JPS608844A - 電子ビームによるレジスト加工方法 - Google Patents
電子ビームによるレジスト加工方法Info
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- JPS608844A JPS608844A JP58116072A JP11607283A JPS608844A JP S608844 A JPS608844 A JP S608844A JP 58116072 A JP58116072 A JP 58116072A JP 11607283 A JP11607283 A JP 11607283A JP S608844 A JPS608844 A JP S608844A
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- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- exposure
- resist
- intensity distribution
- beam spot
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビームによるフォトエツチング加二Ｉニ
方法に関する。
方法に関する。
電子ビームによるフォトエツチング加工において、ソメ
トレジスＩ・とじて例えばＩ）ＭＭＡ（ポリメタクリル
酸メチル）等のポジ型電子ビームレジストを使用した場
合、露光量（ドーズ量）、現像時間により残１１９Ｊ’
Ｘが第１図に示すように変化する。
トレジスＩ・とじて例えばＩ）ＭＭＡ（ポリメタクリル
酸メチル）等のポジ型電子ビームレジストを使用した場
合、露光量（ドーズ量）、現像時間により残１１９Ｊ’
Ｘが第１図に示すように変化する。
例えは、露光量を増加させるとＩＩＡＷが減少する。
そこで、電子ビームによるフォトエツチング加工を通用
してマイク１．Ｊフレネルレンズを製造するとき、上記
露光量と膜厚との関係を利用してＷ１面鋸歯状の輪帯を
形成している。
してマイク１．Ｊフレネルレンズを製造するとき、上記
露光量と膜厚との関係を利用してＷ１面鋸歯状の輪帯を
形成している。
第２図ａ、））はマイクロフレネルレンズの製造工程を
示している。まず、第２図ａに示すように、ガラス基板
ｌ上にポジ型の電子ビームレジスト２（例えばｌ） Ｍ
Ｍ Ａ ）を塗布する。次いで、同図すに示すように
、露光ピッチＩ）と等しい直径を有する電子ビームスポ
ット３を用いて電子ビーム露光を行い、この後現像処理
する。電子ビーム露光するとき、露光位置がａｌ 、ａ
２ 、ａｌ 、ａ４・・・と変わるに従って露光量を減
少する。これにより、ｗｉ面はぼ鋸歯状の輪帯２ａを形
成することができる。
示している。まず、第２図ａに示すように、ガラス基板
ｌ上にポジ型の電子ビームレジスト２（例えばｌ） Ｍ
Ｍ Ａ ）を塗布する。次いで、同図すに示すように
、露光ピッチＩ）と等しい直径を有する電子ビームスポ
ット３を用いて電子ビーム露光を行い、この後現像処理
する。電子ビーム露光するとき、露光位置がａｌ 、ａ
２ 、ａｌ 、ａ４・・・と変わるに従って露光量を減
少する。これにより、ｗｉ面はぼ鋸歯状の輪帯２ａを形
成することができる。
しかし、電子ビームスポット３のビーム強度分布は第３
図に示すように急な山型状になっていて、中心部の強度
が周辺部の強度に比して大きい。このため、輪帯２ａに
は電子ビームスポット３の強度分布に対応した微細な凹
凸が生じる（第３図参照）。この凹凸は築東光をｆｉｋ
乱させるため、レンズの簗束効率を悪くする。
図に示すように急な山型状になっていて、中心部の強度
が周辺部の強度に比して大きい。このため、輪帯２ａに
は電子ビームスポット３の強度分布に対応した微細な凹
凸が生じる（第３図参照）。この凹凸は築東光をｆｉｋ
乱させるため、レンズの簗束効率を悪くする。
また、同様の方法で製造したマイク１コフレ不ルレンズ
製造用原型を用いてレンズを転写複製した場合にも輪帯
に上記凹凸があられれ、同様にレンズの隼束りＪ率を悪
くする。
製造用原型を用いてレンズを転写複製した場合にも輪帯
に上記凹凸があられれ、同様にレンズの隼束りＪ率を悪
くする。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、電子ビーム露光により断面はぼ鋸歯状の
レジストパターンを形成する際、電子ビームスポットの
強度分布に対応して生しる凹凸をなだらかにする電子ビ
ームによるフォトエツチング加二［方法を提供すること
である。
するところは、電子ビーム露光により断面はぼ鋸歯状の
レジストパターンを形成する際、電子ビームスポットの
強度分布に対応して生しる凹凸をなだらかにする電子ビ
