JP2000269123A

JP2000269123A - 露光パターンデータの生成方法と荷電ビーム露光装置

Info

Publication number: JP2000269123A
Application number: JP11075066A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Inenami; 良市稲浪; Tetsuo Nakasugi; 哲郎中杉
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-03-19
Filing date: 1999-03-19
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ショット間，フィールド間の露光パターンの
位置のずれに起因するレジストパターンの寸法変動を抑
制することができ、信頼性及び歩留まりの向上に寄与す
る。【解決手段】電子ビーム露光用の露光パターンデータ
を生成するための露光パターンデータ生成方法におい
て、電子ビームによるショットの重なり量を変化させた
ショットパターンに対する蓄積エネルギーを計算するス
テップＳ５と、Ｓ５で得られた蓄積エネルギー分布から
現像計算を行うステップＳ６と、Ｓ６の計算結果からパ
ターンの所望部分を指定して寸法を測定するステップＳ
７と、ショットの重なり量と測定された寸法との関係か
らショットパターンの最適な重なり量を決定するステッ
プと、決定された最適な重なり量を考慮して電子ビーム
露光の際の露光パターンデータを生成するステップとを
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サブマイクロメー
トル或いはそれ以下の半導体の微細加工を要するデバイ
スの製作技術に係わり、特にこの微細加工をリソグラフ
ィで形成するのに必要な露光パターンデータの作成方法
と荷電ビーム露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム露光によるリソグラフィで
は、露光すべき領域を複数のビーム偏向領域に分割して
露光を行うという特徴がある。偏向領域には、メインフ
ィールド及びサブフィールド等があり、それぞれの領域
同士の接続において、露光位置にずれが生じる。また、
同一フィールド内で露光を行う際にも、可変成形ビーム
（ＶＳＢ）やキャラクタプロジェクション（ＣＰ）方式
では、ビームを成形してショットを繰り返すため、隣接
するショットとの間にずれが生じる。

【０００３】そして、ショットやフィールドの境界で露
光パターンの位置がずれることにより、接続するパター
ン同士が重なり合ったり、逆に離れたりする。この影響
は、パターン寸法のばらつきとなって、作成するデバイ
スの特性の劣化などの影響を及ぼす。

【０００４】現在使用されている電子ビーム露光装置で
は、ショットの位置及びフィールド間のずれがそれぞ
れ、数ｎｍ及び数十ｎｍ存在するため、微細なパターン
になると作成したデバイスの特性にばらつきが大きくな
る。その結果、デバイスの信頼性の低下，歩留まりが悪
くなるなどの問題が起こる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、電子
ビーム露光によるリソグラフィにおいては、ショット間
やフィールド間での露光パターンの位置ずれが発生し、
これがデバイスの信頼性及び歩留まりを低下させる要因
となっていた。

【０００６】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、ショット間，フィール
ド間の露光パターンの位置のずれに起因するレジストパ
ターンの寸法変動を抑制することができ、信頼性及び歩
留まりの向上に寄与し得る露光パターンデータ作成方法
と荷電ビーム露光装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は、１．コンピュータシミュレーションによるショットパタ
ーンの最適重ね合わせ量の求め方２．ショットパターンの隣接するパターンに対する境界
情報の与え方３．境界情報を参照することによる露光パターンの生成
方法４．露光装置によるショットパターンの補正方法を提案するものである。

【０００８】即ち本発明は、露光パターンデータの生成
方法において、荷電ビームによるショットパターンの重
なり量と該重なり量で形成されるレジストパターンの前
記重なり部分の寸法との関係を求める工程と、前記求め
られた関係からショットパターンの最適な重なり量を決
定する工程と、前記決定された最適な重なり量を考慮し
て荷電ビーム露光の際の露光パターンデータを生成する
工程とを含むことを特徴とする。

【０００９】また本発明は、露光パターンデータの生成
方法において、荷電ビームによるショットの重なり量を
変化させたショットパターンに対する蓄積エネルギーを
計算する工程と、前記計算して得られた蓄積エネルギー
分布から現像計算を行う工程と、前記現像計算の結果か
らパターンの所望部分を指定して寸法を測定する工程
と、前記ショットの重なり量と前記測定された寸法との
関係からショットパターンの最適な重なり量を決定する
工程と、前記決定された最適な重なり量を考慮して荷電
ビーム露光の際の露光パターンデータを生成する工程と
を含むことを特徴とする。

【００１０】ここで、ショットパターンの最適な重なり
量を決定する工程として、複数のパターン間の重なり量
或いは離れる距離に対するショットの接続部分のパター
ン寸法を測定することにより重なり量とパターン寸法の
関係を求め、該求めた関係に基づいて前記パターン寸法
の許容される寸法範囲からそれに対応する重なり量の許
容範囲を求め、該求めた重なり量の許容範囲の中央の値
を選択することによりパターン間の最適重なり量を決定
する。

【００１１】また本発明は、露光パターンデータの生成
方法において、予め計算したショットパターンの最適重
ね合わせ量を入力する工程と、分割したショットパター
ンに隣接するパターンに関する境界情報を持たせる工程
と、前記境界情報を参照して、各ショットパターンを前
記最適重ね合わせ量分だけ大きくする工程とを含むこと
を特徴とする。

【００１２】また本発明は、荷電ビーム露光装置におい
て、ショットパターンに対して隣接するパターンに関す
る境界情報を得る手段と、前記境界情報を参照して、予
め計算しておいた最適重ね合わせ量の分だけショットパ
ターンを大きくする手段と、前記生成したパターンに対
応する信号により偏向器の制御を行う手段とを具備して
なることを特徴とする。

【００１３】（作用）本発明によれば、荷電ビーム露光
において上記のアルゴリズムを採用することにより、フ
ィールドつなぎや（ＶＳＢ，ＣＰ，丸ビームなどの）シ
ョットつなぎを考慮に入れたコンピュータシミュレーシ
ョンを行うことができるようになり、その結果の評価を
行うことにより、実際の露光時において、それらのつな
ぎ間に発生する寸法変動を許容範囲内に抑制することが
できるような、最適な露光パターンを生成することが可
能となる。

