CN101305319A

CN101305319A - 光掩模及用来在光掩模上形成非正交特征的方法

Info

Publication number: CN101305319A
Application number: CNA2006800414299A
Authority: CN
Inventors: S·S·麦唐纳; D·梅伦欣
Original assignee: DuPont Photomasks Inc
Current assignee: Toppan Photomasks Inc
Priority date: 2005-09-07
Filing date: 2006-09-06
Publication date: 2008-11-12
Also published as: US20080248408A1; JP2009507266A; WO2007030528A3; WO2007030528A2

Abstract

提供一种用来在光掩模上形成非正交特征的光掩模和方法。用来在光掩模坯件上形成非正交特征的方法包括提供包括原始形状的掩模图案文件以及将原始形状分裂成多个可写形状。通过利用光刻系统将可写形状从掩模图案文件成像到光掩模坯件的抗蚀剂层上，由可写形状形成的非正交特征被形成在光掩模坯件上。

Description

光掩模及用来在光掩模上形成非正交特征的方法

技术领域

本发明通常涉及光刻，并且更具体地说涉及光掩模以及用来在光掩模上形成非正交特征(nonorthogonal feature)的方法。

背景技术

由于装置制造者不断制造更小和更复杂的装置，因此用来制作这些装置的光掩模不断需要更宽范围的能力。光掩模，也称为掩模版(reticle)或掩模，通常包括衬底，其具有形成在衬底上的图案化的层。所述图案化的层通常包括形成在吸收体材料(例如铬)中的图案，其描绘在光刻系统中可以被转移到晶片上的图像。对一些应用而言，这些装置可能需要形成非正交特征。随着装置特征尺寸减小，制造具有非正交图案的复杂特征变得更加困难。以前的用来制造具有大于大约300纳米(nm)的临界尺寸的非正交特征(例如圆形特征)的技术包括将这些特征模型化为三十二边形。然而，当制造更小装置所需要的特征的尺寸减小到大约300nm以下时，写这些小特征需要的大量曝光和减小的分辨率使这些技术变得无效。另一个用于具有小于大约120nm尺寸的特征的技术使用步进和闪光压印光刻(SFIL)工艺。在较小尺寸情况下，非正交特征可以被模型化为正方形使得这些特征在光掩模上将被写为圆形。然而，在大于大约120nm的尺寸下，正方形特征可以被精确地写为正方形而不是期望的非正交特征。

发明内容

根据本发明的教导，与在光掩模上生成非正交特征相关的缺点和问题基本上已经被减少或被消除。在具体实施例中，在掩模布局中使用原始形状以在光掩模上制作非正交特征。

根据一个实施例，用来在光掩模坯件(photomask blank)上形成非正交特征的方法包括提供包括原始形状的掩模图案文件以及将原始形状分裂成多个可写形状。通过利用光刻系统将所述可写形状从掩模图案文件成像到光掩模坯件的抗蚀剂层上，由所述可写形状形成的非正交特征被形成在光掩模坯件上。

根据另一个实施例，用来在光掩模上形成非正交特征的方法包括利用原始形状的第一部分曝光光掩模坯件的抗蚀剂层以及利用被设置得与所述第一部分相邻的原始形状的至少第二部分曝光抗蚀剂层。抗蚀剂层被显影以形成非正交特征，所述非正交特征由具有在大约120和大约300nm之间的临界尺寸的原始形状的第一和第二部分形成。

根据本发明的另一个实施例，用来在表面上形成非正交特征的光掩模包括衬底和形成在所述衬底的至少一部分之上的图案化的层。通过使用被分裂成至少两个可写形状的原始形状，利用光刻系统将非正交特征形成在图案化的层中。

