。
【００９５】次に、このようにして得られたＣＰ配置テ
ーブル１５１ａを用いた露光方法について、図１６
（ｂ）及び図１８を参照して説明する。
【００９６】描画データ１６１に基づき、ＣＰ配置テー
ブル１５１ａからＣＰパターン情報が呼び出される。図
１８（ａ）に示すように、制御回路２３内のパターン発
生回路１８２では、ＣＰパターン情報に基づき、ブラン
カ１８１及び偏向器４ａ及び４ｂを制御し、露光を行
う。例えば、ＣＰ配置（０，１）について、欠陥情報が
付加されている場合、そのパターンが呼び出された際に
は、ＶＳＢデータを呼び出して露光したり、ブランカ１
８１を制御して露光量を変化させたりする。
【００９７】本実施形態によれば、ＣＰパターン上の欠
陥を検査することが可能になるため、露光の際に、欠陥
のあるＣＰパターンを使用しない、或いは他のパターン
で代用するなどの方策を講じることによって、露光の失
敗をなくすことができる。その結果、電子ビーム露光に
おける生産性が向上する。
【００９８】なお、本実施形態では、参照テーブル内に
記述されたＣＰパターンの寸法もしくは所望寸法からの
ずれ量に基づき、寸法ずれを修正もしくは補償するよう
に露光量を決定したが、他の方法と併用することも可能
である。例えば、参照テーブル内に記述されたＣＰパタ
ーンの寸法もしくは所望寸法からのずれ量に基づき、寸
法ずれを修正もしくは補償するように補助パターンを露
光データに含めるようにしてもよい。
【００９９】また、本実施形態では、修正された配置テ
ーブルに基づき、露光の際に図形を呼び出す方法につい
て示したが、描画データ自体を変更してもよい。
【０１００】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み
合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例え
ば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除
されても、所定の効果が得られるものであれば発明とし
て抽出され得る。
【０１０１】
【発明の効果】本発明によれば、開口パターンに関する
情報と比較パターンに関する情報との比較結果に基づい
て開口パターンの形状を識別することにより、荷電ビー
ム露光における生産性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る露光装置本体の
概略構成を示した図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る露光装置を説明
するための図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る露光装置につい
て、描画データ作成機能を示した図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る露光装置につい
て、データ作成の流れを示した図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る露光装置につい
て、露光機能を説明するための図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る露光装置を説明
するための図。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る露光装置を説明
するための図。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る露光装置を説明
するための図。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る露光装置を説明
するための図。
【図１０】本発明の第６の実施形態に係る露光装置を説
明するための図。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る露光装置につ
いて、ビーム走査方法を示した図。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る露光装置の変
形例を説明するための図。
【図１３】本発明の第７の実施形態に係る露光装置を説
明するための図。
【図１４】本発明の第８の実施形態に係る露光装置を説
明するための図。
【図１５】本発明の第９の実施形態に係る露光装置を説
明するための図。
【図１６】本発明の第９の実施形態に係る露光装置につ
いて、欠陥修正方法の流れを示した図。
【図１７】本発明の第９の実施形態に係る露光装置につ
いて、欠陥修正方法の具体例を示した図。
【図１８】本発明の第９の実施形態に係る露光装置を説
明するための図。
【符号の説明】
１…電子銃 ２ａ、２ｂ…電子ビーム ３…第１アパーチャ ４ａ、４ｂ…偏向器 ５…第２アパーチャ（部分一括露光用アパーチャ） ６…ＣＰパターン（開口パターン） ７…ウエハ ８…中間検出器 ９…試料上検出器 １０…ファラデーカップ １１ａ、１１ｂ、１１ｃ…レンズ ２１…アンプ ２２、１０２…ＣＰ画像 ２３…制御回路 ２４…メモリ ２５、８１、９１、１４１…参照テーブル ２６、２６ａ、２６ｂ…比較回路 ２７、２７ｂ、８３、９３、１４２…図形パターン ２８、１５１、１５１ａ…配置テーブル ３１…設計データ ３２…制御計算機 ３３ａ、５４、１６１…描画データ ３４ａ、３４ｂ…比較器 ３６…設計データテーブル ３７ａ、３７ｂ…描画データテーブル ３８…描画データセット ５０…制御回路 ５１、１８２…パターン発生回路 ５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ…メモリ ５３…偏向パラメータテーブル ５５、５１０ａ、５１０ｂ、５１１…制御部 ５６…ステージ ５７…読み出し装置 ８２、９２…基本図形 ８５…基本図形テーブル １０４…走査テーブル １２１…テレビカメラ １３１…関数テーブル １３２…重畳回路 １３３…ぼかしパターン １４３…参照回路 １８１…ブランカ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】荷電ビームによって露光を行うための露光
    処理装置であって、 部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターン
    に関する情報を取得するパターン情報取得手段と、 前記開口パターンと比較される比較パターンに関する情
    報を保持するパターン情報保持手段と、 前記パターン情報取得手段によって取得された開口パタ
    ーンに関する情報と、前記パターン情報保持手段に保持
    された比較パターンに関する情報との比較結果に基づい
    て、前記開口パターンの形状を識別するパターン識別手
    段と、 を備えたことを特徴とする露光処理装置。
  2. 【請求項２】前記パターン識別手段によって得られた前
    記開口パターンの識別結果に基づき、前記部分一括露光
    用アパーチャ部に形成された開口パターンの形状及び配
    置に関する情報を生成するパターン情報生成手段をさら
    に備えたことを特徴とする請求項１に記載の露光処理装
    置。
  3. 【請求項３】前記パターン識別手段によって得られた前
    記開口パターンの識別結果に基づき、前記パターン情報
    保持手段に保持された比較パターンに関する情報を修正
    するパターン情報修正手段をさらに備えたことを特徴と
    する請求項１に記載の露光処理装置。
  4. 【請求項４】前記パターン情報取得手段は、前記部分一
    括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンに向け
    て照射された荷電ビームの反射電子、２次電子又は透過
    電子を検出することで、前記開口パターンに関する情報
    を取得することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
    に記載の露光処理装置。
  5. 【請求項５】前記パターン情報取得手段は、前記部分一
    括露光用アパーチャ部に形成された開口パターンを撮影
    することで、前記開口パターンに関する情報を取得する
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露
    光処理装置。
  6. 【請求項６】荷電ビームによって露光を行うための露光
    処理方法であって、 部分一括露光用アパーチャ部に形成された開口パターン
    に関する情報を取得する工程と、 所得された開口パターンに関する情報と、前記開口パタ
    ーンと比較される比較パターンに関する情報との比較結
    果に基づいて、前記開口パターンの形状を識別する工程
    と、 を備えたことを特徴とする露光処理方法。
  7. 【請求項７】前記開口パターンの形状を識別する工程で
    得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記開口パ
    ターンの形状及び配置に関する情報を生成する工程をさ
    らに備えたことを特徴とする請求項６に記載の露光処理
    方法。
  8. 【請求項８】前記開口パターンの形状を識別する工程で
    得られた開口パターンの識別結果に基づき、前記比較パ
    ターンに関する情報を修正する工程をさらに備えたこと
    を特徴とする請求項６に記載の露光処理方法。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062562A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 D2S Inc 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム
JP2011049556A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 D2S Inc フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法、パターンセット形成方法、半導体素子製造方法、およびフラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための装置
JP2013502729A (ja) * 2009-08-21 2013-01-24 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド キャラクタプロジェクションリソグラフィを用いて可変倍率で表面を製造するための方法および装置
