JPH08195339A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法Info
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- JPH08195339A JPH08195339A JP7005455A JP545595A JPH08195339A JP H08195339 A JPH08195339 A JP H08195339A JP 7005455 A JP7005455 A JP 7005455A JP 545595 A JP545595 A JP 545595A JP H08195339 A JPH08195339 A JP H08195339A
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- pattern
- pitch
- contour
- contour portion
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電流密度や電子ビーム強度が変動しても、エッ
ジラフネス（エッジ部分の凹凸）の生じないスポットビ
ーム（丸ビーム）を用いた電子ビーム描画装置を提供す
る。 【構成】電子ビーム描画装置で、図形処理回路に、輪郭
分解３０１を設け、輪郭図形１０１と内部図形１０２に
分割し、輪郭部分はショットピッチを細かくし、内部の
図形はショットピッチを粗くして描画する。 【効果】エッジ部分の凹凸がなくなり、描画の速度を低
下させることなく微細パターンの描画が可能になる。ま
た、電流密度が変動した場合にも、輪郭部分を多重描画
することによって、エッジラフネス（凹凸）を生じさせ
ることなく描画できる。
ジラフネス（エッジ部分の凹凸）の生じないスポットビ
ーム（丸ビーム）を用いた電子ビーム描画装置を提供す
る。 【構成】電子ビーム描画装置で、図形処理回路に、輪郭
分解３０１を設け、輪郭図形１０１と内部図形１０２に
分割し、輪郭部分はショットピッチを細かくし、内部の
図形はショットピッチを粗くして描画する。 【効果】エッジ部分の凹凸がなくなり、描画の速度を低
下させることなく微細パターンの描画が可能になる。ま
た、電流密度が変動した場合にも、輪郭部分を多重描画
することによって、エッジラフネス（凹凸）を生じさせ
ることなく描画できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームを用いて半
導体集積回路などのパターンを描画する電子ビーム描画
装置に関し、特にスポット（点）ビームを使用して微細
なパターンを描画する方法に関する。
導体集積回路などのパターンを描画する電子ビーム描画
装置に関し、特にスポット（点）ビームを使用して微細
なパターンを描画する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置は、電子ビームを偏
向器によって偏向走査し、ウエハにビームを照射し、ウ
エハ上のレジストを感光させ図形を描画する。電子ビー
ムを用いて半導体集積回路などのパターンをウエハ上に
描画する場合、スポット（点）ビームを用いて描画する
方法と、可変成型ビームを用いて描画する方法の二通り
がある。一般に、高速に描画する場合は可変成型ビーム
を用い、高精度に描画する場合はスポットビームを用い
る。
向器によって偏向走査し、ウエハにビームを照射し、ウ
エハ上のレジストを感光させ図形を描画する。電子ビー
ムを用いて半導体集積回路などのパターンをウエハ上に
描画する場合、スポット（点）ビームを用いて描画する
方法と、可変成型ビームを用いて描画する方法の二通り
がある。一般に、高速に描画する場合は可変成型ビーム
を用い、高精度に描画する場合はスポットビームを用い
る。
【０００３】また、電子ビームの偏向信号は、データ処
理された図形データ（ディジタル信号）をＤ／Ａ変換器
によって変換し、偏向器を駆動する。従って、偏向信号
は、一定ピッチ（ショットピッチ）の階段状の信号とな
る。
理された図形データ（ディジタル信号）をＤ／Ａ変換器
によって変換し、偏向器を駆動する。従って、偏向信号
は、一定ピッチ（ショットピッチ）の階段状の信号とな
る。
【０００４】図４は、スポットビームを用いて、矩形パ
ターンを描画する方法の一例を示したものである。図４
（ａ）のスポットビーム４０１を図４（ｂ）のＳＰなる
ショットピッチ（電子ビームを偏向するときのピッチ）
で往復走査し、電子ビームを偏向して図４（ｂ）に示す
ように描画する。
