TWI712067B - 資料處理方法、資料處理裝置以及多帶電粒子束描繪裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是有關於一種資料處理方法、資料處理裝置以及多帶電粒子束描繪裝置。本實施形態的資料處理方法對資料進行處理，所述資料用於控制描繪裝置的各束的照射量，所述描繪裝置利用由帶電粒子束發出的多束進行多重描繪。所述方法包括下述步驟：針對與多重描繪的描繪路徑對應的每一層生成照射量資料的步驟，所述照射量資料對多個照射位置的每一個的照射量予以規定，所述多個照射位置是將描繪對象基板的描繪區域假想分割成網目狀而得到；對所述每一層的照射量資料中所規定的照射量進行修正處理的步驟；以及算出各層的修正處理後的照射量資料中所規定的每一個照射位置的照射量的總和，將各層的所述總和進行比較，基於比較結果而判定在所述修正處理中是否產生錯誤的步驟。

Description

資料處理方法、資料處理裝置以及多帶電粒子束描繪裝置
本發明是有關於一種資料處理方法、資料處理裝置以及多帶電粒子束描繪裝置。
伴隨著大規模積體電路（Large-scale integration，LSI）的高積體化，而半導體元件所要求的電路線寬逐年細微化。為了將所期望的電路圖案（pattern）形成於半導體元件，而採用下述方法，即：利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上的高精度的原畫圖案（遮罩（mask）、或亦將特別是在步進（stepper）式曝光裝置或掃描（scanner）式曝光裝置中所使用者稱為光罩（reticle））縮小轉印於晶圓（wafer）上。高精度的原畫圖案藉由電子束描繪裝置描繪，而利用所謂的電子束微影技術（Electron-beam lithography，EBL）。
使用多束（multi beam）的描繪裝置與利用一條電子束進行描繪的情況相比，可一次照射大量的束，故可使總處理量（throughput）大幅度地提高。在多束描繪裝置的一個形態即使用遮蔽孔徑陣列（blanking aperture array）的多束描繪裝置中，例如，將自一個電子槍放出的電子束穿過帶有多個開口的成形孔徑陣列而形成多束（多條電子束）。多束穿過遮蔽孔徑陣列分別對應的遮蔽器（blanker）內。遮蔽孔徑陣列包括：電極對，用於將束個別地偏轉；以及開口，在電極對間用於束穿過，藉由將電極對（遮蔽器）的一者固定為接地電位且將另一者切換為接地電位與接地電位以外的電位，而分別個別地進行所穿過的電子束的遮蔽偏轉。經遮蔽器偏轉的電子束被遮蔽，未被偏轉的電子束照射至試樣上。
在電子束描繪中，將描繪區域分割成多個條帶（stripe）區域，而以條帶區域單位進行描繪。為了提高在條帶區域的邊界位置的圖案的連接精度，已知一種多重描繪方式，將條帶區域的邊界位置偏移而分成多個層（layer），將同一圖案反覆重疊地描繪。
在描繪裝置中，為了提高描繪精度，而進行修正束照射量的各種計算，且每次將計算結果保存於記憶體（memory）。若在各種計算、或對於記憶體的資料寫入、自記憶體的資料讀出等資料處理產生錯誤（error），則引起描繪圖案精度的劣化或圖案缺失等異常描繪。因此，需要對錯誤進行檢測。
在先前的可變成形束（Variable Shaped Beam，VSB）型單束描繪裝置中，利用即便將條帶區域的邊界位置偏移在各層中所描繪的圖形面積的總和亦一致，而將描繪圖形的面積的總和利用層間進行比較，而檢測有無錯誤。然而，因多束描繪裝置不是利用圖形資料，而是利用被位元映像（bitmap）化的表示照射時間的灰階資料進行描繪，故無法應用在單束描繪裝置中的錯誤檢測方法。
