JP2003195511A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザビーム露光方法において、露光するパ
ターンの微細化に対応するために不可避となる描画ビー
ム径や分解能の微細化による描画データの肥大化を防ぐ
ことを課題とする。 【解決手段】 被露光面（１４）の露光領域の周辺領域
に対して照射面積の小さい、例えば径の小さなビーム
（３２）を用いて露光し、且つ内部領域を照射面積の大
きい、例えば径の大きなレーザビーム（４２）を用いる
と共に、両レーザビームを異なる走査ピッチで走査する
ことを特徴とする。
ターンの微細化に対応するために不可避となる描画ビー
ム径や分解能の微細化による描画データの肥大化を防ぐ
ことを課題とする。 【解決手段】 被露光面（１４）の露光領域の周辺領域
に対して照射面積の小さい、例えば径の小さなビーム
（３２）を用いて露光し、且つ内部領域を照射面積の大
きい、例えば径の大きなレーザビーム（４２）を用いる
と共に、両レーザビームを異なる走査ピッチで走査する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及び装置に
関し、更に詳しくは、異なる照射面積及び異なる走査ピ
ッチで照射できる複数の光源を使用して、プリント配線
基板やパッケージ等あるいは半導体基板（半導体ウエ
ハ）に露光パターンを形成する露光方法及び装置に関す
る。更に、本発明はこのような露光方法を実施するため
のプログラムを組み込んだ媒体に関する。
関し、更に詳しくは、異なる照射面積及び異なる走査ピ
ッチで照射できる複数の光源を使用して、プリント配線
基板やパッケージ等あるいは半導体基板（半導体ウエ
ハ）に露光パターンを形成する露光方法及び装置に関す
る。更に、本発明はこのような露光方法を実施するため
のプログラムを組み込んだ媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板やパッケージを製造
する場合における配線パターン等のパターン形成は、フ
ォトマスクを使用しての、いわゆるフォトリゾグラフィ
と称される技術で行なわれてきた。
する場合における配線パターン等のパターン形成は、フ
ォトマスクを使用しての、いわゆるフォトリゾグラフィ
と称される技術で行なわれてきた。
【０００３】図１にフォトマスクを使用するフォトリゾ
グラフィ技術による従来の露光方法を示す。光源（１
０）からの露光光（１１）は、フォトマスク（１２）を
通過して、表面にレジスト（１３）が塗布された基板
（１４）上に照射され、マスクのパターン形状により、
図１の右側に示すような露光部（１５）が形成される。
グラフィ技術による従来の露光方法を示す。光源（１
０）からの露光光（１１）は、フォトマスク（１２）を
通過して、表面にレジスト（１３）が塗布された基板
（１４）上に照射され、マスクのパターン形状により、
図１の右側に示すような露光部（１５）が形成される。
【０００４】この技術では、マスクを使用することに起
因する欠陥である、マスクの複製、メンテナンス・保管
のコスト、設計変更にともなうマスクの作り直し等々の
無駄が発生するという問題がある。
因する欠陥である、マスクの複製、メンテナンス・保管
のコスト、設計変更にともなうマスクの作り直し等々の
無駄が発生するという問題がある。
【０００５】このような無駄を改善する目的で、近年、
マスクを使わずにレーザ光等で直接基板上のフォトレジ
ストを露光する技術（装置）が注目されている。基板上
の配線の微細化が進むにつれ、大きな基板をマスクを使
って一括露光することの困難さが増すため、分割露光が
やむを得ない選択肢として検討される一方、上述の直接
露光技術は、それを回避するための可能性を秘めてい
る。
マスクを使わずにレーザ光等で直接基板上のフォトレジ
ストを露光する技術（装置）が注目されている。基板上
の配線の微細化が進むにつれ、大きな基板をマスクを使
って一括露光することの困難さが増すため、分割露光が
やむを得ない選択肢として検討される一方、上述の直接
露光技術は、それを回避するための可能性を秘めてい
る。
【０００６】図２にレーザ光による従来のマスクレス露
光方法を示す。また、図４にこのマスクレス露光方法に
よる露光装置の原理を示す。レーザ光源、例えばＤＭＤ
（Digital Micro-mirror Device）光源ユニット（２
０）よりレーザ光（２１）が、表面にレジスト（１３）
が塗布された基板（１４）上に直接照射される。一方、
基板又はレーザ光源が所定のパターン形状に従って走査
される。ＤＭＤ光源ユニット（２０）には、均一に量子
化された描画データ（２２）が高速メモリー（２３）に
より入力される。これにより、図２の右側に示すような
露光部（２４）が形成される。
光方法を示す。また、図４にこのマスクレス露光方法に
よる露光装置の原理を示す。レーザ光源、例えばＤＭＤ
（Digital Micro-mirror Device）光源ユニット（２
０）よりレーザ光（２１）が、表面にレジスト（１３）
が塗布された基板（１４）上に直接照射される。一方、
基板又はレーザ光源が所定のパターン形状に従って走査
される。ＤＭＤ光源ユニット（２０）には、均一に量子
化された描画データ（２２）が高速メモリー（２３）に
より入力される。これにより、図２の右側に示すような
露光部（２４）が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、レーザ
発振を利用する従来のほとんどの直接描画式露光は、あ
る径のレーザビームを直接基板上のフォトレジスト等に
照射し、そのビームを走査することにより、所定のパタ
ーンを描画する。このような方法の場合、パターンの微
細化に伴い、ビーム径もその走査ピッチも微細化せざる
を得ず、必然的に扱う描画データ量も肥大化し、その膨
大なデータを露光装置のシステム内で迅速に処理するこ
とが難しく、或いは不可能となり、結果としてスループ
ットの低下を招く。これは、微細パターンのみならず、
電源、アース或いはその他のメッキ用パターンといった
いわゆる大面積の「ベタ」パターンまでもを、微細化し
たビーム径・ピッチで一様に露光していることに一因が
ある。
発振を利用する従来のほとんどの直接描画式露光は、あ
る径のレーザビームを直接基板上のフォトレジスト等に
照射し、そのビームを走査することにより、所定のパタ
