TWI525399B - 用於光學鄰近校正之方法、利用可變定形束微影術設計及製造標線片之技術 - Google Patents

Description

用於光學鄰近校正之方法、利用可變定形束微影術設計及製造標線片之技術 相關申請案

此申請案係對於下列主張優先權：1)2008年9月1日提申名為“利用字元投射粒子束微影術製造標線片之方法及系統”之美國專利申請案編號12/202,364；2)2008年9月1日提申名為“利用字元投射微影術所製造的標線片之光學鄰近校正的方法”之美國專利申請案編號12/202,365；3)2008年9月1日提申名為“用於設計利用字元投射微影術所製造的標線片之方法及系統”之美國專利申請案編號12/202,366；4)2008年11月12日提申名為“利用字元投射微影術製造標線片之方法及系統”之美國專利申請案編號12/269,777；5)2009年5月27日提申名為“利用可變定形束微影術製造一表面及積體電路之方法”之美國專利申請案編號12/473,241；6)2009年5月27日提申名為“利用可變定形束微影術所製造的標線片之光學鄰近校正的方法”之美國專利申請案編號12/473,248；及7)2009年5月27日提申名為“用於設計利用可變定形束微影術所製造的標線片之方法及系統”之美國專利申請案編號12/473,265；上述各案基於各種用途被合併於本文中以供參考。

發明領域

本發明係有關微影術，且更特別有關利用可變定形束(VSB)帶電粒子束微影術設計及製造一可身為標線片、一晶圓的表面或任何其他表面之技術。

發明背景

在諸如積體電路等半導體裝置的生產及製造中，可使用光學微影術來製作半導體裝置。光學微影術是一種列印製程，其中利用由一標線片製成的一微影性罩幕將圖案轉移至一諸如半導體或矽晶圓等基材以生成積體電路。其他基材可包括平板顯示器或甚至其他標線片。並且，極紫外光(EUV)或X射線微影術被認為是屬於光學微影術類型。該標線片或多重標線片係可含有與積體電路的一個別層呈對應之一電路圖案，此圖案可被成像至已塗有一層稱為光阻或阻劑的輻射敏感性材料之基材上的一特定區域上。一旦圖案狀層被轉移，該層可經歷諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、及拋光等不同的其他製程。利用這些製程來完成基材中的一個別層。若需要數個層，則將對於各新層重覆進行整體製程或其變異。最終，裝置或積體電路的倍數之一組合將出現在基材上。這些積體電路隨後可藉由切分或鋸切彼此分離，然後可被安裝至個別包裝體中。在較一般性案例中，基材上的圖案可用來界定諸如顯示像素或磁性記憶頭等製品。

在諸如積體電路等半導體裝置的生產或製造中，可利用無罩幕直接寫入來製作半導體裝置。無罩幕直接寫入是一種列印製程，其中利用帶電粒子束微影術將圖案轉移至一諸如半導體或矽晶圓等基材以生成積體電路。其他基材可包括平板顯示器、用於奈米列印之壓印罩幕、或甚至標 線片。一層的所想要圖案係被直接寫入至表面上，該表面在此例中亦身為基材。一旦圖案狀層被轉移，該層可經歷諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化及拋光等不同的其他製程。利用這些製程來完成基材中的一個別層。若需要數個層，則將對於各新層重覆進行整體製程或其變異。這些層有部分可利用光學微影術被寫入，其他部分則可利用無罩杯直接寫入被寫入以製作該相同基材，最終，裝置或積體電路的倍數之一組合將出現在基材上。這些積體電路隨後藉由切分或鋸切彼此分離，然後被安裝至個別包裝體中。在較一般性案例中，基材上的圖案可用來界定諸如顯示像素或磁性記憶頭等製品。

如同顯示，光學微影術中，微影性罩幕或標線片係包含與將被整合於一基材上的電路組件呈對應之幾何圖案。可利用電腦輔助式設計(CAD)軟體或程式產生用來製造標線片之圖案。設計圖案時，電腦輔助式設計程式可遵照一組預定的設計規則藉以生成標線片。這些規則係由加工、設計及終端使用限制所設定。一終端使用限制的範例係為以使一電晶體在所需要的供應電壓下無法充分運作之方式來界定其幾何形狀。特定言之，設計規則可界定電路裝置或互連線之間的空間公差。設計規則譬如係用來確保電路裝置或線不會以不良方式彼此交互作用。譬如，利用設計規則使得線不會以可能造成短路的方式彼此太過靠近。設計規則限制係反映可被可靠地製作之最小維度、及其他項目。當提到這些小維度時，通常係導入臨界維度的概念。 其譬如被定義為一線的最小寬度或兩線之間的最小空間，這些維度需要精細的控制。

藉由光學微影術製作積體電路之一目標係在於利用標線片在基材上複製原始的電路設計。積體電路製作者總是企圖盡量有效率地使用半導體晶圓基地。工程師不斷縮小電路尺寸以讓積體電路含有更多電路元件及使用較小功率。隨著積體電路臨界維度尺寸減小及其電路密度增高，其對應的罩幕圖案的臨界維度係趨近於光學微影術中所使用之光學曝光工具的解析度極限。隨著電路圖案的臨界維度變小並趨近於曝光工具的解析度數值，罩幕圖案及阻劑層上所顯影的實際電路圖案之間的精確轉譯係變得困難。為了進一步使用光學微影術來轉移具有比光學微影術製程所使用光波長更小的特徵構造之圖案，已發展出一種稱為光學鄰近校正(OPC)之製程。光學鄰近校正係更改原始罩幕圖案，以補償因為諸如特徵構造與鄰近特徵構造的光學繞射及光學交互作用等效應造成之排差。光學鄰近校正係包括藉由一標線片所進行之所有解析度增強技術。

光學鄰近校正係對於罩幕圖案添加次解析度微影性特徵構造，以降低原始罩幕圖案亦即該設計與基材上的最終所轉移電路圖案之間的差異。次解析度微影性特徵構造係與原始罩幕圖案交互作用且與彼此交互作用並補償鄰近效應以改良最終所轉移電路圖案。一用來改良圖案轉移之特徵構造係為次解析度輔助特徵構造(SRAF)。另一被添加以改良圖案轉移之特徵構造係稱為“襯線體(serifs)”。襯線體 是可被定位於一圖案的一角落上以在最終所轉移影像中銳化該角落之小特徵構造。隨著光學微影術的極限擴張深入此波長方案中，光學鄰近校正特徵構造必須製成愈來愈複雜藉以補償益加細微的交互作用及效應。然而，隨著成像系統被推動更加接近其極限，產生具有充分細微的光學鄰近校正特徵構造之標線片的能力係變得很關鍵。將襯線體或其他光學鄰近校正特徵構造添加至一罩幕圖案雖然是有利的方式，其亦顯著增多罩幕圖案中的總特徵構造數。譬如，利用習見技術將一襯線體添加至一正方形的各角落係使一罩幕或標線片圖案添加另八個長方形。添加光學鄰近校正特徵構造是很費力的工作，需要昂貴的運算時間，且導致更貴的標線片。不但光學鄰近校正很複雜、且因為相較於最小線及空間維度而言光學鄰近效應係屬於長程，在一給定區位中正確的光學鄰近校正圖案係顯著地依據附近具有何者其他幾何形狀而定。因此，例如，一線端將依據在標線片上其附近具有何者而具有不同尺寸襯線體。即使目標有可能是在晶圓上產生確切相同的形狀，這亦然成立。這些略微但關鍵的變異係很重要並已阻止他人無法形成標線片圖案。習見方式係就主特徵構造來討論將被寫入一標線片上之光學鄰近校正裝飾式圖案，其即是光學鄰近校正裝飾之前反映該設計的特徵構造，及光學鄰近校正特徵構造，其中光學鄰近校正特徵構造係有可能包括襯線體、割階(jogs)及SRAF。為了將略微變異所代表意義予以量化，對於不同的近鄰區域之光學鄰近校正裝飾物的典型略微變 異有可能係為一主特徵構造尺寸的5%至80%。請注意為求清楚起見，光學鄰近校正設計的變異係為所引述者。諸如線邊緣粗度及角度圓弧化等製造變異亦將出現於實際表面圖案中。當這些光學鄰近校正變異在晶圓上產生實質相同的圖案時，係指目標在於使晶圓上的幾何形狀在一指定誤差內呈現相同，其依據該幾何形狀被設計用來執行的功能(譬如電晶體或導線)之細節而定。然而，典型規格係位於一主特徵構造效程的2%至50%中。具有眾多製造因素會造成變異，但該整體誤差的光學鄰近校正組件係時常位於所列出的效程中。

具有數項用來形成圖案於一標線片上之技術，包括使用光學微影術或帶電粒子束微影術。最常用的系統是可變定形束(VSB)，其係為一類型的帶電粒子束寫入器系統，其中使一精密電子束被定形及導向至標線片的一經阻劑塗覆表面上。這些形狀是簡單的形狀，通常侷限於具有特定最小及最大尺寸且具有與笛卡兒座標軸平行的側邊之長方形，以及具有特定最小及最大尺寸且其三個內角身為45度、45度及90度之三角形。在預定區位，電子劑量以這些簡單形狀被射射擊入阻劑中。此類型系統的總寫入時間係隨著射擊數而增加。電子的劑量或射擊係被習見地設計成可盡量避免重疊，藉以大幅簡化標線片上的阻劑將如何對齊於圖案之計算。然而，隨著光學鄰近校正特徵構造變得較複雜，圖案分割或裂解成一組未重疊簡單形狀的作用係將導致數十億以上個簡單形狀，導致很長的標線片寫入時間。

若能降低製備及製造用來製造基材的標線片所花之時間及費用將是有利的方式。更一般而言，若能降低製備及製造任何表面所花的時間及費用將是有利的方式。譬如，一表面係可能具有超過數千個其間只有略微差異的圖案。想要能夠以最少的可變定形束射擊數來產生所有這些略微不同的圖案。