本發明提供一種可檢測在用於多束描繪的資料的處理中所產生的錯誤的資料處理方法、資料處理裝置以及多帶電粒子束描繪裝置。
根據本發明的一個態樣的資料處理方法對資料進行處理，所述資料用於控制描繪裝置的各束的照射量，所述描繪裝置利用由帶電粒子束發出的多束進行多重描繪所述方法包括下述步驟：針對與多重描繪的描繪路徑對應的每一層生成照射量資料的步驟，所述照射量資料對多個照射位置的每一個的照射量予以規定，所述多個照射位置是將描繪對象基板的描繪區域假想分割成網目狀而得到；對所述每一層的照射量資料中所規定的照射量進行修正處理的步驟；以及算出各層的修正處理後的照射量資料中所規定的每一個照射位置的照射量的總和，將各層的所述總和進行比較，基於比較結果而判定在所述修正處理中是否產生錯誤的步驟。
以下，基於圖式對本發明的實施形態進行說明。在本實施形態中，作為帶電粒子束的一例，而對利用電子束的構成進行說明。然而，帶電粒子束並不限於電子束，亦可為離子束（ion beam）等利用帶電粒子的束。
圖1是根據本實施形態的描繪裝置的概略構成圖。描繪裝置包括控制部1、以及描繪部2。描繪裝置是多帶電粒子束描繪裝置的一例。描繪部2包括電子鏡筒20、以及描繪室30。於電子鏡筒20內配置有：電子槍21、照明透鏡22、成形孔徑構件23、遮蔽板（blanking plate）24、縮小透鏡25、限制孔徑構件26、物鏡27、以及偏轉器28。縮小透鏡25及物鏡27皆由電磁透鏡構成，藉由縮小透鏡25及物鏡27而構成縮小光學系統。
於描繪室30內，配置有XY平台32。於XY平台32上，載置有描繪對象的基板40。基板40是製造半導體元件時的曝光用遮罩、供製造半導體元件的半導體基板（矽晶圓（silicon wafer））、塗佈有抗蝕劑（resist）而尚未經任何描繪的空白遮罩（mask blanks）等。
控制部1包括：磁碟裝置等記憶裝置10、位元映像生成部11、修正部12、以及資料傳送部17。修正部12具有：畸變（distortion）修正部13、缺陷修正部14、電流分佈修正部15、以及錯誤檢測部16。位元映像生成部11、修正部12、以及資料傳送部17既可由電氣電路等硬體（hardware）構成，亦可由軟體（software）構成。在由軟體構成時，可將至少實現一部分功能的程式（program）儲存於記錄媒體，使包含電氣電路的電腦（computer）讀入並執行。
在圖1中，記載說明實施形態所需的構成。於描繪裝置的動作上所需的其他周知的構成則省略圖示。
於成形孔徑構件23，縱（y方向）m列×橫（x方向）n列（m、n≧2）的孔（開口部）以規定的排列間距形成為矩陣狀。各孔皆由相同尺寸形狀的矩形或圓形形成。
自電子槍21放出的電子束B藉由照明透鏡22大致垂直地將成形孔徑構件23整體照明。電子束B穿過成形孔徑構件23的多個孔，藉此形成例如矩形形狀的多條電子束（多束）MB。
於遮蔽板24，與成形孔徑構件23的各孔的配置位置吻合而形成有通過孔。於各通過孔，分別配置成對的兩個電極組（遮蔽器，遮蔽偏轉器）。於各束用的兩個電極的一者配置有施加電壓的放大器，另一者被接地。穿過各通過孔的電子束分別獨立地藉由施加於成對的兩個電極的電壓而偏轉。藉由所述電子束的偏轉而進行遮蔽控制。
穿過遮蔽板24的多束MB藉由縮小透鏡25縮小，朝形成於限制孔徑構件26的中心的開口前進。經遮蔽板24的遮蔽器偏轉的電子束的位置偏離限制孔徑構件26的中心的開口，而被限制孔徑構件26遮蔽。另一方面，未被遮蔽器偏轉的電子束穿過限制孔徑構件26的中心的開口。
如此般，限制孔徑構件26遮蔽被個別遮蔽機構以成為束斷開（OFF）的狀態的方式偏轉的各束。而且，藉由自成為束接通（ON）起至成為束OFF為止所形成的穿過限制孔徑構件26的束，而形成1次份額的發射束。
