JP2880284B2 - 電子ビーム描画法および装置 - Google Patents
電子ビーム描画法および装置Info
- Publication number
- JP2880284B2 JP2880284B2 JP2329181A JP32918190A JP2880284B2 JP 2880284 B2 JP2880284 B2 JP 2880284B2 JP 2329181 A JP2329181 A JP 2329181A JP 32918190 A JP32918190 A JP 32918190A JP 2880284 B2 JP2880284 B2 JP 2880284B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rectangle
- electron beam
- curve
- area
- straight line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子ビームによって試料上にパターン等を描
画するものであって、特に半導体の製造に用いられるの
に適した電子ビーム描画法および装置に関する。
画するものであって、特に半導体の製造に用いられるの
に適した電子ビーム描画法および装置に関する。
［従来の技術］ 特開昭62−154729号公報には、電子ビーム描画におい
て図形を細分化して描画を行う技術が開示されている。
当該開示によれば台形等の多角形を描画する際に三角図
形を切り出した後、当該三角形の大きさがあらかじめ指
定した形状以上の矩形図形を包含できる場合には、三角
形をあらかじめ指定した所定の大きさの矩形部と三角図
形に分解しようとするものである。
て図形を細分化して描画を行う技術が開示されている。
当該開示によれば台形等の多角形を描画する際に三角図
形を切り出した後、当該三角形の大きさがあらかじめ指
定した形状以上の矩形図形を包含できる場合には、三角
形をあらかじめ指定した所定の大きさの矩形部と三角図
形に分解しようとするものである。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術には細分化をできるだけ少なくすること
に対する配慮が十分ではない。特に描画パターンの一部
に曲線を有する図形の場合、当該曲線を矩形ビームの集
合体で近似的に表現して描画することが必要であるが、
その場合に細分化を極力抑えないと電子ビームのエネル
ギー分布の不安定化がもたらされ、これによって描画精
度が低下し、更に描画スループットも低下する。
に対する配慮が十分ではない。特に描画パターンの一部
に曲線を有する図形の場合、当該曲線を矩形ビームの集
合体で近似的に表現して描画することが必要であるが、
その場合に細分化を極力抑えないと電子ビームのエネル
ギー分布の不安定化がもたらされ、これによって描画精
度が低下し、更に描画スループットも低下する。
本発明は上記課題を解決し、特に描画パターンの一部
に曲線を有するパターンであっても、描画精度及びスル
ープットの低下を軽減させることのできる電子ビーム描
画法および装置の提供を目的とするものである。
に曲線を有するパターンであっても、描画精度及びスル
ープットの低下を軽減させることのできる電子ビーム描
画法および装置の提供を目的とするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、矩形領域内で当該矩形の辺と曲線によって
規定される描画領域の描画を行う電子ビーム描画法であ
って、前記曲線中の頂点部を基点として形成される前記
矩形の辺に平行な直線と、前記矩形の辺とで規定される
矩形からなる第１の領域と、少なくとも前記曲線と、前
記矩形の辺に平行な直線で規定される第２の領域とに分
けて描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画法を提
供する。
規定される描画領域の描画を行う電子ビーム描画法であ
って、前記曲線中の頂点部を基点として形成される前記
矩形の辺に平行な直線と、前記矩形の辺とで規定される
矩形からなる第１の領域と、少なくとも前記曲線と、前
記矩形の辺に平行な直線で規定される第２の領域とに分
けて描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画法を提
供する。
［作用］ 上記構成によれば、描画パターンの一部に曲線を有す
る場合であっても、そのパターンの中から大きな矩形を
切り出すことが可能になる。本発明で規定される第１の
領域は、曲線中の頂点部を基点として形成される前記矩
形領域のいずれか一辺と平行な直線と、前記矩形領域の
辺とで規定される矩形である。このような第１の領域の
選択によって、曲線部を有する描画パターンの中で曲線
部を持たない大きな矩形領域を選択的に切り出すことが
可能になる。
る場合であっても、そのパターンの中から大きな矩形を
切り出すことが可能になる。本発明で規定される第１の
領域は、曲線中の頂点部を基点として形成される前記矩
形領域のいずれか一辺と平行な直線と、前記矩形領域の
辺とで規定される矩形である。このような第１の領域の
選択によって、曲線部を有する描画パターンの中で曲線
部を持たない大きな矩形領域を選択的に切り出すことが
可能になる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図〜第７図を用いて説明
する。
する。
第２図は本発明の電子描画システム全体構成の位置付
けを示すものである。同図1aは半導体デバイスの回路パ
ターンなどを設計するCADシステムであり、ここで作ら
れたCADデータファイル1bを入力データファイルとして
電子ビーム（EB）描画データ変換システム2aへ渡す。こ
