JP3373185B2 - 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 - Google Patents
荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法Info
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Description
ンを描画する荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画
方法に係り、特に半導体素子のパタンを描画する際にキ
ャラクターマスクを用いて基板に描画を行う荷電ビーム
描画装置および荷電ビーム描画方法に関する。
子ビーム)を試料上に塗布されたレジストに照射するこ
とによって試料上に所望のパタンを描画する場合には、
ビームの光軸に2枚のアパーチャを配置し、これらのア
パーチャでビームの一部を遮断することにより、矩形や
三角形等の形状にビームを成形し、この成形されたビー
ムを試料上の所望の位置に照射する。
に可変でき、可変成形ビーム描画方法と呼ばれている。
場合には、繰り返し現れるパタンの形状のビームをキャ
ラクターマスクによって成形し、このパタンを一括して
ターゲットである基板に転写する方法がある。
ビーム描画に比べ、ビームを照射するショットの回数を
減らすことが可能であり、照射時間が短縮される。この
キャラクターマスクを用いた描画方法をキャラクター描
画方法と呼ぶ。またキャラクターマスクに現れる(形成
される)パタンをキャラクターと呼んでいる。
の大きさが大きくなると、キャラクターマスクから基板
へのキャラクターの転写に必要な電流が大きくなり、ま
た光学条件が場所によって変ってくるためキャラクター
全体を一括で転写することが困難になってくる。
ームを発生させる電子銃側に制限アパーチャを設け、キ
ャラクターマスク上に照射される電子ビームの電流を制
限し、さらにキャラクター上で電子ビームを走査するこ
とにより、キャラクターをターゲット上に転写する方法
が提案されている。この方法を走査型キャラクター描画
方法と呼ぶ。
走査型キャラクター描画方法においては、キャラクター
の基板への転写の際に、キャラクターとキャラクターと
のつなぎ部分で描画位置のずれや電子ビームの照射量の
不連続が発生するといった問題点が生じる恐れがあっ
た。
場合には、キャラクターの基板への転写が最悪の場合に
は失敗したことになり、新たに基板への転写を行わなけ
ればならなくなり、基板への描画効率が低下することに
なる。
た場合には、キャラクターの基板への転写が不均一とな
り、所望の描画が行えないなどの問題点が生じてくる恐
れがある。
てなされたもので、キャラクターとキャラクターとのつ
なぎ部分での描画位置のずれを抑制し、電子ビームの不
連続を低減する荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描
画方法の提供を目的とする。
めの、本発明の荷電ビーム描画装置は、表面が処理され
る基板に照射される荷電ビームを出射する荷電ビーム発
生手段と、前記荷電ビーム発生手段から出射される荷電
ビームの一部の照射領域のみを、前記基板に照射するよ
う制限する荷電ビーム照射領域制限手段と、前記基板表
面に描画される所定のパタンを有し、前記荷電ビーム照
射領域制限手段からの荷電ビームが入射されるマスク
と、前記マスクに照射された荷電ビームを前記マスク上
で結像させる荷電ビーム結像手段と、前記マスクに照射
された荷電ビームの前記マスクへの照射位置を偏向し、
前記マスク上で前記荷電ビームを所定方向に走査する偏
向器と、前記マスクの所定のパタンに成形された荷電ビ
ームを前記基板表面に照射し、前記パタンを前記基板表
面に描画する荷電ビーム照射手段とを具備し、前記偏向
器は、前記マスク上を走査する荷電ビームの第1の走査
領域の一部と、前記第1の走査領域の次に走査される第
2の走査領域とが重なるように、前記マスクに照射され
た荷電ビームを走査することを特徴とする。
面が処理される基板に照射される荷電ビームを出射する
荷電ビーム発生手段と、前記荷電ビーム発生手段から出
射される荷電ビームの一部の照射領域のみを、前記基板
に照射するよう制限する荷電ビーム照射領域制限手段
と、前記基板表面に描画される所定のパタンを有し、前
記荷電ビーム照射領域制限手段からの荷電ビームが入射
されるマスクと、前記マスクに照射された荷電ビームを
前記マスク上で結像させる荷電ビーム結像手段と、前記