穿過限制孔徑構件26的多束MB藉由物鏡27而聚焦，成為所期望的縮小率的圖案圖像，被偏轉器28集中偏轉，而照射至基板40。例如，在XY平台32連續移動時，藉由偏轉器28以束的照射位置追隨XY平台32的移動的方式進行控制。
一次照射的多束MB理想而言以於成形孔徑構件23的多個孔的排列間距上乘以上文所述的所期望的縮小率而得到的間距排列。描繪裝置以將發射束連續依序不斷照射的光柵掃描（raster scan）方式進行描繪動作，在描繪所期望的圖案時，藉由根據圖案將必要的束進行遮蔽控制而控制為束ON。
如圖2（a）所示，基板40的描繪區域50，例如被朝y方向以規定的寬度假想分割成長方狀的多個條帶區域52。各條帶區域52成為描繪單位區域。
例如，使XY平台32移動，以利用一次多束MB的照射可照射的照射區域位於第一個條帶區域52的左端、或更左側的位置的方式進行調整，而開始描繪。藉由使XY平台32朝-x方向移動，而可相對地朝x方向進行描繪。
根據本實施形態的描繪裝置進行多重描繪。並且，在進行多重描繪時，在各描繪路徑中，以條帶區域52單位在y方向上將位置偏移。不僅可在y方向上將位置偏移，亦可在x方向上將位置偏移。例如，在每次將位置偏移1/4條帶區域寬度W而以4路徑（多重度＝4）進行描繪時，各描繪路徑的照射區域成為圖2（b）～圖2（e）所示者。
即，第一路徑在y方向的條帶偏移量為0的位置進行描繪。第二路徑在y方向的條帶偏移量為W/4的位置進行描繪。第三路徑在y方向的條帶偏移量為W/2的位置進行描繪。第四路徑在y方向的條帶偏移量為3W/4的位置進行描繪。
藉由如此般將位置偏移而進行多重描繪，對基板40上的相同位置進行照射的束就每一描繪路徑而不同，故可將每一束的電流值的偏差予以平均化。並且，可提高在條帶區域的邊界位置的圖案的連接精度。
圖3（a）～圖3（d）是說明條帶區域52內的描繪動作的一例的圖。圖3（a）～圖3（d）例如表示於x、y方向利用4×4的多束對條帶區域52內進行描繪的例子，與圖2（b）的第一路徑的描繪路徑對應。
在所述例子中，表示將各束間的距離分開，例如，在y方向上以與多束整體的照射區域同等的寬度將條帶區域52予以分割的情況。而且，表示在x方向或y方向上每次將照射位置偏移一網目且利用16次發射而將多束整體的一個照射區域結束曝光（描繪）的情況。
圖3（a）表示利用1次發射照射到的網目（畫素）區域。其次，如圖3（b）所示，一面在y方向上每次將位置偏移一畫素，一面依次進行第二次發射、第三次發射、第四次發射。其次，如圖3（c）所示，在x方向上偏移一畫素，而進行第五次發射。其次，一面在y方向上每次將位置偏移一畫素，一面依次進行第六次發射、第七次發射、第八次發射。重覆同樣的動作，如圖3（d）所示，依次進行剩餘的第九次～第十六次發射。
多束描繪將描繪區域50以束尺寸或其以下的尺寸假想分割成網目狀。然後，藉由對存在圖形圖案的網目（畫素）照射束、對不存在圖像圖案的網目不照射束而描繪圖案。然而，在圖形圖案的端部位於網目內的情況等時，藉由調整照射量而控制圖形圖案的端部的位置。
另外，為了修正接近效果等的尺寸變動而需要調整照射量。接近效果修正計算利用先前的方法實施即可。照射量藉由多束的各束的照射時間而控制。
其次，沿著圖4所示的流程圖對構成控制部1（資料處理裝置）的各部分的處理進行說明。
位元映像生成部11讀出儲存於記憶裝置10的描繪資料（步驟S1）。描繪資料例如定義有各圖形圖案的配置位置、圖形種類、及圖形尺寸等。另外，還定義有成為基準的照射量（用於解像圖案的照射量）。
位元映像生成部11將描繪區域分割成數奈米（nm）角的小網目，將描繪資料內所定義的圖形圖案分配給網目區域（步驟S2）。位元映像生成部11算出針對每一網目區域而配置的圖形圖案的面積密度，基於面積密度算出每一網目區域（束照射位置）的照射量，而生成規定每一網目區域的照射量的照射量資料（步驟S3）。