ターンを描画する方法の一例を示したものである。図４
（ａ）のスポットビーム４０１を図４（ｂ）のＳＰなる
ショットピッチ（電子ビームを偏向するときのピッチ）
で往復走査し、電子ビームを偏向して図４（ｂ）に示す
ように描画する。
【０００５】本発明に近い公知例は、特開昭63−208216
号，特開平1−94619号がある。特開昭63−208216号公報
は輪郭分解に関するものであるが、可変成型ビームを用
いた電子ビーム描画装置でビームの大きさを変化させ、
周辺のぼけを改善するものであり、特開平1−94619号公
報は、ショット時間を分割して多重に露光し、ステージ
の振動によるぼけを多重露光という方法で解決しようと
するものである。これらの公知例は、いずれもぼけによ
る描画精度の劣化に関するものである。
号，特開平1−94619号がある。特開昭63−208216号公報
は輪郭分解に関するものであるが、可変成型ビームを用
いた電子ビーム描画装置でビームの大きさを変化させ、
周辺のぼけを改善するものであり、特開平1−94619号公
報は、ショット時間を分割して多重に露光し、ステージ
の振動によるぼけを多重露光という方法で解決しようと
するものである。これらの公知例は、いずれもぼけによ
る描画精度の劣化に関するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子ビームを用いた描
画装置は、電子ビーム源としてＺｉＷ（ジルコニウム−
タングステン）などを用いた熱電子源と、ＴｉＷ（チタ
ン−タングステン）などを用いたフィールドエミッショ
ン電子源とがある。
画装置は、電子ビーム源としてＺｉＷ（ジルコニウム−
タングステン）などを用いた熱電子源と、ＴｉＷ（チタ
ン−タングステン）などを用いたフィールドエミッショ
ン電子源とがある。
【０００７】一般に微細なパターンを描画する装置で
は、点光源によるフィールドエミッション電子源を用い
る。フィールドエミッション電子源は、熱電子源に比
べ、ビーム径を小さくする（ビームを細くしぼる）こと
はできるが、電流密度が少ない上に、電流密度が変動す
るという問題がある。電流密度の変動は、熱電子源が数
％以下であるのに対して、フィールドエミッション電子
源は２０％前後と大きく、変動周波数は数百Ｈｚであ
る。
は、点光源によるフィールドエミッション電子源を用い
る。フィールドエミッション電子源は、熱電子源に比
べ、ビーム径を小さくする（ビームを細くしぼる）こと
はできるが、電流密度が少ない上に、電流密度が変動す
るという問題がある。電流密度の変動は、熱電子源が数
％以下であるのに対して、フィールドエミッション電子
源は２０％前後と大きく、変動周波数は数百Ｈｚであ
る。
【０００８】電子ビームを用いてパターンを描画する場
合、形成されるパターンの大きさは電子ビームの照射量
に比例し、電子ビームの照射量はビームの照射時間と電
流密度の積で決まる。従って、電流密度が変化すると、
描画されたパターンの大きさが変化し、精度が悪くなる
という欠点がある。
合、形成されるパターンの大きさは電子ビームの照射量
に比例し、電子ビームの照射量はビームの照射時間と電
流密度の積で決まる。従って、電流密度が変化すると、
描画されたパターンの大きさが変化し、精度が悪くなる
という欠点がある。
【０００９】図５は、描画中に電流密度が変動した場合
の描画図形を示したものである。通常の電流密度のビー
ム５０１に対して、５０２は電流密度が低下した場合で
あり、５０３は電流密度が増加した場合である。このよ
うに電流密度が変動すると、図形の内部では平均化さ
れ、あまり問題にならないが、図形の外周では、ΔＬな
るエッジラフネス（凹凸）が生じるという問題がある。
の描画図形を示したものである。通常の電流密度のビー
ム５０１に対して、５０２は電流密度が低下した場合で
あり、５０３は電流密度が増加した場合である。このよ
うに電流密度が変動すると、図形の内部では平均化さ
れ、あまり問題にならないが、図形の外周では、ΔＬな
るエッジラフネス（凹凸）が生じるという問題がある。
【００１０】また、電子ビームの偏向信号は階段状の信
号であるため、電子ビームは一定のピッチ（ショットピ
ッチ）のステップ偏向となる。従って、ショットピッチ
が大きいと図形のエッジ部分にビーム形状に相当するエ
ッジラフネス（凹凸）が生じる。これを解決するために
は、ショットピッチを小さくする方法があるが、ショッ
トピッチを小さくすると描画速度（スループット）が低
下するという問題が発生する。
号であるため、電子ビームは一定のピッチ（ショットピ
ッチ）のステップ偏向となる。従って、ショットピッチ