マスクに照射された荷電ビームの前記マスクへの照射位
置を偏向する偏向器と、前記マスクの所定のパタンに成
形された荷電ビームを前記基板表面に照射し、前記パタ
ンを前記基板表面に描画する荷電ビーム照射手段とを具
備し、前記基板表面に描画される前記マスクのパタン
は、実質的に同一形状の複数の単位パタンの集合からな
り、複数の前記単位パタンからなる第1のパタンの描画
が終わった後、前記単位パタン分だけずらして前記第1
のパタンの一部と重なるように第2のパタンを、前記基
板表面に描画することを特徴とする。
面が処理される基板に照射される荷電ビームを出射する
荷電ビーム発生手段と、前記荷電ビーム発生手段から出
射された荷電ビームの前記基板への照射を制御するブラ
ンキング手段と、前記荷電ビーム発生手段から出射され
前記ブランキング手段を経た荷電ビームの一部の照射領
域のみを、前記基板に照射するよう制限する荷電ビーム
照射領域制限手段と、前記基板表面に描画される所定の
パタンを有し、前記荷電ビーム照射領域制限手段からの
荷電ビームが入射されるマスクと、前記マスクに照射さ
れた荷電ビームを前記マスク上で結像させる荷電ビーム
結像手段と、前記マスクに照射された荷電ビームを偏向
し前記マスクへの照射位置を走査し、前記マスク上で前
記荷電ビームを所定方向に走査する偏向器と、前記マス
クの所定のパタンに成形された荷電ビームを前記基板表
面に照射し、前記パタンを前記基板表面に描画する荷電
ビーム照射手段とを具備し、前記偏向器は、前記マスク
上を走査する荷電ビームの第1の走査領域の一部と、前
記第1の走査領域の次に走査される第2の走査領域とが
重なる領域を略一定にし、前記ブランキング手段は、前
記重なる領域に応じ、前記走査領域ごとに前記荷電ビー
ムの前記基板への照射時間を異ならせることを特徴とす
る。
面が処理される基板に照射される荷電ビームを荷電ビー
ム発生手段から出射する工程と、前記荷電ビーム発生手
段から出射された荷電ビームの一部の照射領域のみを、
前記基板に照射するよう荷電ビーム照射領域制限手段で
制限する工程と、前記荷電ビーム照射領域制限手段から
入射される荷電ビームを、前記基板表面に照射される所
定のパタンを有するマスクに照射し、前記荷電ビームを
前記基板へ照射されるパタン形状に成形する工程と、前
記マスクに照射された前記荷電ビームを前記マスク上で
結像させる荷電ビーム結像手段を用いて結像する工程
と、前記マスクに照射された前記荷電ビームを偏向し前
記マスクへの照射位置を走査し、前記マスク上で前記荷
電ビームを所定方向に走査する偏向器により、前記荷電
ビームを偏向、走査する工程と、前記マスクの所定のパ
タンに成形された荷電ビームを前記基板表面に照射し、
前記パタンを前記基板表面に描画する荷電ビーム照射手
段を用いて、前記基板表面に前記パタンを描画する工程
とを有し、前記荷電ビームを偏向、走査する工程では、
前記偏向器は、前記マスク上を走査する荷電ビームの第
1の走査領域の一部と、前記第1の走査領域の次に走査
される第2の走査領域とが重なるように、前記マスクに
照射された前記荷電ビームを走査することを特徴とす
る。
面が処理される基板に照射される荷電ビームを荷電ビー
ム発生手段により出射する工程と、前記荷電ビーム発生
手段から出射された荷電ビームが入射されるブランキン
グ手段により前記基板への照射を制御する工程と、前記
荷電ビーム発生手段から出射され前記ブランキング手段
を経た荷電ビームの一部の照射領域のみを前記基板に照
射するよう、荷電ビーム照射領域制御手段を用いて制限
する工程と、前記荷電ビーム照射領域制限手段から入射
される荷電ビームを、前記基板表面に照射される所定の
パタンを有するマスクに照射し、前記荷電ビームを前記
基板へ照射されるパタン形状に成形する工程と、前記マ
スクに照射された前記荷電ビームを前記マスク上で結像
させる荷電ビーム結像手段を用いて結像する工程と、前
記マスクに照射された前記荷電ビームを偏向し前記マス
クへの照射位置を走査し、前記マスク上で前記荷電ビー
ムを所定方向に走査する偏向器により、前記荷電ビーム
を偏向、走査する工程と、前記マスクの所定のパタンに
成形された荷電ビームを前記基板表面に照射し、前記パ
タンを前記基板表面に描画する荷電ビーム照射手段を用
いて、前記基板表面に前記パタンを描画する工程とを有
し、前記荷電ビームを偏向、走査する工程では、前記偏
向器は、前記マスク上を走査する荷電ビームの第1の走
査領域の一部と、前記第1の走査領域の次に走査される
第2の走査領域とが重なる領域を略一定にし、前記ブラ
ンキング手段は、前記重なる領域に応じ、前記走査領域