發明概要

本發明係揭露一其中利用複數個可變定形束(VSB)射擊形成一所想要圖案於一表面上之方法。可讓位於該等複數個射擊內之射擊彼此重疊。亦可讓射擊的劑量改變。複數個射擊之聯合係可偏離所想要的圖案。可決定複數個射擊以使得從複數個射擊計算出之表面上的一圖案位於所想要圖案的一預定公差內。部分實施例中，可使用一最適化技術以盡量減少射擊數。其他實施例中，複數個射擊係可選用性地選自於一或多個經預先運算的可變定形束射擊或可變定形束射擊群組，亦即字符(glyphs)。本揭示的方法可譬如使用在藉由利用一標線片的光學微影術以製造積體電路之製程中、或利用直接寫入以製造積體電路之製程中。

亦揭露一用於基材的所想要圖案之光學鄰近校正(OPC)的方法，其中決定出可將一可變定形束校正(OPC)校正式版本的所想要基材圖案形成於一表面上之複數個可變定形束(VSB)射擊。如上述，可讓射擊彼此重疊，射擊劑量可改變，且複數個射擊之聯合可偏離於所想要圖案。

亦揭露一對於一即將形成在一標線片上的所想要圖案作裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正之方法，其中決定出可形成所想要圖案之複數個可變定形束(VSB)射擊。如上述，可讓射擊彼此重疊，射擊劑量可改變，且複數個射擊之聯合可偏離於所想要圖案。

亦揭露一用於生成字符之方法，其中預先計算將從一個或一群組的可變定形束射擊產生於一表面上之圖案。可讓位於該群組的可變定形束射擊內之射擊彼此重疊。亦可讓射擊的劑量改變。

參照圖式考量下文詳細說明書之後，將可得知本揭示的這些及其他優點。

圖式簡單說明

第1圖顯示一用來製造一表面之可變定形束帶電粒子束寫入器系統；第2圖顯示一光學微影術系統；第3A圖顯示將被放置在一基材上之一圖案的一設計；第3B圖顯示來自第3A圖所示設計之一被形成於一標線片中的圖案；第3C圖顯示使用第3B圖的標線片之一被形成於一基材的光阻中之圖案；第4A圖顯示一光學鄰近校正式版本之第3A圖所示的圖案；第4B圖顯示被形成於標線片中之後的一光學鄰近校正式版本之第4A圖所示的圖案； 第4C圖顯示利用第4B圖的標線片之一被形成於一矽晶圓的光阻中之圖案；第5A圖顯示一將被形成於一基材上之圖案的一設計；第5B圖顯示利用一正常劑量被形成於一表面上之第5A圖的圖案；第5C圖顯示利用一小於正常的劑量被形成於一表面上之第5A圖的圖案；第5D圖顯示利用一大於正常的劑量被形成於一表面上之第5A圖的圖案；第6A圖顯示一將被形成於一表面上之多角形圖案；第6B圖顯示第6A圖的圖案裂解成重疊的長方形之作用；第6C圖顯示自第6B圖的重疊長方形所形成之表面上的所產生圖案；第6D圖顯示第6A圖的圖案裂解成未重疊的長方形之作用；第7A圖顯示延伸橫越一帶電粒子束寫入器系統的一場域邊界之一長方形圖案；第7B圖顯示由於帶電粒子束寫入器系統不精密所導致之可能來自於第7A圖的圖案寫入之表面上的一圖案；第7C圖顯示由於帶電粒子束寫入器系統不精密所導致之可能來自於第7A圖的圖案寫入之表面上的另一圖案；第7D圖顯示一利用一鬼射擊(ghost shot)將第7A圖的圖案轉移至表面之方法； 第8A圖顯示將一設計圖案(影線狀)分割成場域之作用以藉由一帶電粒子束寫入器系統作寫入；第8B圖顯示另一將一設計圖案(影線狀)分割成場域之作用以藉由一帶電粒子束寫入器系統作寫入；第9A圖顯示兩個重疊的可變定形束射擊；第9B圖顯示使用一正常劑量之來自於第9A圖的重疊可變定形束射擊之表面上的一圖案；第9C圖顯示使用高於正常的劑量之來自於第9A圖的重疊可變定形束射擊之表面上的一圖案；第10A圖顯示一正方形圖案的一設計；第10B圖顯示光學鄰近校正後之第10A圖的圖案；第10C圖顯示一將第10B圖的圖案裂解成未重疊的長方形之作用；第10D圖顯示一將第10B圖的圖案裂解成未重疊的射擊之習見的作用；第10E圖顯示根據本揭示之一示範性複數個重疊長方形；第11A圖顯示如何製備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之概念性流程圖的一實施例；第11B圖顯示如何準備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之概念性流程圖的另一實施例；第12圖顯示如何製備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之又另一概念性流程圖；第13圖顯示字符的範例； 第14圖顯示經參數化字符的範例；第15圖顯示如何在製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上時製備一表面之概念性流程圖的另一實施例；第16A圖顯示一將被形成於一表面上之圖案；第16B圖顯示使用一主可變定形束射擊及輔助可變定形束射擊以形成第16A圖的圖案；第17A圖顯示一將被形成於一表面上之圖案；第17B圖顯示使用一主可變定形束射擊及輔助可變定形束射擊以形成第17A圖的圖案；第18A圖顯示彼此緊鄰之兩可變定形束射擊；第18B圖顯示沿著一條畫過第18A圖形狀的線之劑量的圖形；第18C圖顯示來自第18A圖的射擊之表面上所產生的圖案；第19A圖顯示一將被形成於一表面上之圖案；第19B圖顯示身為第19A圖的圖案上之光學鄰近校正處理的結果之一曲線狀圖案；第19C圖顯示一組示範性的重疊可變定形束射擊，其可形成第19圖的曲線狀圖案於表面上；第19D圖顯示另一組示範性的重疊可變定形束射擊，其可形成第19B圖的曲線狀圖案於表面上；及第20圖顯示一可變定形束射擊裂解概念性流程圖之一實施例。

較佳實施例之詳細說明

可藉由容許重疊的可變定形束射擊及並非正常的劑量、且藉由容許射擊之聯合偏離於目標圖案、容許圖案自相較於較習見未重疊正常劑量可變定形束射擊而言減少之射擊數所生成，藉以達成本揭示的改良及優點。因此，提供一用於製造一表面之方法及系統，其解決了諸如冗長寫入時間及因此導致之與製備一表面相關的高成本等先前問題。

現在參照圖式，其中類似的編號係指類似的物件。第1圖係識別一諸如帶電粒子束寫入器系統等微影術系統的一實施例，在此例中身為一電子束寫入器系統10，其根據本揭示採用一可變定形束(VSB)以製造一表面12。電子束寫入器系統10具有一電子束源14，其將一電子束16投射朝向一開孔板18。板18中係形成有一可容許電子束16穿過之開孔20。一旦電子束16穿過開孔20，其藉由透鏡的一系統(未圖示)作為電子束22被導引或偏向朝向另一長方形開孔板或模板罩幕24。模板罩幕24中形成有數個開孔26，其界定諸如長方形及三角形等不同的簡單形狀。形成於模板罩幕24中的各開孔26可用來形成一圖案於基材12中。一電子束30從開孔26的一者出現並被導引至表面12上成為一圖案28。表面12係塗覆有會與電子束30起反應之阻劑(未圖示)。電子束22可被導引以重疊一開孔26的一可變部分，而影響圖案28的尺寸及形狀。表面12係安裝在一可移平台32上。平台32可讓表面12被重新定位，以使大於帶電粒子束30的最大偏向能力或場域尺寸之圖案可被寫入至表面12。一實施例 中，表面12可為一標線片。此實施例中，標線片在以該圖案被曝光之後係經歷不同製造步驟，經由該等步驟變成一微影性罩幕。罩幕可隨後使用在一光學微影術裝置或機具34中，如第2圖所示。光學微影術機具34係包括一照射源36、罩幕37、及一或多個透鏡38，該一或多個透鏡38可將概括被減小尺寸的標線片圖案28之一影像投射至一矽晶圓39上以產生一積體電路。更一般來說，罩幕37係使用於另一裝置或機具中以將圖案28轉移至一基材39上。另一實施例中，表面12係為一諸如矽晶圓等基材。

如上述，由於半導體及其他奈米技術製造廠正達到光學微影術的極限，難以將一理想圖案轉移至一基材上。譬如，第3A圖顯示一將被形成於一基材的阻劑中之理想圖案40，其代表一電路。當製造一其上試圖形成有圖案40之標線片及罩幕時，標線片並非圖案40的完美代表物。第3B圖顯示一可被形成於一試圖代表圖案40的標線片中之圖案42。圖案42相較於圖案40而言係具有較為圓弧且縮短的特徵構造。當圖案42使用於光學微影術製程中時，一圖案44係如第3C圖所示在基材上形成於光阻中。圖案44不太接近理想圖案40，顯示出為何需要光學鄰近校正的原因。

為了補償圖案40及44之間的差異，採用光學鄰近校正。光學鄰近校正係更改設計圖案藉以更改標線片來補償光學繞射所生成的扭曲、與鄰近形狀的光學交互作用、及阻劑加工效應。第4A-4C圖顯示如何利用光學鄰近校正來增強光學微影術製程以發展出一更好版本的圖案44。特定言之， 第4A圖顯示一身為經更改版本的圖案40之圖案50。圖案50具有一截線元件52，其被添加至圖案50的不同角落以提供額外面積企圖降低會減低角落敏銳度的光學及加工效應。當產生圖案50的一標線片時，其可能以第4B圖所示的一圖案54出現於標線片中。當光學鄰近校正式圖案54使用於一光學微影術裝置中時，如第4C圖所示，產生一輸出圖案56。圖案56比起圖案44更類似於理想圖案40，且這是由於光學鄰近校正所導致。雖然使用光學鄰近校正將有幫助，其可能需更改或裝飾每個圖案而增加製造標線片的時間及成本。並且，當施加光學鄰近校正時，形成於標線片上的不同圖案之間可妥當地具有略微差異，且這將增大製備一標線片的時間及費用。