が大きいと図形のエッジ部分にビーム形状に相当するエ
ッジラフネス（凹凸）が生じる。これを解決するために
は、ショットピッチを小さくする方法があるが、ショッ
トピッチを小さくすると描画速度（スループット）が低
下するという問題が発生する。
【００１１】本発明の目的は、非常に微細なパターン
を、電流密度が大きく変動した場合にも、スループット
を低下させることなく、高精度に描画する描画方法を提
供することにある。
を、電流密度が大きく変動した場合にも、スループット
を低下させることなく、高精度に描画する描画方法を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、図形の外周（輪郭）部分を一定の大きさで切り出す
手段と，輪郭部分と内部の図形とで電子ビームの照射時
間を変化させる手段と，輪郭部分と内部の図形とで電子
ビームの走査ピッチを変化させる手段を設け、さらに、
輪郭部分については同一図形を多重に描画する手段を設
ける。また、斜め図形に関しては、輪郭部分を斜め線に
沿って抽出する手段と，斜め線部分と縦あるいは横線部
分とは電子ビームの走査ピッチを変化させる手段を設け
る。
に、図形の外周（輪郭）部分を一定の大きさで切り出す
手段と，輪郭部分と内部の図形とで電子ビームの照射時
間を変化させる手段と，輪郭部分と内部の図形とで電子
ビームの走査ピッチを変化させる手段を設け、さらに、
輪郭部分については同一図形を多重に描画する手段を設
ける。また、斜め図形に関しては、輪郭部分を斜め線に
沿って抽出する手段と，斜め線部分と縦あるいは横線部
分とは電子ビームの走査ピッチを変化させる手段を設け
る。
【００１３】
【作用】図形の外周（輪郭）部分を一定の大きさで切り
出し、輪郭部分は細かい走査ピッチで電子ビームを偏向
し、内部の図形は輪郭より粗い走査ピッチで電子ビーム
を偏向する。さらに、輪郭部分は内部の図形より電子ビ
ーム照射時間を少なくし、かつ、輪郭部分については同
一図形を複数回多重に描画するように動作する。
出し、輪郭部分は細かい走査ピッチで電子ビームを偏向
し、内部の図形は輪郭より粗い走査ピッチで電子ビーム
を偏向する。さらに、輪郭部分は内部の図形より電子ビ
ーム照射時間を少なくし、かつ、輪郭部分については同
一図形を複数回多重に描画するように動作する。
【００１４】また、斜め図形に関しては、輪郭部分を斜
め線に沿って抽出し、斜め線部分は縦あるいは横線部分
より、電子ビームの走査ピッチを細かくして描画する。
め線に沿って抽出し、斜め線部分は縦あるいは横線部分
より、電子ビームの走査ピッチを細かくして描画する。
【００１５】
【実施例】図１は本発明のパターン描画方法の一実施例
を示す説明図である。図１に示すような矩形を描画する
場合、輪郭部分１０１と輪郭の内側の図形１０２とに分
割し、輪郭部分１０１を描画する場合は、電子ビームの
偏向走査ピッチＳＰ１を、輪郭の内側図形の偏向走査ピ
ッチＳＰ２より小さくして描画する。輪郭部と内部のそ
れぞれの偏向走査ピッチについては、例えば、輪郭部の
ピッチＳＰ１は、電子ビームのビーム径（直径）の１／
５以下程度と小さくし、内部の図形のピッチＳＰ２はビ
ーム径の１／２〜１／３程度とする。また、輪郭部分と
して抽出する大きさは、ビーム径の１〜３倍程度とす
る。
を示す説明図である。図１に示すような矩形を描画する
場合、輪郭部分１０１と輪郭の内側の図形１０２とに分
割し、輪郭部分１０１を描画する場合は、電子ビームの
偏向走査ピッチＳＰ１を、輪郭の内側図形の偏向走査ピ
ッチＳＰ２より小さくして描画する。輪郭部と内部のそ
れぞれの偏向走査ピッチについては、例えば、輪郭部の
ピッチＳＰ１は、電子ビームのビーム径（直径）の１／
５以下程度と小さくし、内部の図形のピッチＳＰ２はビ
ーム径の１／２〜１／３程度とする。また、輪郭部分と
して抽出する大きさは、ビーム径の１〜３倍程度とす
る。
【００１６】図２は、本発明の電子ビーム描画装置のハ
ードウエア構成の一実施例を示す説明図である。外部メ
モリ２０１に格納されたパターンデータは、描画制御用
コンピュータ２０２を介して描画装置のパターンメモリ
２０３に転送さる。一方、描画制御２０４は、コンピュ
ータ２０２によって起動され、パターンメモリ２０３の
図形データを読みだし、図形処理２０５によってパター
ン分割処理や偏向座標計算などを行う。図形処理された
図形データは、ブランキング制御２０６および偏向制御
２０７を介して、ブランキング電極２０９と偏向電極２
１０を駆動し、パターンを描画する。また、ステージ制
御２０８は描画されるウエハ２１１が搭載されたステー