【００１４】また、ショットつなぎ間の寸法変動を許容
範囲内に抑制することができるような、最適なショット
パターン間の重ね合わせ量を用いたパターンの生成を計
算機上で行うことができるようになり、生成された最適
露光パターンを使用することにより、ＶＳＢ，ＣＰ，及
び丸ビームなど様々な方法による荷電ビーム露光装置に
おいて、露光装置にいかなる改良を加えなくても、寸法
変動の抑制されたパターンの露光を行うことが可能とな
る。

【００１５】また、計算機上で作成されたショット間の
最適重ね合わせ量を考慮に入れない通常の露光パターン
を露光装置及び露光装置の制御系でショットパターンに
展開する際に、最適重ね合わせ量を指定することによ
り、重なり量の最適化されたショットパターンを生成す
ることができる。この方法では、レジスト，プロセス，
及び露光のパラメータが変化した場合でも、同じパター
ンデータを用いて、寸法変動の抑制されたパターンの露
光を行うことが可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。

【００１７】（第１の実施形態）（構成）本実施形態では、露光に用いる電子ビームの加
速電圧が５０ｋＶのＶＳＢ方式の電子ビーム露光装置に
対して、露光条件の選定をコンピュータシミュレーショ
ンにて実施した。

【００１８】ＶＳＢ方式の電子ビーム露光装置では、照
射ビームをアパーチャにより成形する。この装置では、
一辺の長さが１μｍまでの大きさの長方形に成形するこ
とができる。所望のパターンはこの長方形に分割され、
露光の際にはそれらをつなぎ合わせる。このときのショ
ットのずれにより、ショット間境界でのパターン寸法の
変動が起こる。

【００１９】例えば、ネガレジストで考えた場合、図１
（ａ）のようにビーム１ａ，１ｂのショット位置が重な
ってずれた場合は、レジストパターン２のつなぎ境界部
分は太くなる。逆に、図１（ｂ）のようにビーム１ａ，
１ｂのショット位置が離れるようにずれた場合は、レジ
ストパターン２のつなぎ境界部分は細くなる。

【００２０】またこの装置では、副偏向領域は６０μｍ
角、主偏向領域は５００μｍ角となっており、これらよ
り大きいパターンを露光する場合には、露光パターンは
これらの領域に分割される。従って、これら分割された
領域間の位置のずれも境界でのパターン寸法の変動を引
き起こす。これらのずれ量は、副偏向領域及び主偏向領
域において、それぞれ３σ値で約２０ｎｍ，３５ｎｍで
あることが確認されている。

【００２１】ここでは、Ｓｉ基板上に厚さ０．５μｍの
レジストが塗布されている場合について、副偏向領域及
び主偏向領域間のショットつなぎを考え、隣接する２つ
の領域のパターンのずれによる重なり量によるパターン
寸法の変動量を、シミュレーションにより求めた。以下
に、シミュレーションによる計算方法の説明を行う。

【００２２】本実施形態で行った計算の各過程を示した
フローチャートを、図２に示した。まず、図３に示すよ
うに、Ｓｉ基板１０上のレジスト１１をｘｙｚ方向に３
次元で５ｎｍのメッシュ１２に分割する（ステップＳ
１）。

【００２３】次いで、入射電子１０万個とし、モンテカ
ルロシミュレーションを実施した（ステップＳ２）。こ
のモンテカルロシミュレーションで用いた散乱過程のモ
デルは、以下のようである。

【００２４】(1)部分波展開法による弾性散乱 (2)非弾性散乱・内殻電子励起・価電子励起・プラズモン励起また、モンテカルロシミュレーションを行う際の入力パ
ラメータとして、以下のパラメータを入力した。

【００２５】電子ビームの加速電圧：５０ｋＶ散乱計算の範囲及びメッシュの大きさ：３０μｍ角，
メッシュ５ｎｍ１次及び２次電子の散乱計算打ち切りエネルギー：２
００ｅＶ，５０ｅＶレジスト及び基板の材質・レジスト種：ポジ型化学増幅レジスト（ベース樹脂，
酸発生剤，反応抑止基は（表１）参照）・各材質の密度：レジスト１．４０ｇ／ｃｍ³ Ｓｉ基板２．３２８ｇ／ｃｍ³ ・構成原子の重量分率（表１参照）・原子に関するデータ（表２参照）・レジストの厚さ：０．５μｍ

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】次いで、レジスト中の蓄積エネルギー分布
からダブルガウシアン近似により、Energy Intensity D
istribution（ＥＩＤ）関数を求めた（ステップＳ
３）。ここで使用されるパラメータは、前方散乱径，後
方散乱径，及び後方散乱係数の３つである。ダブルガウ
シアン近似によるＥＩＤ関数は、図４中Ｅのような形を
している。これは、前方散乱分Ｅ_f及び後方散乱分Ｅ_r
とを足し合わせたものとして表される。

【００２９】次いで、照射するパターンに対し、図５の
ような幅０．１５μｍの抜きラインパターンで計算を行
った（ステップＳ４）。隣接するフィールドの両方で同
じ幅のラインパターン１５，１６を図中１７だけ重ねた
パターンを生成した。同図のように２つのパターンが重
なっている場合の重なり量を正の値に、逆に離れた場合
の両者の距離を負の値として、重なり量を定義した。

【００３０】次いで、Ｓ４で生成した照射パターンに対
して、Ｓ３で求めたパラメータを用いて、エラー関数に
よるレジスト中の蓄積エネルギーの計算を行った（ステ
ップＳ５）。このときの照射量は１５μＣ／ｃｍ²とし
たが、これは事前に０．１５μｍの抜きラインパターン
を形成するために最適なドーズ量を求めた結果得られた
数値である。その結果、図６に等高線表示で示すような
蓄積エネルギー分布を得た。エラー関数による蓄積エネ
ルギーの計算は、一点に電子が入射した場合のエネルギ
ー分布を照射するパターンについて積分したときと同じ
結果が得られるため、この近似を用いたが、その他の方
法でモンテカルロ計算の結果を足し合わせて蓄積エネル
ギー分布を算出できるものであればよい。

【００３１】次いで、Ｓ５で求めたエネルギー分布に対
して、閾値モデルによる現像計算を行った（ステップＳ
６）。その結果、図７のようなレジスト形状が得られ
た。この場合はポジレジストを用いているため、図で示
したパターンがレジストが溶解した部分である。

