JPH04196516A - Ｅｂ露光方法および露光装置 - Google Patents

Ｅｂ露光方法および露光装置

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JPH04196516A
JPH04196516A JP32810990A JP32810990A JPH04196516A JP H04196516 A JPH04196516 A JP H04196516A JP 32810990 A JP32810990 A JP 32810990A JP 32810990 A JP32810990 A JP 32810990A JP H04196516 A JPH04196516 A JP H04196516A
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JP
Japan
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image sensing
lens
pattern
electron
time
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Application number
JP32810990A
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English (en)
Inventor
Katsumi Umeda
梅田　克己
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置などのパターン描画に用いられるＥ
Ｂ露光方法および露光装置に関し、その目的とするとこ
ろは描画速度を低下させずに描画像質の向上及び描画画
素の高解像度化を図ることにある。
［従来の技術］ 従来用いられていたラスタースキャン方式のＥＢＩＥ光
方法右方法露光装置においては細く絞った円形の電子ビ
ームにより基板上を走査しデータの有無によってビーム
の照射、停止を行い描画を実行する。
描画パターンの最小画素サイズによってビームスポット
サイズを調整し微小パターンについては微小スポットサ
イズで、大パターンについては大径スポットサイズで描
画を行っていた。
また第３図に示すごとく微小スポットサイズ１４と大径
スポットサイズ１２とを混用して描画時間を短縮しよう
とパターン中央部分１６と周辺部分１５とをスポットサ
イズを変更して行う場合もあった。
［発明が解決しようとする課題］ しかし従来の方法に拠れば微小パターンと大パターンの
混在するもの、及び描画−アドレスサイズの小さいもの
等においては精度を確保するため微小スポットサイズで
描画を行うため大幅な描画時間の増加を招いていた。
また微小スポットサイズと大径スポットサイズを混用し
て描画時間を短縮しようとしてもビームサイズの切り替
え時、光軸調整、露光量調整などに長時間要し描画時間
の短縮にはならず、さらに緊度の低下を招くなどの問題
が生ずるのが現状であった。
本発明はかかる問題点を解決することを目的とし、精度
の確保とスルーブツトの向上を同時に実現するものであ
る。
５課題を解決するための手段］ 本発明は上記問題点を解決するために為されたものであ
り、ビーム光学系に矩形アパーチャーを備えパターンの
エツジ部分の描画時、ビームの上下左右の一部をアパー
チャによりカットして整形し、整形されたビームで走査
描画する事によりエツジ部分の描画を行う事に拠り大径
ビームを用いて微小パターンと大パターンの混在するも
の、及び描画アドレスサイズの小さいものを高速で描画
する事が可能となる。
［実施例］ 第１図に本発明の方式による方法を用いたＥＢ露光装置
のビーム光学系の模式図を示す。
図中１で示される電子銃から放射された電子ビームが２
で示されるビームレンズによって円形に整形され、３で
示されるビーム径可変レンズによって所望のビーム径に
絞られる。
さらに４のビーム偏向電極によって５の矩形アパーチャ
一部にビームを移動する。
アパーチャーによって上下左右どちらか一辺がカットさ
れた電子ビームを６の縮小レンズ系で絞り、さらに７の
収束レンズで収束した後、８のビーム走査電極により９
の基板上に描画を行う。
実際の描画を行う状態を第２図に示す。
１３に示される描画パターンを描画する時に上辺部を１
０に示されるアパーチャにより上辺がカットされたビー
ムを走査し、左辺部を１１に示される左辺がカットされ
たビームにより描画する。
同様に右辺部及び下辺部を右、下部をアパーチャによっ
てカットしたビームを用いて描画した後パターン中央部
を１２で示される円形ビームにより描画する。
［発明の効果］ 上記方法によれば微小パターンと大パターンの混在する
もの、及び描画アドレスサイズの小さいものについても
大径スポットサイズを使用して描画を行うことが可能と
なるため大幅な描画時間の増加を招かずに、かつ精度を
確保して描画を行う事が出来た。
また従来大径スポットサイズを使用して描画を行った場
合パターンコーナ一部の丸み、及び描画アドレスサイズ
をビームサイズの整数倍に選ぶことによるフラクショナ
ルエラーの発生等の精度の低下を招くなどの問題が生ず
るが本発明による方法を採れば上記問題点を防ぐことが
８来た。
さらに露光装置の精度面でもベクタ一方式の露光装置に
比較してハード面、ソフト面でもラスタ一方式に近く比
較的容易に高請度な物を得ることが８来た。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方式による方法を用いたＥＢ露光装置
のビーム光学系の模式図を示す。 第２図は本発明の方式による方式を用いたＥＢ露光方式
の描画方式を示す模式図である。 第３図は従来のパターン中央部分と周辺部分とをスポッ
トサイズを変更して描画を行うＥＢ’！光方式の描画方
式を示す模式図である。 １　　電子ビーム銃 ２　　ビームレンズ ３　　ビーム径可変レンズ ４　　ビーム偏向電極 ５　　アパーチャー ６　　縮小レンズ系 ７　　収束レンズ ８　　ビーム走査電極 ９　　基板 １０　上辺がカットされたビーム １１　左辺がカットされたビーム １２　円形ビーム １３　描画パターン １４　微小スポットビーム １５　パターンの周辺部 １６　パターンの中央部 以　　上 比願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴木喜三部　他１名 某　１　喝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 細く絞った電子ビームを基板全面に走査しデータ部でビ
    ームを照射、停止して基板上に微細パターンを描画する
    ラスタースキャン方式のＥＢ露光方法および露光装置に
    おいて、パターンのエッジ部分の描画時、ビームの上下
    左右の一部をアパーチャにより整形しエッジ部分の描画
    を行う事を特徴とするＥＢ露光方法および露光装置。
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