ームによるフォトエツチング加二［方法を提供すること
である。
すなわち、本発明は、露光ピッチと等しい直径の電子ビ
ームスポットと、該ぬ光ピンチよりも大きい直径でかつ
該電子ビームスポットよりビーム強度分布がなだらかな
電子ビームスポットを用いて、ＪＪｍＡｆｊ−上のフメ
トレジストに露光位置により露光量を変えて電子ビーム
露光することを特徴としている。
ームスポットと、該ぬ光ピンチよりも大きい直径でかつ
該電子ビームスポットよりビーム強度分布がなだらかな
電子ビームスポットを用いて、ＪＪｍＡｆｊ−上のフメ
トレジストに露光位置により露光量を変えて電子ビーム
露光することを特徴としている。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第４図ａ、ｂは本発明をマイクロフレネルレンズの製造
に適用した一例を示す。本実施例では、同図ａに示すよ
うに、マイクロフレネルレンズを構成するガラス基板４
上のポジ型透明電子ピームレシスト５（例えばＰＭＭＡ
）に、露光ピンチＰと等しい直径を有しかつビーム強度
分布が急な山型状の電子ビームスポット６（第６図参照
）と、該露光ピッチＰの２倍の大きさの直径を有しかつ
ビーム強度分布がなだらかな山型状の電子ビームスポッ
ト７ （第７図参照）とを用いて電子ビーム露光する。
に適用した一例を示す。本実施例では、同図ａに示すよ
うに、マイクロフレネルレンズを構成するガラス基板４
上のポジ型透明電子ピームレシスト５（例えばＰＭＭＡ
）に、露光ピンチＰと等しい直径を有しかつビーム強度
分布が急な山型状の電子ビームスポット６（第６図参照
）と、該露光ピッチＰの２倍の大きさの直径を有しかつ
ビーム強度分布がなだらかな山型状の電子ビームスポッ
ト７ （第７図参照）とを用いて電子ビーム露光する。
このとき、鋸歯状断面の最下部となる露光位置ａ、には
ビーム強度の大きい電子ビームスポット６を照射し、他
の露光位置ａ２ 、ａｌ 、ａ４・・・にはそれよりも
ビーム強度の小さい電子ビームスボット７を照射するが
、電子ビームスポット６と７および電子ビームスポット
７どうしは互いにオーバーラツプすることになる。露光
量は露光位置ａ１ ＋ ａ２ ＋ ａｌ ｔ ａ４・・
・の順に従って少なくする。
ビーム強度の大きい電子ビームスポット６を照射し、他
の露光位置ａ２ 、ａｌ 、ａ４・・・にはそれよりも
ビーム強度の小さい電子ビームスボット７を照射するが
、電子ビームスポット６と７および電子ビームスポット
７どうしは互いにオーバーラツプすることになる。露光
量は露光位置ａ１ ＋ ａ２ ＋ ａｌ ｔ ａ４・・
・の順に従って少なくする。
露光位置ａ ２ ＋ ａ ３．ａ ４・・・では同じ電
子ビームスポット７を使用して露光するが、この場合露
光量を変えるには、例えば電子ビーム露光量を一定にし
ておき、露光位置ａ２．ａ３ 、ａ４・・・の順で走査
回数を減らず。あるいは、走査回数を一定にしζおき、
露光位置ａ２ 、ａｌ 、ａｔ＋・・・の順で電子ビー
ム露光量自体を減少させる。
子ビームスポット７を使用して露光するが、この場合露
光量を変えるには、例えば電子ビーム露光量を一定にし
ておき、露光位置ａ２．ａ３ 、ａ４・・・の順で走査
回数を減らず。あるいは、走査回数を一定にしζおき、
露光位置ａ２ 、ａｌ 、ａｔ＋・・・の順で電子ビー
ム露光量自体を減少させる。
これにより、電子ビームスボア １・６ 、７の照射深
さが露光位置ａｌ ｔａ２ 、ａｌ 、ａ４・・・の順
で浅くなり、照射部分は溶解可能な状態となる。
さが露光位置ａｌ ｔａ２ 、ａｌ 、ａ４・・・の順
で浅くなり、照射部分は溶解可能な状態となる。
次いで、上記電子ビームレジスト５を現像処理すると、
同図すに示すように電子ビームスポット６．７の照射部
分が熔１ηシ除去されて、輪帯５ａが形成される。この
とき、電子ビームスポット６゜７のビーム強度分布に対
応した凹凸が生じるが、露光に際し上述の如く電子ビー
ムスポット６と７および電子ビームスポット７どうしは
互いにオハーラソブし、また電子ビームスポット７のビ
ーム強度分布はなだらかな山型状で中心部の強度と周辺
部の強度の差はあまり大きくないため、輪帯５ａの表面
はなめらかなものとなる。これにより、第５図ａ、ｂに
示すようなマイクロフレネルレンズＩ７が装造される。
同図すに示すように電子ビームスポット６．７の照射部
分が熔１ηシ除去されて、輪帯５ａが形成される。この
とき、電子ビームスポット６゜７のビーム強度分布に対
応した凹凸が生じるが、露光に際し上述の如く電子ビー
ムスポット６と７および電子ビームスポット７どうしは
互いにオハーラソブし、また電子ビームスポット７のビ
ーム強度分布はなだらかな山型状で中心部の強度と周辺
