JP2001076991A

JP2001076991A - 荷電粒子線露光装置及びその制御方法。

Info

Publication number: JP2001076991A
Application number: JP24672899A
Authority: JP
Inventors: Takasumi Yui; 敬清由井; Masato Muraki; 真人村木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-08-31
Filing date: 1999-08-31
Publication date: 2001-03-23

Abstract

(57)【要約】【課題】露光動作を制御するための制御データの処理の
際に発生し得るエラーを検知し、そのエラーを完全に訂
正することにより、露光動作の停止を防止すると共に製
造されるデバイスの信頼性を向上させる。【解決手段】ＲＡＭ３１０から制御データ及びそれに付
随する冗長データを読み出して、エラーチェック部３２
０において制御データがエラーを有するか否かを冗長デ
ータに基づいてチェックし、エラーがある場合には、エ
ラー訂正部３３０においてそのエラーを冗長データに基
づいて完全に訂正しＦＩＦＯメモリ３４０に書き込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線露光装
置及びその制御方法に係り、特に、荷電粒子線によって
基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置及びその
制御方法、並びに、該制御方法によって制御された荷電
粒子線露光装置を利用するデバイスの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】荷電粒子線露光装置として、例えば電子
ビーム露光装置やイオンビーム露光装置等がある。荷電
粒子線露光装置は、例えば、半導体集積回路、半導体集
積回路を製造するためのマスク或いはレチクル、ＬＣＤ
等の表示装置等を形成するための基板（例えば、ウェ
ハ、ガラスプレート等）上に所望のパターンを描画する
ために使用される。

【０００３】荷電粒子線露光装置では、荷電粒子線の照
射を制御するブランカをオン・オフさせながら該荷電粒
子線により基板上を走査することにより、基板上のレジ
ストに所望のパターンを描画する。従って、荷電粒子線
露光装置では、膨大な露光制御データを高速に処理する
必要がある。

【０００４】そのため、荷電粒子線露光装置では、露光
制御データを処理する際にエラーが発生する可能性が比
較的高い。しかも、荷電粒子線露光装置では、エラーが
反映される対象が半導体回路等のデバイスであるため、
エラーの発生は歩留まりの低下やスループットの低下を
齎し、致命的であると言える。

【０００５】そこで、エラーの発生による上記の問題を
解決するために、エラーの発生を検知して、元のデータ
に近いデータによって、そのエラーに係るデータを置換
する方法がある（特開平６−３０９４２１号）。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記の従来例に係る方法では、元のデータと完全に一致す
るデータによって、エラーに係るデータを置換すること
ができない。従って、上記の従来例に係る方法では、製
造されるデバイスの信頼性が低いことは自明である。

【０００７】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、露光動作を制御するための制御デー
タの処理の際に発生し得るエラーを検知し、そのエラー
を完全に訂正することにより、露光動作の停止を防止す
ると共に製造されるデバイスの信頼性を向上させること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面に係
る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線によって基板にパ
ターンを描画する荷電粒子線露光装置であって、制御デ
ータを格納する格納部と、前記格納部から読み出された
制御データのエラーの有無をチェックするエラーチェッ
ク部と、前記エラーチェック部によってエラーが検知さ
れた場合に該エラーを完全に訂正するエラー訂正部と、
エラーが存在しない又はエラーが完全に訂正された制御
データに基づいて露光に関する動作を制御する制御部と
を備えることを特徴とする。

【０００９】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、エラーが存在しない又はエラー
が完全に訂正された制御データを取り込み、取り込んだ
順に該制御データを前記制御部に供給するバッファメモ
リを更に備えることが好ましい。

【００１０】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記格納部、前記エラーチェッ
ク部及び前記エラー訂正部を構成要素として構成される
制御データ供給部は、前記バッファメモリが前記制御部
に制御データを供給する頻度よりも高い頻度で前記バッ
ファメモリに対して制御データを供給する能力を有する
ことが好ましい。

【００１１】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記格納部、前記エラーチェッ
ク部及び前記エラー訂正部を構成要素として構成される
制御データ供給部は、前記エラーチェック部によってエ
ラーが検知されない状態においては、前記バッファメモ
リが前記制御部に制御データを供給する頻度よりも高い
頻度で前記バッファメモリに対して制御データを供給す
る能力を有することが好ましい。

【００１２】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記格納部には、制御データと
共に冗長データが予め格納され、前記エラーチェック部
及び前記エラー訂正部は、前記格納部から制御データと
共に読み出される冗長データに基づいて該制御データの
エラーの有無のチェック及びエラーの訂正を各々実行す
ることが好ましい。

【００１３】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、制御データ及びそれに付随する
冗長データを生成し、前記格納部に書き込むためのデー
タ生成部を更に備えることが好ましい。

【００１４】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記冗長データは、水平垂直パ
リティを含み、前記エラーチェック部及び前記エラー訂
正部は、水平垂直パリティ方式に従って各々エラーのチ
ェック及び訂正を実行することが好ましい。

【００１５】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記エラー訂正部は、前記エラ
ーチェック部によってエラーが検知された場合に該エラ
ーに係る制御データを前記格納部から再度読み出すこと
が好ましい。

【００１６】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記バッファメモリから前記制
御部に制御データを供給することができなくなった場合
に、所定のエラー処理を実行するエラー処理手段を更に
備えることが好ましい。

【００１７】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記エラー処理は、露光動作を
停止させる処理を含むことが好ましい。

【００１８】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、前記エラー処理は、エラーメッ
セージを出力する処理を含むことが好ましい。

【００１９】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、基板に対する荷電粒子線の照射
を制御する照射制御部を更に備え、前記制御データは、
前記照射制御部を制御するためのデータを含むことが好
ましい。

【００２０】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、例えば、基板に対する荷電粒子線の照射
を制御するブランカを更に備え、前記制御データは、前
記ブランカを制御するためのブランカ制御データを含む
ことが好ましい。

【００２１】本発明の第２の側面に係る荷電粒子線露光
装置の制御方法は、荷電粒子線によって基板にパターン
を描画する荷電粒子線露光装置の制御方法であって、格
納部から読み出された制御データのエラーの有無をチェ
ックするエラーチェック工程と、前記エラーチェック工
程でエラーが検知された場合に該エラーを完全に訂正す
るエラー訂正工程と、エラーが存在しない又はエラーが
完全に訂正された制御データに基づいて露光に関する動
作を制御する制御工程とを含むことを特徴とする。

【００２２】本発明の第３の側面に係るメモリ媒体は、
荷電粒子線によって基板にパターンを描画する荷電粒子
線露光装置の制御プログラムを格納したメモリ媒体であ
って、該制御プログラムは、格納部から読み出された制
御データのエラーの有無をチェックするエラーチェック
工程と、前記エラーチェック工程でエラーが検知された
場合に該エラーを完全に訂正するエラー訂正工程と、エ
ラーが存在しない又はエラーが完全に訂正された制御デ
ータに基づいて露光に関する動作を制御する制御工程と
を含むことが好ましい。

【００２３】本発明の第４の側面に係るデバイスの製造
方法は、請求項１５に記載の制御方法によって荷電粒子
線露光装置を制御しながら、基板にパターンを描画する
工程を含むことを特徴とする。