US8609306B2 (en) 2008-09-01 2013-12-17 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US8669023B2 (en) 2008-09-01 2014-03-11 D2S, Inc. Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography
US8828628B2 (en) 2008-09-01 2014-09-09 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US9038003B2 (en) 2012-04-18 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9043734B2 (en) 2008-09-01 2015-05-26 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9091946B2 (en) 2011-04-26 2015-07-28 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9372391B2 (en) 2008-09-01 2016-06-21 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9400857B2 (en) 2011-09-19 2016-07-26 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294754A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Toshiba Corp 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、電子ビーム描画プログラム及び直接描画方式を用いた半導体装置の製造方法
US7230240B2 (en) * 2004-08-31 2007-06-12 Credence Systems Corporation Enhanced scanning control of charged particle beam systems
JP2006294794A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Toshiba Corp 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法
JP2006310392A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Toshiba Corp 電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画装置
JP2007115999A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Toshiba Corp キャラクタプロジェクション（ｃｐ）方式の荷電粒子ビーム露光方法、キャラクタプロジェクション方式の荷電粒子ビーム露光装置及びプログラム
US10495982B2 (en) * 2013-10-28 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for real-time overlay error reduction

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2526326B2 (ja) 1990-08-31 1996-08-21 富士通株式会社 露光処理システム装置
JP2907527B2 (ja) 1990-11-09 1999-06-21 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法
JP3105670B2 (ja) * 1992-11-26 2000-11-06 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法
US6300629B1 (en) * 1998-09-30 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Defect review SEM with automatically switchable detector
JP2000150341A (ja) * 1998-11-09 2000-05-30 Nec Corp 荷電粒子線直描データ作成方法、荷電粒子線直描データ検証方法、荷電粒子線直描データ表示方法及び露光装置
JP2001060546A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
DE10034412A1 (de) * 2000-07-14 2002-01-24 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Verfahren zur Elektronenstrahl-Lithographie und elektronen-optisches Lithographiesystem

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9715169B2 (en) 2008-09-01 2017-07-25 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9372391B2 (en) 2008-09-01 2016-06-21 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9268214B2 (en) 2008-09-01 2016-02-23 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US8609306B2 (en) 2008-09-01 2013-12-17 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US9274412B2 (en) 2008-09-01 2016-03-01 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US8828628B2 (en) 2008-09-01 2014-09-09 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US10101648B2 (en) 2008-09-01 2018-10-16 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
JP2010062562A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 D2S Inc 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム
US8669023B2 (en) 2008-09-01 2014-03-11 D2S, Inc. Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography
US9625809B2 (en) 2008-09-01 2017-04-18 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US8900778B2 (en) 2008-09-01 2014-12-02 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US9043734B2 (en) 2008-09-01 2015-05-26 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US8852831B2 (en) 2009-08-21 2014-10-07 D2S, Inc. Device for manufacturing a surface using character projection lithography with variable magnification
JP2013502729A (ja) * 2009-08-21 2013-01-24 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド キャラクタプロジェクションリソグラフィを用いて可変倍率で表面を製造するための方法および装置
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
JP2011049556A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 D2S Inc フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法、パターンセット形成方法、半導体素子製造方法、およびフラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための装置
US8916315B2 (en) 2009-08-26 2014-12-23 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9091946B2 (en) 2011-04-26 2015-07-28 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9465297B2 (en) 2011-06-25 2016-10-11 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9400857B2 (en) 2011-09-19 2016-07-26 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US10031413B2 (en) 2011-09-19 2018-07-24 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US9038003B2 (en) 2012-04-18 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography
US9859100B2 (en) 2012-04-18 2018-01-02 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
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