ーンを描画する。このような方法の場合、パターンの微
細化に伴い、ビーム径もその走査ピッチも微細化せざる
を得ず、必然的に扱う描画データ量も肥大化し、その膨
大なデータを露光装置のシステム内で迅速に処理するこ
とが難しく、或いは不可能となり、結果としてスループ
ットの低下を招く。これは、微細パターンのみならず、
電源、アース或いはその他のメッキ用パターンといった
いわゆる大面積の「ベタ」パターンまでもを、微細化し
たビーム径・ピッチで一様に露光していることに一因が
ある。
【０００８】そこで、本発明は、この種の露光装置のう
ち、「ボールセミコンダクター社製マスクレス露光機」
をベースに、微細化に対応するため不可避となる描画ビ
ーム径や分解能の微細化に伴う描画データの肥大化がも
たらす走査性能（露光のスループット）低下を防ぐため
の基本技術を提案する。
ち、「ボールセミコンダクター社製マスクレス露光機」
をベースに、微細化に対応するため不可避となる描画ビ
ーム径や分解能の微細化に伴う描画データの肥大化がも
たらす走査性能（露光のスループット）低下を防ぐため
の基本技術を提案する。
【０００９】また、本提案は、ビームを使用するその他
の直描画装置・システムにも応用が可能であると考えら
れる。
の直描画装置・システムにも応用が可能であると考えら
れる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明によれば、被露光面の単一の露光領域に対
して径及び走査ピッチの異なる複数のビームを用いて露
光することを特徴とする露光方法が提供される。更に本
発明では、半導体基板の被露光面をビームにより露光す
る露光装置において、照射面積の異なる複数の光源と、
該光源又は前記基板の少なくとも一方を走査する手段
と、各ビームについての走査ピッチを異ならせる走査制
御手段とを具備することを特徴とする露光装置が提供さ
れる。
めに、本発明によれば、被露光面の単一の露光領域に対
して径及び走査ピッチの異なる複数のビームを用いて露
光することを特徴とする露光方法が提供される。更に本
発明では、半導体基板の被露光面をビームにより露光す
る露光装置において、照射面積の異なる複数の光源と、
該光源又は前記基板の少なくとも一方を走査する手段
と、各ビームについての走査ピッチを異ならせる走査制
御手段とを具備することを特徴とする露光装置が提供さ
れる。
【００１１】このように本発明では、異なるビーム照射
面積を実現する光源を複数個装備しているので、露光す
べき領域で微細な露光パターン部と「ベタ」の露光パタ
ーン部とでそれぞれ別個の光源を使用して露光を個々な
うことができる。照射面積の異なるビームには、ビーム
径の小さいものとビーム径の大きいもの等が含まれる。
なお、ビームの断面は円形に限らず、隋円や矩形のもの
もある。
面積を実現する光源を複数個装備しているので、露光す
べき領域で微細な露光パターン部と「ベタ」の露光パタ
ーン部とでそれぞれ別個の光源を使用して露光を個々な
うことができる。照射面積の異なるビームには、ビーム
径の小さいものとビーム径の大きいもの等が含まれる。
なお、ビームの断面は円形に限らず、隋円や矩形のもの
もある。
【００１２】被露光面の単一の露光領域の周辺領域に対
して径の小さなビームを用いて露光し、且つ内部領域を
径の大きなビームを用いて露光することを特徴とする。
径の小さなビームを照射する第１の光源と、径の大きな
ビームを照射する第２の光源と、露光領域の周辺領域を
前記第１の光源により露光し、露光領域の内部領域を前
記第２の光源により露光するようにそれぞれの光源を制
御する制御手段を具備することを特徴とする。
して径の小さなビームを用いて露光し、且つ内部領域を
径の大きなビームを用いて露光することを特徴とする。
径の小さなビームを照射する第１の光源と、径の大きな
ビームを照射する第２の光源と、露光領域の周辺領域を
前記第１の光源により露光し、露光領域の内部領域を前
記第２の光源により露光するようにそれぞれの光源を制
御する制御手段を具備することを特徴とする。
【００１３】露光領域の周辺領域を微細パターンを描画
するに適した第１の光源により露光し、露光領域の内部
領域を「ベタ」パターンを描画するに適した第２の光源
により露光することにより、１つの露光領域を露光する
場合のスループットを大幅に向上することができる。ま
た、露光領域の周辺領域を第１の光源により微細に走査
し、露光領域の内部領域を第２の光源により粗に走査す
ることにより、１つの露光領域を露光する場合のスルー
プットを更に向上することができる。
するに適した第１の光源により露光し、露光領域の内部
領域を「ベタ」パターンを描画するに適した第２の光源
により露光することにより、１つの露光領域を露光する
場合のスループットを大幅に向上することができる。ま
た、露光領域の周辺領域を第１の光源により微細に走査
し、露光領域の内部領域を第２の光源により粗に走査す
ることにより、１つの露光領域を露光する場合のスルー
プットを更に向上することができる。
【００１４】露光領域の内部領域を抽出するにあたっ
て、前記露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所
定量（α）の細らせ処理を行い、該細らせ処理により得
られた図形（Ｂ）を得ることを特徴とする。
て、前記露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所
定量（α）の細らせ処理を行い、該細らせ処理により得
られた図形（Ｂ）を得ることを特徴とする。
【００１５】前記露光領域の図形（Ａ）から前記細らせ
処理により得られた図形（Ｂ）を減ずる図形処理により
図形（Ｃ）を得、このようにして得た図形（Ｃ）を、径
の小さなビームを用いて露光することのできる空間的な
領域を１つの単位として、複数に分割すると共に、前記
細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細らせ処
理の際の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ外部
へ太らせ処理を行い、該太らせ処理により得られた図形
（Ｄ）を得、このようにして得た図形（Ｄ）を、径の大
きなビームを用いて露光可能な空間的な領域を１つの単
位として、複数に分割することを特徴とする。
処理により得られた図形（Ｂ）を減ずる図形処理により