【００２４】本発明の第５の側面に係る荷電粒子線露光
装置は、荷電粒子線によって基板にパターンを描画する
荷電粒子線露光装置を工程の一部に利用するデバイスの
製造方法であって、前記荷電粒子線露光装置において、
格納部から読み出された制御データのエラーの有無をチ
ェックするエラーチェック工程と、前記エラーチェック
工程でエラーが検知された場合に該エラーを完全に訂正
するエラー訂正工程と、エラーが存在しない又はエラー
が完全に訂正された制御データに基づいて露光に関する
動作を制御しながら、基板にパターンを描画する描画工
程とを実行することを特徴とする。

【００２５】

【発明の実施の形態】この実施の形態では、荷電粒子線
露光装置の一例として、マルチ電子ビーム露光装置につ
いて説明する。ただし、本発明は、マルチ電子ビーム露
光装置のみならず、シングル電子ビーム露光装置に適用
することもできるし、イオンビーム露光装置等の他の荷
電粒子線を使用する露光装置に適用することもできる。

【００２６】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
電子ビーム露光装置の概略図である。図１において、１
は、カソード１ａ、グリッド１ｂ、アノード１ｃを含む
電子銃である。カソード１ａから放射された電子は、グ
リッド１ｂとアノード１ｃとの間に、電子源ＥＳとして
のクロスオーバ像を形成する。

【００２７】電子源ＥＳから放射される電子は、コンデ
ンサーレンズ２を介して要素電子光学系アレイ３に照射
される。このコンデンサーレンズ２は、例えば３枚の開
口電極で構成される。

【００２８】要素電子光学系アレイ３は、図２（Ｂ）に
示すように、電子銃１側から光軸ＡＸに沿って順に配置
されたアパーチャアレイＡＡ、ブランカアレイＢＡ、要
素電子光学系アレイユニットＬＡＵ、ストッパアレイＳ
Ａで構成される。なお、要素電子光学系アレイ３の詳細
については後述する。

【００２９】要素電子光学系アレイ３は、電子源ＥＳの
中間像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学
系４によってウェハ等の基板５上に縮小投影される。こ
れにより、基板５上には、同一の形状を有する複数の電
子源像が形成される。要素電子光学系アレイ３は、複数
の中間像が縮小電子光学系４を介して基板５上に縮小投
影される際に発生する収差を補正するように、該複数の
中間像を形成する。

【００３０】縮小電子光学系４は、第１投影レンズ４１
と第２投影レンズ４２とからなる対称磁気ダブレット及
び第１投影レンズ４３と第２投影レンズ４４とからなる
対称磁気ダブレットで構成される。第１投影レンズ４１
（４３）の焦点距離をｆ１、第２投影レンズ４２（４
４）の焦点距離をｆ２とすると、この２つのレンズ間の
距離はｆ１＋ｆ２である。

【００３１】光軸ＡＸ上の物点は、第１投影レンズ４１
（４３）の焦点位置にあり、その像点は第２投影レンズ
４２（４４）の焦点に結ぶ。この像は−ｆ２／ｆ１に縮
小される。また、この露光装置１００では、２つのレン
ズ磁界が互いに逆方向に作用する様に決定されているの
で、理論上は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ
収差、像面湾曲収差、軸上色収差の５つの収差を除い
て、他のザイデル収差および回転と倍率に関する色収差
が打ち消される。

【００３２】６は、要素電子光学系アレイ３からの複数
の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像を基板５上
でＸ、Ｙ方向に略同一の変位量だけ変位させる偏向器で
ある。偏向器６は、図示はされていないが、偏向幅が広
い場合に用いられる主偏向器と、偏向幅が狭い場合に用
いられる副偏向器で構成されている。主偏向器は電磁型
偏向器で、副偏向器は静電型偏向器である。

【００３３】７は、偏向器６を作動させた際に発生する
偏向収差による電子源像の焦点位置のずれを補正するダ
イナミックフォーカスコイルであり、８は、偏向により
発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックス
ティグコイルである。

【００３４】９は、基板５を載置し、光軸ＡＸ(Ｚ軸）
方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージ
であって、ステージ基準板１０が固設されている。

【００３５】１１は、θ-Ｚステージを載置し、光軸Ａ
Ｘ(Ｚ軸）と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステー
ジである。

【００３６】１２は、電子ビームによってステージ基準
板１０上のマークが照射された際に生じる反射電子を検
出する反射電子検出器である。

【００３７】次に、図２（Ａ）及び（Ｂ）を参照して要
素電子光学系アレイ３の構成について説明する。前述し
たように、要素電子光学系アレイ３は、アパーチャアレ
イＡＡ、ブランカアレイＢＡ、要素電子光学系アレイユ
ニットＬＡＵ、ストッパアレイＳＡで構成される。図２
（Ａ）は、電子銃１側から要素電子光学系アレイ３を見
た図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ’断面
図である。

【００３８】アパーチャアレイＡＡは、図２（Ａ）に示
すように、基板に複数の開口を設けた構造を有し、コン
デンサーレンズ２からの電子ビームを複数の電子ビーム
に分割する。

【００３９】ブランカアレイＢＡは、アパーチャアレイ
ＡＡで形成された各電子ビームを個別に偏向させる偏向
器を一枚の基板上に複数形成したものである。図３は、
ブランカアレイＢＡに形成された１つの偏向器を抜き出
して示した図である。ブランカアレイＢＡは、複数の開
口ＡＰが形成された基板３１と、開口ＡＰを挟んだ一対
の電極で構成され、偏向機能を有するブランカ３２と、
ブランカ３２を個別にオン・オフさせるための配線Ｗと
を有する。図４は、ブランカアレイＢＡを下方から見た
図である。

【００４０】要素電子光学系アレイユニットＬＡＵは、
同一平面内に複数の電子レンズが２次元的に配列して形
成された電子レンズアレイである第１電子光学系アレイ
ＬＡ１及び第２電子光学系アレイＬＡ２で構成される。

【００４１】図５は、第１電子光学系アレイＬＡ１を説
明する図である。第１電子レンズアレイＬＡ１は、各
々、複数の開口に対応するドーナツ状電極が複数配列さ
れた上部電極板ＵＥ、中間電極板ＣＥ及び下部電極板Ｌ
Ｅの３枚を有し、絶縁物を介在させて、これらの３枚の
電極板を積層した構造を有する。

【００４２】ＸＹ座標が互いに等しい上部、中間及び下
部電極板のドーナツ状電極は、一つの電子レンズ（いわ
ゆるユニポテンシャルレンズ）ＵＬを構成する。各電子
レンズＵＬの上部電極板のドーナツ状電極は、共通の配
線Ｗ１によりＬＡＵ制御回路１１２に接続され、各電子
レンズＵＬの下部電極板のドーナツ状電極は、共通の配
線Ｗ３によりＬＡＵ制御回路１１２に接続されている。
上部電極板のドーナツ状電極及び下部電極板のドーナツ
状電極の間には、電子ビームの加速電位が印加される。
各電子レンズの中間電極板のドーナツ状電極には、個別
の配線Ｗ２を介してＬＡＵ制御回路１１２から適切な電
位が供給される。これにより、各電子レンズの電子光学
的パワー（焦点距離）を所望の値に設定することができ
る。