こではEB装置に合ったように装置が読める形式のデータ
にCADデータを変換する。その結果をEB描画パターンデ
ータファイル2bに出力する。このデータファイル2bをEB
描画制御のシステム３の入力データファイルとして入力
し、更に制御装置４を経て、EB描画装置本体５入力して
描画を行う。
けを示すものである。同図1aは半導体デバイスの回路パ
ターンなどを設計するCADシステムであり、ここで作ら
れたCADデータファイル1bを入力データファイルとして
電子ビーム（EB）描画データ変換システム2aへ渡す。こ
こではEB装置に合ったように装置が読める形式のデータ
にCADデータを変換する。その結果をEB描画パターンデ
ータファイル2bに出力する。このデータファイル2bをEB
描画制御のシステム３の入力データファイルとして入力
し、更に制御装置４を経て、EB描画装置本体５入力して
描画を行う。
第３図は本発明の入力データとなる図形の一例であ
る。この段階での入力データの図形を元図と呼ぶ。この
元図は少なくとも１辺が曲線（本図で円弧）7cをもつよ
うな閉図形（３つの線分7a,7b,7cで囲まれる図形）を描
画するとき、特にEBプロセス上必要な白黒反転処理を行
なう場合（ボジテイブ形レジストを用いるかネガテイブ
形レジストを用いるかによって白黒反転処理が必要であ
る）、その描画パターンとしてEB描画可能なデータを従
来のやり方で図形表現したものが第４図である。第４図
からもわかるように、曲線を階段状に近似した四辺形の
集合体で表わす必要があった。しかし、このような表現
方法では、同図中、左側の部分に示すように曲線7cの傾
斜が緩やかな部分では、点6bの近傍では大きな矩形8cが
とれるが、曲線7cが急傾斜になるにつれて、たとえば傾
斜がピークになる6a近傍では細長い矩形8aが多数現われ
る。ところがこの細長い矩形8aを描画すると電子線の照
射量（堆積エネルギ量）の関係からパターン寸法精度に
悪影響を及ぼす。また、白黒反転をした描画パターンで
は特に曲線7cと描画範囲の境界線9bとの距離が離れてい
るような場合には細長い矩形8aが多数発生してしまう。
この距離がある程、精度への悪影響が大きくなる。
る。この段階での入力データの図形を元図と呼ぶ。この
元図は少なくとも１辺が曲線（本図で円弧）7cをもつよ
うな閉図形（３つの線分7a,7b,7cで囲まれる図形）を描
画するとき、特にEBプロセス上必要な白黒反転処理を行
なう場合（ボジテイブ形レジストを用いるかネガテイブ
形レジストを用いるかによって白黒反転処理が必要であ
る）、その描画パターンとしてEB描画可能なデータを従
来のやり方で図形表現したものが第４図である。第４図
からもわかるように、曲線を階段状に近似した四辺形の
集合体で表わす必要があった。しかし、このような表現
方法では、同図中、左側の部分に示すように曲線7cの傾
斜が緩やかな部分では、点6bの近傍では大きな矩形8cが
とれるが、曲線7cが急傾斜になるにつれて、たとえば傾
斜がピークになる6a近傍では細長い矩形8aが多数現われ
る。ところがこの細長い矩形8aを描画すると電子線の照
射量（堆積エネルギ量）の関係からパターン寸法精度に
悪影響を及ぼす。また、白黒反転をした描画パターンで
は特に曲線7cと描画範囲の境界線9bとの距離が離れてい
るような場合には細長い矩形8aが多数発生してしまう。
この距離がある程、精度への悪影響が大きくなる。
以上の解決策は如何にして、細長い矩形の発生を防止
するかにある。この具体策を第１図および第６図を用い
て説明する。まず、たとえば第３図に示す３つの線分7
a,7b,7cで構成される図形を入力データの１つとする。
この入力データ全体を元データと呼びこれに基づいて本
処理アルゴリズムを以下に記述する。第６図（１）にお
いて、元データの入力26とあるのはこの入力データを読
込むことであり、同図27aで入力データから当該曲線部
（例えば第３図の7cで示したもの）の抽出を行なう。次
いで第１図に示すようにこの曲線7cに対して境界線9a、
9b（これは電子光学系の偏向機能などによって設けられ
る描画可能領域を意味する。例えばフィールド・サブフ
ィールド境界と呼ぶものである）が存在しているか否か
を調べる。（第６図（１）の28の処理） このとき、このような境界線が存在すれば、最大値ま
たは最小値として登録する。（同図（１）の29の処理） 次に曲線部7cの頂点部を求める。（同図（１）の30の
処理）本実施例でいう頂点部とは、点列（x1,y2），（x
2,y2）…についてＸ座標の小さい順に並べたとき極大ま
たは最大となる端点のＹ座標Ymを有する点（x,Ym）、並
びにＹ座標の小さい順に並べたとき極大または最大とな
る端点のＸ座標Xmを有する点（Xm,y）のいずれの点をも
言う。極小の場合も同様である。これら極大点、極小点
を（（x1,y1），（x2,y2），…）と置く。
するかにある。この具体策を第１図および第６図を用い
て説明する。まず、たとえば第３図に示す３つの線分7
a,7b,7cで構成される図形を入力データの１つとする。
この入力データ全体を元データと呼びこれに基づいて本
処理アルゴリズムを以下に記述する。第６図（１）にお
いて、元データの入力26とあるのはこの入力データを読
込むことであり、同図27aで入力データから当該曲線部
（例えば第３図の7cで示したもの）の抽出を行なう。次
いで第１図に示すようにこの曲線7cに対して境界線9a、
9b（これは電子光学系の偏向機能などによって設けられ
る描画可能領域を意味する。例えばフィールド・サブフ
ィールド境界と呼ぶものである）が存在しているか否か
を調べる。（第６図（１）の28の処理） このとき、このような境界線が存在すれば、最大値ま