【００３２】次いで、Ｓ６で得られた現像レジスト形状
（図７）に対して、本来のショット境界部分（図中１
９）の幅を測定した（ステップＳ７）。次いで、重なり
量を−０．２μｍから＋０．５μｍまで変化させて、Ｓ
４からＳ７を繰り返した（ステップＳ８）。

【００３３】上述のＳ４〜Ｓ７の繰り返しにより、図８
に示すように、パターンのずれ量と測定したつなぎ部分
のパターン寸法との関係が得られた（ステップＳ９）。

【００３４】つなぎ部分が所望の線幅０．１５μｍの±
１０％まで許容される場合、−１０％と＋１０％となる
つなぎ量（重ね合わせ量）として、図中Ｔ₁とＴ₂がそ
れぞれ得られた。ここで、線幅がちょうど所望の寸法
（０．１５μｍ）になるのは、隣接する２つのパターン
にずれがない状態（ずれ量＝０、図中Ｔ₀）のときであ
る。従って、ある程度パターンが離れることも許される
が、実際の露光装置におけるフィールド間のずれ量はラ
ンダムであるため、ずれ量を許容される範囲（図中Ｔ₁
からＴ₂の間）の中央の値（正のずれ量）に予め設定し
ておくことにより、パターンのずれによる影響が最も小
さくなることが分かった。

【００３５】そこで本実施形態では、上記のＴ₁からＴ
₂の間の中央の値にずらし量を決定する（ステップＳ１
０）。これにより、隣接パターンのずれに対する余裕度
が大きくなる。

【００３６】（作用）上述のような手法によるコンピュ
ータシミュレーションによる評価を行ったことにより、
露光するパターンをＶＳＢパターンに分割するとき、ま
たそれらが異なるフィールド間にまたがるような場合
は、ＶＳＢパターンを生成するときに、ある程度重ね合
わせてそれらのパターンを生成することが有効であり、
ずれの許容範囲が装置で規定されているずれ量よりも大
きいときには、常にショット間又はフィールド間のつな
ぎ部分の現像パターン寸法は許容範囲内とすることがで
きる。また、許容範囲が小さいときでも、パターン間の
ずれの影響を最小に抑制することができる。

【００３７】この関係は、主に照射するビームのぼけに
大きく依存する。ビームぼけ量をパラメータとして上述
の計算を繰り返し行うことにより、図９のような、ビー
ムぼけ量と最適重なり量との関係を得ることができた。
ビームぼけ量に対して、パターンの重なり量が０となる
点より上の領域にある曲線Ｑ₂が、線幅が＋１０％とな
る上限の重なり量を示し、下の領域（負の重なり量）の
曲線Ｑ₂が線幅が−１０％となる下限であり、２つのパ
ターンが離れる距離の上限を示している。

【００３８】これら２つの曲線Ｑ₁，Ｑ₂の中点を結ん
だ曲線Ｑ₃が最適重ね合わせである。また、この関係は
パターンの大きさにも依存する。従って、ビームぼけ量
及びパターンサイズの関数として、最適ずらし量を定義
することができる。

【００３９】また、ここではコンピュータシミュレーシ
ョンによる評価についてのみ記述したが、実際にパター
ンの重ね合わせ露光を行い、その重なり量とレジストパ
ターンの寸法との関係を得ることにより、実験的に最適
な重ね合わせ量を求めることも可能である。

【００４０】（効果）このように本実施形態によれば、
実際の露光条件の設定を行うための実験に費される時間
の短縮を行うことができるのと同時に、信頼性の高いデ
バイスの製作を行うことができる。

【００４１】（第２の実施形態）（構成）本実施形態では、第１の実施形態で求められた
複数のパターン間の最適重ね合わせ量を反映した、電子
ビーム露光装置でのパターン露光の際に用いるショット
パターンの生成方法を記述する。

【００４２】露光装置は、第１の実施形態で想定した装
置と同じであり、ＶＳＢ及びＣＰパターンの１ショット
の最大の大きさは１μｍ角である。ＶＳＢ方式で複数の
ショット領域にまたがるパターンを露光する場合は、こ
のパターンを複数の長方形ショットパターンに分割する
必要がある。このときに生成したパターンについて、シ
ョットつなぎを考慮しなくてはならなくなる。

【００４３】また、１つのショット領域内に複数の露光
パターンがある場合も複数のＶＳＢショットパターンを
生成する必要があるが、複数のショット領域にまたがら
ない場合は、ショットを重ねる必要がないのでここでは
取り扱わない。さらに、露光パターンはＶＳＢショット
パターンに分割する以前に、主偏向領域，副偏向領域な
どのフィールドに分割される。この場合も複数のフィー
ルドに分割されるパターンがある場合は、フィールドつ
なぎを考慮する必要がある。

【００４４】本実施形態では、第１の実施形態の方法で
求めた最適重ね合わせ量を、露光パターンからＶＳＢシ
ョットパターンに分割する際に入力し、自動的に各ショ
ットパターンに重ね合わせ量を反映させたパターンデー
タを作成するアルゴリズムを説明する。図１０に、本実
施形態で用いたアルゴリズムの各工程を示すフローチャ
ートを示す。

【００４５】まず、露光パターンを入力した（ステップ
Ｓ１）。このときの入力データは、ＣＡＤデータ（ＳＴ
ＲＥＡＭフォーマット）や露光装置特有の言語で記述さ
れたものである。ここでは、ＣＡＤデータをデータ変換
用ワークステーション上ソフトウェアに入力した。

【００４６】次いで、入力した露光パターンをフィール
ドに分割した（ステップＳ２）。図１１に、サブフィー
ルド領域に分割されたパターンを示す。簡単のため、フ
ィールド内には、このパターン一つのみを露光するもの
とする。この長方形パターンの大きさは、縦５μｍ，横
２．５μｍである。次いで、最適ずらし量を入力する
（ステップＳ３）。ここでは、＋２０ｎｍを入力した。

【００４７】次いで、図１１のパターンを図１２に示し
たようにＶＳＢショットパターンに分割する（ステップ
Ｓ４）。ここで、露光装置の持つ本来のショット領域は
１μｍ角であるが、２０ｎｍの重ね合わせ分を各ショッ
トパターンに付け足すため、図１２で示した分割した各
領域の大きさは最大（１μｍ＋２０ｎｍ）＝１．０２μ
ｍ角である。