【００４３】第２電子光学系アレイＬＡ２も、第１電子
光学系アレイＬＡ１と同様の構造及び機能を有する。

【００４４】図２（Ｂ）に示すように、要素電子光学系
アレイユニットＬＡＵでは、ＸＹ座標が互いに等しい第
１電子レンズアレイＬＡ１の電子レンズと第２電子レン
ズアレイＬＡ２の電子レンズとで一つの要素電子光学系
ＥＬが構成される。

【００４５】アパーチャアレイＡＡは、各要素電子光学
系ＥＬの略前側焦点位置に位置する。従って、各要素電
子光学系ＥＬは、その略後側焦点位置に、分割された各
電子ビームにより電子源ＥＳの中間像を形成する。ここ
で、中間像が縮小電子光学系４を介して基板５に縮小投
影される際に発生する像面湾曲収差を補正するように、
要素電子光学系ＥＬ毎に、中間電極板のドーナツ状電極
に印加する電位を調整することにより電子レンズの電子
光学的パワーを調整し、中間像形成位置が調整される。

【００４６】ストッパアレイＳＡは、アパーチャアレイ
ＡＡと同様に、基板に複数の開口が形成された構造を有
する。ブランカアレイＢＡで偏向された電子ビームは、
その電子ビームに対応したストッパアレイＳＡの開口の
外に照射され、基板によって遮られる。

【００４７】次に、図６を用いて要素電子光学系アレイ
３の機能について説明する。電子源ＥＳから放射される
電子はコンデンサーレンズ２を通過し、これにより略平
行な電子ビームが形成される。そして、略平行な電子ビ
ームは、複数の開口を有するアパーチャアレイＡＡによ
って、複数の電子ビームに分割される。分割された電子
ビームの各々は要素電子光学系ＥＬ１〜ＥＬ３に入射
し、各要素電子光学系の略前側焦点位置に電子源ＥＳの
中間像ｉｍｇ１〜ｉｍｇ３を形成する。そして、各中間
像は、縮小電子光学系４を介して被露光面である基板５
に投影される。

【００４８】ここで、複数の中間像が被露光面に投影さ
れる際に発生する像面歪曲収差（縮小電子光学系４の光
軸方向における、基板上５の実際の結像位置と理想結像
位置とのずれ）を補正するために、前述のように、複数
の要素電子光学系の光学特性を個別に設定し、光軸方向
の中間像形成位置を要素電子光学系毎に異ならせてい
る。

【００４９】また、ブランカアレイＢＡのブランカＢ１
〜Ｂ３と、ストッパアレイＳＡのストッパＳ１〜Ｓ３と
によって、各電子ビームを基板５上に照射させるか否か
が個別に制御される。なお、図６では、ブランカＢ３が
オンしているため、中間像ｉｍｇ３を形成すべき電子ビ
ームは、ストッパアレイＳＡの開口Ｓ３を通過せず、ス
トッパアレイＳＡの基板により遮断される。

【００５０】図７は、図１に示す電子ビーム露光装置１
００の制御系の構成を示す図である。ＢＡ制御回路１１
１は、ブランカアレイＢＡの各ブランカのオン・オフを
個別に制御する制御回路、ＬＡＵ制御回路１１２は、レ
ンズアレイユニットＬＡＵを構成する電子レンズＥＬの
焦点距離を制御する制御回路、Ｄ＿ＳＴＩＧ制御回路１
１３は、ダイナミックスティグコイル８を制御して縮小
電子光学系４の非点収差を補正するための制御回路、
Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路１１４は、ダイナミックフォー
カスコイル７を制御して縮小電子光学系４のフォーカス
を調整するための制御回路、偏向制御回路１１５は、偏
向器６を制御する制御回路、光学特性制御回路１１６
は、縮小電子光学系４の光学特性（倍率、歪曲）を調整
する制御回路である。反射電子検出回路１１７は、反射
電子検出器１２からの信号より反射電子量を演算する回
路である。

【００５１】ステージ駆動制御回路１１８は、θ−Ｚス
テージ９を駆動制御すると共に、ＸＹステージ１１の位
置を検出するレーザ干渉計ＬＩＭと共同してＸＹステー
ジ１１を駆動制御する制御回路である。

【００５２】副制御部１２０は、メモリ１２１に格納さ
れた露光制御データをインターフェース１２２を介して
読み出して、これに基づいて制御回路（制御要素）１１
１〜１１６及び１１８を制御する共に、反射電子検出回
路１１７を制御する。主制御部１２３は、この電子ビー
ム露光装置１００の全体を統括的に制御する。

【００５３】出力部１２４は、例えば、モニタ（表示装
置）及び／又はスピーカ等で構成され、例えばエラーメ
ッセージ等をオペレータに提供する。

【００５４】次に、図７を参照しながら図１に示す電子
ビーム露光装置１００の概略的な動作を説明する。

【００５５】副制御部１２０は、メモリ１２１から露光
制御データを読み出して、該露光制御データから偏向器
６を制御するための制御データとして偏向制御データ
（主偏向器基準位置、副偏向器基準位置、主偏向ステー
ジ追従データ、偏向制御データ）を抽出して、必要に応
じてこれを展開して偏向制御回路１１５に提供すると共
に、該露光制御データからブランカアレイＢＡの各ブラ
ンカを制御するための制御データとしてブランカ制御デ
ータ（例えば、ドット制御データ又はドーズ制御デー
タ）を抽出して、必要に応じてこれを展開してＢＡ制御
回路１１１に提供する。

【００５６】偏向制御回路１１５は、偏向制御データに
基づいて偏向器６を制御し、これにより複数の電子ビー
ムを偏向させ、これと同時に、ＢＡ制御回路１１１は、
ブランカアレイＢＡの各ブランカを制御し、これにより
基板５に描画すべきパターンに応じてブランカをオン・
オフさせる。また、基板５にパターンを描画するために
複数の電子ビームにより基板５を走査する際、ＸＹステ
ージ１１はｙ方向に連続的に駆動され、このＸＹステー
ジ１１の移動に追従するように、複数の電子ビームが偏
向器６によって偏向される。

【００５７】各電子ビームは、図８に示すように、基板
５上の対応する要素露光領域（ＥＦ）を走査露光する。
この電子ビーム露光装置は、各電子ビームによる要素露
光領域（ＥＦ）が２次元に隣接するように設計されてお
り、複数の要素露光領域（ＥＦ）で構成されるサブフィ
ールド（ＳＦ）が１度に露光される。なお、図８に示す
例では、１つの要素露光領域（ＥＦ）は、８×８要素の
マトリックで構成される。このマトリックの各要素は、
偏向器６により偏向された電子ビームが基板５に照射さ
れる領域（位置）を示している。換言すると、８×８要
素のマトリックスからなる１つの要素露光領域（ＥＦ）
は、１つの電子ビームにより図８中の矢印に示す順に走
査される。

【００５８】副制御部１２０は、１つのサブフィールド
（ＳＦ１）が露光された後、次のサブフィールド（ＳＦ
２）が露光されるように、偏向制御回路１１５に命じ
て、偏向器６によって、走査露光時のＸＹステージ１１
の走査方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）に複数
の電子ビームを偏向させる。

【００５９】このようなサブフィールドの切り換えに伴
って、各電子ビームが縮小電子光学系４を介して縮小投
影される際の収差も変化する。そこで、副制御部１２０
は、ＬＡＵ制御回路１１２、Ｄ＿ＳＴＩＧ制御回路１
１３及びＤ＿ＦＯＣＵＳ制御回路１１４に命じて、変化
した収差を補正するように、レンズアレイユニットＬＡ
Ｕ、ダイナミックスティグコイル８及びダイナミックフ
ォーカスコイル７を調整する。