位元映像生成部11將描繪區域分割成數微米（µm）角的大網目，且將描繪資料內所定義的圖形圖案分配給網目區域（步驟S4）。位元映像生成部11進行接近效果修正計算，算出用於抑制接近效果的每一網目位置的照射量，而生成定義每一網目位置的照射量的照射量資料（步驟S5）。
位元映像生成部11將步驟S3中所算出的照射量資料、與步驟S5中所算出的照射量資料予以合成（步驟S6）。
位元映像生成部11就每一網目位置（與束照射位置對應的畫素），將照射量均等地分配給多重描繪的各路徑，而生成與各路徑對應的每一層的照射量資料（步驟S7）。例如，在多重度為4時，生成第一層～第四層的照射量資料。
例如，如圖5所示，考量解像相當於4個畫素G1～G4的區域而形成接觸孔（contact hole）的情況。在將塗佈於基板40的抗蝕劑以照射量（曝光量）50 μC進行解像時，每一層的照射量為12.5 μC（=50/4）。
修正部12自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料（步驟S8）。修正部12的資料處理以條帶區域單位進行。
錯誤檢測部16在步驟S8的資料抽取處理時進行是否產生錯誤的錯誤檢測（步驟S9）。在未產生錯誤時，各層的照射量的總和（合計）相互一致。另一方面，在產生錯誤時，照射量的值發生變化，而照射量的總和在層間成為不一致。錯誤檢測部16算出各層的照射量的總和，且利用層間進行比較。在照射量的總和為一致時，判定為未產生錯誤。在照射量的總和為不一致時，判定為產生錯誤。
畸變修正部13考量遮蔽板24的變形或塗佈於基板40上的抗蝕劑的感度等，修正每一畫素的照射量（步驟S10）。
一般而言，在描繪裝置中，有時因遮蔽板24的孔位置的誤差或光學誤差等，而照射至基板40的多束MB的束陣列自理想光柵偏移。畸變修正部13參照規定各束的位置偏移量的變形圖，修正每一畫素的照射量。
在由畸變修正部13進行了照射量的修正後，錯誤檢測部16進行錯誤檢測（步驟S11）。因步驟S10中的由畸變修正部13進行的修正，而存在照射量被修正的畫素，但因以在修正前後照射量的總和為一致的方式施加修正，故各層的照射量的總和為一致。與步驟S9同樣地，錯誤檢測部16算出各層的照射量的總和，並利用層間進行比較，而判定是否一致。
缺陷修正部14進行考量了缺陷束的影響的照射量的修正（步驟S12）。例如，有時設置於遮蔽板24的遮蔽器的電極發生故障，而無法將電子束偏轉，從而產生始終ON缺陷。在多重描繪中，因照射至一個畫素的束所穿過的遮蔽器就每一層而不同，故對於在一個層穿過始終ON缺陷的遮蔽器的束所照射的畫素，利用在其他層正常的遮蔽器來調整照射量。
例如，如圖6所示，考量於照射至第一層的畫素G4的束所穿過的遮蔽器產生始終ON缺陷，而被照射30 μC的情況。由於是以50 μC解像照射量的抗蝕劑，故第二層～第四層的畫素G4的照射量為6.66 μC（＝（50－30）/3）。
另外，有時設置於成形孔徑構件23的孔因污染（contamination）而被堵塞，而產生無法形成束的始終OFF缺陷。在多重描繪中，因就每一層而不同的束照射至一個畫素，故對在一個層中成為始終OFF的畫素，可在其他層中利用正常的束來調整照射量。
例如，如圖7所示，考量照射至第一層的畫素G4的束為始終OFF，而未照射有束的情況。由於是以照射量50 μC解像的抗蝕劑，故第二層～第四層的畫素G4的照射量為16.6 μC（=50/3）。
利用事前檢查而判明產生此種始終ON缺陷、始終OFF缺陷的束（遮蔽器），且將缺陷列表化而成的缺陷列表被保存於記憶部（圖示省略）。缺陷修正部14參照缺陷列表以彌補照射量的過量/不足的方式修正其他層的照射量。