附图说明

通过结合附图参考以下描述，可以获得本发明的更完整和彻底的理解及其优点，其中类似的参考数字表示类似的特征，并且其中：

图1A示出根据本发明的教导的光掩模组件的截面图；

图1B示出根据本发明的教导的光掩模的顶视图；

图2A示出根据现有技术的包含在掩模布局文件中的圆形特征；

图2B示出根据现有技术的被分裂成掩模图案文件中的可写形状的圆形特征；

图3A示出根据现有技术的包含在掩模布局文件中的正方形特征；

图3B示出根据现有技术的被分裂成掩模图案文件中的可写形状的正方形特征；

图3C示出根据现有技术的形成在光掩模上的正方形特征；

图4A示出根据本发明的教导的包含在掩模布局文件中的十字形特征；

图4B示出根据本发明的教导的被分裂成掩模图案文件中的可写形状的十字形特征；

图4C示出根据本发明的教导的形成在光掩模上的十字形特征；

图5A示出根据本发明的教导的包含在掩模布局文件中的五图(five-figure)十字形特征；

图5B示出根据本发明的教导的掩模图案文件中被分裂成可写形状的五图十字形特征；

图5C示出根据本发明的教导的形成在光掩模上的五图十字形特征；

图6A示出根据本发明的教导的包含在掩模布局文件中的六边形特征；

图6B示出根据本发明的教导的掩模图案文件中被分裂成可写形状的六边形特征；

图6C示出根据本发明的教导的形成在光掩模上的六边形特征；

图7A示出根据本发明的教导的包含在掩模布局文件中的八边形特征；

图7B示出根据本发明的教导的掩模图案文件中被分裂成可写形状的八边形特征；

图7C示出根据本发明的教导的形成在光掩模上的八边形特征；

图8A示出根据本发明的教导的用来依大小排列掩模布局文件中的六边形特征的实例技术；以及

图8B示出根据本发明的教导的用来依大小排列掩模布局文件中的六边形特征的实例技术。

具体实施方式

通过参考图1到图8最好地理解本发明的优选实施例和它们的优点，其中类似的数字被用来表示类似和相应的部件。

图1示出实例光掩模组件10的截面图。光掩模组件10包括安装在光掩模12上的薄膜组件14。衬底16和图案化的层18形成光掩模12，或者称为掩模或掩模版，其可以具有多种尺寸和形状，包括但不限于圆形、矩形、或正方形。光掩模12也可以是光掩模类型中的任何种类，包括但不限于一次母版、五英寸掩模版、六英寸掩模版、九英寸掩模版或任何其它合适大小的可以用来将电路图案的图像投射到半导体晶片上的掩模版。此外光掩模12可以是二进制掩模、相移掩模(PSM)(例如，交替孔相移掩模，还被称为Levenson型掩模)、光学邻近校正(OPC)掩模，或者适用于光刻系统的任何其它类型的掩模。在其它实施例中，光掩模12可以是用来在可聚合流体构成中形成图案印记的步进和闪光压印光刻(SFIL)模板，所述的可聚合流体构成固化以在晶片上形成装置。所述模板可以是半透明材料，并且所述可聚合流体可以通过暴露于辐射源被固化以便在晶片上形成装置。

光掩模12包括形成在衬底16的顶部表面17上的图案化的层18，其在暴露于光刻系统中的电磁能时将图案投射到半导体晶片(未明确示出)的表面上。衬底16可以是透明材料，例如石英、合成石英、熔融硅石、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、或传播具有大约10纳米(nm)和大约450nm之间波长的入射光的至少百分之七十五(75％)的任何其它合适材料。在可替换实施例中，衬底16可以是反射材料，例如硅或反射大于具有大约10nm和450nm之间波长的入射光的大约百分之五十(50％)的任何其它合适材料。

图案化的层18可以是金属材料，例如铬、氮化铬、金属氧-碳-氮化物(oxy-carbo-nitride)(例如MOCN，其中M选自包括铬、钴、铁、锌、钼、铌、钽、钛、钨、铝、镁、和硅的组)、或者任何其它适当的材料，其吸收具有在紫外线(UV)范围、深紫外线(DUV)范围、真空紫外线(VUV)范围和超紫外线范围(EUV)中的波长的电磁能量。在可替换实施例中，图案化的层18可以是部分透射的材料，例如硅化钼(MoSi)，其在UV、DUV、VUV和EUV范围中具有大约百分之一(1％)到大约百分之三十(30％)的透射率。