【００６０】サブフィールドの切り換え後、再度、複数
の電子ビームにより各々対応する要素露光領域（ＥＦ）
の露光を実行することにより、２つ目のサブフィールド
（ＳＦ２）が露光される。この様にして、図８に示すよ
うに、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ６の露光を順次実行
することにより、走査露光時のＸＹステージ１１の走査
方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）に並ぶサブフ
ィールドＳＦ１〜ＳＦ６で構成されるメインフィールド
（ＭＦ）の露光が完了する。

【００６１】このようにして図８に示す１つ目のメイン
フィールド（ＭＦ１）の露光が完了した後、副制御部１
２０は、偏向制御回路１１５に命じて、順次、ＸＹステ
ージ１１の走査方向（ｙ方向）に並ぶメインフィールド
（ＭＦ２、ＭＦ３、ＭＦ３、ＭＦ４・・・）に複数の電子
ビームを偏向させてると共に露光を実行する。これによ
り、図８に示すように、メインフィールド（ＭＦ２、Ｍ
Ｆ３、ＭＦ３、ＭＦ４・・・）で構成されるストライプ領
域（ＳＴＲＩＰＥ１）の露光が実行される。

【００６２】次いで、副制御部１２０は、ステージ駆動
制御回路１１８に命じてＸＹステージ１１をｘ方向にス
テップ移動させ、次のストライプ領域（ＳＴＲＩＰＥ
２）の実行する。

【００６３】この実施の形態では、電子ビームによるパ
ターンの描画を制御する制御要素（例えば、ブランカア
レイＢＡ、偏向器６、ＸＹステージ１１等）に供給する
制御データを処理する各データ処理部（例えば、ＢＡ制
御回路１１１、偏向制御回路１１５、ステージ駆動制御
回路１１８、副制御部１２０、主制御部１２３等）にお
いて、制御データ（例えば、ブランカを制御するブラン
カ制御データ、偏向器を偏向制御データ、ステージを制
御するステージ制御データ等）にエラーが発生した場合
に、そのエラーを検知し完全に訂正することにより、エ
ラーの発生による露光動作の停止を防止すると共に製造
され得るデバイスの信頼性を向上させる。

【００６４】以下、この実施の形態をブランカアレイ
（ＢＡ）制御回路１１１に適用した例を挙げるが、この
実施の形態は他のデータ処理部に適用することができ
る。

【００６５】［第１の適用例］図９は、この実施の形態
の適用例に係るＢＡ制御回路１１１の構成を示す図であ
る。各ＢＡ制御回路１１１は、ブランカアレイＢＡに設
けられた複数のブランカ３２を各々制御する複数のブラ
ンカ制御回路２００と、複数のブランカ制御回路２００
のいずれかにおいてエラーが発生した場合に、その旨を
検知して図７に示す副制御部１２０に通知するエラー検
知部２５０とを備える。

【００６６】各ブランカ制御回路２００には、副制御部
１２０から、該当するブランカ３２を制御するためのブ
ランカ制御データが供給される。ブランカ制御データ
は、例えば、ブランカ３２のオン・オフのみを制御する
ドットデータ、又は、ドーズ量（照射時間）を制御する
ためのドーズ量制御データである。

【００６７】各ブランカ制御データは、例えば、副制御
部１２０のデータ生成部１２０ａにおいて、メモリ１２
１に格納された露光制御データを展開することにより生
成されて、該当するブランカ制御回路２００に供給され
る。

【００６８】図１０は、各ブランカ制御回路２００の構
成例を示す図である。各ブランカ制御回路２００は、Ｒ
ＡＭ（例えば、ＳＲＡＭ又はＤＲＡＭ）３１０と、エラ
ーチェック部３２０と、エラー訂正部３３０と、ＦＩＦ
Ｏメモリ（バッファメモリ）３４０と、テンポラリレジ
スタ３５０と、シフトレジスタ３６０と、ドライバ３７
０と、データコントローラ３８０とを有する。

【００６９】図１１は、図１０に示すブランカ制御回路
２００の動作の一例を示すタイミングチャートである。
図１０及び図１１を参照しながらブランカ制御回路２０
０の動作を説明する。

【００７０】ＲＡＭ３１０は、副制御部１２０のデータ
生成部１２０ａから供給されるブランカ制御データ及び
冗長データを格納する。冗長データは、ブランカ制御デ
ータのエラーを検知するため、及び、エラーが存在する
場合にそのエラーを完全に訂正するために使用される。
冗長データは、例えば、副制御部１２０のデータ生成部
１２０ａにおいてブランカ制御データに付加されてもよ
いし、メモリ１２１内に格納されている露光制御データ
中に予め含められていてもよいし、ブランカ制御回路２
００内でブランカ制御データに付加されてもよい。な
お、ＲＡＭ３１０は、データコントローラ３８０から供
給される制御信号（ＲＡＭｃｏｎｔｒｏｌ）に従って制
御される。

【００７１】エラーチェック部３２０は、データコント
ローラ３８０から供給される制御信号（ロード命令信号
ＥＣｌｏａｄ）に従って、ＲＡＭ３１０からブランカ制
御データ及びそれに付随する冗長データをロードし、該
冗長データに基づいて該ブランカ制御データがエラーを
有するか否かをチェックし、エラーを検知した場合はＥ
ｒｒｏｒＤｅｔをアクティブ（Ｈ）にする。

【００７２】エラー訂正部３３０は、データコントロー
ラ３８０から供給される制御信号（エラー訂正命令信号
Ｃｏｒｒｅｃｔ）に従って、エラーに係るブランカ制御
データを冗長データに基づいて完全に訂正する。エラー
訂正の方法としては、例えば、エラー検出訂正（Ｅｒｒ
ｏｒＣｈｅｃｋａｎｄＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）の
ための水平垂直パリティ方式が好適である。この場合、
冗長データは、水平垂直パリティで構成される。

【００７３】また、エラー訂正部３３０は、データコン
トローラ３８０から供給される制御信号（訂正データ出
力命令信号ＣＤｏｕｔ）に従って、訂正されたブランカ
制御データを出力する。なお、この実施の形態では、エ
ラー訂正部３３０は、エラー訂正命令信号Ｃｏｒｒｅｃ
ｔが入力されない場合には、エラーチェック部３２０を
介してＲＡＭ３１０から供給されるブランカ制御データ
をそのまま出力する。

【００７４】ＦＩＦＯメモリ３４０は、データコントロ
ーラ３８０から供給される制御信号（書き込み命令信号
ＦＩＦＯｗｒｉｔｅ）に従って、エラー訂正部３３０か
ら供給されるブランカ制御データを書き込む。また、Ｆ
ＩＦＯメモリ３４０は、データコントローラ３８０から
供給される制御信号（読み出し命令信号ＦＩＦＯｒｅａ
ｄ）に従って、最先に書き込まれたブランカ制御データ
を出力する。

【００７５】テンポラリレジスタ３５０は、データコン
トローラ３８０から供給される制御信号（ロード命令信
号Ｔｍｐｌｏａｄ）に従って、ＦＩＦＯメモリ３４０か
ら供給されるブランカ制御データをロードし出力する。