ごとに前記荷電ビームの前記基板への照射時間を異なら
せることを特徴とする。
ねあわせ効果により、電子ビームの照射量、位置の変動
が平均化される。また、走査の速度やブランキングの時
間を制御することによって電子ビームの照射量の制御が
可能になり、また描画時間を短縮できる。
を図面を参照しながら説明する。
装置の第1の実施の形態を示すものである。
図であり、鏡筒30は図1上から下へ電子ビームが照射
される。
れる基板9へ照射する電子ビームを発する電子銃1(荷
電ビーム発生手段)と、電子銃1から出射された電子ビ
ームを集光するコンデンサレンズ2と、ブランキングア
パーチャ16(ブランキング手段)と、ブランキングア
パーチャ16近傍に設けられ集光された電子ビームのブ
ランキングを行うブランキング電極17(ブランキング
手段)と、所定の形状(例えば矩形)が厚さ方向に貫通
して成形されている制限アパーチャ5(荷電ビーム照射
領域限定手段)と、投影レンズ3a(荷電ビーム結像手
段)と、スキャン偏向器7(偏向器)と、投影レンズ3
b(荷電ビーム結像手段)と、複数の基板9に描画され
るキャラクターが厚さ方向に貫通して成形されているキ
ャラクターマスク6(マスク)と、キャラクターマスク
6に接続されキャラクターマスク6を移動可能にする移
動手段11と、対物レンズ4(荷電ビーム照射手段)
と、対物偏向器8(荷電ビーム照射手段)と、ステージ
10とからなる。なおステージ10の上には基板9が載
置可能である。
の動作について説明する。
出射された電子ビームはコンデンサレンズ2によって電
子銃1のクロスオーバ像を結ぶ。コンデンサレンズ2で
集光された電子ビームは、ブランキング電極17の電圧
が例えば0[V]の時には電子ビームはブランキングア
パーチャ16を通過し、例えば40[V]の時には電子
ビームをカットオフするように制御している。
子ビームは制限アパーチャ5に照射される。制限アパー
チャ5に矩形状に形成された領域を通過する電子ビーム
のみが後段のキャラクターマスク6に入射される。
ームは、制限アパーチャ5の開口形状に制限されて、制
限アパーチャ5を通過し、投影レンズ3a、3bによっ
てキャラクターマスク6上に、断面が制限アパーチ5の
開口形状で入射する。制限アパーチャ5とキャラクター
マスク6間の電子ビームの偏向は、スキャン偏向器7に
よって行う。
ラクターが存在しており、基板9に描画するパタンに合
わせて使用するキャラクターを適宜交換することができ
る。また、可変成形ビーム描画のためのアパーチャ(不
図示)も、キャラクターマスク上に成形され配置されて
おり、キャラクターを使えないパタンを描画する場合に
は適宜用いられる。
向に掃引する(照射位置を変える)ことによりキャラク
ターマスク6のキャラクターを選択することができる場
合は、電気的に電子ビームを振ることによりアパーチャ
の選択を行う。
向器7で電子ビームを振ることでは対応できない場合
(スキャン偏向器7では振ることができない領域にキャ
ラクターが配置されている場合)は、アパーチャの移動
手段11を用いてキャラクターマスク5を移動させ、選
択したキャラクターが電子ビームの光軸上にくるように
調整する。
ビームは対物レンズ4により、例えば10:1に縮小さ
れて、ターゲットとしての平板状の基板9上に制限アパ
ーチャおよびキャラクターマスクの像を結ぶ。
偏向器8によって制御される。また基板9はxy方向に
移動できるステージ10に固定されており、移動しなが
ら描画が行われていく。
略構成図を用いて走査型キャラクター描画の描画方法に
ついて詳細に説明する。
2に示すような「V」の文字が複数個並べられたパタン
を描画するものとする。
アパーチャ5は、例えば一辺20μmの矩形の開口部分
をもつステンシルマスクからなる。制限アパーチャ5に
よって矩形状に切り取られた(制限アパーチャ5の矩形
状の部分を通過した)電子ビームは、キャラクターマス
ク6に照射される。キャラクターマスク6は、描画パタ
ンの形状の開口部をもつステンシルマスクであり、開口
部以外は電子ビームを遮蔽するタイプでも、SCALP
EL(SCAttering with angula
r Limitation for Projecti
on Eltron Lithography)のよう
に電子ビームを完全には遮蔽せず、電子ビームを散乱さ
せるタイプのマスクでもよい。図2では電子ビームを遮
蔽するステンシルマスクの場合の例を示す。
制限アパーチャ5によって制限されているため、キャラ
クター「V」全体に同時に電子ビームが照射されるので