部の強度の差はあまり大きくないため、輪帯５ａの表面
はなめらかなものとなる。これにより、第５図ａ、ｂに
示すようなマイクロフレネルレンズＩ７が装造される。
上記実施例では、マイクロフレネルレンズを製造する場
合を説明したが、同様の方法でマイクロフレネルレンズ
製造用原型を製造することもできる。この場合、基板と
して原型を構成する基板を用いる。また、電子ビームレ
ジスト５ば透明でなくてもよい。このマイクロフレネル
レンズ製造用原型を用いて転写複製されたレンズの輪帯
表面は、凹凸があまりなく、なめらかである。
合を説明したが、同様の方法でマイクロフレネルレンズ
製造用原型を製造することもできる。この場合、基板と
して原型を構成する基板を用いる。また、電子ビームレ
ジスト５ば透明でなくてもよい。このマイクロフレネル
レンズ製造用原型を用いて転写複製されたレンズの輪帯
表面は、凹凸があまりなく、なめらかである。
本発明では、ポジ型のフォトレジストに限られず、ネガ
型のフォトレジストに電子ビーム露光ず ４゜る場合に
も通用できる。この場合、露光量を増加させるに従って
膜厚が増加するので、電子ビームスポット６．７の露光
量を露光位置ａｌ 、ａ２ 。
型のフォトレジストに電子ビーム露光ず ４゜る場合に
も通用できる。この場合、露光量を増加させるに従って
膜厚が増加するので、電子ビームスポット６．７の露光
量を露光位置ａｌ 、ａ２ 。
ａ］・・・の順に増加させる。
以上説明したように本発明によれば、電子ビーム露光の
露光ピッチと等しい直径を有する電子ビームスポットと
、該露光ピンチよりも大きい直径をイ丁しかつ該電子ビ
ームスポットよりビーム強度分布がなだらかな電子ビー
ムスポットとを用い、ツメ１〜レジストに露光位置によ
り露光量を変えて電子ビーム露光して、μノ１面はぼ鋸
歯状のレジストパターンを形成するので、レジストパタ
ーンの表面に形成される電子ビームスポットのビーム強
度分布と対応した凹凸はなめらかなものとなる。
露光ピッチと等しい直径を有する電子ビームスポットと
、該露光ピンチよりも大きい直径をイ丁しかつ該電子ビ
ームスポットよりビーム強度分布がなだらかな電子ビー
ムスポットとを用い、ツメ１〜レジストに露光位置によ
り露光量を変えて電子ビーム露光して、μノ１面はぼ鋸
歯状のレジストパターンを形成するので、レジストパタ
ーンの表面に形成される電子ビームスポットのビーム強
度分布と対応した凹凸はなめらかなものとなる。
従って、本発明をマイクロフレネルレンズやその製造用
原型の製造に適用すれば、表面がなめらかな断面はぼ鋸
歯状の輪帯を有したレンズが得られ、該表面での光の拡
？ｆ＆が少なくなり、レンズの集束効率を向上させるこ
とができる。
原型の製造に適用すれば、表面がなめらかな断面はぼ鋸
歯状の輪帯を有したレンズが得られ、該表面での光の拡
？ｆ＆が少なくなり、レンズの集束効率を向上させるこ
とができる。
第１図は露光量（ドーズ量）、現像時間と残膜厚との関
係を示すグラフ、第２図ａ、ｂは従来のマイクロフレネ
ルレンズの製造工程を説明する説明図、第３図は電子ビ
ームスポット３のビーム強度分布を示すグラフ、第４図
ａ、ｂは本発明をマイクロフレネルレンズの製造に通用
した一例を示す説明図、第５図ａば同方法によって製造
されたマイクロフレネルレンズの平面図、同図すは同断
面図、第６図は電子ビームスボッ１−６のビーム強度分
布を示すグラフ、第７図は電子ビームスボッ１−７のビ
ーム強度分布を示すグラフである。 ４・・・・・・基板（ガラス基板）、５・・・・・・フ
ォトレジスト（ポジ型透明電子ビームレジスト）、５ａ
・・・・・・１す１而はぼ鋸歯状のレジストパターン（
輪帯）、６．７・・・・・・電子ビームスポット。 特許出願人 パイオニア株式会社 第４図 手 沼た ネ市 正 ７片 （自発） １１．１３和５８年１２Ｊ’１６目 稲許庁長官 若 ］形 不ロ ノ（屓焚■、 事件の表
示 昭１１１５８年特許願第 １１ＧＯ７２“づ２、
発明の名称 電子ビームによるレジスト加工方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許用ＸＬ／＜ 住 所 Ｍａｉ＜都目黒区目黒１丁目４番１号名 称
（５０１）パイオニア株Ｊ、ｃ会社４、代理人 明フ１０書の「発明の名称」、［特許請求の範１１旧、
１−発明のａ付口１な説明」及び「図面の簡単な説明」
のＩＩ′ｉ１６、 補正の内容 沖バＩＬの辿り 補正の内）ｌ（特願昭５８−１１６０７２号）１、−
！！ＩＩ ｔｌｌｌ Ｔ、’ｉ−の発明の名称を次文の
通り補正する。 「電子ビームによるレジスト加工方法」２、 １１＞許
、請求の範囲を下記の通り補正する。 記 （１）基板上の電子ビームレジストに露光位置にＪ、り
露光量を変えて電子ビーム露光を行い、次いで現像処理