【００７６】シフトレジスタ３６０は、データコントロ
ーラ３８０から供給される制御信号（ストア命令信号Ｓ
Ｒｓｔｏｒｅ）に従って、テンポラリレジスタ３５０か
ら供給されるブランカ制御データを取り込んで、データ
コントローラ３８０から供給されるシフトクロック（Ｓ
ｈｉｆｔＣｌｏｃｋ）に従って、該ブランカ制御データ
をパラレルデータからシリアルデータに変換して出力す
る。

【００７７】ドライバ３７０は、シフトレジスタ３６０
から連続的に出力されるブランカ制御データを増幅し
て、該当するブランカ３２に供給する。

【００７８】データコントローラ３８０は、上記の各デ
バイスを制御するための上記の信号を生成する他、露光
動作の続行を不能にするエラーの発生を検知して、その
旨を示すエラー検知信号Ｅｒｒｏｒをエラー検出部２５
０に供給する。このエラーは、例えば、ＦＩＦＯメモリ
３４０がＥｍｐｔｙ状態になった時、即ち、ＦＩＦＯメ
モリ３４０中に、テンポラリレジスタ３５０に供給すべ
きブランカ制御データが存在しなくなった状態が含まれ
る。このような状態は、ＦＩＦＯメモリ３４０から出力
されるＥｍｐｔｙ信号によって認識することができる。

【００７９】図１２は、ＦＩＦＯメモリ３４０に対する
ブランカ制御データの入力処理（書き込み処理）を示す
フローチャートである。この処理は、データコントロー
ラ３８０によって制御される。

【００８０】ステップＳ３１１では、ＲＡＭ３１０から
所定のビット数（例えば、１６ビット）、即ち単位当た
りのブランカ制御データ及びそれに付随する冗長データ
を読み出す。ステップＳ３１２では、ＦＩＦＯメモリ３
４０から供給されるＦｕｌｌ信号の状態に基づいて、Ｆ
ＩＦＯメモリ３４０がＦｕｌｌ状態であるか否かを判定
し、Ｆｕｌｌ状態でなければステップＳ３１３に進み、
Ｆｕｌｌ状態（Ｆｕｌｌ＝Ｈ）であれば、読み出し（図
１３のステップＳ３２２及び３２３）の実行によりＦｕ
ｌｌ状態でなくなるのを待つ。

【００８１】なお、この実施の形態では、図１１に示す
ように、ＦＩＦＯｒｅａｄ信号は、Ｔｍｐｌｏａｄ信号
がインアクティブになる時、即ち、ＦＩＦＯメモリ３４
０から出力されたブランカ制御データがテンポラリレジ
スタ３５０に取り込まれた後にインアクティブになり、
これに応答してＦｕｌｌ信号がインアクティブになるも
のとする。

【００８２】ステップＳ３１３では、ＲＡＭ３１０から
出力されているブランカ制御データ及びそれに付随する
冗長データををエラーチェック部３２０にロードし（Ｅ
Ｃｌｏａｄ＝Ｈ）する。これにより、エラーチェック部
３２０は、冗長データに基づいて、ブランカ制御データ
にエラーが存在するか否かをチェックし、エラーが存在
する場合には、エラー検知信号ＥｒｒｏｒＤｅｔをアク
ティブ（Ｈ）にする。

【００８３】ステップＳ３１４では、エラー検知信号Ｅ
ｒｒｏｒＤｅｔの状態に基づいて、ブランカ制御データ
にエラーが存在するか否かを判定し、エラーが存在する
場合にはステップＳ３１５に進み、エラーが存在しない
場合にはステップＳ３１７に進む。

【００８４】ステップＳ３１５では、エラー訂正部３３
０にエラー訂正処理を実行させ（Ｃｏｒｒｅｃｔ＝
Ｈ）、ステップＳ３１６では、エラー訂正部３３０に、
訂正されたブランカ制御データを出力させる（ＣＤｏｕ
ｔ＝Ｈ）。なお、エラーが存在しない場合は、前述のよ
うに、エラー訂正部３３０は、エラーチェック部３２０
を介してＲＡＭ３１０から供給されるブランカ制御デー
タをそのまま出力する。

【００８５】ステップＳ３１７では、エラー訂正部３３
０から出力されているブランカ制御データをＦＩＦＯメ
モリ３４０に書き込む（ＦＩＦＯｗｒｉｔｅ＝Ｈ）。そ
の後、処理はステップＳ３１１に戻る。

【００８６】なお、ステップＳ３１５において、エラー
を訂正することができない場合には、例えば、エラー検
知信号Ｅｒｒｏｒにより、エラー検知部２５０（副制御
部１２０）にその旨を通知してもよい。

【００８７】図１３は、ＦＩＦＯメモリ３４０からのブ
ランカ制御データの出力処理（読み出し処理）を示すフ
ローチャートである。この処理は、データコントローラ
３８０によって制御される。

【００８８】ステップＳ３２１では、ＦＩＦＯメモリ３
４０から供給されるＥｍｐｔｙ信号に基づいて、ＦＩＦ
Ｏメモリ３４０がＥｍｐｔｙ状態であるか否かを判定す
る。ここで、ＦＩＦＯメモリ３４０がＥｍｐｔｙ状態で
あることは、ＦＩＦＯメモリ３４０に対する書き込み処
理が遅れたことを意味する。ＦＩＦＯメモリ３４０がＥ
ｍｐｔｙ状態になると、次にテンポラリレジスタ３５０
（更には、シフトレジスタ３６０、ドライバ３７０、ブ
ランカ３２）に供給すべきブランカ制御データが存在し
ないため、パターンの正常な描画を続行することができ
なくなる。

【００８９】ここで、厳密には、ＦＩＦＯメモリ３４０
がＥｍｐｔｙ状態に陥っても必ずしもパターンの正常な
描画の続行が不能にはならない。即ち、この実施の形態
では、テンポラリレジスタ３５０及びシフトレジスタ３
６０が存在するために、シフトレジスタ３６０のシフト
動作が終了するまでに、ＦＩＦＯメモリ３４０にブラン
カ制御データが書き込まれ、かつ、そのブランカ制御デ
ータがテンポラリレジスタ３５０に適切なタイミングで
ロードされればパターンの正常な描画を続行することが
できる。

【００９０】しかしながら、この実施の形態では、ＦＩ
ＦＯメモリ３４０がＥｍｐｔｙ状態になった時点で、パ
ターンの正常な描画の続行が不能な状態、即ち、エラー
状態に陥ったものと看做して、ステップＳ３２７に進
む。一方、ステップＳ３２１において、ＦＩＦＯメモリ
３４０がＥｍｐｔｙ状態でないと判断した場合には、処
理が正常に進行しているものと判断して、ステップＳ３
２２に進む。

【００９１】ＦＩＦＯメモリ３４０のＥｍｐｔｙ状態を
引き起こす書き込み処理の遅れは、例えば、ＲＡＭ３１
０から読み出したブランカ制御データにエラーが存在す
る場合に生じ得る。即ち、ＲＡＭ３１０から読み出した
ブランカ制御データにエラーが存在する場合は、該エラ
ーをエラー訂正部３３０によって訂正する必要があり、
その訂正に関連する処理のために相応の時間（以下、エ
ラー回復時間）を要する。