在由缺陷修正部14進行的照射量的修正後，錯誤檢測部16進行錯誤檢測（步驟S13）。如圖6、圖7所示般為了消除缺陷束的影響而修正照射量，故各層的照射量的總和成為不一致。因此，錯誤檢測部16考量由缺陷修正部14進行的照射量的修正量，且將基於修正量而調整的各層的照射量的總和進行比較。
例如，如圖6所示般的成為始終ON缺陷的第一層的畫素G4在照射量資料上設定為0。因此，錯誤檢測部16算出各層的照射量的總和，於第一層的照射量的總和加上6.66 μC後，將照射量的總和利用層間進行比較，而判定是否一致。
或者，另外，錯誤檢測部16算出各層的照射量的總和，在自第二層～第四層的照射量的總和減去6.66 μC後，將照射量的總和利用層間進行比較，而判定是否一致。
如圖7所示般的成為始終OFF缺陷的第一層的畫素G4在照射量資料上設定為0。因此，錯誤檢測部16算出各層的照射量的總和，於第一層的照射量的總和加上16.66 μC後，將照射量的總和利用層間進行比較，而判定是否一致。
或者，另外，錯誤檢測部16算出各層的照射量的總和，在自第二層～第四層的照射量的總和減去16.66 μC後，將照射量的總和利用層間進行比較，而判定是否一致。
在進行無法將照射量利用層數除盡的餘數處理時，加上餘數值的層的照射量的總和與其他層不一致。因此，較佳的是將餘數值自照射量的總和減去，或者是於其他層的照射量的總和加上與餘數值相同的值。
在描繪裝置中，有時愈遠離遮蔽板24的中心，則束電流愈減少。並且，因成形孔徑構件23或遮蔽板24的不良，而局部地存在束電流變小的部位。利用事前檢查判明此種束電流的分佈，且將電流分佈圖保存於記憶部（圖示省略）。電流分佈修正部15參照電流分佈圖，以基板40的表面的照射量成為均一的方式修正各畫素的照射量。（步驟S14）。
在由電流分佈修正部15進行的照射量的修正後，錯誤檢測部16進行錯誤檢測（步驟S15）。由於因電流分佈修正部15進行的照射量的修正，而各層的照射量的總和成為不一致。因此，錯誤檢測部16參照電流分佈圖，進行電流分佈逆運算，而算出電流分佈修正前的照射量。進而，錯誤檢測部16考量由缺陷修正部14進行的照射量的修正量，將各層的照射量的總和進行比較，而判定是否一致。
在未檢測到錯誤時，資料傳送部17將照射量資料朝遮蔽板24傳送（步驟S16）。遮蔽板24的各遮蔽器控制基於與照射量資料相應的束照射時間而施加的電壓，切換束的接通/斷開（ON/OFF）。
資料傳送部17朝遮蔽板24傳送的照射量資料中所定義的照射量為整數值。因此，修正部12進行小數點以下的尾數處理。例如，在電流分佈修正部15進行尾數處理時，出現捨入誤差，而層間的照射量的總和變得不一致。因此，較佳的是預估捨入誤差，設置某一程度的裕量（margin），而將層間的照射量的總和進行比較。例如，當層間照射量的總和的差異在規定範圍內時，判定為未產生錯誤。
如此般，根據本實施形態，藉由層間對照射量的總和進行比較，而可檢測在資料處理上是否產生錯誤。在上述實施形態中，在資料抽取處理後、畸變修正後、缺陷修正後、電流分佈修正後的各階段進行錯誤檢測。因此，可檢測在哪一處理中產生了錯誤。
畸變修正、缺陷修正、電流分佈修正的順序並無特別限定。
錯誤檢測無須在資料抽取處理後、畸變修正後、缺陷修正後、電流分佈修正後的全部的階段進行，可適當省略。較佳的是至少在藉由資料傳送部17傳送照射量資料之前進行錯誤檢測。
在上述實施形態中，對每次將位置偏移條帶區域寬度W的1/4而利用4路徑（多重度＝4）予以描繪的情況進行了說明，但偏移量或多重度並不限定於此。