することにより、１１ノ１面はぼ鋸歯状のレジストパタ
ーンを形成する電子ビームによるレジスト加工方法にお
いて、電子ビーム露光ピンチと等しい直径を有する電子
ビームスボットと、咳露光ピッチより大きい直径を有し
かつ該電子ヒームスボノトよりビーム強度分布がなだら
かな電子ビームスポットとを用いて前記電子ビーベレン
ストに電子ビーム：１ｎ光するごとを特徴とする電子ビ
ームにＪ、るレノスト加」一方法。 （２） 前記基板がフレ不ルレンスを構成するガラスＷ
仮で、かつ前記電子ピームレジストが透明な電子ビーム
レジストであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子ビームによるレジスト加工方法。 （３） 前記基板がフレネルレンズ製造用原型を構成す
る基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビームによるに乙んり■王方法。 ３、 明細書第２頁第７行、第９行、ｆｉｉ１５行及び
第４頁第５行乃至第６行記載の１フオトエツチング」を
「レジスト」と補正する。 ４、同第２頁第１０行、第４頁第１１行、第７頁；７β
６行、第７行、第１７行及び第８頁第１９行乃至同頁第
２０行記載の「フォトレジスト」を「電子ピームレジス
ト」と補正する。
係を示すグラフ、第２図ａ、ｂは従来のマイクロフレネ
ルレンズの製造工程を説明する説明図、第３図は電子ビ
ームスポット３のビーム強度分布を示すグラフ、第４図
ａ、ｂは本発明をマイクロフレネルレンズの製造に通用
した一例を示す説明図、第５図ａば同方法によって製造
されたマイクロフレネルレンズの平面図、同図すは同断
面図、第６図は電子ビームスボッ１−６のビーム強度分
布を示すグラフ、第７図は電子ビームスボッ１−７のビ
ーム強度分布を示すグラフである。 ４・・・・・・基板（ガラス基板）、５・・・・・・フ
ォトレジスト（ポジ型透明電子ビームレジスト）、５ａ
・・・・・・１す１而はぼ鋸歯状のレジストパターン（
輪帯）、６．７・・・・・・電子ビームスポット。 特許出願人 パイオニア株式会社 第４図 手 沼た ネ市 正 ７片 （自発） １１．１３和５８年１２Ｊ’１６目 稲許庁長官 若 ］形 不ロ ノ（屓焚■、 事件の表
示 昭１１１５８年特許願第 １１ＧＯ７２“づ２、
発明の名称 電子ビームによるレジスト加工方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許用ＸＬ／＜ 住 所 Ｍａｉ＜都目黒区目黒１丁目４番１号名 称
（５０１）パイオニア株Ｊ、ｃ会社４、代理人 明フ１０書の「発明の名称」、［特許請求の範１１旧、
１−発明のａ付口１な説明」及び「図面の簡単な説明」
のＩＩ′ｉ１６、 補正の内容 沖バＩＬの辿り 補正の内）ｌ（特願昭５８−１１６０７２号）１、−
！！ＩＩ ｔｌｌｌ Ｔ、’ｉ−の発明の名称を次文の
通り補正する。 「電子ビームによるレジスト加工方法」２、 １１＞許
、請求の範囲を下記の通り補正する。 記 （１）基板上の電子ビームレジストに露光位置にＪ、り
露光量を変えて電子ビーム露光を行い、次いで現像処理
することにより、１１ノ１面はぼ鋸歯状のレジストパタ
ーンを形成する電子ビームによるレジスト加工方法にお
いて、電子ビーム露光ピンチと等しい直径を有する電子
ビームスボットと、咳露光ピッチより大きい直径を有し
かつ該電子ヒームスボノトよりビーム強度分布がなだら
かな電子ビームスポットとを用いて前記電子ビーベレン
ストに電子ビーム：１ｎ光するごとを特徴とする電子ビ
ームにＪ、るレノスト加」一方法。 （２） 前記基板がフレ不ルレンスを構成するガラスＷ
仮で、かつ前記電子ピームレジストが透明な電子ビーム
レジストであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子ビームによるレジスト加工方法。 （３） 前記基板がフレネルレンズ製造用原型を構成す
る基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビームによるに乙んり■王方法。 ３、 明細書第２頁第７行、第９行、ｆｉｉ１５行及び
第４頁第５行乃至第６行記載の１フオトエツチング」を
「レジスト」と補正する。 ４、同第２頁第１０行、第４頁第１１行、第７頁；７β
６行、第７行、第１７行及び第８頁第１９行乃至同頁第
２０行記載の「フォトレジスト」を「電子ピームレジス
ト」と補正する。
Claims (3)
- （１）基板上のフォｉ・レジストに露光位置により露光
量を変えて電子ビーム露光を行い、次いで現像処理する
ことにより、断面はば鋸歯状のレジストパターンを形成
する電子ビームによるフォトエツチング加工方法におい
