JP5749905B2 - フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法、パターンセット形成方法、半導体素子製造方法、およびフラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための装置 - Google Patents
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Description
本願は、1)2009年10月21日に出願された「ドラッグショットを用いて成形荷電粒子ビーム書込装置で書込むためのパターンのフラクチャリング方法(Method For Fracturing A Pattern For Writing With A Shaped Charged Particle Beam Writing System Using Dragged Shots)」と題された米国特許出願連続番号12/603,580の一部継続出願であり、2)2009年8月26日に出願された「荷電粒子ビームリソグラフィを用いた表面製造のための方法および装置(Method and System For Manufacturing a Surface Using Charged Particle Beam Lithography)」と題された米国仮特許出願連続番号61/237,290に基づく優先権を主張し、この両出願はすべての目的で引用によって本明細書に援用される。
本発明はリソグラフィに関し、特に、荷電粒子ビーム書込装置の設計、およびレチクル、ウェハ、またはいずれかの他の表面であり得る表面を製造するための荷電粒子ビーム書込装置の使用方法に関する。
フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法および装置であって、一連の曲線キャラクタプロジェクタショットが幅が変化し得る連続的なトラックを表面上に形成可能なように、当該ショットのセットを荷電粒子ビーム書込装置について決定する方法および装置が開示される。一連の曲線キャラクタプロジェクションショットを用いて表面上に連続的なトラックを形成する方法も開示される。
本発明は、一連の曲線CPショットを生成および露光して表面上に連続的なトラックを形成することを説明する。一連のショットは空間的な連続を形成し、どのような時間的順序でも書込可能である。なお、本明細書中で説明されるさまざまな実施例で用いられるショット数は例示的なものにすぎず、本発明の一連のショットは、所望のターゲットパターンを達成するために所望の通りに2つ以上であり得る。
Claims (24)
- キャラクタプロジェクション(CP)荷電粒子ビームリソグラフィのためのフラクチャリング、またはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法であって、
表面上に形成されるパターンセットを入力するステップと、
2つ以上の曲線キャラクタを含む、ステンシル上の利用可能なキャラクタプロジェクション(CP)キャラクタのセットを入力するステップと、
利用可能な前記CPキャラクタのセットの中から選択された1つ以上の曲線CPキャラクタの2つ以上の連続ショットを決定するステップとを備え、前記連続ショットは、前記表面上に連続的なトラックを形成可能であり、前記トラックは、前記パターンセットの中のパターンの一部を含み、前記決定するステップは、前記表面上の予め定められたパターン精度公差を達成しつつ、前記表面上に前記パターンセットを形成するために必要な時間を最小限に抑えるステップをさらに含み、前記方法はさらに、
前記連続ショットを出力するステップを備える、方法。 - 前記連続ショットの中の1対のショットは前記表面上で一部重複する、請求項1に記載の方法。
- 前記連続ショットの中のすべてのショットは、利用可能な前記CPキャラクタのセットの中の単一の曲線CPキャラクタを用いる、請求項1に記載の方法。
- 前記連続ショットの中のショットによって用いられる前記1つ以上の曲線CPキャラクタは、円形または略円形である、請求項1に記載の方法。
- 前記連続ショットの中のショットによって用いられる前記1つ以上の曲線CPキャラクタは、楕円形、略楕円形、長円形、略長円形、環状、略環状、楕円環状、略楕円環状、長円環状、または略長円環状である、請求項1に記載の方法。
- 前記トラックは、前記パターンセットの中の完全なパターンを形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記トラックは、前記パターンセットの中のパターンの外周を形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記トラックは曲線である、請求項1に記載の方法。
- 前記連続ショットの中の各ショットは線量を含み、前記連続ショットの中のショットの前記線量は互いに異なり得、前記連続ショットの中の前記ショットの前記線量は後で調整され得る、請求項1に記載の方法。