はなく、キャラクター「V」の一部に電子ビームが照射
されることになる。この電子ビームをスキャン偏向器7
によりキャラクター上で走査することによって、キャラ
クター全体をターゲットに転写する。キャラクター全体
の走査が終了した後、対物偏向器8によってキャラクタ
ーの電子ビームを転写する位置をターゲット上の次の位
置に移動させ、同様の方法で順次キャラクターの転写を
行っていく。
ける電子ビームの走査方法の説明図を用いて、キャラク
ターマスク6上での走査について説明する。
限アパーチャ5の開口形状にしたがって断面が矩形状の
電子ビームになっている。スキャン偏向器7によって電
子ビームを第1のストライプ(第1の走査領域)に沿っ
て図中左から右方向に走査する。キャラクターマスク6
の右まで到達したら、第2のストライプ(第2の走査領
域)に移動し、再び第1の走査領域の走査方向と同一方
向に走査する。さらに第3のストライプ、・・・順次移
動して走査する。
のストライプの次に走査される第2のストライプとは少
なくとも走査領域の一部が重複するよう走査する。
なり合っており、2重描画を行うものである。また図3
(b)ではストライプが電子ビームサイズの1/3ず
つ、ずれるように走査を行い、3重描画を行う場合であ
る。
ームのストライプの垂直方向(図中上下方向の幅)の大
きさをh、隣り合うストライプのずらし幅をh/nとす
ると、走査によってn回多重描画を行うことになる。た
だし、nは自然数である。
1重描画ではストライプとストライプのつなぎの部分で
ビームがわずかに重なったり隙間があいたりするためビ
ーム照射量が不正確になり、パタンの寸法精度が劣化す
る恐れが従来あったが、ストライプのつなぎの部分をず
らしながら多重描画にすることで平均効果により、スト
ライプとストライプのつなぎ部分でのビーム照射量の変
動を低減することができる。そのためパタン寸法精度が
向上する。
ライプ、第5のストライプと、隣り合うストライプをぬ
かして走査し、その後で第2のストライプ、第4のスト
ライプと残ったストライプを走査する方法もある。この
場合にも各ストライプは重なるように走査される。この
様な走査方法では、電子ビームがキャラクターマスク6
上で分散されるため、アパーチャやターゲット塗布され
たレジストの局所的な温度上昇やチャージアップによる
精度の劣化を低減する効果がある。
説明する。
の実施の形態と同一構成要素は同一符号を付し、重複す
る説明は省略する。
マスク6全体を電子ビームによって走査するのではな
く、実質的にキャラクターだけを走査して描画時間を短
縮させたことである。
走査すると、基板9への描画に時間がかかってしまう
が、1つのストライプ内で電子ビームを走査する領域を
キャラクターを含む領域のみに限定することによって、
走査に要する時間を低減させることができる。
プおよび第2のストライプで電子ビームを走査する第1
の走査による領域および第2の走査による領域は、それ
ぞれのストライプ内に示された2つのビーム像で挟まれ
た領域(電子ビーム32aと32bの間、電子ビーム3
2cと32dの間)であり、第1のストライプと第2の
ストライプとで走査する領域の大きさが異なる。つま
り、キャラクターが「Λ」の場合では、電子ビーム32
a、32bの間の走査領域は、32c、32dの間の走
査領域よりも小さくなっている。
予め走査を行う領域を設定し、テーブルにして、電子ビ
ームの照射を制御する制御計算機のメモリ等の記憶部に
記憶させておく。
設定されたストライプ内の領域を、テーブルから読み取
り、その領域のみを走査する。キャラクターの形状によ
っては隣接したストライプの場合は、走査領域が等しい
場合もある。このような場合には、走査領域の等しい複
数のストライプごとに走査領域を設定して、記憶し走査
を行うことも可能である。
キャラクターの基板9への描画のずれを抑制することが
できるのみならず、描画時間を短縮することができる。
図4を参照して説明する。
が複数の実質的に同一形状の単位パタンからなる場合
に、1つのキャラクターの描画が終わった後に単位パタ
ンだけずらしてキャラクターの描画を行い、キャラクタ
ー間の描画のずれを抑制したことである。
ターとキャラクターの間でつなぎが生ずるようなパタン
の場合、このつなぎの部分でも、電子ビームの照射量や
パタン位置に不連続が生じる可能性がある。この不連続
を低減させるための方法を図4を用いて説明する。
島状のパタンをターゲットに描画する場合、複数の周期
にまたがるキャラクターを用意する。キャラクターの例
を図4(b)に示す。図4(b)の点線の内部に示した