【００９２】エラー回復時間ｔｒは、エラーが存在しな
い場合にＲＡＭ３１０から読み出したブランカ制御デー
タをＦＩＦＯメモリ３３０に書き込むために要する時間
をｔ１、エラーが存在する場合にＲＡＭ３１０から読み
出したブランカ制御データを訂正してＦＩＦＯメモリ３
４０に書き込むために要する時間をｔ２とすると、ｔ１
−ｔ２で表される。

【００９３】ＦＩＦＯメモリ３４０がＥｍｐｔｙ状態に
ならないようにＦＩＦＯメモリ３４０に対して書き込み
を行う際に、許容されるブランカ制御データのエラー訂
正の回数は、エラー回復時間ｔｒやＦＩＦＯメモリ３４
０の段数等に依存する。

【００９４】ここで、ＲＡＭ３１０、エラーチェック部
３２０及びエラー訂正部３３０を構成要素として構成さ
れる制御データ供給部は、少なくともエラー訂正動作を
実行しない期間においては、ＦＩＦＯメモリ３４０から
テンポラリレジスタ３５０にブランカ制御データを出力
する頻度よりも高い頻度でＦＩＦＯメモリ３４０にブラ
ンカ制御データを供給する能力を有する必要がある。し
かしながら、ＦＩＦＯメモリ３４０がＥｍｐｔｙ状態に
なることをより効果的に防止するためには、該制御デー
タ供給部は、エラー訂正動作を実行するか否かに拘ら
ず、ＦＩＦＯメモリ３４０からテンポラリレジスタ３５
０にブランカ制御データを出力する頻度よりも高い頻度
でＦＩＦＯメモリ３４０にブランカ制御データを供給す
る能力を有することが好ましい。

【００９５】ステップＳ３２７では、データコントロー
ラ３８０は、Ｅｒｒｏｒ信号をアクティブ（Ｈ）にし
て、エラーが発生した旨をエラー検知部２５０に通知す
る。

【００９６】ステップＳ３２２では、ＦＩＦＯメモリ３
４０からブランカ制御データを読み出して（ＦＩＦＯｒ
ｅａｄ＝Ｈ）、ステップＳ３２３では、テンポラリレジ
スタ３５０にロードする（Ｔｍｐｌｏａｄ＝Ｈ）。そし
て、ステップＳ３２４では、テンポラリレジスタ３５０
からシフトレジスタ３６０にそのブランカ制御データを
ストアする（ＳＲｓｔｏｒｅ＝Ｈ）。

【００９７】ステップＳ３２５では、シフトレジスタ３
６０に対するシフトクロック（ＳｈｉｆｔＣｌｏｃｋ）
の供給を開始する。これにより、シフトレジスタ３６０
にストアされたパラレルデータとしてのブランカ制御デ
ータがシリアルデータに変換されてドライバ３７０を介
してブランカ３２に供給される。その後、処理は、ステ
ップＳ３２１に戻る。

【００９８】図１４は、副制御部１２０におけるエラー
処理の手順を示すフローチャートである。ステップＳ３
３１では、副制御部１２０は、ＢＡ制御回路１１１のエ
ラー検知部２５０から供給されるエラー検知信号ＢＡｅ
ｒｒｏｒの状態に基づいて、ＢＡ制御回路１１１におい
て露光動作の続行が不能なエラーが発生したか否かを判
定し、エラーが発生したと判定した場合（ＢＡｅｒｒｏ
ｒ＝Ｈ）は、ステップＳ３３２に進む。

【００９９】ステップＳ３３２では、副制御部１２０
は、電子ビーム露光装置１００における露光動作を停止
するための停止処理を実行し、ステップＳ３３３では、
出力部（例えば、モニタ、スピーカ）１２０を利用して
エラーメッセージを出力する。オペレータは、このエラ
ーメッセージによりエラーの発生を認識することができ
る。

【０１００】［第２の適用例］一般に、メモリデバイス
は、ノイズの影響を受け易いため、正しいデータが書き
込まれたにも拘らず、誤ったデータ（エラーを含んだデ
ータ）を出力することがある。このようなエラーは、メ
モリセル内のデータが破壊（反転）されることに起因す
る場合と、読み出し用の回路（例えば、センスアンプ）
の誤動作に起因する場合とがある。前者の場合は、同一
アドレスの読み出しを再度行っても誤ったデータしか読
み出されないが、後者の場合は、同一アドレスの読み出
しを再度行うことにより、正常なデータを得ることがで
きる可能性が高い。換言すると、後者の場合、同一のア
ドレスの読み出しを２回以上実行した場合に、その２回
以上の読み出しに係る全てのデータが誤りである可能性
は低い。

【０１０１】この適用例は、以上の知見に基づくもので
あり、メモリから読み出した制御データにエラーが存在
する場合に、再度、同一のアドレスの読み出しを実行す
ることにより、正常な制御データを得る。

【０１０２】この適用例は、図９に示すＢＡ制御回路１
１１を構成するブランカ制御回路２００の他の構成例を
提供する。

【０１０３】図１５は、第２の適用例に係るブランカ制
御回路２００の構成例を示す図である。この適用例に係
る各ブランカ制御回路２００は、ＲＡＭ（例えば、ＳＲ
ＡＭ又はＤＲＡＭ）４１０と、エラーチェック部４２０
と、ＦＩＦＯメモリ（バッファメモリ）４４０と、テン
ポラリレジスタ４５０と、シフトレジスタ４６０と、ド
ライバ４７０と、データコントローラ４８０とを有す
る。

【０１０４】ＲＡＭ４１０は、副制御部１２０のデータ
生成部１２０ａから供給されるブランカ制御データ及び
冗長データを格納する。冗長データは、ブランカ制御デ
ータのエラーを検知するため、及び、エラーが存在する
場合にそのエラーを完全に訂正するために使用される。
冗長データは、例えば、副制御部１２０のデータ生成部
１２０ａにおいてブランカ制御データに付加されてもよ
いし、メモリ１２１内に格納されている露光制御データ
中に予め含められていてもよいし、ブランカ制御回路２
００内でブランカ制御データに付加されてもよい。な
お、ＲＡＭ４１０は、データコントローラ４８０から供
給される制御信号（ＲＡＭｃｏｎｔｒｏｌ）に従って制
御される。

【０１０５】エラーチェック部４２０は、データコント
ローラ４８０から供給される制御信号（ロード命令信号
ＥＣｌｏａｄ）に従って、ＲＡＭ４１０からブランカ制
御データ及びそれに付随する冗長データをロードし、該
冗長データに基づいて該ブランカ制御データがエラーを
有するか否かをチェックする。

【０１０６】ブランカ制御データがエラーを有すると判
断された場合（ＥｒｒｏｒＤｅｔ＝Ｈ）は、再度、ＲＡ
Ｍ４１０から同一アドレスのブランカ制御データ及び冗
長データを読み出して、エラーチェック部４２０によ
り、上記と同様に、その再読み出しに係るブランカ制御
データがエラーを有するか否かをチェックする。

【０１０７】なお、同一アドレスから２回目に読み出し
たブランカ制御データもエラーを有する場合は、同一ア
ドレスからのブランカ制御データの読み出し及びエラー
のチェックを更に１回以上（全部で３回以上）行っても
よい。ただし、ＲＡＭ４１０の読み出し用の回路（例え
ば、センスアンプ等）の偶発的な誤動作によってブラン
カ制御データにエラーが生じている場合は、同一のアド
レスから２回読み出したブランカ制御データの双方がエ
ラーを有する可能性は極めて低いため、この適用例で
は、再読み出しを１度だけ実行する。