【００４８】分割の仕方として、ここでは、各領域に示
した番号の順（２１→２２→２３→２４→２５→２６→
…→２７→２８→２９）と、左上から右下へ領域の大き
さずつ順番に分割して行く方法をとった。その他、効率
良く（ショット数が少なくなるように）分割する方法な
ど、様々な分割方法があるが、どのような方法で分割し
てもよい。

【００４９】次いで、Ｓ４で分割した各領域に境界情報
を持たせる（ステップＳ５）。境界情報とは、各ショッ
ト領域が接する周囲の領域の有無、及びどの位置に接す
るのかを示すものである。例えば、図中のショットパタ
ーン２１は右と下に隣接するショットパターンが存在
し、ショットパターン２２は左右と下に存在する。ここ
で、ショットパターン２２は左に２１があるが、情報と
しては右と下のみを与える。このように、各ショットパ
ターンに与える境界情報は、右と下にそれぞれ隣接する
ショットパターンがあるかだけでよい。

【００５０】次いで、Ｓ４で分割した各ショットパター
ンに、Ｓ５で与えた境界情報をもとに、Ｓ３で指定した
重ね合わせ量の分だけパターンを太らせる（ステップＳ
６）。太らせ方は、図１３に示したように、ショットパ
ターン２１の場合は図中３１のように右と下に２０ｎｍ
だけ太らせる。ショットパターン２２の場合も、図中３
２のように右と下に、ショットパターン２３の場合は図
中３３のように下だけ、ショットパターン２７の場合は
図中３７のように右だけ、ショットパターン２８の場合
も図中の３８のように右だけ、それぞれ２０ｎｍずつ付
け足す。ショットパターン２９については、右と下には
隣接するパターンがないので付け足さない。

【００５１】上記のステップＳ５とＳ６を全ての分割し
たＶＳＢショットパターンについて繰り返す（ステップ
７）。そして、以上のように重ね合わせの最適化を行っ
たＶＳＢショットパターンデータをファイルに出力、又
は直接露光装置へ入力する（ステップＳ８）。

【００５２】（作用）上記アルゴリズムにより生成され
たＶＳＢショットパターンのデータを用いて露光を行う
ことにより、第１の実施形態で記述したように、ショッ
ト間で生じるパターンのショットずれの境界部分のパタ
ーン寸法への影響を最小限に抑制することができる。ま
た、隣接するフィールドにパターンがまたがる場合に
は、先の説明と同様に、フィールドの右と下にパターン
があれば指定した重ね合わせ量だけ太らせればよい。こ
の場合も、メインフィールドの大きさは（５００μｍ＋
２０ｎｍ＝）５００．０２μｍ角、サブフィールドにつ
いては（６０μｍ＋２０ｎｍ＝）６０．０２μｍ角とな
る。

【００５３】さらに、下地基板に合わせて露光を行う場
合は、下地基板に対する電子光学系のゆがみを測定し、
それに従って、各フィールド、サブフィールドの位置を
補正している。例えば、図１４（ａ）に示すような下地
基板４１には図中４２のような十字型のマークが四隅に
あり、これらの位置を測定することにより、図１４
（ｂ）のように検出されたとすると、図１４（ａ）中４
３に示すメインフィールドは図１４（ｂ）では、４４に
示す位置に補正される。このとき、フィールドをゆがみ
に合わせて拡大縮小するなどの補正を行わなくても、最
適重ね合わせ量の設定を行っている場合では、行ってい
ないときよりもフィールド間のつなぎ精度が向上してい
ることが確認された。

【００５４】このアルゴリズムは、ここではＶＳＢ方式
で説明を行ったが、全く同様の方法で、ＣＰ方式など、
様々な方式の電子ビーム露光装置で使用するショットパ
ターンデータの生成に対して用いることができる。ま
た、この方式では、露光装置にデータを入力した時点で
は既に最適化されたパターンに加工されているため、こ
れまで最適パターン生成機能を持たない露光装置でも、
ソフトウェアの導入を行うことにより、この機能を備え
ることができるという利点がある。

【００５５】（効果）上記の方式で、ショット間の最適
重ね合わせ量を考慮して、露光パターンに対するショッ
トパターンデータを用いることにより、電子ビーム露光
により作成されるレジストパターンは、ショットずれや
フィールド間のずれによるパターン寸法の変動が最小に
抑制されたものとなり、信頼性の高いデバイスの製作を
行うことができる。また、パターン全体を一律に太らせ
るのではなく、必要部分のみを太らせることになるた
め、パターンを太らせることによる悪影響（例えば、隣
接パターンとの短絡が生じる等の不都合）を最小限にと
どめることができる。

【００５６】（第３の実施形態）（構成）第２の実施形態では、露光パターンを長方形の
ＶＳＢショットパターンに分割し、それぞれのショット
パターンに対して、パターンの片側（右側と下側）に隣
接するパターンがあるか否かにより境界情報を付与し
た。これに対して本実施形態では、境界情報の与え方及
びショットパターンの生成方法の別のアルゴリズムの説
明を行う。

【００５７】本実施形態で使用する露光装置及び露光パ
ターンは第１の実施形態と同じであり、第１の実施形態
の方法で計算した最適重ね合わせ量は＋２０ｎｍであ
る。また、本実施形態で行った各工程のフローチャート
は第２の実施形態と同じであり、前記図１０に示したも
のである。

【００５８】まず、露光パターンを入力した（ステップ
Ｓ１）。このときの入力データは、ＣＡＤデータ（ＳＴ
ＲＥＡＭフォーマット）や露光装置特有の言語で記述さ
れたものである。ここでは、ＣＡＤデータをデータ変換
用ワークステーション上ソフトウェアに入力した。

【００５９】次いで、入力した露光パターンをフィール
ドに分割した（ステップＳ２）。図１１に、サブフィー
ルド領域に分割されたパターンを示す。簡単のため、フ
ィールド内には、このパターン１つのみを露光するもの
とする。この長方形パターンの大きさは、縦５μｍ，横
２．５μｍである。