図形（Ｃ）を得、このようにして得た図形（Ｃ）を、径
の小さなビームを用いて露光することのできる空間的な
領域を１つの単位として、複数に分割すると共に、前記
細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細らせ処
理の際の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ外部
へ太らせ処理を行い、該太らせ処理により得られた図形
（Ｄ）を得、このようにして得た図形（Ｄ）を、径の大
きなビームを用いて露光可能な空間的な領域を１つの単
位として、複数に分割することを特徴とする。
【００１６】前記被露光面は配線基板または半導体基板
であり、該基板と径の小さなビームの第１の光源との
間、及び前記基板と径の大きなビームの第２の光源との
間で、それぞれ独立して相対的に走査されることを特徴
とする。なお、本発明における露光対象物としては、プ
リント配線板等の配線基板又は半導体基板（半導体ウエ
ハ）等である。
であり、該基板と径の小さなビームの第１の光源との
間、及び前記基板と径の大きなビームの第２の光源との
間で、それぞれ独立して相対的に走査されることを特徴
とする。なお、本発明における露光対象物としては、プ
リント配線板等の配線基板又は半導体基板（半導体ウエ
ハ）等である。
【００１７】前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベース
に格納する工程と、前記走査と同期して、描画すべき領
域に属する前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベースか
ら検索する工程と、該検索した図形データを量子化する
工程と、該量子化したデータをメモリに蓄積する工程
と、を具備することを特徴とする。
に格納する工程と、前記走査と同期して、描画すべき領
域に属する前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベースか
ら検索する工程と、該検索した図形データを量子化する
工程と、該量子化したデータをメモリに蓄積する工程
と、を具備することを特徴とする。
【００１８】前記第１の光源及び前記第２の光源を制御
する光源ユニットは、前記メモリから量子化されたデー
タを読み出し、該データに基づき前記第１及び第２の光
源を駆動することを特徴とする。
する光源ユニットは、前記メモリから量子化されたデー
タを読み出し、該データに基づき前記第１及び第２の光
源を駆動することを特徴とする。
【００１９】ビームとしてレーザ光を用いることを特徴
とする。なお、本発明の露光装置又は方法では、ビーム
としてレーザ光を適用する場合の他に電子ビームを用い
ることも可能である。
とする。なお、本発明の露光装置又は方法では、ビーム
としてレーザ光を適用する場合の他に電子ビームを用い
ることも可能である。
【００２０】本発明では、ビームによる露光のプログラ
ムを実行するこめの媒体が提供され、該媒体は、露光領
域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所定量（α）の細
らせ処理を行い、該細らせ処理により得られた図形
（Ｂ）を得るステップと、前記露光領域の図形（Ａ）か
ら前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を減ずる図
形処理により図形（Ｃ）を得るステップと、前記細らせ
処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細らせ処理の際
の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ外部へ太ら
せ処理を行い、該太らせ処理により得られた図形（Ｄ）
を得るステップと、このようにして得た複数の図形
（Ｃ、Ｄ）を、それぞれの図形ごとに、露光可能な空間
的な領域を１つの単位として、複数に分割するステップ
と、の各ステップを実行するプログラムを具備する。
ムを実行するこめの媒体が提供され、該媒体は、露光領
域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所定量（α）の細
らせ処理を行い、該細らせ処理により得られた図形
（Ｂ）を得るステップと、前記露光領域の図形（Ａ）か
ら前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を減ずる図
形処理により図形（Ｃ）を得るステップと、前記細らせ
処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細らせ処理の際
の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ外部へ太ら
せ処理を行い、該太らせ処理により得られた図形（Ｄ）
を得るステップと、このようにして得た複数の図形
（Ｃ、Ｄ）を、それぞれの図形ごとに、露光可能な空間
的な領域を１つの単位として、複数に分割するステップ
と、の各ステップを実行するプログラムを具備する。
【００２１】露光領域の内部領域を抽出するにあたっ
て、前記露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所
定量（α）の細らせて図形（Ｂ）を得る手段と、前記露
光領域の図形（Ａ）から前記細らせ処理により得られた
図形（Ｂ）を減ずる図形処理により図形（Ｃ）を得る手
段と、前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前
記細らせ処理の際の所定量（α）より小さい所定量
（β）だけ外部へ太らせ処理を行うことにより図形
（Ｄ）を得る手段と、このようにして得た複数の図形
（Ｃ、Ｄ）を、それぞれの図形ごとに、露光可能な空間
的な領域を１つの単位として、複数に分割する手段と、
を具備することを特徴とする。
て、前記露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所
定量（α）の細らせて図形（Ｂ）を得る手段と、前記露
光領域の図形（Ａ）から前記細らせ処理により得られた
図形（Ｂ）を減ずる図形処理により図形（Ｃ）を得る手
段と、前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前