て、電子ビーム露光の露光ピッチと等しい直径を有する
電子ビームスポットと、該露光ピンチより大きい直径を
自−しかつ該電子ビームスポットよりビーム強度分布が
なだらかな電子ビームスポットとを用いて前記フォトレ
ジストに電子ビーム露光することを特徴とする電子ビー
ムによるフォトエツチング加工方法。 - （２） 前記基板がフレネルレンズを構成するガラス基
板で、かつ前記フォトレジストが透明な電子ビームレジ
ストであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電子ビームにょるフォトエツチング加工方法。 - （３）前記基板がフレネルレンズ製造用原型を構成する
裁板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電子ビームによるフォトエツチング加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116072A JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116072A JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608844A true JPS608844A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0244060B2 JPH0244060B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=14678014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116072A Granted JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608844A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109049A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微小光学素子の製造方法 |
| JPH0196656A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Omron Tateisi Electron Co | 荷電ビーム露光装置 |
| JPH0713337A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Nec Corp | 厚膜配線パターンの露光装置 |
| JP2008070741A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
| JP2013503486A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 荷電粒子ビームリソグラフィを用いて可変ビームぼけで表面を製造するための方法および装置 |
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| US8916315B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-12-23 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9038003B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9043734B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-05-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9091946B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-07-28 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9859100B2 (en) | 2012-04-18 | 2018-01-02 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58116072A patent/JPS608844A/ja active Granted
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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