ジを、描画位置に動かすための制御回路である。
ードウエア構成の一実施例を示す説明図である。外部メ
モリ２０１に格納されたパターンデータは、描画制御用
コンピュータ２０２を介して描画装置のパターンメモリ
２０３に転送さる。一方、描画制御２０４は、コンピュ
ータ２０２によって起動され、パターンメモリ２０３の
図形データを読みだし、図形処理２０５によってパター
ン分割処理や偏向座標計算などを行う。図形処理された
図形データは、ブランキング制御２０６および偏向制御
２０７を介して、ブランキング電極２０９と偏向電極２
１０を駆動し、パターンを描画する。また、ステージ制
御２０８は描画されるウエハ２１１が搭載されたステー
ジを、描画位置に動かすための制御回路である。
【００１７】図３は、本発明の描画方法を実現するため
の図形処理回路の一実施例を示す説明図である。描画図
形ａは、輪郭分解３０１で、輪郭部分の図形ｂと内部の
図形ｃに分割され、輪郭図形および内部図形の二つの図
形としてＤＡＴＡを出力する。さらに、その二つの図形
には、輪郭部か内部かを区別するためのＦＬＧ（フラグ
記号）を付加して出力する。さらに、輪郭部分の図形に
関しては、同一図形データを複数回出力させることで、
多重露光するためのデータを発生する。
の図形処理回路の一実施例を示す説明図である。描画図
形ａは、輪郭分解３０１で、輪郭部分の図形ｂと内部の
図形ｃに分割され、輪郭図形および内部図形の二つの図
形としてＤＡＴＡを出力する。さらに、その二つの図形
には、輪郭部か内部かを区別するためのＦＬＧ（フラグ
記号）を付加して出力する。さらに、輪郭部分の図形に
関しては、同一図形データを複数回出力させることで、
多重露光するためのデータを発生する。
【００１８】輪郭分解された図形は、ドット分解３０２
および露光時間制御３０５に入力され、ドット分解３０
２では図形データを電子ビームの偏向データに展開し、
露光時間制御３０５は電子ビームの照射時間データを生
成する。ドット分解３０２は、輪郭分解３０１から出力
されたＤＡＴＡとＦＬＧとによって、輪郭部分の図形は
細かいショットピッチの偏向データに分解し、内部の図
形は輪郭部より大きなショットピッチの偏向データに分
解する。輪郭部および内部のショットピッチに関する指
定は、あらかじめ電子ビームの径に応じてコンピュータ
や描画制御などから行う。
および露光時間制御３０５に入力され、ドット分解３０
２では図形データを電子ビームの偏向データに展開し、
露光時間制御３０５は電子ビームの照射時間データを生
成する。ドット分解３０２は、輪郭分解３０１から出力
されたＤＡＴＡとＦＬＧとによって、輪郭部分の図形は
細かいショットピッチの偏向データに分解し、内部の図
形は輪郭部より大きなショットピッチの偏向データに分
解する。輪郭部および内部のショットピッチに関する指
定は、あらかじめ電子ビームの径に応じてコンピュータ
や描画制御などから行う。
【００１９】また、露光時間制御３０５は、輪郭部分か
内部かを区別するＦＬＧによって、電子ビームの照射時
間（露光時間）を露光時間表（露光時間テーブル）から
参照し、輪郭部分を描画するときは露光時間を少なく
し、内部の図形を描画するときは露光時間を多くするよ
うに制御する。
内部かを区別するＦＬＧによって、電子ビームの照射時
間（露光時間）を露光時間表（露光時間テーブル）から
参照し、輪郭部分を描画するときは露光時間を少なく
し、内部の図形を描画するときは露光時間を多くするよ
うに制御する。
【００２０】ドットデータに分解されたデータは、偏向
データと露光時間データで構成された図形データｄとな
り、輪郭部分３０４内部３０３のように描画される。
データと露光時間データで構成された図形データｄとな
り、輪郭部分３０４内部３０３のように描画される。
【００２１】図４は、従来のスポットビームを用いた描
画方法の一例を示す説明図であり、図５は、従来方法に
おける問題点を示す説明図である。スポットビームを用
いて、矩形パターンを描画する場合は、図４に示すよう
に、スポット（丸い形）形状の電子ビーム４０１を、シ
ョットピッチＳＰで左右に往復走査して下から上に順次
塗りつぶしてパターンを描画する。微細なパターンを描
画する場合には、一般にフィールドエミッション電子源
を使用するが、電子源の電流密度が変動するという問題
があり、図５に示すように描画結果に凹凸が生じ、極微
細パターンを描画する場合の問題点となっていた。
画方法の一例を示す説明図であり、図５は、従来方法に
おける問題点を示す説明図である。スポットビームを用