【００６０】次いで、最適重ね合わせ量を入力する（ス
テップＳ３）。ここでは、＋２０ｎｍを入力した。

【００６１】次いで、図１１のパターンを図１２に示し
たようにＶＳＢショットパターンに分割する（ステップ
Ｓ４）。ここで、露光装置の持つ本来のショット領域は
１μｍ角であるが、２０ｎｍの重ね合わせ分を各ショッ
トパターンに付け足すため、図１２で示した分割した各
領域の大きさは最大（１μｍ＋２０ｎｍ＝）１．０２μ
ｍ角である。分割の仕方として、ここでは、各領域に示
した番号の順（２１→２２→２３→２４→２５→２６→
…→２７→２８→２９）と、左上から右下へ領域の大き
さずつ順番に分割して行く方法をとった。その他、効率
良く（ショット数が少なくなるように）分割する方法な
ど、様々な分割方法があるが、どのような方法で分割し
てもよい。

【００６２】次いで、Ｓ４で分割した各領域に、境界情
報を持たせる（ステップＳ５）。この境界情報の与え方
が第２の実施形態とは異なり、図１５に示すように、各
ショットパターンに隣接するパターンが存在するとき、
その隣接するパターンの位置を境界情報として付与す
る。例えば、図１５中２１のショットパターンについて
は右と下、ショットパターン２５については左右上下の
四辺である。これら、各ショットパターンに対する境界
情報を図１５中では影付きの部分で表示した。

【００６３】次いで、Ｓ４で分割した各ショットパター
ンに対し、Ｓ５で与えた境界情報をもとに、Ｓ３で指定
した重ね合わせ量の半分だけパターンを太らせる（ステ
ップＳ６）。太らせ方は、図１５に示したように、境界
情報に従って、隣接するショットパターンの存在する部
分に、幅１０ｎｍ（最適重ね合わせ量２０ｎｍ÷２）だ
け付け足す。

【００６４】上記のステップＳ５とＳ６を全ての分割し
たＶＳＢショットパターンについて繰り返す（ステップ
７）。以上のように重ね合わせの最適化を行ったＶＳＢ
ショットパターンデータをファイルに出力、又は直接露
光装置へ入力する（ステップ８）。

【００６５】（作用）第２の実施形態の場合と同様に、
このアルゴリズムは、ここではＶＳＢ方式で説明を行っ
たが、全く同様の方法で、ＣＰ方式など、様々な方式の
電子ビーム露光装置で使用するショットパターンデータ
の生成に対して用いることができる。

【００６６】（効果）上記の方式で、ショット間の最適
重ね合わせ量を考慮して、露光パターンに対するショッ
トパターンデータを用いることにより、電子ビーム露光
により作成されるレジストパターンは、ショットずれや
フィールド間のずれによるパターン寸法の変動が最小に
抑制されたものとなり、信頼性の高いデバイスの製作を
行うことができる。

【００６７】（第４の実施形態）（構成）本実施形態では、パターンの最適重なり量を考
慮しない通常のＶＳＢパターンデータに対して、計算機
で生成されたパターンが露光装置に入力される際に、最
適重なり量だけ重なるように各ＶＳＢパターンの大きさ
を調整する方法について記述する。

【００６８】ここで想定する装置の特徴は、第１の実施
形態で用いたものと同じであるが、図１６のように、電
子ビーム露光装置本体５０、パターンのデータから露光
装置へパターンの描画に用いる信号を生成するパターン
ジェネレータ６３、及びパターンデータ変換用計算機６
１等で構成される。

【００６９】計算機６１から出力されるパターンデータ
はパターンジェネレータ６３に入力され、ＶＳＢ分割モ
ジュール及び境界情報取得モジュールから成るＶＳＢパ
ターンジェネレータ６４によりＶＳＢパターンに展開さ
れる。そして、偏向器制御電圧信号ジェネレータ６５に
より偏向電圧信号が生成され、この辺高電圧信号が露光
装置本体５０で電子ビームの偏向を行う副偏向器５１及
び主偏向器５２に供給される。

【００７０】図１７に、本実施形態で用いたアルゴリズ
ムの各工程を示すフローチャートを示す。

【００７１】まず、露光パターン（図１６中６２）を設
計する（ステップＳ１）。ここでも第２の実施形態と同
様に、ＣＡＤデータ（ＳＴＲＥＡＭフォーマット）をＣ
ＡＤ専用コンピュータを用いて作成した。

【００７２】次いで、Ｓ１で作成したパターンデータを
データ変換用計算機６１に入力する（ステップＳ２）。
データ変換用計算機６１では、入力した様々なデータ形
式のパターンデータを、露光装置固有のパターンデータ
形式に変換する。

【００７３】次いで、Ｓ２で露光装置用に変換したパタ
ーンデータをパターンジェネレータ６３に入力する（ス
テップＳ３）。

【００７４】次いで、入力したパターンデータを、パタ
ーンジェネレータ内パターン展開回路６４において、Ｖ
ＳＢショットパターンに展開する（ステップＳ４）。こ
のとき、露光パターンに対して、露光を行うＶＳＢパタ
ーンの順番に従ってＶＳＢショットパターンデータが生
成される。

【００７５】次いで、Ｓ４で生成したＶＳＢショットパ
ターンについて、露光を行う順序で、次に露光を行うＶ
ＳＢパターンに対する境界情報を取得する（ステップＳ
５）。図１８（ａ）に示すようなＶＳＢショットパター
ン７１の境界情報は、次に露光を行うＶＳＢパターン７
２と接続されるかどうかを、パターン７１の原点（長方
形の左下）の（Ｘ１，Ｙ１）及びパターン７２の原点
（Ｘ２，Ｙ２）から判断される。ここで、作成するパタ
ーンを幅０．２μｍの線であるとするならば、ＶＳＢパ
ターン７１と７２の幅は０．２μｍ、ＶＳＢパターンの
最大の大きさが１μｍ角であることから、高さは１μｍ
である。従って、Ｙ１＋１μｍ＝Ｙ２であれば、パター
ン７１と７２は接することになり、ＶＳＢパターン７１
には接続されるＶＳＢパターンが存在するという境界情
報が得られる。