たは最小値として登録する。（同図（１）の29の処理） 次に曲線部7cの頂点部を求める。（同図（１）の30の
処理）本実施例でいう頂点部とは、点列（x1,y2），（x
2,y2）…についてＸ座標の小さい順に並べたとき極大ま
たは最大となる端点のＹ座標Ymを有する点（x,Ym）、並
びにＹ座標の小さい順に並べたとき極大または最大とな
る端点のＸ座標Xmを有する点（Xm,y）のいずれの点をも
言う。極小の場合も同様である。これら極大点、極小点
を（（x1,y1），（x2,y2），…）と置く。
次いで、この曲線を描画するために矩形分割近似を行
うわけであるが、その近似をより良く行うために、上記
結果（x1,y1），（x2,y2），…（xn,yn）を切り出し点
として設定する。本実施例では切出点から先ずＹ軸に切
り出す例を示す。なお、第１図の例では、Ｙ軸方向に切
り出す必要がないので引き続きＸ方向への切り出しが行
われる。その結果、頂点6b,6d,6e,10cからなる領域が切
り出される。この領域（第１の領域）はそのまま基本図
形（描画データ）として登録する。
うわけであるが、その近似をより良く行うために、上記
結果（x1,y1），（x2,y2），…（xn,yn）を切り出し点
として設定する。本実施例では切出点から先ずＹ軸に切
り出す例を示す。なお、第１図の例では、Ｙ軸方向に切
り出す必要がないので引き続きＸ方向への切り出しが行
われる。その結果、頂点6b,6d,6e,10cからなる領域が切
り出される。この領域（第１の領域）はそのまま基本図
形（描画データ）として登録する。
一方、第７図の45a,45b,45c,45d,48b,48aで囲まれる
閉図形の例では、45b,45cという頂点部（極大点，極小
点）を持つので、まず極大点、極小点からＹ軸方向への
切り出し線を引く。即ち45bから48c、45cから48dへＹ軸
に平行な線を引く。
閉図形の例では、45b,45cという頂点部（極大点，極小
点）を持つので、まず極大点、極小点からＹ軸方向への
切り出し線を引く。即ち45bから48c、45cから48dへＹ軸
に平行な線を引く。
そしてその結果得られる切り出し領域、例えば45b,48
c,48a,45aについて更に極大点45bから46aへの切り出し
線を引くことで基本図形45b,48c,48a,46aからなる矩形
（第１の領域）を切り出し、残りの領域45b,46a,45aのA
1（第２の領域）とする（第６図（２）の35の処理、
「処理１」）。同様にして48c,48d,46b,45bからなる矩
形を切り出した残りの領域45b,45c,46bをA2とし、45c,4
5d,46cをA3とする（同図36の処理:nは頂点部の数であ
り、切り出しの基点）。
c,48a,45aについて更に極大点45bから46aへの切り出し
線を引くことで基本図形45b,48c,48a,46aからなる矩形
（第１の領域）を切り出し、残りの領域45b,46a,45aのA
1（第２の領域）とする（第６図（２）の35の処理、
「処理１」）。同様にして48c,48d,46b,45bからなる矩
形を切り出した残りの領域45b,45c,46bをA2とし、45c,4
5d,46cをA3とする（同図36の処理:nは頂点部の数であ
り、切り出しの基点）。
このように頂点部（極大点，極小点）を基本とした切
り出しを行うことで、曲線の他に３つの辺を持つ変則的
な描画パターンの出現を抑制することが可能になる。
り出しを行うことで、曲線の他に３つの辺を持つ変則的
な描画パターンの出現を抑制することが可能になる。
求めた残りの領域A1、A2、A3についてその領域内で面
積が最大になるような矩形を求め、求められた矩形をR1
とする。なお、第１図でいうところのRiとは10c,11a,11
c,11bで囲まれた矩形である。
積が最大になるような矩形を求め、求められた矩形をR1
とする。なお、第１図でいうところのRiとは10c,11a,11
c,11bで囲まれた矩形である。
この矩形Riも基本図形（描画データ）として登録する
（同37の処理）。これを「処理２」とする。切り出し領
域Aiから矩形Riが切り出されると２つの領域が残る。こ
れを残部と称しri1,ri2とする（同38の処理）（処理３
とする）。
（同37の処理）。これを「処理２」とする。切り出し領
域Aiから矩形Riが切り出されると２つの領域が残る。こ
れを残部と称しri1,ri2とする（同38の処理）（処理３
とする）。
一方、矩形Riが最大ビーム寸法またはユーザの設定値
Bmaxと比較して（第39の処理）、大きい場合には残部r
i1をAiに置き換える。残部ri2に関しては切り出し描画
領域群の最後尾に付加して、更なる切り出し処理を持
つ。また切り出し領域群の個数ｎに１を加えておく（同
40の処理）。
Bmaxと比較して（第39の処理）、大きい場合には残部r
i1をAiに置き換える。残部ri2に関しては切り出し描画
領域群の最後尾に付加して、更なる切り出し処理を持
つ。また切り出し領域群の個数ｎに１を加えておく（同
40の処理）。
他方、矩形RiがBmaxよりも小さい場合には、残部ri1,
ri2に対して、その双方の曲線形状に最適なように矩形
近似を行ない、矩形を切り出して、基本図形として登録
する（同図41の処理）。
ri2に対して、その双方の曲線形状に最適なように矩形
近似を行ない、矩形を切り出して、基本図形として登録
する（同図41の処理）。
このときｉがｎよりも等しいか、または大きくなった
なら処理を終了する。それ以外のときはAiがAnになるま
で処理を続ける。
なら処理を終了する。それ以外のときはAiがAnになるま
で処理を続ける。
本発明によれば、描画パターン内に曲線を含むような
場合、描画領域の細分化が減少され、もって描画精度の
向上が図られる。
場合、描画領域の細分化が減少され、もって描画精度の