框架20和薄膜22可以形成薄膜组件14。框架20通常由阳极氧化铝形成，尽管它可以替换地由不锈钢、塑料或在暴露于光刻系统之内的电磁能量时不退化或除气的其它合适材料形成。薄膜22可以是由下述材料形成的薄膜片：例如硝化纤维、醋酸纤维、非晶含氟聚合物，例如由E.I.du Pont de Nemours and Company制造的

AF或者由Asahi Glass制造的

或对UV、DUV、EUV和/或VUV范围中的波长透明的另一合适的膜。可以通过常规技术例如旋转铸造来制备薄膜22。

通过确保污染物保持在远离光掩模12的规定距离，薄膜22可以保护光掩模12免受污染物例如灰尘颗粒的影响。这在光刻系统中可能特别重要。在光刻工艺过程中，光掩模组件10暴露于由光刻系统之内的辐射能量源产生的电磁能量中。该电磁能量可以包括多种波长的光，例如大约在汞弧灯的I线和G线之间的波长，或者DUV、VUV或EUV光。在操作中，薄膜22被设计成允许大百分比的电磁能量通过它。集中在薄膜22上的污染物在被处理的晶片的表面处有可能散焦，因此，晶片上暴露的图像可能是清楚的。根据本发明的教导的薄膜22可以和所有类型的电磁能量一起被令人满意地使用，并且不局限于在该申请中描述的光波。

可以利用标准光刻工艺由光掩模坯件形成光掩模12。在光刻工艺中，包括图案化的层18的数据的掩模图案文件可以由掩模布局文件生成。在一个实施例中，掩模布局文件可以包括表示集成电路的晶体管和电连接的多边形。当集成电路被制造在半导体晶片上时，在掩模布局文件中的多边形可以进一步表示所述集成电路的不同的层。例如，晶体管可以形成在具有扩散层和多晶硅层的半导体晶片上。因此掩模布局文件可以包括绘制在扩散层上的一个或多个多边形以及绘制在多晶硅层上的一个或多个多边形。在相同或替换实施例中，掩模布局文件可以包括表示将被制造在磁存储装置、微机电系统(MEMS)、生物MEMS(bio-MEMS)、和/或光学装置之中和/或之上的特征的多边形或形状。

根据本发明，掩模布局文件的多边形可以是原始形状，包括但不限于正方形、矩形、六边形、八边形、十字形及其任何组合。在掩模布局文件中使用的原始形状不限于所列的那些，并且可以包括任何数量的类似设计的特征。

每层的多边形可以被转换成表示集成电路的一层的掩模图案文件。在这样的应用中，每个掩模图案文件可以被用来为特定的层生成光掩模。在一些实施例中，掩模图案文件可以包括一个以上的集成电路层使得光掩模可以被用来将特征从一个以上的层成像到半导体晶片的表面。在相同或替换实施例中，每层的多边形可以表示将被制造在磁存储装置、微机电系统(MEMS)、生物MEMS(bio-MEMS)、和/或光学装置之中和/或之上的特征。

可以使用激光器、电子束或X射线光刻系统将期望的图案成像到光掩模坯件的抗蚀剂层中。在一个实施例中，激光器光刻系统使用发射具有大约364纳米(nm)波长的光的氩离子激光器。在可替换实施例中，激光器光刻系统使用发射波长从大约154nm到大约300nm的光的激光器。在其它实施例中，25keV或50keV电子束光刻系统使用六硼化镧(lanthanum hexaboride)或热场发射源。在相同或替换实施例中，电子束光刻系统使用向量形状的电子束光刻工具。在另外的实施例中，可以使用不同的电子束光刻系统。通过显影和刻蚀抗蚀剂层的暴露区域以创建图案、刻蚀图案化的层18的未被抗蚀剂覆盖的部分、以及除去未被显影的抗蚀剂以在衬底16上创建图案化的层18来制作光掩模12。

图1B示出根据本发明的实施例的包括非正交特征24的光掩模12的顶视图。在所示的实施例中，光掩模12包括衬底16和形成在图案层18中的非正交特征24a、24b和24c(一般称作非正交特征24)。在一个实施例中，非正交特征24可以用衬底16的暴露部分表示。在另一个实施例中，非正交特征24可以由用来形成图案化的层18的吸收体材料的剩余部分表示。