- 前記連続ショットを決定するステップは、前記連続ショットの中のショットについてのビームぼけ半径を決定するステップを含み、前記連続ショットを出力するステップは、前記連続ショットの中のショットのためのビームぼけ半径情報を出力するステップを含み、前記連続ショットの中のショットについての決定されたビームぼけは、ターゲット荷電粒子ビーム書込装置に利用可能な最小ビームぼけよりも大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンセットを形成するために必要な時間を最小限に抑えるステップは、予め定められた前記パターン精度公差内でのトラック幅変化を達成しつつ、ショット数を最小限に抑えるようにショット同士の間隔を計算するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記決定するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを用いるステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、ローディング、およびレジスト帯電からなるグループのうちの少なくとも1つを含む、請求項12に記載の方法。
- 表面上にパターンセットを形成するための方法であって、
荷電粒子ビーム源を提供するステップと、
2つ以上の曲線キャラクタを含む、ステンシル上のキャラクタプロジェクション(CP)キャラクタのセットを提供するステップと、
前記CPキャラクタのセットの中から選択された1つ以上の曲線CPキャラクタの2つ以上の連続ショットを露光するステップとを備え、前記連続ショットは、前記表面上に連続的なトラックを形成し、前記トラックは、前記パターンセットの中のパターンの一部を含み、前記2つ以上の連続ショットは、前記表面上の予め定められたパターン精度公差を達成しつつ、前記表面上に前記パターンセットを形成するために必要な時間を最小限に抑えるように決定される、方法。 - 前記連続ショットの中の1対のショットは前記表面上で一部重複する、請求項14に記載の方法。
- 前記連続ショットの中のすべてのショットは、利用可能な前記CPキャラクタのセットの中の単一の曲線CPキャラクタを用いる、請求項14に記載の方法。
- 前記連続ショットの中のショットによって用いられる前記1つ以上の曲線CPキャラクタは、円形または略円形である、請求項14に記載の方法。
- 前記連続ショットの中のショットによって用いられる前記1つ以上の曲線CPキャラクタは、楕円形、略楕円形、長円形、略長円形、環状、略環状、楕円環状、略楕円環状、長円環状、または略長円環状である、請求項14に記載の方法。
- 前記トラックは、前記パターンセットの中のパターンの外周を形成する、請求項14に記載の方法。
- 前記トラックは曲線である、請求項14に記載の方法。
- 前記連続ショットの中の各ショットはビームぼけ半径を含み、前記連続ショットの中の少なくとも1つのショットは、最小よりも大きいビームぼけで形成される、請求項14に記載の方法。
- 前記表面は半導体ウェハであり、前記方法は、前記ウェハ上の前記パターンセットを用いて集積回路を製造するステップをさらに備える、請求項14に記載の方法。
- 基板上に半導体素子を製造するための方法であって、
パターンセットを含むフォトマスクを提供するステップを備え、前記フォトマスクは、レチクルを用いて、2つ以上の曲線キャラクタを含む、利用可能なキャラクタプロジェクション(CP)キャラクタのセットから選択された、1つ以上の曲線CPキャラクタの連続した2つ以上の荷電粒子ビームショットを決定して、前記連続した2つ以上の荷電粒子ビームショットを露光して前記レチクル上に連続的なトラックを形成することによって製造されており、前記決定するステップは、前記表面上の予め定められたパターン精度公差を達成しつつ、前記表面上に前記パターンセットを形成するために必要な時間を最小限に抑えるステップを含み、前記トラックは前記パターンセットの中のパターンの一部を含み、前記方法はさらに、
前記フォトマスク上の前記パターンを用いて、光リソグラフィを用いて前記基板上に複数のパターンを形成するステップを備える、方法。 - 成形ビーム荷電粒子ビームリソグラフィとともに用いるための、フラクチャリング、またはマスクデータ作成、または近接効果補正のための装置であって、
表面上に形成されるパターンセットを受取り可能な入力素子と、
前記表面上に連続的なトラックを形成可能な1つ以上の曲線CPキャラクタの連続した2つ以上のショットを決定可能な演算素子とを備え、前記トラックは前記パターンセットの中のパターンの一部を含み、前記1つ以上の曲線CPキャラクタは、2つ以上の曲線キャラクタを含む、利用可能なキャラクタプロジェクションキャラクタのセットから選択され、前記演算素子による前記連続した2つ以上のショットの決定は、前記表面上の予め定められたパターン精度公差を達成しつつ、前記表面上に前記パターンセットを形成するために必要な時間を最小限に抑えることを含み、前記装置はさらに、
決定された連続ショットを出力可能な出力素子を備える、装置。
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