參照第1圖，當一圖案被寫入一經阻劑塗覆的表面12時，表面上的所產生圖案係依據稱為曝露或劑量之抵達阻劑的粒子量而定。一可變定形束射擊的劑量係為快門速度，一給定射擊被投射於表面上之時間長度。“劑量校正”是一種其中譬如針對近鄰效應校正(PEC)略微修改任何給定射擊的劑量量值之製程步驟。因為此最適或“正常”劑量對於全部的射擊將有所不同。第5A圖顯示一將被寫入一表面上之樣本多角形圖案60。第5B圖顯示一將以一正常劑量產生於標線片上之圖案62。請注意相較於理想圖案60而言，圖案62的角落略呈圓弧狀。第5C圖顯示一可以一小於正常的劑量產生於標線片上之圖案64。相較於正常劑量圖案62，圖案64概括較薄且圖案的長端略為縮短。第5D圖顯示一可以 一大於正常的劑量產生於標線片上之圖案66。圖案66係“較胖”，在所有維度皆略微大於正常劑量圖案62。圖案62、64及66之間的差異係由於阻劑對於不同劑量的回應所導致。

重疊的可變定形束射擊先天上就會造成重疊及未重疊區域之間的劑量變異。譬如，第6A圖顯示一設計圖案70，其必須被分解或裂解成簡單形狀以供可變定形束寫入。第6B圖顯示一種由兩長方形72及74組成之裂解解決方案。長方形72及74係標記有內部“X”圖案以便識別。可看出，長方形72及74係重疊於一長方形區75中。若形狀70利用長方形72及74被曝光，區75將接收到身為長方形72劑量及長方形74劑量的總和之一劑量。這可能造成經曝光圖案在區75附近比設計圖案70“更胖”。第6C圖顯示可能利用第6B圖的裂解被形成於一表面上之一圖案76。請注意在圖案76中，因為區75中的額外曝光，使得內部角落77顯著呈圓弧狀。第6D圖顯示圖案70的一替代性裂解，其由三個未重疊的三角形78、79及80組成。習見情形中偏好第6D圖的裂解，因為圖案70的所有部份均可接收正常曝光，比起第6B圖的裂解這可使設計圖案70被更忠實地轉移至表面。

在特定情境中，可習見地使可變定形束射擊重疊。譬如，若製備圖案以供曝光時，判定一圖案形狀係延伸超過第1圖電子束30之一場域的邊界，則該形狀必須以多重階步被曝光，在圖案的部份被曝光處，移動平台32，且使圖案的另一部份被曝光。第7A圖顯示一圖案81，其在此範例中係交會場域邊界82。第7B圖顯示一使兩射擊83及84(若射擊 位於不同場域中)可曝光該表面之方式。由於將平台32定位的能力並不精密，射擊83及84在垂直與水平方向中皆略微失準。第7B圖範例中，失準已產生一小重疊區域。若此圖案最終被轉移至一基材且製造至一積體電路中，此重疊可能常不會造成問題。第7C圖顯示另一可能的失準。第7C圖中，射擊86與88之間的水平失準已在射擊之間產生一間隙。若此間隙被轉移至一諸如矽晶圓等基材，所產生的積體電路可能無法妥當運作。第7D圖顯示一種防止潛在失準造成電路故障之方法，其中藉由一稱為鬼射擊的額外小射擊94填入位於射擊90與92之間的一潛在間隙。鬼射擊以及被設計用來補償圖案寫入製程缺乏精密度之類似技術係導致射擊數增加。

多通行寫入(multi-pass writing)是另一種刻意使可變定形束射擊重疊之習見技術。藉由此技術，使整體圖案曝光一次，然後整體圖案曝光第二次。亦可使用大於兩次的通行。可利用多通行寫入來降低諸如阻劑發熱、阻劑充電及場域至場域失準等不理想的寫入效應。第8A-B圖顯示可如何降低場域至場域失準效應。第8A圖顯示一設計96，將其顯示為已鋪覆於一5×5場域格柵98上之影線區域。如先前對於第7圖所描述，交會一場域邊界之形狀將在多重通行中被分割及曝光。第8B圖顯示相同的設計96，其被顯示為鋪覆於一5×5場域格柵100上之影線區域，使得設計96與格柵100之對準係不同於格柵98。若設計96中的圖案在一通行中被裂解以曝光於格柵98上，然後在第二通行中被重新裂解以 曝光於格柵100上，將在與來自第二通行的場域至場域失準不同之區位處發生來自第一通行的場域至場域失準，藉以降低失準的效應。多通行寫入中，對於各通行的劑量係成正比地低於單通行寫入，目標在於使所有通行的劑量總和將是圖案的所有部份之一正常劑量。因此，習見係避免一通行內之射擊重疊。亦可利用多通行曝露以降低諸如阻劑發熱等其他不理想寫入效應之影響。多重通行曝光係使射擊數實質地增多。

第16A-B圖顯示另一種已知技術。第16A圖中，形狀150係為將被形成於表面上之所想要圖案。第16B圖顯示可用來形成該形狀150之一組三個曝光圖案。此範例中，曝光圖案151係為所想要圖案的形狀，而曝光圖案152及153是輔助曝光。曝光圖案152及153係為具有低於正常的劑量之曝光，並設計成可在曝光及後續阻劑加工期間防止形狀150端點縮短。第16A-B圖的技術中，用於所想要圖案的曝光與輔助曝光之間具有清楚的區分。

第17A-B圖顯示另一種已知技術。第17A圖顯示一將被形成於一表面上之所想要圖案160。第17B圖顯示可用來形成該圖案之五個可變定形束射擊。射擊161為主射擊。輔助射擊162、163、164及165被射擊161完全重疊。比主射擊使用顯著更低劑量之輔助射擊係有助於降低表面上之圖案中角落的圓弧化，原本可能由於粒子束曝光系統的限制而發生該圓弧化。

上述用於使可變定形束射擊重疊之技術-包括鬼射擊、 多通行寫入、及輔助射擊-係具有兩項共同特徵：

‧可能尺寸過大或尺寸過小之所有射擊或某次組的射擊之聯合係匹配於目標圖案。

‧相較於單通行未重疊可變定形束射擊而言，所有該等技術皆使射擊數增加。

本揭示係提出一種可避免這兩項特徵之用於產生圖案的方法。此方法中：

‧可容許射擊重疊。

‧一般不具有當被聯合在一起時將匹配於目標圖案之次組的射擊，即便任何該等射擊尺寸過大時亦然。

‧射擊數可能小於、且時常顯著小於單通行未重疊可變定形束之射擊數。

本揭示的方法藉由譬如利用以電腦為基礎的最適化技術來決定一組經過計算可在表面上形成所想要圖案之可能重疊的可變定形束，藉以達成這些目標。確切來說，消除了在圖案的所有部份中對於阻劑提供一正常劑量之習見拘束條件。在未重疊及重疊的可變定形束射擊中，使用並非正常劑量的阻劑劑量將可容許生成比習見技術具有更少射擊之圖案。最適化技術係依據一諸如粒子束模擬等精確方法而定，以從並非正常的劑量計算出將被對齊於阻劑中之圖案。但當被應用至一完整設計時，粒子束模擬及射擊最適化作用係涉及高深的運算複雜度，運算的複雜度至今已驅使人們採用均勻的正常劑量，其中並不需要整體設計的粒子束模擬。

可利用具有適當電腦程式的一般用途電腦來實行此揭示所描述的各不同流程。由於需要大量計算，亦可平行使用多重的電腦或處理器核心。一實施例中，運算可被細分成對於流程中的一或多個運算密集性步驟之複數個二維幾何區，以支援平行處理。另一實施例中，可利用一單獨使用或多重使用的特殊應用硬體裝置以比使用一般用途電腦或處理器核心更高的速度進行一或多個步驟的運算。此揭示所描述的最適化或模擬製程係可包括修訂及重新計算可能的解之疊代性製程。

對於曲線狀圖案而言，本揭示比起習見技術可能具有特別顯著之射擊數降低。譬如，第9A圖顯示兩個長方形重疊射擊110及112。第9B圖顯示可從正常劑量110及112產生於表面上之一圖案114，其在第9B圖中顯示為虛線。如果使用未重疊射擊，圖案114將需要不只兩射擊。另一範例中，第9C圖顯示可由射擊110及112產生之一圖案116，其中各射擊具有高於正常的劑量。整體來說，圖案116大於圖案114且被略為不同地定形。可利用改變包含一圖案之重疊射擊的一或多者劑量的方式，藉以增強只使用少量射擊數所可取得的圖案數量。可利用粒子束曝光模擬來決定將從複數個射擊被形成於一表面上之圖案，諸如第9B圖及第9C圖的圖案。已知由單一可變定形束射擊或可變定形束的組合所產生之圖案係稱為字符(glyphs)。可預先運算一字符庫並供光學鄰近校正或罩幕資料製備功能所取用。譬如，圖案116及114可被運先運算並儲存於一字符庫中。

使用重疊射擊的一項複雜性係為：對於圖案各部份計算阻劑回應。當阻劑的一區域從多重的射擊接收劑量時，來自各射擊的劑量必須被合併以決定總劑量。譬如，第18A圖顯示緊密鄰近之兩可變定形束射擊圖案500及502。第18B圖顯示沿著交會於圖案500及502的線503所接收之劑量。第18B圖中，對於圖案500從可變定形束射擊對齊於阻劑上之劑量係為504，而對於圖案502從可變定形束射擊對齊於阻劑上之劑量為506。虛線508顯示臨閾值508，高於其上則將使阻劑對齊圖案。虛線510顯示其中504及506皆具有顯著性的區域中之504及506的組合。應注意，合併的劑量510在圖案500及502之間的任何點皆未低於阻劑臨閾值508以下。組合劑量曲線510因此顯示出：阻劑將對齊身為單一經合併圖案512之圖案500及502，如第18C圖所示。