記細らせ処理の際の所定量（α）より小さい所定量
（β）だけ外部へ太らせ処理を行うことにより図形
（Ｄ）を得る手段と、このようにして得た複数の図形
（Ｃ、Ｄ）を、それぞれの図形ごとに、露光可能な空間
的な領域を１つの単位として、複数に分割する手段と、
を具備することを特徴とする。
【００２２】前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベース
に格納する手段と、前記走査と同期して、描画すべき領
域に属する前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベースか
ら検索する手段と、該検索した図形データを量子化する
手段と、該量子化したデータをメモリに蓄積する手段
と、を具備することを特徴とする。
に格納する手段と、前記走査と同期して、描画すべき領
域に属する前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベースか
ら検索する手段と、該検索した図形データを量子化する
手段と、該量子化したデータをメモリに蓄積する手段
と、を具備することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について詳細に説明する。
の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】上記のように、本発明は、主にボールセミ
コンダクタ社の露光装置を対象としている。ボールセミ
コンダクタ社の露光装置は、光源（ＤＭＤに用いる光
源）として、レーザや、水銀ランプを用いている。本発
明の以下の実施例では、レーザを用いた例を示してい
る。
コンダクタ社の露光装置を対象としている。ボールセミ
コンダクタ社の露光装置は、光源（ＤＭＤに用いる光
源）として、レーザや、水銀ランプを用いている。本発
明の以下の実施例では、レーザを用いた例を示してい
る。
【００２５】しかしながら、本発明はボールセミコンダ
クタ社以外の、電子ビームを用いた露光装置にも適用可
能である。
クタ社以外の、電子ビームを用いた露光装置にも適用可
能である。
【００２６】なお、ボールセミコンダクタ社の露光装置
は、ＤＭＤ（Digital Micro-mirrorDevice）またはＤＬ
Ｐ（Digital Light Processor）と呼ばれる、テキサス
・インスツルメンツ社の画像表示部品を用いて露光を行
う装置である。
は、ＤＭＤ（Digital Micro-mirrorDevice）またはＤＬ
Ｐ（Digital Light Processor）と呼ばれる、テキサス
・インスツルメンツ社の画像表示部品を用いて露光を行
う装置である。
【００２７】図３にフォトマスクを使用しないマスクレ
ス露光であって、レーザ光による直接描画露光を行な
う、本発明の改善したマスクレス露光装置の概略を示
す。また、図５に本発明によるマスクレス露光方法によ
る露光装置の原理を示す。
ス露光であって、レーザ光による直接描画露光を行な
う、本発明の改善したマスクレス露光装置の概略を示
す。また、図５に本発明によるマスクレス露光方法によ
る露光装置の原理を示す。
【００２８】図３において、本発明では、径の異なる複
数の光源３１，４１を具備する。即ち、照射面積の小さ
い、例えば、径の小さなレーザビームを照射する第１の
レーザ光源３１と、照射面積の大きい、例えば径の大き
なレーザビームを照射する第２のレーザ光源４１とを具
備する。そして、第１のレーザ光源と配線板との間、及
び第２のレーザ光源と配線板との間にて、それぞれ独立
して相対的に走査されながら、レジストが塗布された基
板の被露光面に対してこれらの第１、第２のレーザ光源
により直接描画露光される。
数の光源３１，４１を具備する。即ち、照射面積の小さ
い、例えば、径の小さなレーザビームを照射する第１の
レーザ光源３１と、照射面積の大きい、例えば径の大き
なレーザビームを照射する第２のレーザ光源４１とを具
備する。そして、第１のレーザ光源と配線板との間、及
び第２のレーザ光源と配線板との間にて、それぞれ独立
して相対的に走査されながら、レジストが塗布された基
板の被露光面に対してこれらの第１、第２のレーザ光源
により直接描画露光される。
【００２９】図５において、第１のレーザ光源（ＤＭＤ
光源ユニット）３１により露光する描画するデータ、第
２のレーザ光源（ＤＭＤ光源ユニット）４１により露光
する描画するデータ、をそれぞれデータベース３６，４
６に予め格納して格納しておく。そして、高速メモリ３
４，４４により量子化回路３５，４５を介してこれらの
光源ユニット３１，４１をそれぞれ制御する。これによ
り、第１及び第２の光源ユニット３１，４１によりレー
ザ光３２，４２が、表面にレジスト１３が塗布された基
板１４上に直接照射される。
光源ユニット）３１により露光する描画するデータ、第
２のレーザ光源（ＤＭＤ光源ユニット）４１により露光
する描画するデータ、をそれぞれデータベース３６，４
６に予め格納して格納しておく。そして、高速メモリ３
４，４４により量子化回路３５，４５を介してこれらの
光源ユニット３１，４１をそれぞれ制御する。これによ
り、第１及び第２の光源ユニット３１，４１によりレー
ザ光３２，４２が、表面にレジスト１３が塗布された基
板１４上に直接照射される。
【００３０】これにより、露光領域２４は、図３の右側
に示すように、その周辺領域３３を第１の光源により微
細に露光され、露光領域２４の内部領域４３を第２の光
源により「ベタ」露光される。
に示すように、その周辺領域３３を第１の光源により微
細に露光され、露光領域２４の内部領域４３を第２の光
源により「ベタ」露光される。
【００３１】次に、図３及び図５に示すような２種類の
光源ユニットを用いる場合の描画データの処理手順を図
６〜図１０を参照して説明する。なお、３種類以上の光
源ユニットを用いる場合も、同様の原理を適用すること
ができる。
光源ユニットを用いる場合の描画データの処理手順を図
６〜図１０を参照して説明する。なお、３種類以上の光
源ユニットを用いる場合も、同様の原理を適用すること
ができる。
【００３２】（１）まず、図６において、描画対象とな
る図形の定義を行う。描画対象となる図形は、例えば、
この図に示すように、微細な直線状のパターン、幅の広