領域がパタンの単位図形(単位パタン)になる。
単位図形の縦横各2周期分になるようにする。1回目の
描画では格子状のパタンを図4(a)の点線で示す矩形
領域に分割し、1つの領域にキャラクターマスク6上で
電子ビームを走査することによりキャラクターの転写を
行う。キャラクターマスク6上の電子ビームの走査は走
査偏向器7の電圧を制御することによって行う。
走査が終了した後、点線で示された隣の矩形領域に移動
し、キャラクターの転写を行う。この描画領域の移動は
対物偏向器7の電圧を制御することにより行う。
れた「1回目の描画での分割」領域に分割し、各領域に
キャラクターを転写することにより、パタン全体の1回
目の描画が終了する。
うな描画領域に分割する。キャラクターが縦横各2周期
分のパタンを含んでいるため、縦横各1周期分ずらして
分割しても矛盾なく描画することができる。この新しく
分割された各矩形領域にキャラクターを転写することに
より、繰り返しパタンの領域の2回目の描画を行う。こ
の結果、1回目の描画でキャラクターのつなぎになった
点線の部分は、2回目の描画ではつなぎではなくなるた
め、1重描画では顕著に現れるつなぎ領域でのパタン位
置やビーム照射量の変動が解消される。
でキャラクターからはみ出すために、キャラクターを用
いて描画ができない領域があらわれる。それらの領域で
は必要に応じて可変成形ビーム描画によって描画を行
う。図4(a)では1回目の描画において、可変成形ビ
ーム描画を行う領域を斜めの格子マークで示してある。
ただし、図4(a)で上と左の境界はパタンの端である
が、右と下にはパタンがさらに続いているものとする。
期分の単位図形を含んだパタンであったが、縦横各n周
期の単位図形を含んだキャラクターであれば、同様にし
てつなぎの位置を変えてn回多重描画を行うことが可能
であり、つなぎ領域での不連続はさらに小さくなる。
尚、第3の実施の形態で示した描画方法は、キャラクタ
ーマスク6上を電子ビームで走査しないキャラクター描
画方法に用いることが可能である。
図5を参照して説明する。
走査領域の送り幅を一定にして描画時間を制御したこと
である。
るいわゆる近接効果のため、電子ビームの照射量をパタ
ンに応じて場所ごとに変える必要がある。ナノメータの
オーダでパタン寸法を制御するためには、照射量補正の
メッシュの寸法をターゲット上で1μm以下、照射量精
度1%以下で制御しなければならない。なお、メッシュ
とは、基板9表面を仮想的に縦横に複数分割した各領域
を指す。
である。
ける電子ビーム位置を示した図であり、キャラクターは
同図(a)のようなラインアンドスペースであるとす
る。斜線で示された領域が電子ビームを照射するパタン
であり、矢印の方向にx軸(走査方向)をとる。
(a)に電子ビーム位置のx座標を示したグラフであ
る。図5(b)で細線の矢印で示した時間は電子ビーム
が照射されているアンブランクの時間であり、太線の矢
印で示した時間はブランク、つまりブランキングアパー
チャ16によって電子ビームがカットオフされている状
態の時間を示している。ブランクの時間は電子ビームを
移動させた後、電子ビーム位置が安定するまでのセトリ
ング時間に対応している。電子ビームはキャラクターマ
スク6上の所望位置で固定された状態で一定時間露光を
行い、その後電子ビームをブランクして送り幅hだけ離
れた次の照射位置まで移動し、その位置で再びアンブラ
ンクして露光を行う。
る時間によって制御される。例えば、電子ビームの送り
幅hがビームサイズdと等しい場合、キャラクターマス
ク6上での電子ビームの電流密度i=0.2[A/cm
2]、パタンの縮小率をm=1/10とすると、ターゲ
ット上での電流密度は20[A/cm2]となる。
とすると、電子ビームの照射時間tはt=Dm2/iで
与えられるのでt=1μ[s]になる。
した場合、1つの場所でアンブランクしている時間を制
御することにより、電子ビームの照射量を制御すること
ができる。電子ビームの照射量の精度を1[%]とする場
合は10n[s]で照射時間を制御することになる。ただ
し電子ビームの送り幅hが小さく、電子ビームのセトリ
ング時間が無視できる場合には、1つのストライプを走
査している間は、常にアンブランクにして、ブランクを
行わないように制御することは可能である。
合は、1つの場所にブランク状態をはさんで複数回電子
ビームが照射されることになるので、照射時間はそれら
の合計になる。そのため、必要な照射量がその合計の時
間と一致するように各照射位置におけるアンブランクの
時間を設定する。
ャラクターマスク6上の1つのストライプを示してい