當阻劑上的面積顯著地大於或小於一正常劑量時，要預測表面上的一所產生圖案將顯著更具挑戰性。可利用粒子束曝光模擬來決定所產生的圖案。此製程係模擬藉由帶電粒子束系統對於經阻劑塗覆的表面之曝光，將帶電粒子束系統的物理特徵以及阻劑及阻劑下方的表面之光電與化學特徵皆列入考慮。可利用粒子束曝光模擬以模型式模擬帶電粒子束曝光系統之各種不理想效應，包括前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。大部份這些效應是較短程效應，代表各可變定形束射擊將只影響圖案的其他鄰近部份。然而，背散射、霧化及負載則是較長程效應，且只考量一圖案的小部份時將 無法被精確地模擬。阻劑充電雖然是短程效應，卻必須在知曉最終射擊曝光順序之後予以計算。

譬如，第20圖顯示一藉由預先計算字符以產生對於一圖案的可變定形束射擊之流程的一實施例，即一種稱為裂解(fracturing)的製程。第20圖流程900中，所想要圖案902係為被形成於表面上之圖案，且身為製程的主要輸入物。步驟904中，可以一蝕刻模型906為基礎來計算蝕刻校正。步驟904生成一所想要阻劑圖案908-亦即將在蝕刻前被形成於阻劑上之所想要圖案。所想要的阻劑圖案908因此係為藉由字符所匹配之目標圖案。分開來看，可在步驟922中模擬可變定形束射擊920的一組合來生成一字符以添加至字符926庫。粒子束模擬步驟922係對於短程曝光效應924的一或多者使用模型。字符庫926中的所產生字符因此係被預先補償短程曝光效應。因為效應的效程(range)可能大於字符圖案，長程曝光效應無法在字符產生期間被補償。步驟910中，來自字符庫的字符係被選擇、放置及指派劑量藉以生成一圖案於阻劑上，其在一預定公差內匹配於經蝕刻校正的所想要圖案908。步驟910在決定射擊劑量時使用長程曝光效應912的一或多者。步驟910的輸出係為可變定形束射擊914的一初始清單。該初始組的可變定形束射擊914隨後可在步驟916中被模擬，且作進一步校正或修訂。步驟917中，來自步驟916之所模擬圖案係與所想要阻劑圖案908比較以決定兩圖案是否匹配於預定公差內。若未找到位於預定公差內的一匹配，步驟916中可作出額外校正及模擬直到 來自步驟916之粒子束經模擬圖案位於經蝕刻校正的所想要圖案908之預定公差內為止。若未達成預定公差內的匹配，亦可調整步驟917所使用的公差。步驟917的結果係為適合利用一帶電粒子束系統寫入至經阻劑塗覆的表面之一經驗證的射擊清單918。

第10A-E圖顯示利用不同劑量的重疊射擊可如何降低射擊數之一範例。第10A圖顯示可由一電子設計自動化軟體系統所產生之一理想圖案118，諸如一接觸部，其配合使用光學微影術以形成一圖案於一基材上。圖案118係為一正方形形狀。第10B圖顯示可藉由圖案118的光學鄰近校正處理所生成之一曲線狀圖案120。圖案120將被形成於一標線片上以用來製造一供光學微影性製程使用的罩幕。第10C圖顯示一組122的未重疊長方形，其可被用來藉由可變定形束技術將圖案120寫入於標線片上。可看出，長方形120組之聯合係緊密地逼近於形狀120。然而，當射射擊出具有高的長寬尺寸比(稱為切片(sliver))之射擊時，部分帶電粒子束系統相對較不精確。因此，該組長方形120習見並非藉由裂解軟體所生成。第10D圖顯示另一組未重疊形狀-長方形及三角形-其可習見用來將形狀120寫入至一表面。此組形狀可利用不採用切片的可變定形束技術予以射射擊。射擊群組124中具有7個射擊。對於一簡單如形狀120的形體來說，這算是大量的射擊。第10E圖顯示本揭示的一三射擊群組130，其可以妥當劑量對齊靠近所想要圖案之標線片上的一圖案。此範例中，射擊132及134具有一相對劑量1.0，而射擊136 具有一相對劑量0.6。對齊於阻劑上的圖案係為形狀140，其在一預定公差內均等於所想要形狀120。3射擊群組130可對齊比起7射擊群組124而言更接近所想要圖案120之阻劑上的一圖案。此範例顯示具有不同劑量的重疊射擊可如何被有效用來降低射擊數。可形成將與由射擊之一簡單聯合所形成的一圖案實質地不同之圖案。尚且，甚至以平行於笛卡兒座標軸之射擊，可形成曲線狀形狀。射擊群組130可被預先運算並可供用來作為一配合所有匹配於接觸圖案118的接觸部使用之字符。

第19A-D圖顯示具有一較複雜圖案之重疊的可變定形束射擊。第19A圖中，圖案180由兩正方形形狀182及184組成，其譬如可由一電腦輔助式設計軟體系統產生，以使用在一光學微影性製程中。第19B圖顯示一對應的圖案186，其可由圖案180的光學鄰近校正處理所產生。此範例顯示：兩相同形狀182及184的光學鄰近校正處理可產生略微不同之所生成的形狀組。將需要大量的習見未重疊可變定形束射擊以形成圖案186於一標線片上。第19C圖顯示一組的重疊可變劑量可變定形束射擊190，其可產生曲線狀圖案186於一標線片上。該組可變定形束射擊190中的射擊係具有不同劑量，但未顯示出劑量。決定此組的射擊時，已將一最小射擊尺寸及最大射擊尺寸比設定為拘束條件。請注意190中之射擊的聯合-射擊的組合190所覆蓋之總面積-並未匹配曲線狀圖案186。該組可變定形束射擊190的任何次組也並未匹配曲線狀圖案186。然而，阻劑將對齊之經計算圖 案係確實在一預定公差內匹配曲線狀圖案186。第19D圖顯示另一組的重疊可變劑量可變定形束射擊194，其可產生曲線狀圖案186於一標線片上。如同第19C圖中，該組可變定形束射擊194中的射擊係具有不同劑量。該等射擊在射擊190組及射擊194組中之區位係相當不同，但兩組皆在預定公差內形成圖案186。此範例顯示可如何藉由本揭示相對有效率地使曲線狀圖案產生於表面上。

第11A圖是利用光學微影術製備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之本揭示的一實施例之概念性流程圖250。第一步驟252中，設計一物理設計，諸如一積體電路的物理設計。這可包括決定邏輯閘極、電晶體、金屬層、及出現在諸如積體電路等的一物理設計中之所需要的其他項目。接著，步驟254中，決定光學鄰近校正。此揭示的一實施例中，這可包括取得一經預先計算的字符庫或經參數化的字符庫作為輸入物，其可有利地降低進行光學鄰近校正之運算時間。此揭示的一實施例中，一光學鄰近校正步驟254亦可包括射擊數或寫入時間的同時最適化，且亦可包括一裂解操作，一可容許重疊射擊之射擊放置操作，一可容許並非正常的劑量之劑量指派操作，或亦可包括一射擊順序最適化操作，或其他罩幕資料製備操作。光學鄰近校正步驟254亦可使用粒子束模擬。一旦光學鄰近校正完成，步驟256中顯影一罩幕設計。然後，步驟258中，可發生一可包括一裂解操作、一射擊放置操作、一劑量指派操作、或一射擊順序最適化之罩幕資料製備操作。光學 鄰近校正步驟254或MDP步驟258之步驟、或者與這兩步驟254或258獨立之一分離的程式係可包括一用於決定大量字符或經參數化字符之程式，其可被射射擊於表面上以將全部或大部份所想要圖案寫入一標線片上。此揭示中係想見在單一步驟中合併光學鄰近校正以及罩幕資料製備的任何或全部不同操作。罩幕資料製備(MDP)步驟258可包括一裂解操作，其中射擊係重疊且容許指派並非正常的劑量，且亦可包括粒子束模擬。罩幕資料製備步驟258亦可包含一圖案匹配操作以匹配字符來生成一緊密地匹配罩幕設計之罩幕。罩幕資料製備亦可包含輸入將被形成於一表面上之圖案，其中部分圖案略微不同，並利用粒子束曝光模擬來計算射擊劑量的變異或射擊重疊的變異以降低射擊數或總寫入時間。表面上之一組略微不同的圖案係可被設計成將實質相同的圖案產生於一基材上。一旦罩幕資料製備完成，在一諸如電子束寫入器系統等罩幕寫入器機具中產生該表面。將此特別步驟識別為步驟262。電子束寫入器系統係投射一束電子通過一模板罩幕中的開孔到達一表面上以形成圖案於該表面上，諸如步驟264所示。完成的表面隨後可使用於一光學微影術機具中，其顯示於步驟266中。最後，步驟268中，產生一諸如矽晶圓等基材。步驟276中，字符產生步驟274提供資訊至一組字符或經參數化的字符。已如先前所描述，字符產生步驟274可使用粒子束模擬。並且，已如討論，字符或經參數化字符步驟276係將資訊提供至光學鄰近校正步驟254或罩幕資料製備步驟258。