【００７６】次いで、Ｓ５で境界情報が得られたパター
ンについて、予め第１の実施形態の方法で求めた最適重
ね合わせ量を図１６中６５に示すような記憶装置に記録
しておき、この重ね合わせ量をＳ５で生成したＶＳＢパ
ターン７１の高さに付け足す（ステップＳ６）。これに
より、図１８（ｂ）のように、ＶＳＢパターン７３に最
適重ね合わせ量分の７４だけ付け足されたパターンとし
て、ＶＳＢショットパターン生成用の電圧信号を生成す
る。

【００７７】次いで、Ｓ６で生成したＶＳＢショットパ
ターン信号を、露光装置本体５０の副偏向器５１及び主
偏向器５２に入力する（ステップＳ７）。これにより、
１つのＶＳＢショットパターンを露光することができ
る。ここで、使用した装置のＶＳＢパターンの最大サイ
ズは１μｍ角であるが、通常の露光装置では、数％〜２
０％程度の余裕を持たせてあるため、第１の実施形態で
求めた最適重ね合わせ量の２０ｎｍは１μｍの２％に相
当し、露光装置の電子光学系には特別に手を加えなくて
も、最大重ね合わせ量だけ大きくしたＶＳＢパターンの
照射を行うことが可能である。

【００７８】上記のＳ４からＳ７を全ＶＳＢショットパ
ターンに対して繰り返すことにより、設計した露光パタ
ーンに対して、重ね合わせ量を最適化したＶＳＢ露光を
行うことができる（ステップ８）。

【００７９】（作用）上記アルゴリズムによる露光方法
を用いることにより、作成する露光パターンデータには
最適重ね合わせ量は含まれないが、露光時に最適重ね合
わせ量だけ重ね合わせたＶＳＢショットパターンの生成
を行うことができる。そのため、第１の実施形態で記述
したような、ショット間で生じるパターンのショットず
れの境界部分のパターン寸法への影響を最小限に抑制す
ることができる。

【００８０】本実施形態で示したパターン生成方法は、
第２の実施形態で示した方法とは異なり、計算機上で作
成する露光パターンデータは、重ね合わせ量の概念は考
慮されていない通常のパターンである。従って、レジス
ト材料，プロセス条件，露光条件などにより、第１の実
施形態で示したショット間の最適重ね合わせ量が変化し
た場合でも、最適重ね合わせ量の値を変えるだけで、そ
のままそのパターンデータを使用することができる。

【００８１】（効果）上記の方式で、ショット間の最適
重ね合わせ量を考慮して、露光パターンに対するショッ
トパターンデータを用いることにより、電子ビーム露光
により作成されるレジストパターンは、ショットずれや
フィールド間のずれによるパターン寸法の変動が最小に
抑制されたものとなり、信頼性の高いデバイスの製作を
行うことができる。また、様々なパラメータが変化した
場合には最適重ね合わせ量が変化するが、重ね合わせの
最適化は露光装置で対応するため、露光に用いるパター
ンデータはいつも同じでよく、作業者にとっては使いや
すく、またコンピュータ環境にもメモリ及び記憶媒体に
かける付加も少なくなる。

【００８２】（第５の実施形態）（構成）ＣＰショットパターンについては、ＶＳＢ方式
と異なり、キャラクタ成形アパーチャ（ＣＰアパーチ
ャ）の大きさを任意に変えることはできない。このた
め、第２及び第３の実施形態の方法により生成したショ
ットパターンを用いて露光を行う場合は、最適重ね合わ
せ量だけパターンを太らせたＣＰアパーチャを製作する
必要がある。従って、レジスト材料が変わったり、その
他条件を変えたために最適重ね合わせ量が変化した場合
には、新たにＣＰアパーチャを製作する必要があり、実
用的ではない。そこで、この場合には、第４の実施形態
で示した露光装置及びその制御系でショットパターンサ
イズを最適重ね合わせ量に従って変化させる方法を用い
ることが効果的である。

【００８３】ＶＳＢ方式では、２枚のビーム成形アパー
チャを組み合わせることにより、それらを通過する電子
ビームの成形を行う。従って、電子ビームの大きさ及び
形状を任意に成形することができる。しかし、ＣＰ方式
ではビームを任意の大きさ及び形状に成形することは困
難である。そこで、初めのＣＰアパーチャ作成段階で、
ＣＰショットの重ね合わせ量を考慮に入れて、重ね合わ
せ部分の余裕を持って大きく作成し、ＣＰアパーチャに
照射する電子ビームの大きさを変えることにより、重ね
合わせ部分の大きさを変化させることができる。

【００８４】本実施形態で用いた露光装置の最大ＣＰ寸
法は１μｍ角であり、その他の特性及び条件は他の実施
形態で用いたものと同じである。また、装置の構成は第
４の実施形態と同じである。

【００８５】図１９に、本実施形態で用いた各工程をフ
ローチャートで示す。本実施形態で露光するパターン
は、０．１５μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パ
ターンである。そのため、図２０に示すようなＣＰパタ
ーン８１を用いることになる。その大きさは縦１μｍ×
０．９μｍであり、図中８２が電子ビームを透過する部
分である。即ち、図中８２の形の電子ビームが照射され
ることになり、このＣＰパターンを縦横それぞれ１μ
ｍ，０．９μｍの繰り返し周期でつないでいくことにな
る。

【００８６】実際の露光に用いるためには、第１の実施
形態で求めた最適重ね合わせ量の２０ｎｍだけ、縦方向
に重ね合わせる必要があることから、図２１（ａ）に示
すように、縦に重ね合わせ部分８３を付け足したＣＰア
パーチャ８４を作成する必要がある。そして、重ね合わ
せ部分８３の大きさは、最適重ね合わせ量が変化した場
合にも対応できるようにある程度余裕を持った値にする
必要があり、今回作成したＣＰアパーチャでは本来のア
パーチャサイズの縦１μｍの上に、重ね合わせ部分とし
て０．２μｍ付け足した。

【００８７】まず、露光パターンを設計する（ステップ
Ｓ１）。ここでも第２の実施形態と同様に、ＣＡＤデー
タ（ＳＴＲＥＡＭフォーマット）をＣＡＤ専用コンピュ
ータを用いて作成した。

【００８８】次いで、Ｓ１で作成したパターンデータを
データ変換用計算機に入力する（ステップＳ２）。デー
タ変換用計算機では、入力した様々なデータ形状のパタ
ーンデータを、露光装置固有のパターンデータ形式に変
換する。