【０１０８】この再読み出しにより、ＲＡＭ４１０から
のブランカ制御データの読み出しの際に発生し得るエラ
ーの殆どを訂正することができる。この再読み出しは、
エラーの訂正処理の一例として捉えることができる。

【０１０９】ＦＩＦＯメモリ４４０は、データコントロ
ーラ４８０から供給される制御信号（書き込み命令信号
ＦＩＦＯｗｒｉｔｅ）に従って、エラーチェック部４２
０を介してＲＡＭ４１０から供給されるブランカ制御デ
ータを書き込む。また、ＦＩＦＯメモリ４４０は、デー
タコントローラ４８０から供給される制御信号（読み出
し命令信号ＦＩＦＯｒｅａｄ）に従って、最先に書き込
まれたブランカ制御データを出力する。

【０１１０】テンポラリレジスタ４５０は、データコン
トローラ４８０から供給される制御信号（ロード命令信
号Ｔｍｐｌｏａｄ）に従って、ＦＩＦＯメモリ４４０か
ら供給されるブランカ制御データをロードし出力する。

【０１１１】シフトレジスタ４６０は、データコントロ
ーラ４８０から供給される制御信号（ストア命令信号Ｓ
Ｒｓｔｏｒｅ）に従って、テンポラリレジスタ４５０か
ら供給されるブランカ制御データを取り込んで、データ
コントローラ４８０から供給されるシフトクロック（Ｓ
ｈｉｆｔＣｌｏｃｋ）に従って、該ブランカ制御データ
をパラレルデータからシリアルデータに変換して出力す
る。

【０１１２】ドライバ４７０は、シフトレジスタ４６０
から連続的に出力されるブランカ制御データを増幅し
て、該当するブランカ３２に供給する。

【０１１３】データコントローラ４８０は、上記の各デ
バイスを制御するための上記の信号を生成する他、露光
動作の続行を不能にするエラーの発生を検知してエラー
検知信号Ｅｒｒｏｒをエラー検出部２５０に供給する。
このエラーは、例えば、ＦＩＦＯメモリ４４０がＥｍｐ
ｔｙ状態になった時、即ち、ＦＩＦＯメモリ４４０中
に、テンポラリレジスタ４５０に供給すべきブランカ制
御データが存在しなくなった状態が含まれる。このよう
な状態は、ＦＩＦＯメモリ４４０から出力されるＥｍｐ
ｔｙ信号によって認識することができる。

【０１１４】図１６は、ＦＩＦＯメモリ４４０に対する
ブランカ制御データの入力処理（書き込み処理）を示す
フローチャートである。この処理は、データコントロー
ラ４８０によって制御される。

【０１１５】ステップＳ４１１では、ＲＡＭ４１０から
所定のビット数（例えば、１６ビット）、即ち単位当た
りのブランカ制御データ及びそれに付随する冗長データ
を読み出す。ステップＳ４１２では、ＦＩＦＯメモリ４
４０から供給されるＦｕｌｌ信号の状態に基づいて、Ｆ
ＩＦＯメモリ４４０がＦｕｌｌ状態であるか否かを判定
し、Ｆｕｌｌ状態でなければステップＳ４１３に進み、
Ｆｕｌｌ状態（Ｆｕｌｌ＝Ｈ）であれば、読み出し（こ
の適用例において援用される図１３のステップＳ３２２
及び３２３）の実行によりＦｕｌｌ状態でなくなるのを
待つ。

【０１１６】なお、この適用例では、第１の適用例と同
様に、ＦＩＦＯｒｅａｄ信号は、Ｔｍｐｌｏａｄ信号が
インアクティブになる時、即ち、ＦＩＦＯメモリ４４０
から出力されたブランカ制御データがテンポラリレジス
タ４５０に取り込まれた後にインアクティブになり、こ
れに応答してＦｕｌｌ信号がインアクティブになるもの
とする。

【０１１７】ステップＳ４１３では、ＲＡＭ４１０から
出力されているブランカ制御データ及びそれに付随する
冗長データををエラーチェック部４２０にロードし（Ｅ
Ｃｌｏａｄ＝Ｈ）する。これにより、エラーチェック部
４２０は、冗長データに基づいて、ブランカ制御データ
にエラーが存在するか否かをチェックし、エラーが存在
する場合には、エラー検知信号ＥｒｒｏｒＤｅｔをアク
ティブ（Ｈ）にする。

【０１１８】ステップＳ４１４では、エラー検知信号Ｅ
ｒｒｏｒＤｅｔの状態に基づいて、ブランカ制御データ
にエラーが存在するか否かを判定し、エラーが存在する
場合にはステップＳ４１５に進み、エラーが存在しない
場合にはステップＳ４１９に進む。

【０１１９】ステップＳ４１５では、ＲＡＭ４１０か
ら、ステップＳ４１１において実行した読み出しに係る
アドレスと同一のアドレスのブランカ制御データ及びそ
れに付随する冗長データを再度読み出す。

【０１２０】ステップＳ４１６では、ＲＡＭ４１０から
出力されているブランカ制御データ及びそれに付随する
冗長データををエラーチェック部４２０にロードし（Ｅ
Ｃｌｏａｄ＝Ｈ）する。これにより、エラーチェック部
４２０は、冗長データに基づいて、ブランカ制御データ
にエラーが存在するか否かをチェックし、エラーが存在
する場合には、エラー検知信号ＥｒｒｏｒＤｅｔをアク
ティブ（Ｈ）にする。

【０１２１】ステップＳ４１４では、エラー検知信号Ｅ
ｒｒｏｒＤｅｔの状態に基づいて、ブランカ制御データ
にエラーが存在するか否かを判定し、エラーが存在する
場合にはステップＳ４１８に進み、エラーが存在しない
場合にはステップＳ４１９に進む。ここで、エラーが存
在しないことは、再度の読み出しによりエラーが訂正さ
れたことを意味する。

【０１２２】ステップＳ４１８では、エラー検知信号Ｅ
ｒｒｏｒをアクティブ（Ｈ）にして、エラーを訂正する
ことができない旨をエラー検知部２５０（副制御部１２
０）にその旨を通知する。

【０１２３】ステップＳ４１９では、エラーチェック部
４２０を介してＲＡＭ４１０から供給されているブラン
カ制御データをＦＩＦＯメモリ４４０に書き込む。その
後、処理はステップＳ４１１に戻る。

【０１２４】ＦＩＦＯメモリ４４０からのブランカ制御
データの出力処理（読み出し処理）は、第１の適用例と
して既に説明した図１３に示す通りである。

【０１２５】［デバイスの製造方法］次に、上記の各実
施の形態に係る電子ビーム露光装置１００を利用したデ
バイスの生産方法の実施例を説明する。

【０１２６】図１７は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す図であ
る。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行なう。ステップ２（露光制御データ作成）では
設計した回路パターンに基づいて情報処理装置２００に
おいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ス
テップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、ステップ２で作成された露光制御データ
が入力された電子ビーム露光装置１００を利用して、リ
ソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【０１２７】図１８は、図１７に示すウエハプロセスの
詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）で
はウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電
極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打
ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感
光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では電子ビーム
露光装置１００によって回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【０１２８】