向上が図られる。
第１図は本発明にもとづく描画のし方を説明する図、第
２図は本発明にもとづく一実施例を示す電子線描画装置
の概念図、第３図は本発明の実施例における入力データ
（図形）となる元図の一例を示す図、第４図は従来の描
画のし方を説明する図、第５図は第１図の右上拡大図、
第６図は本発明の具体的なアルゴリズムを示すフロー、
第６図は第１図に対応する本発明にもとづくもう一つの
描画の仕方を示す図である。 1a……CADシステム、1b……1aのデータファイル、2a…
…EB描画データ変換システム、2b……2aのデータファイ
ル、３……EB描画制御システム、４……制御装置、５…
…EB本体、7a〜7c……元図図形。
２図は本発明にもとづく一実施例を示す電子線描画装置
の概念図、第３図は本発明の実施例における入力データ
（図形）となる元図の一例を示す図、第４図は従来の描
画のし方を説明する図、第５図は第１図の右上拡大図、
第６図は本発明の具体的なアルゴリズムを示すフロー、
第６図は第１図に対応する本発明にもとづくもう一つの
描画の仕方を示す図である。 1a……CADシステム、1b……1aのデータファイル、2a…
…EB描画データ変換システム、2b……2aのデータファイ
ル、３……EB描画制御システム、４……制御装置、５…
…EB本体、7a〜7c……元図図形。
フロントページの続き (72)発明者 平川 明 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日 立製作所那珂工場内 (72)発明者 小西 忠雄 茨城県勝田市市毛882番地 日立計測エ ンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−154729（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−83329（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−270216（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−209723（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−137519（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−148530（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−85632（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】矩形領域内で当該矩形の辺と曲線によって
規定される描画領域の描画を行う電子ビーム描画法であ
って、前記曲線中の頂点部を基点として形成される前記
矩形の辺に平行な直線と、前記矩形の辺とで規定される
矩形からなる第１の領域と、少なくとも前記曲線と、前
記矩形の辺に平行な直線で規定される第２の領域とに分
けて描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画法。 - 【請求項２】請求項１において、前記第２の領域の中か
ら最大の矩形領域を切り出し、そしてこのステップを前
記第２の領域の残りの領域について予め定められた最大
の矩形領域が実質的に切り出せなくなるまで繰り返すこ
とを特徴とする電子ビーム描画法。 - 【請求項３】電子ビームで試料を照射し、その電子ビー
ムの偏向およびオン−オフに基づいて前記試料の描画を
行う電子ビーム描画装置であって、矩形領域内で当該矩
形の辺と曲線によって規定される描画領域を、前記曲線
中の頂点部を基点として形成される前記矩形の辺に平行
な直線と、前記矩形の辺とで規定される矩形からなる第
１の領域と、少なくとも前記曲線と、前記矩形の辺に平
行な直線で規定される第２の領域とに分けて描画を行う
機能を備えてなることを特徴とする電子ビーム描画装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329181A JP2880284B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電子ビーム描画法および装置 |
| US07/798,905 US5206517A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-27 | Electron beam lithographic method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329181A JP2880284B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電子ビーム描画法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206513A JPH04206513A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2880284B2 true JP2880284B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=18218560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329181A Expired - Fee Related JP2880284B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電子ビーム描画法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206517A (ja) |