可以使用包含在掩模布局文件中的原始形状来形成非正交特征24。当掩模布局文件的每一层被转换成掩模图案文件时，这些原始形状中的每一个可以被分裂成多个可写形状，例如矩形或梯形。掩模图案文件可以被成像到光掩模坯件上并且所述坯件可以被显影和刻蚀以形成包括非正交特征24的光掩模。在一个实施例中，非正交特征24a可以是通过利用绘制在掩模布局文件中的六边形特征形成的圆形特征。在另一个实施例中，非正交特征24b可以是通过利用绘制在掩模布局文件中的伸展的八边形特征形成的卵形和/或椭圆形特征。在另外的实施例中，非正交特征24c可以是通过利用绘制在掩模布局文件中的十字形特征形成的菱形特征。在其它实施例中，可以通过利用绘制在掩模布局文件中的不同原始形状在光掩模12上形成任何其它合适的非正交特征。

图2A示出掩模布局文件中的圆形特征31的常规表示。在所示的实施例中，圆形特征31可以具有大约174nm的直径。在其它实施例中，圆形特征31一般可以具有在大约120nm和大约300nm之间的临界尺寸(例如直径)。

图2B示出在被分裂以创建掩模图案文件中的可写图像32之后的图2A中所示的圆形特征31。可写图像32可以被分裂成掩模图案文件中的可写形状以便在光掩模上形成特征。在示出的实施例中，可写图像32已经被分裂成23个梯形(trapezoid)。在常规分裂过程中，每当特征被写在光掩模上时，特征将被分裂成的可写形状的数目可能不容易预测，并且具有仅稍微大于当前实例的尺寸的尺寸的圆形特征可以被分裂成可变数量的可写形状。

每个可写形状可以表示用来将图案写在光掩模上的光刻系统的曝光或“脉冲(shot)”。通常，需要更多曝光的特征将需要更多时间来写。因此，可写图像32可能至少需要光刻系统的23个曝光来在光掩模12上形成圆形特征31。因此，在使用标准技术的光刻工艺过程中，圆形特征31和类似大小的非正交特征可能需要大量时间来创建，其可能增加制作成本。

图3A到3C示出在光掩模12上形成非正交特征的工艺过程中的多个步骤的正方形特征。特别地，图3A示出掩模布局文件中的正方形特征41的常规表示。在一个实施例中，正方形特征41可以具有小于大约120nm长度的边。

图3B示出在被分裂以创建掩模图案文件中的可写图像42之后的图3A中所示的正方形特征41。可写图像42可以被分裂成掩模图案文件中的多个可写形状以便在光掩模上形成特征。因为正方形特征41是简单的正方形，所以它可以被分裂成与掩模布局文件中最初所绘制的特征类似的单个可写形状。与任何数量的其它特征相结合，正方形特征41可以被转换成表示将被创建的装置的层的掩模图案文件。包含在掩模图案文件中的形状可以被写在以上参考图1所述的光掩模坯件上。

图3C示出形成在光掩模上的正方形特征。在示出的实施例中，包括采用胶版印刷图案的多个正方形特征41的掩模布局文件被用来在掩模衬底上形成包括非正交特征43的图案化的层。在足够小的尺寸下，例如小于大约120nm的边长，可写图像42可以印为基本上为圆形的非正交特征43。利用SFIL模板创建的特征尤其如此。然而，可写特征42可以印为大约300nm的正方形。因此，虽然当特征尺寸减小时将圆形特征成像为光掩模上的正方形图形可能更有效，但是在大约120和大约300nm之间的尺寸下它不是有效的方法。

图4A示出包含在掩模布局文件中的十字形特征51。十字形特征51可以是通过绘制所示的或旋转的三个矩形51a、51b和51c来创建的原始形状。例如，可以通过绘制垂直取向的矩形51b和在第一矩形51b的两边的两个较小的矩形51a和51c来创建十字形特征51。在另一个实施例中，十字形特征51可以被绘制为一个矩形覆盖在第二个矩形上。十字形特征可以具有临界尺寸，例如矩形51a、51b和51c的长度和宽度从大约120nm变动到大约300nm。十字形特征51也可以被绘制为使得矩形51a、51b和51c的长度和宽度彼此独立变化并且不是大约相等的。

图4B示出被分裂以创建掩模图案文件中的可写图像52之后的图4A中所示的十字形特征51。在一个实施例中，十字形特征51可以被始终如一地分裂成三个可写形状52a、52b和52c(例如矩形)来形成可写图像52。在本发明的不同实施例中，可写形状的精确构造可以改变。例如，可写图像52可以被分裂成垂直取向的矩形和在第一矩形的两边的两个较小的矩形。在另一个实施例中，可写图像52可以被分裂成具有相同结果的垂直取向的大矩形52b和位于第一矩形52b之上和之下的较小矩形52a和52c。在其它实施例中，可写图像52可以被分裂成两个重叠的矩形，其中一个矩形水平取向并且一个矩形垂直取向。因此，使用包含可写图像52的掩模图案文件的光刻系统可以使用少到两个曝光来在光掩模12上印制十字形特征51。

图4C示出形成在光掩模上的十字形特征51。在示出的实施例中，包括采用胶版印刷图案的多个十字形特征51的掩模布局文件被用来在掩模衬底上形成包括非正交特征53的图案化的层。在大约120nm和大约300nm之间的尺寸下，可写图像52可以印为形状大致为菱形但是具有圆头的非正交特征53。因此，在掩模布局文件中的十字形特征51可以被用来在光掩模上创建菱形特征或该形状的轻微变型。

图5A示出包含在掩模布局文件中的五图十字形特征61。五图十字形特征61可以是通过绘制所示的或旋转的五个矩形61a-61e来创建的原始形状。例如，可以通过绘制垂直取向的矩形61c、在第一矩形61b的两边的水平取向的两个较小的矩形61b和61d、在矩形61b的顶边的一个较小的矩形61a和在矩形61d的底边的另一个较小的矩形61e来创建五图十字形特征61。可替换地，五图十字形特征61可以被绘制为带有绘制在其四边中的每一边的较小的矩形的单个大矩形。在其它实施例中，五图十字形特征61可以被绘制为三个重叠的矩形，在一个实施例中，五图十字形特征61可以表示具有大致相等的长度和宽度的特征。五图十字形特征61可以具有临界尺寸，例如矩形61a-61e的长度和宽度从大约120nm变化到大约300nm。五图十字形特征61也可以被绘制成使得这些矩形的长度和宽度彼此独立变化并且不是大致相等的。特征的其它尺寸也可以变化，取决于光掩模上的特征的预期形状。

图5B示出被分裂以创建掩模图案文件中的可写图像62之后的五图十字形特征61。在一个实施例中，五图十字形特征61可以始终如一地分裂成七个可写形状62a-62g来形成可写图形62。在本发明的不同实施例中，可写形状的精确构造可以改变。例如，可写图像62可以被分裂成在第一矩形62a的一边具有三个较小矩形62b、62d、和62f的垂直取向的矩形62a、以及在第一矩形62a的另一边的三个较小矩形62c、62e、和62g。在另一个实施例中，可写图像62可以被分裂成水平取向的大矩形和位于所述第一矩形之上和之下的三个较小矩形。因此，使用包含可写图像62的掩模图案文件的光刻系统可以使用少到五个和七个之间的曝光来在光掩模12上印制五图十字形特征61。

图5C示出形成在光掩模上的五图十字形特征61。在示出的实施例中，包括采用胶版印刷图案的多个五图十字形特征61的掩模布局文件被用来在掩模衬底上形成包括非正交特征63的图案化的层。在大约120nm和大约300nm之间的尺寸下，可写图像62可以印为形状大致为菱形但是具有圆头的非正交特征63。因此，在掩模布局文件中的五图十字形特征61可以被用来在光掩模上创建菱形特征或该形状的轻微变型。

图6A示出包含在掩模布局文件中的六边形特征71。六边形特征71可以是原始形状，并且可以被简单绘制为六边形。在一个实施例中，六边形特征71可以具有大致相等的边长。在另一个实施例中，六边形特征71也可以被绘制成使得边长彼此独立变化并且不是大致相等的。六边形特征71的临界尺寸(例如在两个相对点之间测量的直径)可以在大约120nm和大约300nm之间。

图6B示出被分裂以创建掩模图案文件中的可写图像72之后的六边形特征71。在一个实施例中，六边形特征71可以始终如一地分裂成两个可写形状72a和72b，两个都是梯形，以形成可写图像72。在不同实施例中，可写形状的精确构造可以改变。因此，使用包含可写图像72的掩模图案文件的光刻系统可以使用少到两个曝光来在光掩模12上印制六边形特征71。因为原始形状例如六边形特征71可以分裂成减少数目的可写形状，所以由光刻系统需要的曝光的数目可以减少。较少数目的曝光可以导致增加的生产速度和降低的成本。

图6C示出形成在光掩模上的六边形特征71。在示出的实施例中，包括采用胶版印刷图案的多个六边形特征71的掩模布局文件被用来在掩模衬底上形成包括非正交特征73的图案化的层。在大约120nm和大约300nm之间的尺寸下，可写图像72可以印为大致为圆形的非正交特征73。因此，在掩模布局文件中的六边形特征71可以被用来在光掩模上创建圆形特征73或该形状的轻微变型。与图2B中所示特征的至少23个曝光相比，通过使用六边形特征71，可以利用少到两个曝光来创建圆形特征73。这可以发生是因为六边形特征71被分裂为少到两个可写形状，所述每个可写形状需要一个曝光来形成，而圆形特征31可以被分裂成至少23个可写形状，所述每个可写形状需要一个曝光来形成。

图7A示出包含在掩模布局文件中的八边形特征81。八边形特征81可以是原始形状，并且可以被简单绘制为八边形。在一个实施例中，八边形特征81可以具有大致相等的边长。在另一个实施例中，八边形特征81也可以被绘制成使得边长彼此独立变化并且不是大致相等的。例如，具有不成比例的长度和宽度的八边形特征81可以被用来在光掩模上形成椭圆和/或卵形特征。八边形特征81的临界尺寸(例如在两个相对点之间测量的直径或在垂直边之间测量的直径)可以在大约120nm和大约300nm之间。

图7B示出被分裂以创建掩模图案文件中的可写图像82之后的八边形特征81。在一个实施例中，八边形特征81可以始终如一地分裂成三个可写形状，矩形82b和两个梯形82a和82c，以形成可写图像82。矩形82b可以设置在三角形82a和82c之间。在不同实施例中，可写形状的精确构造可以改变。因此，使用包含可写图像82的掩模图案文件的光刻系统可以使用少到三个曝光来在光掩模12上印制八边形特征81。

图7C示出形成在光掩模上的八边形特征81。在示出的实施例中，包括采用胶版印刷图案的多个八边形特征81的掩模布局文件被用来在掩模衬底上形成包括非正交特征83的图案化的层。在大约120nm和大约300nm之间的尺寸下，可写图像82可以印为大致为圆形的非正交特征83。因此，在掩模布局文件中的八边形特征81可以被用来在光掩模上创建圆形特征或该形状的轻微变型。

图8A和8B示出根据本发明的不同实施例的用来依大小排列六边形特征的技术。首先转向图8A，所述图形示出具有在大约120nm和大约300nm之间的直径的圆形特征90。圆形特征90可以被绘制在掩模布局文件中。该特征被用在当前实例中作为参考，并且将不会被成像在光掩模上。在一个实施例中，六边形特征91被绘制在圆形特征90里面并且具有与圆形特征90的圆周相交的角。六边形特征91可以被包含在掩模布局文件中并且被分裂成可写形状，如以上参考图6B所述的。掩模图案文件可以被成像在光掩模坯件上并且被显影以便在光掩模上形成圆形特征。在一个实施例中，光掩模上被显影的圆形特征的直径可以小于圆形特征90的直径。

现在转向图8B，圆形图形90可以被绘制在掩模布局文件中并且具有在大约120nm和大约300nm之间的直径。该特征被用作参考，并且将不被显影。与参考图8A讨论的实施例对比，六边形特征92被依大小排列使得六边形特征92的边接触圆形特征90的圆周。六边形特征92可以被包含在掩模图案文件中并且被分裂成可写形状。掩模图案文件可以被成像在光掩模坯件上并且被显影以便在光掩模上形成圆形特征。在一个实施例中，光掩模上被显影的圆形特征的直径可以大致与圆形特征90的直径相同。用来绘制并且依大小排列掩模布局文件中的特征的技术可以允许用户便利地估计光掩模上被显影的特征的实际尺寸。

尽管通过以上实施例示出的本发明已经被详细描述，但是多种变化对本领域技术人员来说是显而易见的。例如，在掩模布局文件中创建的特征的尺寸和形状可以改变以在光掩模上产生期望的非正交特征。也可以通过吸收体层或通过光掩模衬底的暴露部分形成非正交特征。应当理解的是，在不脱离由以下权利要求所述的本发明的精神和范围的情况下，在此可以进行多种改变、替换和变型。

Claims

1.一种用来在光掩模坯件上形成非正交特征的方法，包括：

提供包括原始形状的掩模图案文件；

将原始形状分裂成多个可写形状；以及

通过利用光刻系统将可写形状从掩模图案文件成像到光掩模坯件的抗蚀剂层上来在光掩模坯件上形成非正交特征，所述可写形状在光掩模坯件上形成非正交特征。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述非正交特征选自包括圆形、菱形、椭圆形和卵形的组。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述非正交特征包括在大约120nm和大约300nm之间的临界尺寸。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述非正交特征包括圆形、椭圆形或卵形所述临界尺寸是圆形或椭圆形的直径。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述非正交特征包括菱形并且所述临界尺寸是菱形的边长。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述原始形状选自包括十字形、五图十字形、六边形、和八边形的组。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述多个可写形状包括两个梯形。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述多个可写形状包括少于大约十个的可写形状。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻系统选自包括电子束光刻工具、激光器光刻工具、和X射线光刻工具的组。

10.如权利要求1所述的方法，其中利用光刻系统的少于大约十个的曝光来形成非正交特征。

11.一种用来在光掩模上形成非正交特征的方法，包括：

利用原始形状的第一部分曝光光掩模坯件的抗蚀剂层；

利用原始形状的至少第二部分曝光抗蚀剂层，所述第二部分被设置得与所述第一部分相邻；以及

显影抗蚀剂层以形成具有在大约120和大约300nm之间的临界尺寸的非正交特征，所述原始形状的第一和第二部分形成非正交特征。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述非正交特征选自包括圆形、菱形、椭圆形和卵形的组。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述原始形状的第一和第二部分包括矩形、梯形、和三角形中的至少一个。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述原始形状选自包括十字形、五图十字形、六边形、和八边形的组。

15.如权利要求11所述的方法，其中利用光刻系统的少于大约10个的曝光来形成非正交特征。

16.一种用来在表面上形成非正交特征的光掩模，包括：

衬底，以及

形成在所述衬底的至少一部分之上的图案层，所述图案层包括通过使用被分裂成至少两个可写形状的原始形状利用光刻系统形成的非正交特征。

17.根据权利要求16的光掩模，其中所述非正交特征选自包括圆形、菱形、椭圆形和卵形的组。

18.根据权利要求16的光掩模，其中所述原始形状选自包括十字形、五图十字形、六边形、和八边形的组。

19.根据权利要求16的光掩模，其中所述至少两个可写形状中的每一个包括梯形、矩形、或三角形中的至少一个。

20.根据权利要求16的光掩模，其中所述非正交特征具有在大约120和大约300nm之间的临界尺寸。

21.根据权利要求20的光掩模，其中所述临界尺寸是所述非正交特征的长度、宽度或直径。

22.根据权利要求16的光掩模，进一步包括耦合到所述衬底的薄膜组件。