いパターン、「ベタ」パターンの３つの図形パターンか
ら構成されているものと仮定する。これらの図形をまと
めて「Ａ」とする。もちろん、他の形状の図形パターン
であっても以下に説明する手順と同様の手順を採用し得
ることはもちろんである。
る図形の定義を行う。描画対象となる図形は、例えば、
この図に示すように、微細な直線状のパターン、幅の広
いパターン、「ベタ」パターンの３つの図形パターンか
ら構成されているものと仮定する。これらの図形をまと
めて「Ａ」とする。もちろん、他の形状の図形パターン
であっても以下に説明する手順と同様の手順を採用し得
ることはもちろんである。
【００３３】（２）次に、図７において、「微細図形」
と「周囲部」の抽出（その１）を行なう。図６に示した
図形Ａに対し、いわゆる「細らせ処理」を施す。ここ
で、「細らせ処理」とは、図形の輪郭を一定量（α）削
り取る図形処理（図形を縮小する処理）ことである。図
形Ａのうち、例えば左側に示すような微細なパターン
（一例として直線状の微細パターンを示す）の幅は、
「細らせ処理」によりマイナス（面積が無くなる）とな
るため、消滅する。「細らせ処理」により発生した図形
をＢとする。
と「周囲部」の抽出（その１）を行なう。図６に示した
図形Ａに対し、いわゆる「細らせ処理」を施す。ここ
で、「細らせ処理」とは、図形の輪郭を一定量（α）削
り取る図形処理（図形を縮小する処理）ことである。図
形Ａのうち、例えば左側に示すような微細なパターン
（一例として直線状の微細パターンを示す）の幅は、
「細らせ処理」によりマイナス（面積が無くなる）とな
るため、消滅する。「細らせ処理」により発生した図形
をＢとする。
【００３４】（３）次に、図８において、「微細図形」
と「周囲部」の抽出（その１）を行なう。図６に示した
図形Ａと図７に示した図形Ｂとの間で、Ａ−Ｂなる図形
演算を施す。この図形演算の結果を図形Ｃとする。
と「周囲部」の抽出（その１）を行なう。図６に示した
図形Ａと図７に示した図形Ｂとの間で、Ａ−Ｂなる図形
演算を施す。この図形演算の結果を図形Ｃとする。
【００３５】（４）次に、図９において、「内部」又は
「ベタ」パターンの抽出を行なう。図７に示した「細ら
せ処理」の結果Ｂに対し、若干の「太らせ処理」を施
す。ここで、「太らせ処理」とは、図形の輪郭に一定量
（β）の肉付けをする図形処理（図形を拡大する処理）
のことである。この「太らせ処理」による図形の輪郭に
肉付けする一定量（β）は、上述の「細らせ処理」によ
る図形の輪郭を削り取る一定量（α）より小さい。「太
らせ処理」により発生した図形をＤとする。
「ベタ」パターンの抽出を行なう。図７に示した「細ら
せ処理」の結果Ｂに対し、若干の「太らせ処理」を施
す。ここで、「太らせ処理」とは、図形の輪郭に一定量
（β）の肉付けをする図形処理（図形を拡大する処理）
のことである。この「太らせ処理」による図形の輪郭に
肉付けする一定量（β）は、上述の「細らせ処理」によ
る図形の輪郭を削り取る一定量（α）より小さい。「太
らせ処理」により発生した図形をＤとする。
【００３６】図形Ｄと図形Ｃとの間には、図１０に示す
ような、若干の重なり（図形Ｅ）が存在することにな
り、これにより、異なる２つ光源により露光する場合の
「隙間」の発生を回避する。図形Ｃのうち、中抜き形状
（ドーナッツ）を持つパターンの内側の輪郭を若干内部
に変位させても同じ効果を得ることができる。
ような、若干の重なり（図形Ｅ）が存在することにな
り、これにより、異なる２つ光源により露光する場合の
「隙間」の発生を回避する。図形Ｃのうち、中抜き形状
（ドーナッツ）を持つパターンの内側の輪郭を若干内部
に変位させても同じ効果を得ることができる。
【００３７】（５）次に、図１１において、図形の分割
を行う。露光に際しては、基板と光源は相対的に一定の
方向に走査される。また、走査の過程において、光源が
一度に露光できる空間的な領域には物理的な上限がある
ので、図８、図９に示した図形を図１１に示すように分
割する。図１１には、図８の図形を分割した場合を示
す。分割した図形そのものは示していないが、図９の図
形も同様に、光源が一度に露光できる空間的な領域を単
位として分割される。
を行う。露光に際しては、基板と光源は相対的に一定の
方向に走査される。また、走査の過程において、光源が
一度に露光できる空間的な領域には物理的な上限がある
ので、図８、図９に示した図形を図１１に示すように分
割する。図１１には、図８の図形を分割した場合を示
す。分割した図形そのものは示していないが、図９の図
形も同様に、光源が一度に露光できる空間的な領域を単
位として分割される。
【００３８】例えば、図８に示す領域を径の細いビーム
を照射する第１の光源３１により露光するものとし、基
板と光源が相対的に矢印方向に走査されるものとする
と、第１の光源３１が一度に露光できる領域に分割され
る図形パターンＣ’が得られる。この図形パターンＣ’
の１区画が、第１の光源３１により一度に露光できる領
域である。このように分割された図形は、走査過程にお
ける出現順に図５のデータベースに格納される。
を照射する第１の光源３１により露光するものとし、基
板と光源が相対的に矢印方向に走査されるものとする
と、第１の光源３１が一度に露光できる領域に分割され
る図形パターンＣ’が得られる。この図形パターンＣ’
の１区画が、第１の光源３１により一度に露光できる領
域である。このように分割された図形は、走査過程にお
ける出現順に図５のデータベースに格納される。
【００３９】（６）次に、図形データの量子化を行う。
「量子化回路」は、（ａ）基板・走査と同期して、
（ｂ）描画すべき特定の領域に属する図形データをデー
タベースから検索し、（ｃ）量子化（digitzing)を行
い、（ｄ）量子化したデータを「高速メモリ」に一時的
に読み出し、内蔵する光源駆動装置を経由して光源を制
御する。データベースの容量が許せば、量子化したデー
タを露光開始前に作成し、そのデータをデータベースに
蓄積することも考えられる。その場合、「量子化回路」
は、上述の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の機能を果たす。
「量子化回路」は、（ａ）基板・走査と同期して、
（ｂ）描画すべき特定の領域に属する図形データをデー
タベースから検索し、（ｃ）量子化（digitzing)を行
い、（ｄ）量子化したデータを「高速メモリ」に一時的