再者，本發明並不限定於上述實施形態原樣不變，可在實施階段中在不脫離其主旨的範圍內將構成元件變形而具體化。並且，藉由適當組合上述實施形態所揭示的多個構成元件，而可形成各種發明。例如，可自實施形態中所示的全部構成元件削除幾個構成元件。進而，亦可適當組合不同實施形態的構成元件。
1‧‧‧控制部（資料處理裝置） 2‧‧‧描繪部 10‧‧‧記憶裝置 11‧‧‧位元映像生成部 12‧‧‧修正部 13‧‧‧畸變修正部 14‧‧‧缺陷修正部 15‧‧‧電流分佈修正部 16‧‧‧錯誤檢測部 17‧‧‧資料傳送部 20‧‧‧電子鏡筒 21‧‧‧電子槍 22‧‧‧照明透鏡 23‧‧‧成形孔徑構件 24‧‧‧遮蔽板 25‧‧‧縮小透鏡 26‧‧‧限制孔徑構件 27‧‧‧物鏡 28‧‧‧偏轉器 30‧‧‧描繪室 32‧‧‧XY平台 40‧‧‧基板 50‧‧‧描繪區域 52‧‧‧條帶區域 B‧‧‧電子束 G1～G4‧‧‧畫素 MB‧‧‧電子束（多束） S1～S16‧‧‧步驟 W‧‧‧條帶區域寬度 x‧‧‧方向 y‧‧‧方向
圖1是根據本發明的實施形態的描繪裝置的概略圖。 圖2（a）～圖2（e）是說明多重描繪的描繪方法的圖。 圖3（a）～圖3（d）是說明條帶內的描繪動作的圖。 圖4是說明所述實施形態的資料處理方法的流程圖（flowchart）。 圖5是表示各層的照射量的一例的圖。 圖6是表示修正後的各層的照射量的一例的圖。 圖7是表示修正後的各層的照射量的一例的圖。
1‧‧‧控制部(資料處理裝置)
2‧‧‧描繪部
10‧‧‧記憶裝置
11‧‧‧位元映像生成部
12‧‧‧修正部
13‧‧‧畸變修正部
14‧‧‧缺陷修正部
15‧‧‧電流分佈修正部
16‧‧‧錯誤檢測部
17‧‧‧資料傳送部
20‧‧‧電子鏡筒
21‧‧‧電子槍
22‧‧‧照明透鏡
23‧‧‧成形孔徑構件
24‧‧‧遮蔽板
25‧‧‧縮小透鏡
26‧‧‧限制孔徑構件
27‧‧‧物鏡
28‧‧‧偏轉器
30‧‧‧描繪室
32‧‧‧XY平台
40‧‧‧基板
B‧‧‧電子束
MB‧‧‧電子束(多束)

Claims (19)

  1. 一種資料處理方法，其對資料進行處理，所述資料用於控制描繪裝置的各束的照射量，所述描繪裝置利用由帶電粒子束發出的多束進行多重描繪，且所述資料處理方法包括下述步驟：針對與多重描繪的描繪路徑對應的每一層生成照射量資料的步驟，所述照射量資料對多個照射位置的每一個的照射量予以規定，所述多個照射位置是將描繪對象基板的描繪區域假想分割成網目狀而得到；對所述每一層的照射量資料中所規定的照射量進行修正處理的步驟；以及算出各層的修正處理後的照射量資料中所規定的每一個照射位置的照射量的總和，將各層的所述總和進行比較，基於比較結果而判定在所述修正處理中是否產生錯誤的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的資料處理方法，其中所述修正處理包括基於所述描繪對象基板的電流分佈圖來修正照射量的處理，對修正處理後的照射量資料施加基於束電流分佈的電流分佈逆運算而求得修正前的照射量，利用層間進行比較來判定所求得的修正前的照射量的總和是否產生錯誤。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的資料處理方法，其中所述修正處理包括基於缺陷列表對照射量進行修正的處理，所述缺陷列表是將所述多束的缺陷束列表化而成， 