る。なお、dは電子ビームのサイズ、hは走査の送り幅
を示している。ここでh=d/2である。
照射されることになる。A、Bの各領域に照射すべき電
子ビーム量はターゲット上でそれぞれ20μ[C/cm
2]、20.4μ[C/cm2]であるとする。第1シ
ョットの照射量は20/2=10μ[C/cm2]とな
り、第2ショットの照射量は(20+20.4)/2/
2=10.1μ[C/cm2]、第3ショットの照射量
は20.4/2=10.2μ[C/cm2]となる。タ
ーゲット上での電流密度を20[A/cm2]とする
と、各照射時間はそれぞれ500[ns]、505[n
s]、510[ns]である。
ショットごとにターゲットに照射される電子ビームの照
射時間を制御することにより、描画時間を短縮すること
ができる。
れず、その主旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施で
きることは言うまでもない。例えば、キャラクターマス
ク上を走査する電子ビームの走査方向はキャラクターを
走査することができれば、同一方向でなく互いに対向す
る方向に走査しても良い。また、ターゲットとなる基板
はX線マスクやウェハ、ステッパ用のマスク基板などの
表面が処理されるものであればいずれであっても構わな
い。
査ストライプの境界におけるパタンの寸法制度を向上さ
せることができる。
形態の鏡筒内部の正面図。
形態のキャラクターマスク近傍の概略構成図。
マスクと描画方法の説明図。
Claims (6)
- 【請求項1】 パタンを描画する基板表面に向けて荷電
ビームを出射する荷電ビーム発生手段と、 前記荷電ビーム発生手段から出射される荷電ビームを所
定形状の照射領域に制限する荷電ビーム照射領域制限手
段と、 前記基板表面に描画される選択自在な複数のパタンを有
し、前記荷電ビーム照射領域制限手段からの前記照射領
域に制限された荷電ビームが入射するマスクと、 前記荷電ビーム照射領域制限手段を通過して前記マスク
に入射する荷電ビームを前記マスク上に集光させる荷電
ビーム集光手段と、 前記荷電ビーム照射領域制限手段を通過して入射する荷
電ビームの前記マスクへの入射位置を偏向し、該マスク
上で前記照射領域に制限された荷電ビームを所定方向に
走査する偏向器と、 前記マスクを通過することにより所定のパタンに成形さ
れた荷電ビームを前記基板表面に照射し、前記パタンを
前記基板表面に描画する荷電ビーム照射手段とを具備
し、 前記偏向器は前記照射領域に制限された荷電ビームを前
記マスク上で順次走査する際に、該荷電ビームの第1の
走査領域の一部と、前記第1の走査領域の次に走査する
第2の走査領域とが重なるようにされていることを特徴
とする荷電ビーム描画装置。 - 【請求項2】 パタンを描画する基板表面に向けて荷電
ビームを出射する荷電ビーム発生手段と、 前記荷電ビーム発生手段から出射される荷電ビームを所
定形状の照射領域に制限する荷電ビーム照射領域制限手
段と、 前記基板表面に描画される選択自在な複数のパタンを有
し、前記荷電ビーム照射領域制限手段からの前記照射領
域に制限された荷電ビームが入射するマスクと、 前記荷電ビーム照射領域制限手段を通過して前記マスク
に入射する荷電ビームを前記マスク上に集光させる荷電
ビーム集光手段と、 前記荷電ビーム照射領域制限手段を通過して入射する荷
電ビームの前記マスクへの入射位置を偏向する偏向器
と、 前記マスクを通過することにより所定のパタンに成形さ
れた荷電ビームを前記基板表面に照射し、前記パタンを
前記基板表面に描画する荷電ビーム照射手段とを具備
し、 前記基板表面に描画されるパタンが、実質的に同一形状
の複数の単位パタンの集合からなる場合は、前記マスク
により複数の前記単位パタンからなる第1のパタンの描
画が終わった後、該マスクを前記単位パタン分だけずら
して前記第1のパタンの一部と重なるように第2のパタ
ンを、前記基板表面に描画することを特徴とする荷電ビ
ーム描画装置。 - 【請求項3】 前記マスクに形成されているパタンの形
状に応じて、前記荷電ビームの走査方向の長さを予め設
定し、設定された領域のみ前記荷電ビームを照射するこ
とを特徴とする請求項1に記載の荷電ビーム描画装置。 - 【請求項4】 表面にパタンを描画する基板に照射され
る荷電ビームを出射する荷電ビーム発生手段と、 前記荷電ビーム発生手段から出射された荷電ビームの照
射を制御するブランキング手段と、 前記荷電ビーム発生手段から出射され前記ブランキング
手段を経た荷電ビームを所定形状の照射領域に制限する