第11B圖是如何製備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之更詳細流程圖280，其中光學鄰近校正及罩幕資料製備操作被有利地合併於單一步驟中。第一步驟282中，獲得一諸如積體電路的物理設計等物理設計。該物理設計可能是直接從習見CAD物理設計軟體獲得之一積體電路設計，或者其可從譬如進行一或多設計層的布林運算(Boolean operations)、尺寸縮放、偏壓或重新標定之積體電路設計所生成。接著，步驟284中，在稱為罩幕資料校正(MDC)的單一步驟中進行光學鄰近校正及罩幕資料製備操作。將有關帶電粒子束寫入器系統的特徵及罩幕製造製程之資訊296供應至罩幕資料校正步驟。資訊296可例如包括前向散射、背散射、阻劑擴散、庫倫效應、阻劑充電、霧化、最大射擊尺寸、最大射擊尺寸比及射擊幾何描述。資訊296亦可包括一可能的可變定形束射擊庫。另一實施例中，亦可將一經預先運算或預先計算的字符297庫供應至罩幕資料校正步驟。亦將進行光學鄰近校正所需要的資訊298供應至罩幕資料校正步驟284。罩幕資料校正步驟284係使用有關帶電粒子束系統及進行光學鄰近效應校正298時的製程之可取得資訊296。罩幕資料校正步驟284係使所產生的可變定形束射擊組最適化藉以達成一所想要的晶圓影像294。所想要晶圓圖案-亦即罩幕資料校正步驟的目標-可能係為物理設計282或可能從物理設計282衍生。該最適化係可包括可變定形束、其區位及其劑量之選擇。可變定形束、其區位及其劑量之選擇係可以帶電粒子束系統資訊296、 以可變定形束射擊的一資料庫、以一字符庫、或其一組合為基礎。經裂解資料的最適化係可包括罩幕影像的模擬、以所模擬罩幕影像為基礎之晶圓影像的一模擬、所模擬晶圓影像及目標晶圓影像的一比較。可使用此比較的結果作為一最適化判別標準。其他最適化判別標準亦可包括：可變定形束射擊數、可變定形束射擊的最小尺寸(亦即切片)，相同環境中對於相同目標晶圓影像之相同組的可變定形束射擊之生成，及物理設計282中用於寫入對稱性圖案的對稱性可變定形束射擊組之生成。接著，罩幕資料校正步驟284生成之所製備罩幕佈局286係使用於一罩幕寫入器系統288中以產生圖案於一表面290上。完成的表面則可使用於一光學微影術機具中，其顯示於步驟292。最後，在步驟294中，產生一晶圓上之一影像。

現在參照第12圖，顯示出如何製備一表面以利用光學微影術製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之另一概念性流程圖300，其中從罩幕資料製備輸出所產生的一罩幕設計係以一均等判別標準為基礎與光學鄰近校正後罩幕設計作比較。第一步驟302中，設計一諸如積體電路的物理設計等物理設計。這可能是設計者想要轉移至一基材上之理想圖案。接著，步驟304中，決定出步驟302中所產生之理想圖案的光學鄰近校正。這可包括選擇所需製備的字符。光學鄰近校正亦可包含輸入可能的字符，字符利用粒子束曝光模擬被決定以計算出改變的一射擊劑量或改變的射擊重疊。並且，光學鄰近校正可包含：從可能的字符選擇一 字符，以所選擇字符為基礎來運算基材上的經轉移圖案，及如果所運算圖案與所想要的經校正圖案相差大於一預定臨閾值則選擇另一字符。一旦光學鄰近校正完成，步驟304中，顯影一罩幕設計。然後，步驟306中，製備一罩幕設計。一旦罩幕設計被製備，在一罩幕資料製備步驟308中發生罩幕設計的進一步增強。罩幕資料製備亦可包含圖案匹配以使字符匹配來生成一緊密匹配於罩幕設計的罩幕。亦可進行圖案匹配、劑量指派、及均等檢查之疊代，可能只包括一次其中進行一藉由建構作校正的“判定性”計算之疊代。這些步驟將有助於製備一經增強的均等性罩幕設計。

一旦罩幕被增強，步驟310中產生一均等性罩幕設計，諸如一組可變定形束射擊。可用來決定該均等性罩幕設計是否真正均等於該罩幕設計之測試係具有兩項動機。一項動機係在於通過罩幕檢驗。另一項動機在於確認晶片或積體電路一旦製成則將妥當地運作。可藉由一組均等判別標準來決定一圖案匹配操作宣稱與其匹配之緊密性。一均等判別標準可至少部份地由微影均等(litho-equivalence)所驅動。可藉由一組預定的幾何規則、宣稱匹配、部份匹配或不匹配的一組數學方程式、或藉由執行罩幕設計的一微影術模擬及均等性罩幕設計的一微影術模擬、及藉由利用一組預定幾何規則來比較兩結果、或藉由宣稱匹配、部份匹配或不匹配的一組數學方程式來決定微影均等。罩幕資料製備步驟308可使用一組預定的字符、或經參數化字符，以使射擊數或寫入時間達到最適化，同時保障一所產生的均 等性罩幕設計310可被均等判別標準所接受。另一實施例中，光學鄰近校正及罩幕資料製備可被合併在一藉由建構作校正(correct-by-construct)方法中，在該例中可能不具有與均等性罩幕設計310分開產生之罩幕設計306。

一旦均等性罩幕設計被決定為正確，在一諸如電子束寫入器系統等帶電粒子束寫入器系統中製備一表面。此步驟被識別為一步驟314-罩幕寫入器。電子束寫入器系統經由一模板罩幕中的開孔將一束電子投射至一表面上以形成圖案於該表面上。表面在步驟316中完成-罩幕影像。完成的表面隨後可用於一光學微影術機具中，其顯示於步驟318中將表面上所出現的圖案轉移至一諸如矽晶圓等基材以製造一積體電路。最後，步驟320中，產生一諸如半導體晶圓等基材。字符產生步驟326係在步驟328中將資訊提供至一組字符或經參數化字符。已如前文所描述，字符產生步驟326可利用粒子束模擬。並且，已如前文討論，字符或經參數化字符步驟328將資訊提供至光學鄰近校正步驟304或罩幕資料製備步驟308。

再度參照第11A圖，如前文討論，一實施例中，光學鄰近校正步驟254可包括罩幕資料製備步驟258的各不同功能。光學鄰近校正系統首先可為一大型經預先運算或經預先計算字符庫。光學鄰近校正系統隨後可試圖盡可能大量使用可取得字符來進行積體電路的原始物理設計對於標線片設計之光學鄰近校正轉換。字符可各標記有一相關聯的射擊數及一或多個寫入時間最適化值，而一光學鄰近校正系統、 一罩幕資料製備系統或部分獨立程式係可藉由選擇較低射擊數或寫入時間使得射擊數或寫入時間達到最適化。可以一貪心方式進行此最適化，其係選擇身為以一選擇字符來匹配一圖案的特定次序對於射擊數或寫入時間所選的最好字符之字符予以最適化；或以一疊代性最適化方式進行此最適化，諸如藉由經模擬的退火，其中字符選擇的交換係使整體射擊數或寫入時間達到最適化。部分將被形成於一標線片上之所想要圖案可能仍保持不被任何可取得字符所匹配，且可能需利用並非身為任何經預先運算字符的部份之個別可變定形束射擊來形成此等圖案。

現在參照第15圖，顯示如何製備一直接被寫入一諸如矽晶圓等基材上的表面之另一概念性流程圖700。第一步驟702中，決定一物理設計，諸如一積體電路的物理設計。這可能是設計者想要轉移至一基材上之一理想圖案。接著，步驟704中，進行鄰近效應校正(PEC)及其他資料製備(DP)步驟以對於一基材寫入裝置製備輸入資料，其中物理設計的結果含有多數個略微不同之圖案。步驟704亦可包含從步驟724輸入可能的字符或經參數化字符，字符係以可能重疊的可變定形束射擊為基礎，且利用字符產生步驟722中之一改變射擊劑量或改變射擊位置的計算來決定字符。步驟704亦可包含圖案匹配以使字符匹配來生成一緊密匹配於步驟702中所生成的物理設計之晶圓影像。亦可進行圖案匹配、劑量指派、及均等檢查之疊代，可能只包括一次其中進行一藉由建構作校正的“判定性”計算之疊代。步驟704的結果 係為一組晶圓寫入指令706。晶圓寫入指令706隨後用來在一諸如電子束寫入器系統等晶圓寫入器機具中製備一晶圓。此步驟被識別為步驟710。電子束寫入器系統經由一可調整式開孔將一束電子投射至一表面上以形成圖案於一表面上。該表面在步驟712中完成。字符產生步驟722在步驟724中將資訊提供至一組字符或經參數化字符。字符或經參數化字符步驟724將資訊提供至近鄰效應校正及資料製備步驟704。步驟710可包括視需要對於處理的各層重覆施用，其中可能一些部分利用連同第11A及12圖所描述方法作處理、其他部分則利用第15圖所勾勒方法作處理，或者其他部分利用任何其他晶圓寫入方法所產生以在矽晶圓上產生積體電路。

現在參照第13圖，顯示出可供光學鄰近校正、裂解、近鄰效應校正、或罩幕資料製備的任何其他步驟所使用之字符1000、1002、1004及1006的範例。這些字符1000、1002、1004及1006可由一組經類似裂解的可變定形束射擊所產生，或可由不同裂解所產生。不論生成字符的方法為何，字符係代表已知身為表面上的可能圖案之可能圖案。各字符可具有對於包含該字符的各可變定形束射擊之與其關聯的位置及劑量資訊。

第14圖顯示經參數化字符1010及1012的範例。字符1010展現可被改變之一維度的規格所描述之一般形狀，在此例中長度X係在10與25之間的長度單位值產生變動。字符1012以較具限制性方式展現相同的一般形狀，其中長度X只會是譬如10、15、20或25等特定數值的一者。經參數化 字符1010展現出：這些描述容許具有各種不同的可能字符，這是未被參數化之字符的數值方法所無法達到的。

對於字符1010之一經參數化字符描述的範例可如下文描述：pglyph upsideDownLShape (x: nanometers where ((x = 10)) or ((x > 10) and (x < 25)) or (x = 25))); rect (0, 0, 5, 15); rect (0, 15, x, 20); end pglyph；對於字符1012之一經參數化字符描述的範例可如下文描述：pglyph upsideDownLShape2 (x: nanometers where ((x = 10) or (x =15) or (x = 20)) or (x = 25))); rect (0, 0, 5, 15); rect (0, 15, x, 20); end pglyph；這些範例描述係以產生一用於決定何者參數數值滿足諸如下列等特定判別標準的邏輯測試之參數為基礎：“where((x=10)or(x=15)or(x=20)or(x=25)”或“where((x=10)or((x>10)and(x<25))or(x=25)”。具有許多其他方式來描述一經參數化字符。另一展現建構性方法之範例係如下文描述： pglyph upsideDownLShape2 (x: nanometers); glyphFor (x = 10, x + x+5; x>25) { rect (0, 0, 5, 15); rect (0, 15, x, 20); } end pglyph；。