【００８９】次いで、Ｓ２で露光装置用に変換したパタ
ーンデータをパターンジェネレータに入力する（ステッ
プＳ３）。次いで、入力したパターンデータを、パター
ンジェネレータ内パターン展開回路において、ＣＰショ
ットパターンに展開する（ステップＳ４）。

【００９０】次いで、Ｓ４で生成したＣＰショットパタ
ーンについて、露光を行う順序で、次に露光を行うＣＰ
パターンに対する境界情報を取得する（ステップＳ
５）。この方法は第４の実施形態と同じである。

【００９１】次いで、Ｓ５で境界情報が得られたパター
ンについて、予め第１の実施形態の方法で求めた最適重
ね合わせ量を記憶装置に記録しておき、この値から、Ｃ
Ｐアパーチャ上に照射する電子ビームの領域を決定する
（ステップＳ６）。

【００９２】ＶＳＢ方式及びＣＰ方式の電子ビーム露光
装置では、電子光学系の上部にある正方形のアパーチャ
によりある大きさの正方形電子ビームが形成され、これ
を第２の成形アパーチャ（ＣＰ方式の場合はＣＰアパー
チャ）に照射することにより、露光を行う電子ビームの
成形を行っている。ＶＳＢ方式の場合は、その位置を変
えることにより、成形される電子ビームの大きさ及び形
状を変化させている。従って、図２１（ｂ）に示すよう
に照射領域８５の位置を調整することにより、成形され
るＣＰパターンに重ね合わせ部分を付加することが可能
となる。

【００９３】次いで、Ｓ６で生成したＣＰショットパタ
ーン信号を、露光装置の副偏向器及び主偏向器に入力す
る。これにより、１つのＣＰショットパターンを露光す
ることができる（ステップＳ７）。

【００９４】上記のＳ４からＳ７を全ＣＰショットパタ
ーンに対して繰り返すことにより、設計した露光パター
ンに対して、重ね合わせ量を最適化したＣＰ露光を行う
ことができる（ステップＳ８）。

【００９５】（作用）上記アルゴリズムによる露光方法
を用いることにより、ＣＰ方式の電子ビーム露光におい
ても、作成する露光パターンデータには最適重ね合わせ
量は含まれないが、露光時に最適重ね合わせ量だけ重ね
合わせたＣＰショットパターンの生成を行うことができ
る。そのため、第１の実施形態で記述したような、ショ
ット間で生じるパターンのショットずれの境界部分のパ
ターン寸法への影響を最小限に抑制することができる。

【００９６】本実施形態で示した方法により作成した電
子デバイスのトランジスタ特性を調べた結果、ショット
間のつなぎ部分のパターン寸法が若干太くなる傾向にあ
るが、逆に細くなることが殆どなくなることにより、通
常の露光方法で作成した場合と比較して優れた特性を示
した。このデバイス特徴の向上は、他の実施形態の方法
のいずれかを用いた場合でも、同様に得られる。

【００９７】（効果）本実施形態の方法を用いることに
より、ＣＰ露光においても、ＶＳＢ方式の場合と同様に
重ね合わせ量が変化した場合に対応した、最適化された
ＣＰパターンによる露光を行うことが容易になる。従っ
て、１つのＣＰアパーチャを作成するだけでよく、信頼
性の高いパターンを作成することができるばかりでな
く、経済的、露光装置の運営上も効果的な露光を行うこ
とができる。

【００９８】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態では、コンピュータシミ
ュレーションによる評価について説明したが、必ずしも
シミュレーションに限るものではなく、パターンの重ね
合わせ露光を行って実際にレジストパターンを形成し、
形成されたレジストパターンの寸法を測定するようにし
て、実験的に最適な重ね合わせ量を求めることも可能で
ある。また、露光装置としては電子ビーム露光装置を用
いたが、イオンビーム露光装置に適用することも可能で
ある。

【００９９】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【０１００】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、コ
ンピュータシミュレーションによりショットパターンの
最適重ね合わせ量を求める、ショットパターンの隣接す
るパターンに対して境界情報を与える、露光パターンの
生成に際して境界情報を参照する、露光装置においてシ
ョットパターンを補正する、等のいずれか又はこれらを
組み合わせて採用することにより、ショット間，フィー
ルド間の露光パターンの位置のずれに起因するレジスト
パターンの寸法変動を抑制することができ、信頼性及び
歩留まりの向上に寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電子ビーム露光におけるショットの重なりによ
る現像後のレジストパターンの形状への影響を示した
図。