に読み出し、内蔵する光源駆動装置を経由して光源を制
御する。データベースの容量が許せば、量子化したデー
タを露光開始前に作成し、そのデータをデータベースに
蓄積することも考えられる。その場合、「量子化回路」
は、上述の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の機能を果たす。
【００４０】なお、本発明において、「量子化」、「量
子化回路」とは、描画すべき特定の領域に属する図形デ
ータを、露光部分と非露光部分とに分ける処理（二値化
する処理）と、その処理を行う回路をいう。一般的に量
子化とは、物理量を量子論的な量で置き換える場合の呼
称であるが、本発明ではこれと異なる意味で用いている
ことに留意すべきである。
子化回路」とは、描画すべき特定の領域に属する図形デ
ータを、露光部分と非露光部分とに分ける処理（二値化
する処理）と、その処理を行う回路をいう。一般的に量
子化とは、物理量を量子論的な量で置き換える場合の呼
称であるが、本発明ではこれと異なる意味で用いている
ことに留意すべきである。
【００４１】次に、本発明による図形処理の手順を図１
２及び図１３に示すフローチャートに基づいて説明す
る。
２及び図１３に示すフローチャートに基づいて説明す
る。
【００４２】図１２において、ステップ１０２にて、デ
ータベース（１０１）から図形のレイアウト設計データ
を読み込む。次に、ステップ１０３にて、図６で説明し
た描画対象となる元の図形Ａを定義を行い、元の図形デ
ータを得る（１０４）。次に、ステップ１０５にて、図
形Ａの周辺輪郭から内部へ所定量（α）の細らせ処理を
行う。この細らせ処理（リサイジング）を行う場合は、
例えば、特開２０００−２２２４４９号公報で記載され
ているような図形処理により行なうことができる。この
細らせ処理による結果の図形Ｂを得る（１０６）。
ータベース（１０１）から図形のレイアウト設計データ
を読み込む。次に、ステップ１０３にて、図６で説明し
た描画対象となる元の図形Ａを定義を行い、元の図形デ
ータを得る（１０４）。次に、ステップ１０５にて、図
形Ａの周辺輪郭から内部へ所定量（α）の細らせ処理を
行う。この細らせ処理（リサイジング）を行う場合は、
例えば、特開２０００−２２２４４９号公報で記載され
ているような図形処理により行なうことができる。この
細らせ処理による結果の図形Ｂを得る（１０６）。
【００４３】図１３において、左側のフローチャート
は、図形の周辺部を露光処理する手順であり、右側のフ
ローチャートは、図形の内部（ベタパターン）を露光処
理するための手順である。
は、図形の周辺部を露光処理する手順であり、右側のフ
ローチャートは、図形の内部（ベタパターン）を露光処
理するための手順である。
【００４４】ステップ１１１にて、図８で説明した図形
演算Ａ−Ｂを行う。この図形演算（１）は、公知のビッ
トマップ法又はベクトル法により行うことができる。こ
のビットマップ法又はベクトル法による図形の減算処理
については、例えば、「ＶＳＬＩの設計Ｉ回路とレイア
ウト」（渡辺、浅田、可児、大附；岩波講座マイクロエ
レクトロニクス；岩波書店；1985年）・・・文献（１）
に詳しく説明されている。これにより、図形演算Ａ−Ｂ
＝Ｃの結果を得る（１１２）。
演算Ａ−Ｂを行う。この図形演算（１）は、公知のビッ
トマップ法又はベクトル法により行うことができる。こ
のビットマップ法又はベクトル法による図形の減算処理
については、例えば、「ＶＳＬＩの設計Ｉ回路とレイア
ウト」（渡辺、浅田、可児、大附；岩波講座マイクロエ
レクトロニクス；岩波書店；1985年）・・・文献（１）
に詳しく説明されている。これにより、図形演算Ａ−Ｂ
＝Ｃの結果を得る（１１２）。
【００４５】次に、ステップ１１３にて、図１１で説明
した図形の分割を行う。多角形の分割では、例えば、 「Partitioning a Polygonal Region into Trapezoid
s」（by Taro Asano, Tetsuo Asano, Hiroshi Imai; Jo
urnal of ACM, Vol. 33, No. 2,April 1986; pp. 290-3
12）・・・文献（２） に説明されているような算法を適用することができる。
また、分割によって発生した図形（矩形、台形、三角
形）が光源により一度に露光できる空間に収まるよう、
必要に応じて更に分割する。この分割により図５に示す
光源ユニット３１用の描画データ「微細」「周辺」が得
られる（１１４）。
した図形の分割を行う。多角形の分割では、例えば、 「Partitioning a Polygonal Region into Trapezoid
s」（by Taro Asano, Tetsuo Asano, Hiroshi Imai; Jo
urnal of ACM, Vol. 33, No. 2,April 1986; pp. 290-3
12）・・・文献（２） に説明されているような算法を適用することができる。
また、分割によって発生した図形（矩形、台形、三角
形）が光源により一度に露光できる空間に収まるよう、
必要に応じて更に分割する。この分割により図５に示す
光源ユニット３１用の描画データ「微細」「周辺」が得
られる（１１４）。
【００４６】次に、ステップ１１５にて、基板走査の同
期信号に基づき、分割された図形の抽出を行う（図
５）。これにより、抽出された図形である（ベクトルデ
ータ）を得る（１１６）。
期信号に基づき、分割された図形の抽出を行う（図
５）。これにより、抽出された図形である（ベクトルデ
ータ）を得る（１１６）。
【００４７】次に、ステップ１１７にて、量子化回路
（図５）により量子化を行う。これにより、量子化され
た図形（ビットマップデータ）を得る（１１８）。これ
に基づき、ステップ１１９にて、ＤＭＤ光源ユニット３
１を駆動する。
（図５）により量子化を行う。これにより、量子化され
た図形（ビットマップデータ）を得る（１１８）。これ
に基づき、ステップ１１９にて、ＤＭＤ光源ユニット３
１を駆動する。
【００４８】図１３において、右側のフローチャート
は、図形の内部を露光処理する手順であり、各ステップ
１２１〜１２９は左側のフローチャートの各ステップ１
１１〜１１９に対応している。即ち、ステップ１２１に
て、図９で説明した、太らせ処理を行う。この太らせ処
理の図形演算も、前記細らせ処理（ステップ１０５）と