【発明の効果】本発明によれば、例えば、露光動作を制
御するための制御データの処理の際に発生し得るエラー
を検知し、そのエラーを完全に訂正することにより、露
光動作の停止を防止すると共に製造されるデバイスの信
頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施の形態に係る電子ビーム露
光装置の概略図である。

【図２】要素電子光学系アレイの詳細な構成を示す図で
ある。

【図３】ブランカアレイに形成された１つの偏向器を抜
き出して示した図である。

【図４】ブランカアレイを下方から見た図である。

【図５】第１及び第２電子光学系アレイを説明する図で
ある。

【図６】要素電子光学系アレイの機能を説明する図であ
る。

【図７】図１に示す電子ビーム露光装置の制御系の構成
を示す図である。

【図８】図１に示す電子ビーム露光装置による露光の原
理を説明する図である。

【図９】図７に示すブランカアレイ制御回路の構成例を
示す図である。

【図１０】第１の適用例に係るブランカ制御回路の構成
例を示す図である。

【図１１】図１０に示すブランカ制御回路の動作の一例
を示すタイミングチャートである。

【図１２】ＦＩＦＯメモリに対するブランカ制御データ
の入力処理（書き込み処理）を示すフローチャートであ
る。

【図１３】ＦＩＦＯメモリからのブランカ制御データの
出力処理（読み出し処理）を示すフローチャートであ
る。

【図１４】副制御部におけるエラー処理の手順を示すフ
ローチャートである。

【図１５】第２の適用例に係るブランカ制御回路の構成
例を示す図である。

【図１６】ＦＩＦＯメモリに対するブランカ制御データ
の入力処理（書き込み処理）を示すフローチャートであ
る。

【図１７】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す図である。

【図１８】図１８に示すウエハプロセスの詳細なフロー
を示す図である。

【符号の説明】

１電子銃２コンデンサーレンズ３要素電子光学系アレイ４縮小電子光学系５基板６偏向器７ダイナミックフォーカスコイル８ダイナミックスティグコイル９ θ-Ｚステージ１０基準板１１ XYステージ１２反射電子検出器３２ブランカ１００電子ビーム露光装置１１０ CL制御回路１１１ BA制御回路１１２ LAU制御回路１１３ D_STIG制御回路１１４ D_FOCUS制御回路１１５偏向制御回路１１６光学特性制御回路１１７反射電子検出回路１１８ステージ駆動制御回路１２０制御系１２１メモリ１２２インターフェース１２３ CPU AA アパーチャアレイ BA ブランカアレイ LAU 要素電子光学系アレイユニット SA ストッパアレイ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子線によって基板にパターンを描
画する荷電粒子線露光装置であって、制御データを格納する格納部と、前記格納部から読み出された制御データのエラーの有無
をチェックするエラーチェック部と、前記エラーチェック部によってエラーが検知された場合
に該エラーを完全に訂正するエラー訂正部と、エラーが存在しない又はエラーが完全に訂正された制御
データに基づいて露光に関する動作を制御する制御部
と、を備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】エラーが存在しない又はエラーが完全に
訂正された制御データを取り込み、取り込んだ順に該制
御データを前記制御部に供給するバッファメモリを更に
備えることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露
光装置。
【請求項３】前記格納部、前記エラーチェック部及び
前記エラー訂正部を構成要素として構成される制御デー
タ供給部は、前記バッファメモリが前記制御部に制御デ
ータを供給する頻度よりも高い頻度で前記バッファメモ
リに対して制御データを供給する能力を有することを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子線露光
装置。
【請求項４】前記格納部、前記エラーチェック部及び
前記エラー訂正部を構成要素として構成される制御デー
タ供給部は、前記エラーチェック部によってエラーが検
知されない状態においては、前記バッファメモリが前記
制御部に制御データを供給する頻度よりも高い頻度で前
記バッファメモリに対して制御データを供給する能力を
有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
荷電粒子線露光装置。
【請求項５】前記格納部には、制御データと共に冗長
データが予め格納され、前記エラーチェック部及び前記
エラー訂正部は、前記格納部から制御データと共に読み
出される冗長データに基づいて該制御データのエラーの
有無のチェック及びエラーの訂正を各々実行することを
特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載
の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】制御データ及びそれに付随する冗長デー
タを生成し、前記格納部に書き込むためのデータ生成部
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５の
いずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】前記冗長データは、水平垂直パリティを
含み、前記エラーチェック部及び前記エラー訂正部は、
水平垂直パリティ方式に従って各々エラーのチェック及
び訂正を実行することを特徴とする請求項４乃至請求項
６のいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項８】前記エラー訂正部は、前記エラーチェッ
ク部によってエラーが検知された場合に該エラーに係る
制御データを前記格納部から再度読み出すことを特徴と
する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の荷電
粒子線露光装置。
【請求項９】前記バッファメモリから前記制御部に制
御データを供給することができなくなった場合に、所定
のエラー処理を実行するエラー処理手段を更に備えるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に
記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１０】前記エラー処理は、露光動作を停止さ
せる処理を含むことを特徴とする請求項９に記載の荷電
粒子線露光装置。
【請求項１１】前記エラー処理は、エラーメッセージ
を出力する処理を含むことを特徴とする請求項９又は請
求項１０に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１２】基板に対する荷電粒子線の照射を制御
する照射制御部を更に備え、前記制御データは、前記照
射制御部を制御するためのデータを含むことを特徴とす
る請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の荷電
粒子線露光装置。
【請求項１３】基板に対する荷電粒子線の照射を制御
するブランカを更に備え、前記制御データは、前記ブラ
ンカを制御するためのブランカ制御データを含むことを
特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記
載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１４】荷電粒子線によって基板にパターンを
描画する荷電粒子線露光装置の制御方法であって、格納部から読み出された制御データのエラーの有無をチ
ェックするエラーチェック工程と、前記エラーチェック工程でエラーが検知された場合に該
エラーを完全に訂正するエラー訂正工程と、エラーが存在しない又はエラーが完全に訂正された制御
データに基づいて露光に関する動作を制御する制御工程
と、を含むことを特徴とする荷電粒子線露光装置の制御方
法。
【請求項１５】荷電粒子線によって基板にパターンを
描画する荷電粒子線露光装置の制御プログラムを格納し
たメモリ媒体であって、該制御プログラムは、格納部から読み出された制御データのエラーの有無をチ
ェックするエラーチェック工程と、前記エラーチェック工程でエラーが検知された場合に該
エラーを完全に訂正するエラー訂正工程と、エラーが存在しない又はエラーが完全に訂正された制御
データに基づいて露光に関する動作を制御する制御工程
と、を含むことを特徴とするメモリ媒体。
【請求項１６】請求項１４に記載の制御方法によって
荷電粒子線露光装置を制御しながら、基板にパターンを
描画する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方
法。
【請求項１７】荷電粒子線によって基板にパターンを
描画する荷電粒子線露光装置を工程の一部に利用するデ
バイスの製造方法であって、前記荷電粒子線露光装置に
おいて、格納部から読み出された制御データのエラーの有無をチ
ェックするエラーチェック工程と、前記エラーチェック工程でエラーが検知された場合に該
エラーを完全に訂正するエラー訂正工程と、エラーが存在しない又はエラーが完全に訂正された制御
データに基づいて露光に関する動作を制御しながら、基
板にパターンを描画する描画工程と、を実行することを特徴とするデバイスの製造方法。