雖然已參照特定實施例詳細地描述說明書，請瞭解熟習該技藝者可從上文容易地想見對於這些實施例的更改、變異及均等物。熟習該技藝者可實行利用可變定形束微影術製造一表面或積體電路之本系統及方法的這些及其他修改及變異，而不脫離由申請專利範圍更特別地界定之本主體物的精神與範圍。尚且，熟習該技藝者將瞭解：上文描述僅供示範用而無意具有限制性，因此，本主體物係預定涵蓋位居申請專利範圍及其均等物的範疇內之修改及變異。

10‧‧‧電子束寫入器系統

12‧‧‧表面

14‧‧‧電子束源

16,22,30‧‧‧電子束

18‧‧‧開孔板

20,26‧‧‧開孔

24‧‧‧模板罩幕

28‧‧‧標線片圖案

32‧‧‧可移平台

34‧‧‧光學微影術機具

36‧‧‧照射源

37‧‧‧罩幕

38‧‧‧透鏡

39‧‧‧矽晶圓，基材

40,118‧‧‧理想圖案

42,44,50,54,81,114,116‧‧‧圖案

52‧‧‧截線元件

56‧‧‧輸出圖案

60‧‧‧樣本多角形圖案

62‧‧‧以正常劑量產生於標線片上之圖案

64‧‧‧以小於正常的劑量產生於標線片上之圖案

66‧‧‧以大於正常的劑量產生於標線片上之圖案

70‧‧‧設計圖案

72,74‧‧‧長方形

75‧‧‧長方形區

76‧‧‧可能利用第6B圖的裂解被形成於一表面上之圖案

77‧‧‧內部角落

78,79,80‧‧‧三角形

82‧‧‧場域邊界

83,84,86,88,90,92,132,134,136,151‧‧‧射擊

94‧‧‧鬼射擊

96‧‧‧設計

98‧‧‧5×5場域格柵

100‧‧‧5×5場域格柵

110,112‧‧‧長方形重疊射擊

120,186‧‧‧曲線狀圖案

122‧‧‧組

124‧‧‧七射擊群組

130‧‧‧三射擊群組

140,150‧‧‧形狀

152,153,162,163,164,165‧‧‧輔助射擊

160,902‧‧‧所想要圖案

161‧‧‧主射擊

182,184‧‧‧正方形形狀

190,194‧‧‧重疊可變劑量可變定形束射擊

250,280‧‧‧流程圖

252,282,302,702‧‧‧第一步驟

254‧‧‧光學鄰近校正步驟

256,262,264,266,268,276,292,294,304,316,318,320,710,712,904,910,916,917‧‧‧步驟

258,308‧‧‧罩幕資料製備步驟

274,326,722‧‧‧字符產生步驟

282‧‧‧物理設計

284‧‧‧罩幕資料校正步驟

286‧‧‧罩幕佈局

288‧‧‧罩幕寫入器系統

290‧‧‧表面

294‧‧‧所想要晶圓影像

296‧‧‧可取得資訊，帶電粒子束系統資訊，有關帶電粒子束寫入器系統的特徵及罩幕製造製程之資訊

297‧‧‧經預先運算或預先計算的字符

298‧‧‧進行光學鄰近校正所需要的資訊

300,700‧‧‧概念性流程圖

306‧‧‧罩幕設計

310‧‧‧所產生的均等罩幕設計

314‧‧‧罩幕寫入器

328,724‧‧‧字符或經參數化的字符步驟

500,502‧‧‧可變定形束射擊圖案

503‧‧‧交會於圖案500及502的線

504‧‧‧對於圖案500從可變定形束射擊被對齊於阻劑上之劑量

506‧‧‧對於圖案502從可變定形束射擊被對齊於阻劑上之劑量

508‧‧‧臨閾值

510‧‧‧組合劑量曲線，虛線

512‧‧‧單一經合併圖案

704‧‧‧近鄰效應校正及資料製備步驟

706‧‧‧晶圓寫入指令

900‧‧‧流程

906‧‧‧蝕刻模型

908‧‧‧所想要阻劑圖案

912‧‧‧長程曝光效應

914,920‧‧‧可變定形束射擊

918‧‧‧經驗證的射擊清單

922‧‧‧粒子束模擬步驟

924‧‧‧短程曝光效應

926‧‧‧字符庫

1000,1002,1004,1006‧‧‧字符

1010,1012‧‧‧經參數化字符

第1圖顯示一用來製造一表面之可變定形束帶電粒子束寫入器系統；第2圖顯示一光學微影術系統；第3A圖顯示將被放置在一基材上之一圖案的一設計；第3B圖顯示來自第3A圖所示設計之一被形成於一標線片中的圖案；第3C圖顯示使用第3B圖的標線片之一被形成於一基 材的光阻中之圖案；第4A圖顯示一光學鄰近校正式版本之第3A圖所示的圖案；第4B圖顯示被形成於標線片中之後的一光學鄰近校正式版本之第4A圖所示的圖案；第4C圖顯示利用第4B圖的標線片之一被形成於一矽晶圓的光阻中之圖案；第5A圖顯示一將被形成於一基材上之圖案的一設計；第5B圖顯示利用一正常劑量被形成於一表面上之第5A圖的圖案；第5C圖顯示利用一小於正常的劑量被形成於一表面上之第5A圖的圖案；第5D圖顯示利用一大於正常的劑量被形成於一表面上之第5A圖的圖案；第6A圖顯示一將被形成於一表面上之多角形圖案；第6B圖顯示第6A圖的圖案裂解成重疊的長方形之作用；第6C圖顯示自第6B圖的重疊長方形所形成之表面上的所產生圖案；第6D圖顯示第6A圖的圖案裂解成未重疊的長方形之作用；第7A圖顯示延伸橫越一帶電粒子束寫入器系統的一場域邊界之一長方形圖案；第7B圖顯示由於帶電粒子束寫入器系統不精密所導致 之可能來自於第7A圖的圖案寫入之表面上的一圖案；第7C圖顯示由於帶電粒子束寫入器系統不精密所導致之可能來自於第7A圖的圖案寫入之表面上的另一圖案；第7D圖顯示一利用一鬼射擊(ghost shot)將第7A圖的圖案轉移至表面之方法；第8A圖顯示將一設計圖案(影線狀)分割成場域之作用以藉由一帶電粒子束寫入器系統作寫入；第8B圖顯示另一將一設計圖案(影線狀)分割成場域之作用以藉由一帶電粒子束寫入器系統作寫入；第9A圖顯示兩個重疊的可變定形束射擊；第9B圖顯示使用一正常劑量之來自於第9A圖的重疊可變定形束射擊之表面上的一圖案；第9C圖顯示使用高於正常的劑量之來自於第9A圖的重疊可變定形束射擊之表面上的一圖案；第10A圖顯示一正方形圖案的一設計；第10B圖顯示光學鄰近校正後之第10A圖的圖案；第10C圖顯示一將第10B圖的圖案裂解成未重疊的長方形之作用；第10D圖顯示一將第10B圖的圖案裂解成未重疊的射擊之習見的作用；第10E圖顯示根據本揭示之一示範性複數個重疊長方形；第11A圖顯示如何製備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之概念性流程圖的一實施例； 第11B圖顯示如何準備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之概念性流程圖的另一實施例；第12圖顯示如何製備一表面以用來製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上之又另一概念性流程圖；第13圖顯示字符的範例；第14圖顯示經參數化字符的範例；第15圖顯示如何在製作一諸如積體電路等基材於一矽晶圓上時製備一表面之概念性流程圖的另一實施例；第16A圖顯示一將被形成於一表面上之圖案；第16B圖顯示使用一主可變定形束射擊及輔助可變定形束射擊以形成第16A圖的圖案；第17A圖顯示一將被形成於一表面上之圖案；第17B圖顯示使用一主可變定形束射擊及輔助可變定形束射擊以形成第17A圖的圖案；第18A圖顯示彼此緊鄰之兩可變定形束射擊；第18B圖顯示沿著一條畫過第18A圖形狀的線之劑量的圖形；第18C圖顯示來自第18A圖的射擊之表面上所產生的圖案；第19A圖顯示一將被形成於一表面上之圖案；第19B圖顯示身為第19A圖的圖案上之光學鄰近校正處理的結果之一曲線狀圖案；第19C圖顯示一組示範性的重疊可變定形束射擊，其可形成第19圖的曲線狀圖案於表面上； 第19D圖顯示另一組示範性的重疊可變定形束射擊，其可形成第19B圖的曲線狀圖案於表面上；及第20圖顯示一可變定形束射擊裂解概念性流程圖之一實施例。

10‧‧‧電子束寫入器系統

12‧‧‧表面

14‧‧‧電子束源

16,22,30‧‧‧電子束

18‧‧‧開孔板

20,26‧‧‧開孔

24‧‧‧模板罩幕

28‧‧‧標線片圖案

32‧‧‧可移平台

Claims (135)