いて、矩形パターンを描画する場合は、図４に示すよう
に、スポット（丸い形）形状の電子ビーム４０１を、シ
ョットピッチＳＰで左右に往復走査して下から上に順次
塗りつぶしてパターンを描画する。微細なパターンを描
画する場合には、一般にフィールドエミッション電子源
を使用するが、電子源の電流密度が変動するという問題
があり、図５に示すように描画結果に凹凸が生じ、極微
細パターンを描画する場合の問題点となっていた。
【００２２】図６（ａ）は並行四辺形、図６（ｂ）は台
形を描画する場合の描画方法の一例を示した説明図であ
る。並行四辺形や台形は、図形の一部に斜め線を有する
ため、輪郭分解において、６０１，６０２，６０３，６
０４のように斜め図形を抽出し、ドット分解でも斜め方
向に電子ビームを偏向走査するように制御する。
形を描画する場合の描画方法の一例を示した説明図であ
る。並行四辺形や台形は、図形の一部に斜め線を有する
ため、輪郭分解において、６０１，６０２，６０３，６
０４のように斜め図形を抽出し、ドット分解でも斜め方
向に電子ビームを偏向走査するように制御する。
【００２３】図８（ａ）はＸ一方向に描画する場合の電
子ビームの動きを示した説明図であり、図８（ｂ）およ
び（ｃ）は斜め方向に描画する場合の電子ビームの動き
を示した図である。図８（ｂ）に示すように一定のショ
ッットピッチＳＰで斜め線を描画すると、１ピッチで電
子ビームはＬだけ進むことになり、（ａ）のＸ一方向に
比べ√２倍長くなる。従って斜め部分のピッチが粗くな
りエッジラフネスが生じるという問題がある。これを解
決するために、図８（ｃ）に示すように、Ｘ一方向に比
べショットピッチを１／√２倍とし、電子ビームの偏向
距離がＳＰと同じになるようにして描画する。
子ビームの動きを示した説明図であり、図８（ｂ）およ
び（ｃ）は斜め方向に描画する場合の電子ビームの動き
を示した図である。図８（ｂ）に示すように一定のショ
ッットピッチＳＰで斜め線を描画すると、１ピッチで電
子ビームはＬだけ進むことになり、（ａ）のＸ一方向に
比べ√２倍長くなる。従って斜め部分のピッチが粗くな
りエッジラフネスが生じるという問題がある。これを解
決するために、図８（ｃ）に示すように、Ｘ一方向に比
べショットピッチを１／√２倍とし、電子ビームの偏向
距離がＳＰと同じになるようにして描画する。
【００２４】図７は、輪郭部分の多重描画方法の一例を
示す図である。図７（ａ）のような矩形を描画する場
合、輪郭分解から輪郭図形７０１と内部の図形７０２が
出力される。本発明では、内部の図形７０２は従来と同
様な方法７０４で電子ビームを往復走査して描画する
が、輪郭図形については、７０３に示すように同一図形
を複数回繰り返して同じ場所に描画するようにする。こ
うすることによって、電子ビームの電流密度や強度が変
化した場合にも平滑化され一様な（凹凸のない）微細パ
ターンの描画ができる。
示す図である。図７（ａ）のような矩形を描画する場
合、輪郭分解から輪郭図形７０１と内部の図形７０２が
出力される。本発明では、内部の図形７０２は従来と同
様な方法７０４で電子ビームを往復走査して描画する
が、輪郭図形については、７０３に示すように同一図形
を複数回繰り返して同じ場所に描画するようにする。こ
うすることによって、電子ビームの電流密度や強度が変
化した場合にも平滑化され一様な（凹凸のない）微細パ
ターンの描画ができる。
【００２５】多重露光に対して、本発明の実施例では、
輪郭分解３０１から同一図形データを複数回出力する方
法で述べたが、ドット分解３０２で輪郭図形をフラグに
よって識別し処理することでも実現できる。また、図形
データとして上位から複数回同一図形を指定する方法で
もよい。
輪郭分解３０１から同一図形データを複数回出力する方
法で述べたが、ドット分解３０２で輪郭図形をフラグに
よって識別し処理することでも実現できる。また、図形
データとして上位から複数回同一図形を指定する方法で
もよい。
【００２６】さらに、本発明の実施例は、一定のショッ
トピッチで電子ビームを偏向するディジタル方式の偏向
方法について述べたが、アナログ積分回路から構成され
たラインジェネレータなどを用いたアナログ方式の偏向
方法についても、走査速度を速くして多重露光すること
で実現できる。
トピッチで電子ビームを偏向するディジタル方式の偏向
方法について述べたが、アナログ積分回路から構成され
たラインジェネレータなどを用いたアナログ方式の偏向
方法についても、走査速度を速くして多重露光すること
で実現できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、図形の輪郭を抽出し、