同様に、例えば、特開２０００−２２２４４９号公報で
記載されているような図形処理により行なうことができ
る。この太らせ処理による結果の図形Ｄを得る（１２
２）。
は、図形の内部を露光処理する手順であり、各ステップ
１２１〜１２９は左側のフローチャートの各ステップ１
１１〜１１９に対応している。即ち、ステップ１２１に
て、図９で説明した、太らせ処理を行う。この太らせ処
理の図形演算も、前記細らせ処理（ステップ１０５）と
同様に、例えば、特開２０００−２２２４４９号公報で
記載されているような図形処理により行なうことができ
る。この太らせ処理による結果の図形Ｄを得る（１２
２）。
【００４９】次に、ステップ１２３にて、図１１で説明
した図形の分割を行う。この分割の場合も、上述のステ
ップ１１３で説明した多角形の分割と同様の文献（２）
で説明されているような算法を適用することができる。
また、この場合も同様、分割によって発生した図形（矩
形、台形、三角形）が光源により一度に露光できる空間
に収まるよう、必要に応じて更に分割する。この分割に
より図５に示す光源ユニット（２）用の描画データ「ベ
タ」「内部」が得られる（１２４）。
した図形の分割を行う。この分割の場合も、上述のステ
ップ１１３で説明した多角形の分割と同様の文献（２）
で説明されているような算法を適用することができる。
また、この場合も同様、分割によって発生した図形（矩
形、台形、三角形）が光源により一度に露光できる空間
に収まるよう、必要に応じて更に分割する。この分割に
より図５に示す光源ユニット（２）用の描画データ「ベ
タ」「内部」が得られる（１２４）。
【００５０】次に、ステップ１２５にて、基板走査の同
期信号に基づき、分割された図形の抽出を行う（図
５）。これにより、抽出された図形である（ベクトルデ
ータ）を得る（１２６）。
期信号に基づき、分割された図形の抽出を行う（図
５）。これにより、抽出された図形である（ベクトルデ
ータ）を得る（１２６）。
【００５１】次に、ステップ１２７にて、量子化回路
（図５）により量子化を行う。これにより、量子化され
た図形（ビットマップデータ）を得る（１２８）。これ
に基づき、ステップ１２９にて、ＤＭＤ光源ユニット４
１を駆動する。
（図５）により量子化を行う。これにより、量子化され
た図形（ビットマップデータ）を得る（１２８）。これ
に基づき、ステップ１２９にて、ＤＭＤ光源ユニット４
１を駆動する。
【００５２】以上添付図面を参照して本発明の実施の形
態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限
定されるものではわなく、本発明の精神ないし範囲内に
おいて種々の形態、変形、修正等が可能である。
態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限
定されるものではわなく、本発明の精神ないし範囲内に
おいて種々の形態、変形、修正等が可能である。
【００５３】例えば、上述の実施形態では、光源ユニッ
トとしてレーザビーム径の小さいＤＭＤ光源ユニット３
１とビーム径の大きいＤＭＤ光源ユニット４１の２種類
を使用したが、例えば、レーザビーム径がそれぞれ異な
る３種類以上の光源ユニットを使用することももちろん
可能である。この場合には、図形パターンを上記のよう
に、「微細」「周辺」と「ベタ」「内部」との２種類に
分割するのではなく、その中間の領域を設けた、３種類
に分割するか、或いはそれ４種類以上に分割することも
可能である。
トとしてレーザビーム径の小さいＤＭＤ光源ユニット３
１とビーム径の大きいＤＭＤ光源ユニット４１の２種類
を使用したが、例えば、レーザビーム径がそれぞれ異な
る３種類以上の光源ユニットを使用することももちろん
可能である。この場合には、図形パターンを上記のよう
に、「微細」「周辺」と「ベタ」「内部」との２種類に
分割するのではなく、その中間の領域を設けた、３種類
に分割するか、或いはそれ４種類以上に分割することも
可能である。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、異なるレーザビー
ム照射面積を実現する光源を複数個装備しているので、
露光すべき領域で微細な露光パターン部と「ベタ」の露
光パターン部とでそれぞれ別個の光源を使用して露光を
行なうことができる。
ム照射面積を実現する光源を複数個装備しているので、
露光すべき領域で微細な露光パターン部と「ベタ」の露
光パターン部とでそれぞれ別個の光源を使用して露光を
行なうことができる。
【００５５】露光領域の周辺領域を微細パターンを描画
するに適した第１の光源により露光し、露光領域の内部
領域を「ベタ」パターンを描画するに適した第２の光源
により露光することにより、１つの露光領域を露光する
場合のスループットを大幅に向上することができる。ま
た、露光領域の周辺領域を第１の光源により微細に走査
し、露光領域の内部領域を第２の光源により粗に走査す
ることにより、１つの露光領域を露光する場合のスルー
プットを更に向上することができる。
するに適した第１の光源により露光し、露光領域の内部
領域を「ベタ」パターンを描画するに適した第２の光源
により露光することにより、１つの露光領域を露光する
場合のスループットを大幅に向上することができる。ま
た、露光領域の周辺領域を第１の光源により微細に走査
し、露光領域の内部領域を第２の光源により粗に走査す
ることにより、１つの露光領域を露光する場合のスルー
プットを更に向上することができる。
【００５６】これにより、描画データの不必要な増大を
防ぐとともに、装置内のデータ処理速度の低下も防ぐこ
とにより、高速での露光処理を可能となる。
防ぐとともに、装置内のデータ処理速度の低下も防ぐこ
とにより、高速での露光処理を可能となる。
【図１】フォトマスクを使用するフォトリゾグラフィ技
術による従来の露光方法を示す。
術による従来の露光方法を示す。
【図２】レーザ光による従来のマスクレス露光方法を示
す。
す。
【図３】レーザ光による本発明のマスクレス露光方法を
示す。
示す。
【図４】レーザ光による従来のマスクレス露光装置の概
略を示す。
略を示す。
【図５】レーザ光による本発明のマスクレス露光装置の
概略を示す。
概略を示す。
【図６】描画対象となる元の図形の定義を示す。
【図７】元の図形よりの「細らせ処理」を示す。
【図８】「微細図形」と「周囲部」の抽出処理を示す。