1. 一種用於包含將形成於表面上的圖案之設計的光學鄰近校正(OPC)之方法，該表面將使用於一光學微影性製程中使該圖案轉移至一基材，該方法包含：輸入一用於該基材的所想要圖案；決定複數個可變定形束(VSB)射擊(shots)，其中該等複數個射擊中的部份射擊係重疊，且其中該等複數個射擊將於該表面上形成一圖案，當該圖案係使用於該光學微影性製程時，將形成用於該基材的該所想要圖案。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該決定步驟包含使用帶電粒子束模擬。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算該表面上之一經計算圖案之步驟。
4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等複數個射擊將於該表面上形成一曲線狀圖案。
7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該各可變定形束射擊包含一劑量，且其中可容許該等可變定形束射擊的 該等劑量相對於彼此改變。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊。
9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中使該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中使具有一大於一預定最大值的尺寸比之該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中當用於該基材之該所想要圖案係為對稱時，該等複數個可變定形束射擊係被拘束為對稱。
12. 如申請專利範圍第3項之方法，進一步包含當使用該光學微影性製程轉移至該基材時，運算該表面上之該經計算圖案是否將在該基材上形成一相等於用於該基材之該所想要圖案之圖案且該圖案係在一預定公差內的步驟，其中該運算包含微影術模擬及蝕刻模擬中之至少一者。
13. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包含若該基材上之該經運算圖案不相等於用於該基材之該所想要圖案，修訂該等複數個射擊、重新計算在一預定公差內之該表面上之該經計算圖案以及重新運算該基材上之該圖案。
14. 一種用於包含將形成於表面上的圖案之設計的光學鄰近校正(OPC)之系統，該表面將使用於一光學微影性製 程中使該圖案轉移至一基材，該系統包含：一用於該基材的所想要圖案；以及可決定複數個可變定形束(VSB)射擊之一裝置，其中該等複數個射擊中的部份射擊重疊，且其中該等複數個射擊將於該表面上形成一圖案，當該圖案使用於該光學微影性製程時，將於該基材上形成該所想要圖案。
15. 如申請專利範圍第14項之系統，其中該可決定之裝置使用帶電粒子束模擬。
16. 如申請專利範圍第14項之系統，更包含一裝置，該裝置可自該等複數個可變定形束射擊計算該表面上之一經計算圖案。
17. 如申請專利範圍第16項之系統，更包含一裝置，該裝置可運算當使用該光學微影性製程轉移至該基材時，該表面上之該經計算圖案是否將在該基材上形成一在一預定公差內均等於用於該基材之該所想要圖案，其中該基材上之該圖案之運算包含微影術模擬及蝕刻模擬中之至少一者。
18. 如申請專利範圍第16項之系統方法，其中該可計算之裝置使用帶電粒子束模擬。
19. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正之方法，包含：輸入一將形成於一表面上之所想要圖案；以及決定複數個可變定形束(VSB)射擊，其中該等複數 個射擊中之部份射擊重疊，且其中該等複數個可變定形束射擊的任何次組-該次組中的各射擊係為尺寸過大或為尺寸過小或為原始決定的尺寸-之聯合係不同於該所想要圖案，且其中該等複數個射擊將於該表面上形成接近該所想要圖案之一圖案。
20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中在該輸入步驟中，該所想要圖案具有彼此呈略微不同變異之次組。
21. 如申請專利範圍第19項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算該表面上之一經計算圖案的步驟。
22. 如申請專利範圍第21項之方法，更包含若該經計算圖案與該所想要圖案相差超過一預定公差，修訂該等複數個可變定形束射擊及重新計算該經計算圖案的步驟。
23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該修訂步驟包含使用一最適化技術。
24. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
26. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該所想要圖案係為曲線狀。
27. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該各可變定形束射擊包含一劑量，且其中該等可變定形束射擊的該等劑量係相對於彼此改變。
28. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊。
29. 如申請專利範圍第28項之方法，其中使該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
30. 如申請專利範圍第28項之方法，其中使具有大於一預定最大值的尺寸比之該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
31. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正之系統，包含：將形成於一表面上的一所想要圖案；一可決定複數個可變定形束(VSB)射擊之裝置，其中該等複數個射擊中的部份射擊重疊，且其中該等複數個可變定形束射擊的任何次組-該次組中的各射擊係為尺寸過大或為尺寸過小或為原始決定的尺寸-之聯合係不同於該所想要圖案，且其中該等複數個射擊將於該表面上形成接近該所想要圖案之一圖案。
32. 如申請專利範圍第31項之系統，更包含一可自該等複數個可變定形射擊計算該表面上之一經計算圖案之裝置。
33. 如申請專利範圍第32項之系統，其中該可計算之裝置 包含一可進行帶電粒子束模擬之裝置。
34. 如申請專利範圍第31項之系統，其中各該可變定形束射擊包含一劑量，且其中該等可變定形束射擊的該等劑量係相對於彼此改變。
35. 如申請專利範圍第31項之系統，其中該可決定之裝置包含一可使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊之裝置。
36. 如申請專利範圍第35項之系統，其中使該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
37. 一種使用帶電粒子束微影術製造表面之方法，該方法包含：輸入將形成於該表面上之一所想要圖案；決定複數個可變定形束(VSB)射擊，(i)其中該等複數個射擊中之部份射擊重疊，(ii)其中該等複數個可變定形束射擊的任何次組-該次組中的各射擊係為尺寸過大或為尺寸過小或為原始決定的尺寸-之聯合係不同於該所想要圖案，且(iii)其中該等複數個射擊將於該表面上形成一接近該所想要圖案之圖案；以及以該等複數個可變定形束射擊於該表面上形成該圖案。
38. 如申請專利範圍第37項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算該表面上之一經計算圖案之步驟。
39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該計算步驟包含 帶電粒子束模擬。
40. 如申請專利範圍第39項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
41. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該所想要圖案係為曲線狀。
42. 如申請專利範圍第37項之方法，其中各可變定形束射擊包含一指派劑量，且其中該等可變定形束射擊之該等指派劑量係相對於彼此改變。
43. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊。
44. 如申請專利範圍第43項之方法，其中使該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
45. 如申請專利範圍第43項之方法，其中使具有一大於一預定最大值的尺寸比之該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
46. 如申請專利範圍第37項之方法，其中當該所想要圖案係為對稱性，該等複數個可變定形束射擊係拘束為對稱。
47. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該表面係為一標線片。
48. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該表面係為一基 材。
49. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該決定步驟使用一建構作校正(correct-by-construction)判斷性技術。
50. 如申請專利範圍第37項之方法，進一步包含輸入可能的字符，使用至少一可變定形束射擊的一計算來決定各該等字符，其中該決定步驟包含從該等可能的字符選擇一字符。
51. 一種使用光學微影性製程製造積體電路之方法，該光學微影性製程使用一標線片，該方法包含：輸入將形成於該標線片上之一所想要圖案；決定複數個可變定形束(VSB)射擊，(i)其中該等複數個射擊中之部份射擊重疊，(ii)其中該等複數個可變定形束射擊的任何次組-該次組中的各射擊係為尺寸過大或為尺寸過小或為原始決定的尺寸-之聯合係不同於該所想要圖案，且(iii)其中該等複數個射擊將於該表面上形成一接近該所想要圖案之圖案；以及以該等複數個可變定形束射擊於該標線片上形成該圖案。
52. 如申請專利範圍第51項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算該標線片上之一經計算圖案。
53. 如申請專利範圍第52項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
54. 如申請專利範圍第53項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向 散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
55. 如申請專利範圍第51項之方法，其中各可變定形束射擊包含一指派劑量，且其中該等可變定形束射擊之該等指派劑量係相對於彼此改變。
56. 如申請專利範圍第51項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊。
57. 如申請專利範圍第51項之方法，更包含：從該標線片製造一罩幕，該罩幕含有該標線片上所形成之該圖案；以及使用光學微影術將該罩幕上的該圖案轉移至一基材。
58. 如申請專利範圍第52項之方法，更包含：輸入該基材上之一理想圖案；以及計算該基材上之一經模擬圖案，其中該決定步驟包含使該基材上的該理想圖案與該基材上的該經模擬圖案之間具有最小的差異。
59. 如申請專利範圍第58項之方法，其中使用該標線片上的該經計算圖案來計算該基材上的該經模擬圖案。
60. 一種用於製造積體電路之方法，該積體電路具有一基材，該方法包含：輸入一將形成於該基材上之所想要圖案；決定複數個可變定形束(VSB)射擊，(i)其中該等複 數個射擊中的部份射擊重疊，(ii)其中該等複數個可變定形束射擊的任何次組-該次組中的各射擊係為尺寸過大或為尺寸過小或為原始決定的尺寸-之聯合係不同於該所想要圖案，以及(iii)其中該等複數個射擊將於該基材上形成一接近該所想要圖案之圖案；以及以該等複數個可變定形束射擊於該基材上形成該圖案。
61. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊。
62. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正之方法，該方法包含下列步驟：決定複數個可變定形束(VSB)射擊，其中藉由該等複數個可變定形束射擊界定之一圖案之不同部份接收不同之劑量，以及其中該等複數個可變定形束射擊中的部份射擊重疊，且其中相較於使用未重疊可變定形束射擊，射擊數或寫入時間係減少的。
63. 如申請專利範圍第62項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算一表面上之一經計算圖案之步驟。
64. 如申請專利範圍第63項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
65. 如申請專利範圍第64項之方法，其中該帶電粒子束模 擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
66. 如申請專利範圍第63項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於該表面上之一所想要圖案；以及若該經計算圖案與該所想要圖案相異超過一預定公差，修訂該等複數個可變定形束射擊並重新計算該經計算圖案。
67. 如申請專利範圍第62項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相對於彼此改變。
68. 如申請專利範圍第62項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術來決定該等複數個可變定形束射擊。