輪郭部分はショットピッチを細かくし、内部の図形はシ
ョットピッチを粗くして描画するため、図形の端辺（エ
ッジ部分）の凹凸がなくなり、描画の速度を低下させる
ことなく微細パターンの描画が可能になる。また、斜め
線を含む図形についても、横あるいは縦方向のみの図形
に比べてショットピッチを細かくして描画するため、エ
ッジラフネス（凹凸）を生じることがない。さらに、輪
郭図形については、多重露光描画を行うことによって電
子ビームの電流密度や強度が変化した場合にも、エッジ
ラフネス（凹凸）を生じさせることなく微細なパターン
の描画が可能となる。
輪郭部分はショットピッチを細かくし、内部の図形はシ
ョットピッチを粗くして描画するため、図形の端辺（エ
ッジ部分）の凹凸がなくなり、描画の速度を低下させる
ことなく微細パターンの描画が可能になる。また、斜め
線を含む図形についても、横あるいは縦方向のみの図形
に比べてショットピッチを細かくして描画するため、エ
ッジラフネス（凹凸）を生じることがない。さらに、輪
郭図形については、多重露光描画を行うことによって電
子ビームの電流密度や強度が変化した場合にも、エッジ
ラフネス（凹凸）を生じさせることなく微細なパターン
の描画が可能となる。
【図１】本発明のパターン描画方法の一実施例を示す説
明図。
明図。
【図２】本発明の電子ビーム描画装置のハードウエア構
成の一実施例を示す説明図。
成の一実施例を示す説明図。
【図３】本発明の描画方法を実現するための図形処理回
路の一実施例を示す説明図。
路の一実施例を示す説明図。
【図４】従来のスポットビームを用いた描画方法の一例
を示す説明図。
を示す説明図。
【図５】従来方法における問題点を示す説明図。
【図６】並行四辺形および台形を描画する場合の描画方
法の一例を示した説明図。
法の一例を示した説明図。
【図７】輪郭部分の多重描画方法の一例を示す説明図。
【図８】Ｘ一方向図形と斜め図形を描画する場合の電子
ビームの動きを示した説明図。
ビームの動きを示した説明図。
１０１…輪郭図形、１０２…内部の図形、ＳＰ，ＳＰ
１，ＳＰ２…ショットピッチ。
１，ＳＰ２…ショットピッチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１ Ｅ (72)発明者 松坂 尚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (3)
- 【請求項１】一定のピッチで階段状に変化する走査信号
により電子ビームを走査し、試料にパターンを描画する
電子ビーム描画方法において、描画パターンの輪郭部分
を一定の幅で抽出する処理と、図形の輪郭部分と内部と
で電子ビームを走査するピッチまたは速度を変化させる
処理とを設け、前記輪郭部分を描画するときは、細かい
ピッチで電子ビームを走査し、内部を描画するときは、
大きなピッチで電子ビームを走査して、図形を描画する
ことを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 【請求項２】請求項１において、図形の輪郭部分と輪郭
内部とで電子ビームの照射時間を変化させる処理と、前
記輪郭部分を複数回多重に露光する処理とを設け、前記
輪郭部分の電子ビーム照射時間を内部の電子ビーム照射
時間より少なくし、前記輪郭部分を描画するときは、同
一図形を複数回繰り返して多重に描画する電子ビーム描
画方法。 - 【請求項３】請求項１において、斜め線を有する図形
は、斜め線に沿って輪郭部分を抽出し、縦あるいは横線
を描画する場合よりもピッチの細かい走査信号で、斜め
線に沿って電子ビームを走査して、図形を描画する電子
ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7005455A JPH08195339A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 電子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
ID=11611702
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7005455A Pending JPH08195339A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 電子ビーム描画方法 |
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