【図２】第１の実施形態で行った計算の各工程を示した
フローチャート。

【図３】電子ビーム露光を行うときに考えるレジスト及
び基板の構造を示した図。

【図４】第１の実施形態での蓄積エネルギー分布の計算
において考慮したＥＩＤ関数の概念を模式的に示した
図。

【図５】第１の実施形態で計算の対象とした、隣接する
フィールドにおけるラインパターンの重なりを示す図。

【図６】図５で示した重なったパターンに対する蓄積エ
ネルギー分布を等高線表示した図。

【図７】図６の蓄積エネルギー分布に対して、閾値モデ
ルを用いて現像計算を行ったレジスト表面の形状を示す
図。

【図８】第１の実施形態で行った計算結果から作図し
た、隣接するパターンの重なり量とつなぎ部分のレジス
トパターンの寸法との関係を示す図。

【図９】ビームぼけ量をパラメータとして作図した最適
重ね合わせ量の測定結果を示す図。

【図１０】第２の実施形態で行った重ね合わせ量を考慮
に入れたショットパターンの生成方法を説明するフロー
チャート。

【図１１】第２の実施形態で使用した露光パターンを示
す図。

【図１２】図１１の露光パターンをＶＳＢショットパタ
ーンに分割したことを示す図。

【図１３】図１１のように分割された各ショット領域へ
の、最適重ね合わせ量の反映の方法を示した図。

【図１４】下地基板に合わせて露光を行うときの電子光
学系のゆがみの補正の概念図。

【図１５】第３の実施形態での、分割された各ショット
領域への最適重ね合わせ量の反映の方法を示した図。

【図１６】第４の実施形態で考えた露光装置及びその制
御系、パターンデータの処理を行う計算機の構成を示す
図。

【図１７】第４の実施形態で行った重ね合わせ量を考慮
に入れたショットパターンの生成方法を説明するフロー
チャート。

【図１８】第４の実施形態での隣接するショットパター
ンの例と、生成した最適露光パターンを示す図。

【図１９】第５の実施形態で行った、ＣＰ露光法におけ
るショットパターンサイズの最適化処理の方法を説明す
るフローチャート。

【図２０】第５の実施形態で考えた露光パターンから抜
き出したＣＰパターンを示す図。

【図２１】第５の実施形態によるＣＰショットパターン
に対する重ね合わせ量の最適化を行うために作成するＣ
Ｐアパーチャと、ＣＰパターンによる電子ビームの成形
を行うときのＣＰアパーチャへのビーム照射領域とを示
す図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ…ビーム２…レジストパターン１０…Ｓｉ基板１１…レジスト１２…メッシュ１５，１６…ラインパターン１７…重なり部分２１〜２９…分割領域３１〜３８…付け足し領域４１…下地基板４２…十字マーク４３…メインフィールドの位置４４…メインフィールドの補正位置５０…電子ビーム露光装置本体５１，５２…偏向器６１…パターンデータ変換用計算機６３…パターンジェネレータ７１，７２…ＶＳＢパターン７４…付け足しパターン８１…ＣＰパターン８２…ビーム通過部分８３…重ね合わせ部分８４…ＣＰアパーチャ８５…照射領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H097 AA03 AA11 BB01 BB03 CA16 EA02 GB04 LA10 5C033 GG03 5F056 AA04 AA06 CA30 CB13 CC09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電ビームによるショットパターンの重な
り量と該重なり量で形成されるレジストパターンの前記
重なり部分の寸法との関係を求める工程と、前記求めら
れた関係からショットパターンの最適な重なり量を決定
する工程と、前記決定された最適な重なり量を考慮して
荷電ビーム露光の際の露光パターンデータを生成する工
程とを含むことを特徴とする露光パターンデータの生成
方法。
【請求項２】荷電ビームによるショットの重なり量を変
化させたショットパターンに対する蓄積エネルギーを計
算する工程と、前記計算して得られた蓄積エネルギー分
布から現像計算を行う工程と、前記現像計算の結果から
パターンの所望部分を指定して寸法を測定する工程と、
前記ショットの重なり量と前記測定された寸法との関係
からショットパターンの最適な重なり量を決定する工程
と、前記決定された最適な重なり量を考慮して荷電ビー
ム露光の際の露光パターンデータを生成する工程とを含
むことを特徴とする露光パターンデータの生成方法。
【請求項３】前記ショットパターンの最適な重なり量を
決定する工程として、複数のパターン間の重なり量或い
は離れる距離に対するショットの接続部分のパターン寸
法を測定することにより重なり量とパターン寸法の関係
を求め、該求めた関係に基づいて前記パターン寸法の許
容される寸法範囲からそれに対応する重なり量の許容範
囲を求め、該求めた重なり量の許容範囲の中央の値を選
択することによりパターン間の最適重なり量を決定する
ことを特徴とする請求項２記載の露光パターンデータの
生成方法。
【請求項４】予め計算したショットパターンの最適重ね
合わせ量を入力する工程と、分割したショットパターン
に隣接するパターンに関する境界情報を持たせる工程
と、前記境界情報を参照して、各ショットパターンを前
記最適重ね合わせ量分だけ大きくする工程とを含むこと
を特徴とする露光パターンデータの生成方法。
【請求項５】所望のパターンを荷電ビームで露光する際
に、請求項２又は３の方法により求めたショットパター
ンの最適重ね合わせ量を入力する工程と、前記最適重ね
合わせ量を参照して各ショットパターンの大きさを、荷
電ビーム露光装置で規定される最大ショットサイズ以内
に決定する工程と、前記ショットサイズにより前記所望
の露光パターンをショットパターンに分割する工程と、
前記分割したショットパターンに隣接するパターンに関
する境界情報を持たせる工程と、前記境界情報を参照し
て、各ショットパターンを前記最適重ね合わせ量分だけ
大きくする工程とを含むことを特徴とする露光パターン
データの生成方法。
【請求項６】キャラクタプロジェクション（ＣＰ）方式
の荷電ビーム露光装置を用いて所望のパターンを露光す
る際に、前記分割されたショットパターンを一括露光を
行うキャラクタとし、前記最適重ね合わせ量よりも大き
な重ね合わせ領域を持つＣＰアパーチャを用意しておく
ことを特徴とする請求項５記載の露光パターンデータの
生成方法。
【請求項７】前記ショットパターンの隣接するパターン
に対する境界情報としてパターンの片側（上下の一方及
び左右の一方）の情報を考慮した場合は、請求項１又は
３の方法で求めた最適重ね合わせ量を基に、前記ショッ
トパターンに対して前記境界情報に従って重ね合わせ部
分の付与を行うことを特徴とする請求項４記載の露光パ
ターンデータの生成方法。
【請求項８】ショットパターンの隣接するパターンに対
する境界情報として、パターンの両側の情報を考慮した
場合は、請求項１又は３で求めた最適重ね合わせ量の半
分の値を基に、前記ショットパターンに対して前記境界
情報に従って重ね合わせ部分の付与を行うことを特徴と
する請求項４記載の露光パターンデータの生成方法。
【請求項９】ショットパターンに対して隣接するパター
ンに関する境界情報を得る手段と、前記境界情報を参照
して、予め計算しておいた最適重ね合わせ量の分だけシ
ョットパターンを大きくする手段と、前記生成したパタ
ーンに対応する信号により偏向器の制御を行う手段とを
具備してなることを特徴とする荷電ビーム露光装置。
【請求項１０】露光パターンを複数のキャラクタプロジ
ェクション（ＣＰ）のパターンに分割して行う露光に対
して、請求項６の方法により、重ね合わせ量に余裕をも
って設計されたＣＰアパーチャを用いる手段と、予め求
めておいた最適重ね合わせ量に対応してＣＰアパーチャ
に照射する荷電ビームの領域を決定する手段と、前記決
定したＣＰアパーチャへの荷電ビームの照射領域に対応
する信号により偏向器の制御を行う手段とを具備してな
ることを特徴とする荷電ビーム露光装置。