在將所述照射量的總和基於所述修正處理的照射量的修正量進行調整後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的資料處理方法，其中所述修正處理包含基於變形圖而修正照射量的處理，所述變形圖將所述多束的各束的位置偏移量予以規定，在基於所述變形圖的照射量的修正後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的資料處理方法，其中所述修正處理包括自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料的處理，在所述照射量資料的抽取處理後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的資料處理方法，其中所述修正處理包括：自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料的處理；基於變形圖而修正照射量的處理，所述變形圖將所述多束的各束的位置偏移量予以規定；基於缺陷列表而對照射量進行修正的處理，所述缺陷列表是將所述多束的缺陷束列表化而成；以及基於所述描繪對象基板的電流分佈圖而修正照射量的處理；在所述照射量資料的抽取處理後、基於所述變形圖的照射量的修正後、基於所述缺陷列表的照射量的修正後、以及基於所述 電流分佈圖的照射量的修正後的各階段，進行判定是否產生所述錯誤的處理。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的資料處理方法，其中在層間的所述總和的差在規定範圍內時，判定為未產生錯誤。
  8. 一種資料處理裝置，其對資料進行處理，所述資料用於控制描繪裝置的各束的照射量，所述描繪裝置利用由帶電粒子束發出的多束進行多重描繪，且所述資料處理裝置包括：生成部，針對與多重描繪的描繪路徑對應的每一層生成照射量資料，所述照射量資料對多個照射位置的每一個的照射量予以規定，所述多個照射位置是將描繪對象基板的描繪區域假想分割成網目狀而得到；修正部，對所述每一層的照射量資料中所規定的照射量進行修正處理；以及錯誤檢測部，算出各層的修正處理後的照射量資料中所規定的每一個照射位置的照射量的總和，將各層的所述總和進行比較，基於比較結果而判定在所述修正處理中是否產生錯誤。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的資料處理裝置，其中所述修正處理包括基於所述描繪對象基板的電流分佈圖來修正照射量的處理，所述錯誤檢測部對修正處理後的照射量資料施加基於束電流分佈的電流分佈逆運算而求得修正前的照射量，利用層間進行比較來判定所求得的修正前的照射量的總和是否產生錯誤。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的資料處理裝置，其中所述修正處理包括基於缺陷列表對照射量進行修正的處理，所述缺陷列表是將所述多束的缺陷束列表化而成，所述錯誤檢測部在將所述照射量的總和基於所述修正處理的照射量的修正量進行調整後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的資料處理裝置，其中所述修正處理包含基於變形圖而修正照射量的處理，所述變形圖將所述多束的各束的位置偏移量予以規定，所述錯誤檢測部在基於所述變形圖的照射量的修正後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的資料處理裝置，其中所述修正處理包括自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料的處理，所述錯誤檢測部在所述照射量資料的抽取處理後，利用層間進行比較來判定將照射量的總和是否產生錯誤。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的資料處理裝置，其中所述修正處理包括：自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料的處理；基於變形圖而修正照射量的處理，所述變形圖將所述多束的各束的位置偏移量予以規定；基於缺陷列表而對照射量進行修正的處理，所述缺陷列表是將所述多束的缺陷束列表化而成；以及基於所述描繪對象基板的電流分佈圖而修正照 射量的處理；所述錯誤檢測部在所述照射量資料的抽取處理後、基於所述變形圖的照射量的修正後、基於所述缺陷列表的照射量的修正後、以及基於所述電流分佈圖的照射量的修正後的各階段，進行判定是否產生所述錯誤的處理。