【図９】「内部」または「ベタ」パターンの抽出処理を
示す。
示す。
【図１０】「周辺部」と「内部」又は「ベタ」パターン
の重なりを示す。
の重なりを示す。
【図１１】図形の分割処理を示す。
【図１２】図形処理（その１）のフローチャートであ
る。
る。
【図１３】図形処理（その２）のフローチャートであ
る。
る。
１３…レジスト
１４…基板
３１，４１…光源
３２，４２…レーザ光
３３，４３…露光部
３４，４４…高速メモリ
３５，４５…量子化回路
３６，４６…描画データベース
Claims (13)
- 【請求項１】 被露光面の単一の露光領域に対して照射
面積及び走査ピッチの異なる複数のビームを用いて露光
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 被露光面の単一の露光領域の周辺領域に
対して照射面積の小さなビームを用いて露光し、且つ内
部領域を照射面積の大きなビームを用いて露光すること
を特徴とする請求項１に記載の露光方法。 - 【請求項３】 露光領域の内部領域を抽出するにあたっ
て、前記露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ所
定量（α）の細らせ処理を行い、該細らせ処理により得
られた図形（Ｂ）を得ることを特徴とする請求項２に記
載の露光方法。 - 【請求項４】 前記露光領域の図形（Ａ）から前記細ら
せ処理により得られた図形（Ｂ）を減ずる図形処理によ
り図形（Ｃ）を得、このようにして得た図形（Ｃ）を、
径の小さなビームを用いて露光することのできる空間的
な領域を１つの単位として、複数に分割すると共に、 前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細ら
せ処理の際の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ
外部へ太らせ処理を行い、該太らせ処理により得られた
図形（Ｄ）を得、このようにして得た図形（Ｄ）を、径
の大きなビームを用いて露光可能な空間的な領域を１つ
の単位として、複数に分割することを特徴とする請求項
３に記載の露光方法。 - 【請求項５】 前記被露光面は配線基板または半導体基
板であり、該基板と径の小さなビームの第１の光源との
間、及び前記基板と径の大きなビームの第２の光源との
間で、それぞれ独立して相対的に走査されることを特徴
とする請求項４に記載の露光方法。 - 【請求項６】 前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベー
スに格納する工程と、前記走査と同期して、描画すべき
領域に属する前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベース
から検索する工程と、該検索した図形データを量子化す
る工程と、該量子化したデータをメモリに蓄積する工程
と、を具備することを特徴とする請求項５に記載の露光
方法。 - 【請求項７】 前記第１の光源及び前記第２の光源を制
御する光源ユニットは、前記メモリから量子化されたデ
ータを読み出し、該データに基づき前記第１及び第２の
光源を駆動することを特徴とする請求項６に記載の露光
方法。 - 【請求項８】 ビームとしてレーザ光を用いることを特
徴とする露光方法。 - 【請求項９】 露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内
部へ所定量（α）の細らせ処理を行い、該細らせ処理に
より得られた図形（Ｂ）を得るステップと、 前記露光領域の図形（Ａ）から前記細らせ処理により得
られた図形（Ｂ）を減ずる図形処理により図形（Ｃ）を
得るステップと、 前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細ら
せ処理の際の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ
外部へ太らせ処理を行い、該太らせ処理により得られた
図形（Ｄ）を得るステップと、 このようにして得た複数の図形（Ｃ、Ｄ）を、それぞれ
の図形ごとに、露光可能な空間的な領域を１つの単位と
して、複数に分割するステップと、の各ステップを実行
するためのプログラムを組み込んだ媒体。 - 【請求項１０】 配線基板または半導体基板の被露光面
をビームにより露光するビーム露光装置において、照射
面積の異なる複数の光源と、該光源又は前記基板の少な
くとも一方を走査する手段と、各ビームについての走査
ピッチを異ならせる走査制御手段とを具備することを特
徴とする露光装置。 - 【請求項１１】 照射面積の小さなビームを照射する第
１の光源と、照射面積の大きなビームを照射する第２の
光源と、露光領域の周辺領域を前記第１の光源により露
光し、露光領域の内部領域を前記第２の光源により露光
するようにそれぞれの光源を制御する制御手段を具備す
ることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。 - 【請求項１２】 露光領域の内部領域を抽出するにあた
って、前記露光領域の図形（Ａ）の周辺輪郭から内部へ
所定量（α）の細らせて図形（Ｂ）を得る手段と、 前記露光領域の図形（Ａ）から前記細らせ処理により得
られた図形（Ｂ）を減ずる図形処理により図形（Ｃ）を
得る手段と、 前記細らせ処理により得られた図形（Ｂ）を、前記細ら
せ処理の際の所定量（α）より小さい所定量（β）だけ
外部へ太らせ処理を行うことにより図形（Ｄ）を得る手
段と、 このようにして得た複数の図形（Ｃ、Ｄ）を、それぞれ
の図形ごとに、露光可能な空間的な領域を１つの単位と
して、複数に分割する手段と、を具備することを特徴と
する請求項１１に記載の露光装置。 - 【請求項１３】 前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベ
ースに格納する手段と、前記走査と同期して、描画すべ
き領域に属する前記図形データ（Ｃ，Ｄ）をデータベー
スから検索する手段と、該検索した図形データを量子化
する手段と、該量子化したデータをメモリに蓄積する手
段と、を具備することを特徴とする請求項１２に記載の
露光装置。
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