荷電ビーム照射領域制限手段と、 前記基板表面に描画 するためのパタンを有し、前記荷
電ビーム照射領域制限手段により制限された照射領域の
荷電ビームが入射するマスクと、 前記マスクに入射する荷電ビームを前記マスク上で集光
させる荷電ビーム集光手段と、 前記マスクに入射する荷電ビームを偏向し前記マスクへ
の入射位置を走査し、前記マスク上で前記荷電ビームを
所定方向に走査する偏向器と、 前記マスクの所定のパタンに成形された荷電ビームを前
記基板表面に照射し、前記パタンを前記基板表面に描画
する荷電ビーム照射手段とを具備し、 前記偏向器は、前記照射領域に制限された荷電ビームを
前記マスク上で順次走査する際に、該荷電ビームの第1
の走査領域の一部と、前記第1の走査領域の次に走査さ
れる第2の走査領域とが重なる領域を略一定にし、か
つ、前記ブランキング手段は、前記重なる領域に応じ、
前記走査領域ごとに該荷電ビームの前記基板への照射時
間を異ならせていることを特徴とする荷電ビーム描画装
置。 - 【請求項5】 荷電ビーム発生手段から出射された荷電
ビームを照射領域制限手段で照射領域を制限し、その照
射領域の前記荷電ビームを選択自在なパタンの形成され
ているマスクに偏向器で偏向、走査させて入射し、前記
マスクを通過することにより成形された該荷電ビームを
基板に照射して描画する荷電ビーム描画方法であって、 前記荷電ビームを偏向、走査する際には、前記偏向器
は、前記マスク上を走査する荷電ビームの第1の走査領
域の一部と、この第1の走査領域の次に走査される第2
の走査領域とが重なるように、前記マスクに入射する前
記荷電ビームを走査することを特徴とする荷電ビーム描
画方法。 - 【請求項6】 荷電ビーム発生手段から出射された荷電
ビームを照射領域制限手段で照射領域を制限し、その照
射領域の前記荷電ビームを選択自在なパタンの形成され
ているマスクに偏向器で偏向、走査させて入射し、前記
マスクを通過することにより成形された該荷電ビームを
基板に照射して描画する荷電ビーム描画方法であって、 前記荷電ビームを偏向、走査する際には、前記偏向器
は、前記マスク上を走査する荷電ビームの第1の走査領
域の一部と、この第1の走査領域の次に走査される第2
の走査領域とが重なる領域を略一定にし、前記照射領域
制限手段は、前記重なる領域に応じ、前記走査領域ごと
に前記荷電ビームの前記基板への照射時間を異ならせて
いることを特徴とする荷電ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000022260A JP3373185B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000022260A JP3373185B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001217173A JP2001217173A (ja) | 2001-08-10 |
JP3373185B2 true JP3373185B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=18548584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000022260A Expired - Lifetime JP3373185B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3373185B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
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JPH09223659A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写方法及び装置 |
JP4208283B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2009-01-14 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000022260A patent/JP3373185B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JP2001217173A (ja) | 2001-08-10 |
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