69. 如申請專利範圍第68項之方法，其中使具有一大於一預定最大值的尺寸比之該等複數個可變定形束射擊之數量減少。
70. 如申請專利範圍第62項之方法，更包含下列步驟：輸入一字符庫，其中在該決定步驟中，該等複數個可變定形束射擊包括來自一字符之射擊。
71. 如申請專利範圍第70項之方法，其中該字符庫包括至少一經參數化之字符。
72. 如申請專利範圍第62項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於一表面上之一所想要圖案，其中當該所想要圖案係為對稱時，該等複數個可變定形束射擊係拘束為對稱。
73. 如申請專利範圍第62項之方法，其中該決定步驟使用一建構作校正(correct-by-construction)判斷性技術。
74. 如申請專利範圍第63項之方法，其中該表面係一使用於一光學微影性製程以製造一基材之標線片，該方法更包含下列步驟：輸入用於該基材之一理想圖案；以及計算該基材上之一經模擬圖案，其中該決定步驟包含使該基材上的該理想圖案與該基材上的該經模擬圖案之間具有最小的差異。
75. 如申請專利範圍第74項之方法，其中該基材上的該經模擬圖案係使用該標線片上的該經計算圖案來計算。
76. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正之方法，該方法包含下列步驟：藉由產生複數個可變定形束(VSB)射擊減小射擊數或寫入時間，其中該等複數個可變定形束射擊中之一次組重疊。
77. 如申請專利範圍第76項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算一表面上之一經計算圖案之步驟。
78. 如申請專利範圍第77項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
79. 如申請專利範圍第78項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
80. 如申請專利範圍第76項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相對於彼此改變。
81. 如申請專利範圍第76項之方法，其中於該減小步驟中，射擊係使用一建構作校正(correct-by-construction)判斷性技術產生。
82. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正之系統，包含：可決定複數個可變定形束(VSB)射擊之一裝置，其中藉由該等複數個可變定形束射擊界定之一圖案之不同部份接收不同之劑量，以及其中該等複數個可變定形束射擊中的部份射擊重疊，且其中相較於使用未重疊可變定形束射擊，射擊數或寫入時間係減少的。
83. 如申請專利範圍第82項之系統，更包含可自該等複數個可變定形束射擊計算一表面上之一經計算圖案之一裝置。
84. 如申請專利範圍第83項之系統，其中該可計算之裝置包含可進行帶電粒子束模擬之一裝置。
85. 如申請專利範圍第84項之系統，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
86. 如申請專利範圍第82項之系統，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相對於彼此改變。
87. 一種使用帶電粒子束微影術製造表面之方法，該方法包含下列步驟：決定複數個可變定形束(VSB)射擊，其中該等複數個可變定形束射擊中之部份射擊重疊；以及以該等複數個可變定形束射擊於該表面上形成一圖案，其中相較於未重疊可變定形束射擊之使用，射擊數或寫入時間減小，且其中該圖案之不同部份接收不同劑量。
88. 如申請專利範圍第87項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算該表面上之一經計算圖案之步驟。
89. 如申請專利範圍第88項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
90. 如申請專利範圍第89項之方法，其中該帶電粒子束模 擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
91. 如申請專利範圍第88項之方法，其中該經計算圖案係為曲線狀。
92. 如申請專利範圍第87項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相對於彼此改變。
93. 如申請專利範圍第87項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於該表面上之一所想要圖案，其中當該所想要圖案係為對稱時，該等複數個可變定形束射擊係拘束為對稱。
94. 如申請專利範圍第87項之方法，其中該表面係為一標線片。
95. 如申請專利範圍第87項之方法，其中該表面係為一基材。
96. 如申請專利範圍第87項之方法，其中該決定步驟使用一建構作校正(correct-by-construction)判斷性技術。
97. 如申請專利範圍第87項之方法，進一步包含下列步驟：輸入可能的字符，使用至少一可變定形束射擊的一計算來決定各該等字符，其中該決定步驟包含從該等可能的字符選擇一字 符。
98. 如申請專利範圍第97項之方法，其中該等可能的字符包括至少一經參數化之字符。
99. 一種使用光學微影性製程製造積體電路之方法，該積體電路具有一基材，該光學微影性製程使用一標線片，該方法包含下列步驟：決定複數個可變定形束(VSB)射擊，其中該等複數個可變定形束射擊中之部份射擊重疊；以及以該等複數個可變定形束射擊於該標線片上形成一圖案，其中相較於未重疊可變定形束射擊之使用，射擊數或寫入時間減小，且其中該圖案之不同部份接收不同之劑量。
100. 如申請專利範圍第99項之方法，更包含自該等複數個可變定形束射擊計算該標線片上之一經計算圖案之步驟。
101. 如申請專利範圍第100項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
102. 如申請專利範圍第101項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
103. 如申請專利範圍第99項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊之各射擊包含一指派劑量。
104. 如申請專利範圍第103項之方法，更包含下列步驟： 於該等複數個可變定形束射擊進行劑量校正，其中該等複數個可變定形束射擊中之射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相對於彼此改變。
105. 如申請專利範圍第99項之方法，更包含下列步驟：自該標線片製造一罩幕，該罩幕含有形成於該標線片上之該圖案；以及使用光學微影術將該罩幕上之該圖案轉移到該基材。
106. 如申請專利範圍第100項之方法，更包含下列步驟：輸入用於該基材之一理想圖案；以及計算該基材上之一經模擬圖案，其中該決定步驟包含最小化該基材上之該理想圖案與該基材上之該經模擬圖案間之差異。
107. 如申請專利範圍第106項之方法，其中該基材上之該經模擬圖案係使用該標線片上之該經計算圖案而計算。
108. 一種用於製造積體電路之方法，該積體電路具有一基材，該方法包含下列步驟：決定複數個可變定形束(VSB)射擊，其中該等複數個射擊中的部份射擊重疊；以及以該等複數個可變定形束射擊形成一圖案於該基材上，其中相較於未重疊可變定形束射擊之使用，射擊數或寫入時間減小，且其中該圖案之不同部份接收不同之劑量。
109. 如申請專利範圍第108項之方法，更包含自該等複數個 可變定形束射擊計算該基材上之一經計算圖案之步驟。
110. 如申請專利範圍第109項之方法，其中該計算步驟包含帶電粒子束模擬。
111. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正或光學鄰近校正或光學鄰近校正最適化之方法，該方法包含決定複數個可變定形束(VSB)射擊之步驟，其中該等複數個可變定形束射擊中的至少二射擊重疊，且其中該決定步驟包含使用帶電粒子束模擬以自該等複數個可變定形束射擊計算一表面上之一經計算圖案。
112. 如申請專利範圍第111項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之至少二射擊之該等指派劑量係在劑量校正前改變。
113. 如申請專利範圍第111項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
114. 如申請專利範圍第111項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於該表面上之一所想要圖案；以及若該表面上之該經計算圖案與該所想要圖案相異超過一預定公差，修訂該等複數個可變定形束射擊並重新計算該表面上之該經計算圖案。
115. 如申請專利範圍第111項之方法，其中該決定步驟包含 使用一最適化技術。
116. 如申請專利範圍第111項之方法，其中該表面係一使用於一光學微影性製程以製造一基材之標線片。
117. 如申請專利範圍第116項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於該表面上之一所想要圖案；以及若該表面上之該經計算圖案與該所想要圖案並非相等，修訂該等複數個可變定形束射擊並重新計算該表面上之該經計算圖案。
118. 如申請專利範圍第117項之方法，其中該相等包含微影相等。
119. 如申請專利範圍第116項之方法，更包含下列步驟：輸入用於該基材之一目標影像；計算該基材之一經模擬影像；以及比較該基材上之該經模擬影像與用於該基材之該目標影像，並使用比較之一結果做為一最適化判別標準。
120. 如申請專利範圍第119項之方法，其中該基材上之該經模擬影像係使用該標線片上之該經計算圖案而計算。
121. 一種使用帶電粒子束微影術製造表面之方法，該方法包含下列步驟：決定複數個可變定形束(VSB)射擊；以及以該等複數個可變定形束射擊於該表面上形成一圖案，其中該等複數個可變定形束射擊中的至少二射擊 重疊，且其中該決定步驟包含使用帶電粒子束模擬以自該等複數個可變定形束射擊計算該表面上之一經計算圖案。
122. 如申請專利範圍第121項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之至少二射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相異。
123. 如申請專利範圍第121項之方法，其中該決定步驟包含使用一最適化技術。
124. 如申請專利範圍第121項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
125. 如申請專利範圍第121項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於該表面上之一所想要圖案；以及若該表面上之該經計算圖案與該所想要圖案相異超過一預定公差，修訂該等複數個可變定形束射擊並重新計算該表面上之該經計算圖案。
126. 一種使用光學微影性製程製造積體電路之方法，該積體電路包含一基材，該光學微影性製程使用一標線片，該方法包含下列步驟：決定複數個可變定形束(VSB)射擊；以及以該等複數個可變定形束射擊形成一圖案於該標線片上， 其中該等複數個可變定形束射擊中之至少二射擊重疊，且其中該決定步驟包含使用帶電粒子束模擬以自該等複數個可變定形束射擊計算該標線片上之一經計算圖案。
127. 如申請專利範圍第126項之方法，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之至少二射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相異。
128. 如申請專利範圍第126項之方法，其中該帶電粒子束模擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
129. 如申請專利範圍第126項之方法，更包含下列步驟：輸入將形成於該標線片上之一所想要圖案；以及若該標線片上之該經計算圖案與該所想要圖案相異超過一預定公差，修訂該等複數個可變定形束射擊並重新計算該標線片上之該經計算圖案。
130. 一種用於裂解或罩幕資料製備或鄰近效應校正或光學鄰近校正或光學鄰近校正最適化之系統，包含可決定複數個可變定形束(VSB)射擊之一裝置，其中該可決定之裝置進行帶電粒子束模擬，以自該等複數個可變定形束射擊計算一表面上之一經計算圖案，且其中該等複數個可變定形束射擊中之至少二射擊重疊。
131. 如申請專利範圍第130項之系統，其中該帶電粒子束模 擬包括由下列各物組成的一群組中之至少一者：前向散射、背向散射、阻劑擴散、庫倫效應、蝕刻、霧化、負載及阻劑充電。
132. 如申請專利範圍第130項之系統，其中該等複數個可變定形束射擊中之各射擊包含一指派劑量，且其中該等複數個可變定形束射擊中之至少二射擊之該等指派劑量係在劑量校正前相異。
133. 如申請專利範圍第130項之系統，更包含將形成於該表面上之一所想要圖案，其中若該表面上之該經計算圖案與該所想要圖案相異超過一預定公差，該可決定之裝置可修訂該等複數個可變定形束射擊並重新計算該表面上之該經計算圖案。
134. 如申請專利範圍第130項之系統，其中該表面係一使用於一光學微影性製程以製造一基材之標線片，該系統更包含：用於該基材之一目標影像；以及可計算該基材上之一經模擬影像之裝置，其中該可決定之裝置係可比較該基材上之該經模擬影像與用於該基材之該目標影像，並使用該比較之一結果作為一最適化判別標準。
135. 如申請專利範圍第134項之系統，其中該基材上之該經模擬影像係使用該標線片上之該經計算圖案計算。