| JP (1) | JP2880284B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6169876B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-07-26 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、描画用図形データ作成装置、電子ビーム描画方法、描画用図形データ作成方法、およびプログラム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147937A (en) * | 1977-11-01 | 1979-04-03 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure system method and apparatus |
| US4420691A (en) * | 1978-12-28 | 1983-12-13 | Fujitsu Limited | Method of aligning electron beam apparatus |
| JPS57180128A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Toshiba Corp | Equipment for electron beam exposure |
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329181A patent/JP2880284B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-27 US US07/798,905 patent/US5206517A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04206513A (ja) | 1992-07-28 |
| US5206517A (en) | 1993-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2010414C (en) | Electron beam direct printing apparatus | |
| JPH0963930A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| US7608844B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus | |
| US7081634B2 (en) | Variably shaped beam EB writing system | |
| KR900001983B1 (ko) | 충전비임 묘출방법 | |
| US6200710B1 (en) | Methods for producing segmented reticles | |
| JP2880284B2 (ja) | 電子ビーム描画法および装置 | |
| JP4615156B2 (ja) | 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法，光近接補正された露光データの生成装置，及び光近接補正された露光データの露光装置 | |
| JPH1167648A (ja) | 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法 | |
| JPH0793531A (ja) | 画像処理装置 | |
| JP2703005B2 (ja) | 電子線描画装置及び描画方法 | |
| US7420710B2 (en) | Optical proximity correction in raster scan printing based on grayscale manipulation of the bitmap | |
| JP3454974B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2000208401A (ja) | 近接効果補正方法及びｅｂマスク | |
| JPH05226235A (ja) | 電子ビ−ム描画のデ−タ変換方法 | |
| JP3274149B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2003273001A (ja) | 電子線描画データ作成方法、マスク製造方法および描画装置 | |
| JPH0624183B2 (ja) | 電子線描画装置および方法 | |
| JPH03283423A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2003067759A (ja) | データ変換装置およびその方法、並びに当該方法を用いたプログラム | |
| JPH01152726A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH07130594A (ja) | 荷電粒子線描画方法 | |
| JP2812622B2 (ja) | 階調画像の編集方法 | |
| JP3212630B2 (ja) | 荷電ビーム露光方法及び露光装置 | |
| JPH1041224A (ja) | 電子ビーム描画データの合成方法及びその合成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |