JP6951174B2 - 電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法 - Google Patents
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Description
変曲点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積に依存する組み合わせ関数を用いて、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する帯電量分布演算部と、
得られた帯電量分布を用いて、電子ビームの照射に起因して形成される照射パターンの位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算部と、
位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部と、
補正された照射位置に電子ビームを照射するカラムと、
を備えたことを特徴とする。
極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を用いて、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する帯電量分布演算部と、
得られた前記帯電量分布を用いて、前記電子ビームの照射に起因して形成される照射パターンの位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算部と、
前記位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部と、
補正された照射位置に電子ビームを照射するカラムと、
を備えたことを特徴とする。
極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を用いて、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する工程と、
得られた帯電量分布を用いて、電子ビームの照射に起因して形成される照射パターンの位置ずれ量を演算する工程と、
位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する工程と、
補正された照射位置に電子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする。
基板上に電子ビームが照射された場合の照射量分布を演算する照射量分布演算部と、
極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を入出力変換関数として使用するニューラルネットワークモデルを用いて、照射量分布に基づく照射パターンの位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算部と、
位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部と、
補正された照射位置に電子ビームを照射するカラムと、
を備えたことを特徴とする。
基板上に電子ビームが照射された場合の照射量分布を演算する工程と、
極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を入出力変換関数として使用するニューラルネットワークモデルを用いて、照射量分布に基づく照射パターンの位置ずれ量を演算する工程と、
位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する工程と、
補正された照射位置に電子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150および制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。また、描画装置100は、荷電粒子ビーム装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒1と描画室14を有している。電子鏡筒1内には、電子銃5、照明レンズ7、第1のアパーチャ8、投影レンズ9、偏向器10、第2のアパーチャ11、対物レンズ12、偏向器13、及び静電レンズ15が配置される。また、描画室14内には、XYステージ3が配置される。XYステージ3上には、描画対象となる試料2が配置される。試料2には、半導体製造の露光に用いるフォトマスクや半導体装置を形成する半導体ウェハ等が含まれる。また、描画されるフォトマスクには、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。描画される際には、試料上には電子ビームにより感光するレジスト膜が形成されていることは言うまでもない。また、XYステージ3上には、試料2が配置される位置とは異なる位置にステージ位置測定用のミラー4が配置される。
(1) CE=d0+d1×ρ+d2×D+d3×E
(2) CE=d0+d1×ρ+d2×D
+d3×(ρD)+d4×(1−exp(d5×(ρD))
+d6×(ρD)・exp(d7×(ρD))
=d0+d1×ρ+d2×D
+d3×E+d4×(1−exp(d5×E))
+d6×E・exp(d7×E)
(3) D=D0×{(1+2×η)/(1+2×η×ρ)}
式(3)において、D0は基準ドーズ量であり、ηは後方散乱率である。
(4−1) g(x,y)=(1/πσ2)×exp{−(x2+y2)/σ2}
(4−2) F(x,y,σ)
=∫∫g(x−x’,y−y’)E(x’,y’)dx’dy’
(5) C(x,y)=C(E,F,T,t)
=CE(E)+CF(F)+CT(T,t)
=(d0+d1×ρ+d2×D
+d3×(ρD)+d4×(1−exp(d5×(ρD)))
+d6×(ρD)・exp(d7×(ρD))
+(e1×F+e2×F2+e3×F3)
+κ(ρ)・exp{−(t−T)/λ(ρ)}
(6) κ(ρ)=κ0+κ1ρ+κ2ρ2
(7) λ(ρ)=λ0+λ1ρ+λ2ρ2
(8) C=κ・exp(−t/λ)
(9) C(x,y)=κ(ρ)・exp(−t/λ(ρ))
(10) CT(T,t)=κ(ρ)・exp{−(t−T)/λ(ρ)}
(11) CF(F)=−c1×Fα
(12) CF(aF)/CF(F)=A
(13) p(x)=c0×p0(x)+c1×pi(x)
に、上記モデルを修正した。かかるモデルでは、照射域での帯電量分布を次式(14)のように表した。但し、非照射部の帯電量分布は、上記モデルと同様とした。
(14) C(E,F)=CE(E)+CFe(F)=c0−c1×Fα
(16) CF(F)=f1×F+f2×F2+f3×F3
。そして、照射域の帯電量分布C(E,F)を照射量分布Eと、上式(4−2)で求められたかぶり電子量分布Fとを用いて、次式(17)のような多項式関数によって表した。次式(17)では、かぶり電子が寄与する帯電量分布CFe(F)が考慮されている。
(17) C(E,F)=CE(E)+CFe(F)
=(d0+d1×ρ+d2×D
+d3×(ρD)+d4×(1−exp(d5×(ρD)))
+d6×(ρD)・exp(d7×(ρD))
+(e1×F+e2×F2+e3×F3)
実施の形態1では、シングルビームを用いた描画装置に帯電効果補正を適用した場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、マルチビームを用いた描画装置に帯電効果補正を適用した場合について説明する。
上述した各実施の形態では、帯電量分布等の演算処理を実施していたが、これに限るものではない。実施の形態3では、ニューラルネットワークモデルを用いて帯電量分布等の演算処理を行わずに直接位置ずれ分布を演算する構成について説明する。
つぎの第2フレーム描画に相当する入力層をE(5)とする。同様に中間層のC(5)が照射領域としての働きに変わり、第2フレーム直上のp(5)はネットワークを通じて計算される。このとき、すでに描画済みの入力層E(4)、中間層C(4)の働きはそのまま残る。一方で、出力層p(4)の位置ずれはすでに第1フレーム描画時に確定しているため、第2フレーム描画後に再計算する必要はない。
以上のようにして、フレーム描画を照射領域の最後まで続けていくことで照射領域に対応するすべての出力層ノードの位置ずれ量を計算すればよい。
2 試料
3 XYステージ
4 ミラー
5 電子銃
6 電子ビーム
7 照明レンズ
8 第1のアパーチャ
9 投影レンズ
10 偏向器
11 第2のアパーチャ
12 対物レンズ
13 偏向器
14 描画室
15 静電レンズ
21,140,142 記憶装置
30 描画制御部
31 パターン面積密度分布演算部
32 ドーズ量分布算出部
33 照射量分布算出部
34 かぶり電子量分布算出部
35 帯電量分布算出部
36 位置ずれ量分布演算部
37 描画経過時間演算部
38 累積時間演算部
39 NN演算部
41 ショットデータ生成部
42 位置ずれ補正部
43 成形偏向器制御部
44 対物偏向器制御部
45 ステージ位置検出機構
46 ステージ制御機構
47 照射量変調部
100,300 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
132,134 DACアンプユニット
138 ステージ制御機構
139 ステージ位置測定器
142 メモリ
146 外部I/F回路
150,350 描画部
160,360 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ部材
204 ブランキングアパーチャアレイ機構
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208,209 偏向器
210 ミラー
212 静電レンズ
328,336 画素
329 グリッド
330 電子線
332 ストライプ領域
334 照射領域
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (10)
- 変曲点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積に依存する組み合わせ関数を用いて、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する帯電量分布演算部と、
得られた前記帯電量分布を用いて、前記電子ビームの照射に起因して形成される照射パターンの位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算部と、
前記位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部と、
補正された照射位置に電子ビームを照射するカラムと、
を備えたことを特徴とする電子ビーム装置。 - 極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を用いて、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する帯電量分布演算部と、
得られた前記帯電量分布を用いて、前記電子ビームの照射に起因して形成される照射パターンの位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算部と、
前記位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部と、
補正された照射位置に電子ビームを照射するカラムと、
を備えたことを特徴とする電子ビーム装置。 - 前記極大点が正の帯電量を持つように、或いは前記極小点が負の帯電量を持つように前記組み合わせ関数の係数が設定されることを特徴とする請求項2記載の電子ビーム装置。
- 前記組み合わせ関数が前記第2の指数関数を用いる場合に、最大パターン密度において負の帯電量で収束するように前記組み合わせ関数の係数が設定されることを特徴とする請求項2又は3記載の電子ビーム装置。
- 前記パターン密度が3〜7%の範囲内に前記極大点が位置するように、前記組み合わせ関数の係数が設定されることを特徴とする請求項2〜4いずれか記載の電子ビーム装置。
- 極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を用いて、基板上に電子ビームが照射された場合の照射域の帯電量分布を演算する工程と、
得られた前記帯電量分布を用いて、前記電子ビームの照射に起因して形成される照射パターンの位置ずれ量を演算する工程と、
前記位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する工程と、
補正された照射位置に電子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする電子ビームの位置ずれ補正方法。 - 基板上に電子ビームが照射された場合の照射量分布を演算する照射量分布演算部と、
極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を入出力変換関数として使用するニューラルネットワークモデルを用いて、前記照射量分布に基づく照射パターンの位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算部と、
前記位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部と、
補正された照射位置に電子ビームを照射するカラムと、
を備えたことを特徴とする電子ビーム装置。 - 前記組み合わせ関数が前記第2の指数関数を用いる場合であって、前記第1の指数関数が正の前記極大点を持つ場合に、前記第2の指数関数において負の値で収束するように前記組み合わせ関数の係数が設定されることを特徴とする請求項7記載の電子ビーム装置。
- 前記組み合わせ関数が前記第2の指数関数を用いる場合であって、前記第1の指数関数が負帯電の前記極小点を持つ場合に、前記第2の指数関数において負帯電の値で収束するように前記組み合わせ関数の係数が設定されることを特徴とする請求項7記載の電子ビーム装置。
- 基板上に電子ビームが照射された場合の照射量分布を演算する工程と、
極大点または極小点を持った第1の指数関数と、1次比例関数若しくは無限遠で収束する第2の指数関数とのうちの少なくとも一方の関数とを組み合わせた、前記第1の指数関数と前記少なくとも一方の関数とがパターン密度とドーズ分布の積を変数に持つ組み合わせ関数を入出力変換関数として使用するニューラルネットワークモデルを用いて、前記照射量分布に基づく照射パターンの位置ずれ量を演算する工程と、
前記位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する工程と、
補正された照射位置に電子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする電子ビームの位置ずれ補正方法。
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