  14. 一種多帶電粒子束描繪裝置，包括：平台，載置描繪對象的基板且能夠移動；放出部，放出帶電粒子束；成形孔徑構件，形成有多個開口部，藉由所述帶電粒子束穿過所述多個開口部而形成多束；遮蔽板，具有進行所述多束的各束的遮蔽偏轉的多個遮蔽器；生成部，針對與多重描繪的描繪路徑對應的每一層生成照射量資料，所述照射量資料對多個照射位置每一個的照射量予以規定，所述多個照射位置藉由將所述基板的描繪區域假想分割成網目狀而得到；修正部，對所述每一層的照射量資料中所規定的照射量進行修正處理；錯誤檢測部，算出各層的修正處理後的照射量資料中所規定的每一個照射位置的照射量的總和，將各層的所述總和進行比較，基於比較結果而判定在所述修正處理中是否產生錯誤；以及資料傳送部，在判定為未產生錯誤時，將修正處理後的照射量資料朝所述遮蔽板傳送。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的多帶電粒子束描繪裝置，其中所述修正處理包括基於描繪對象基板的電流分佈圖來修正照射量的處理，所述錯誤檢測部對修正處理後的照射量資料施加基於束電流分佈的電流分佈逆運算而求得修正前的照射量，利用層間進行比較來判定所求得的修正前的照射量的總和是否產生錯誤。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的多帶電粒子束描繪裝置，其中所述修正處理包括基於缺陷列表對照射量進行修正的處理，所述缺陷列表是將所述多束的缺陷束列表化而成，所述錯誤檢測部在將所述照射量的總和基於所述修正處理的照射量的修正量進行調整後，利用層間進行比較來判定將照射量的總和是否產生錯誤。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的多帶電粒子束描繪裝置，其中所述修正處理包含基於變形圖而修正照射量的處理，所述變形圖將所述多束的各束的位置偏移量予以規定，所述錯誤檢測部在基於所述變形圖的照射量的修正後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的多帶電粒子束描繪裝置，其中 所述修正處理包括自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料的處理，所述錯誤檢測部在所述照射量資料的抽取處理後，利用層間進行比較來判定照射量的總和是否產生錯誤。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的多帶電粒子束描繪裝置，其中所述修正處理包括：自各層的照射量資料以條帶區域單位抽取照射量資料的處理；基於變形圖而修正照射量的處理，所述變形圖將所述多束的各束的位置偏移量予以規定；基於缺陷列表而對照射量進行修正的處理，所述缺陷列表是將所述多束的缺陷束列表化而成；以及基於描繪對象基板的電流分佈圖而修正照射量的處理；所述錯誤檢測部在所述照射量資料的抽取處理後、基於所述變形圖的照射量的修正後、基於所述缺陷列表的照射量的修正後、以及基於所述電流分佈圖的照射量的修正後的各階段，進行判定是否產生所述錯誤的處理。
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