JPS608843A - 電子ビームによるレジスト加工方法 - Google Patents
電子ビームによるレジスト加工方法Info
- Publication number
- JPS608843A JPS608843A JP58116071A JP11607183A JPS608843A JP S608843 A JPS608843 A JP S608843A JP 58116071 A JP58116071 A JP 58116071A JP 11607183 A JP11607183 A JP 11607183A JP S608843 A JPS608843 A JP S608843A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- resist
- glass substrate
- thin film
- conductive thin
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビームによるフォトエツチング加工方法に
関する。
関する。
従来より、電子ビームによるフォトエツチング加工を適
用してマイクロフレネルレンズを製造する方法が知られ
ている。この方法によれば、まず第１図に示すように、
スピンコードによりガラス基板１上に透明な電子ビーム
レジスト２を適当な膜厚に塗布し、ベーキングにより溶
剤を除去した後、該電子ビームレジスト２上に導電性薄
膜３を蒸着、スパッタリング等の手段により形成する。
用してマイクロフレネルレンズを製造する方法が知られ
ている。この方法によれば、まず第１図に示すように、
スピンコードによりガラス基板１上に透明な電子ビーム
レジスト２を適当な膜厚に塗布し、ベーキングにより溶
剤を除去した後、該電子ビームレジスト２上に導電性薄
膜３を蒸着、スパッタリング等の手段により形成する。
次いで、上記ガラス基板１を第２図に示すように基板ホ
ルダ４にセントして、電子ビームレジスト２に１ｈ子ビ
ーム６を輪帯パターンにならって照射する。このとき、
照射された電子がガラス基板１や電子ビームレジスト２
に蓄積（帯電）して露光パターンを乱すのを１泪正する
ために、導電性薄膜３から基板ホルダ４に設けたアース
ビン５を介して照射された電子を外部に逃がしている。
ルダ４にセントして、電子ビームレジスト２に１ｈ子ビ
ーム６を輪帯パターンにならって照射する。このとき、
照射された電子がガラス基板１や電子ビームレジスト２
に蓄積（帯電）して露光パターンを乱すのを１泪正する
ために、導電性薄膜３から基板ホルダ４に設けたアース
ビン５を介して照射された電子を外部に逃がしている。
電子ビーム露光後、導電性薄膜３をエツチングにより除
去しく第３図参照）、次いで電子ビームレジスト２を現
像処理する。これにより、第４図４．ｂに示すようなレ
ジストパターン、すなわち輪帯２ａを形成する。
去しく第３図参照）、次いで電子ビームレジスト２を現
像処理する。これにより、第４図４．ｂに示すようなレ
ジストパターン、すなわち輪帯２ａを形成する。
上記方法によれば、電子ビーム６を照射して行うため、
徽細な輪帯パターンでも容易に形成できる。しかしなが
ら、電子ビーム６は導電性薄膜３を通って電子ビームレ
ジスト２に工１」達するため、実際に゛電子ビームレジ
スト２に照射される照射量は減少する。この減少をカバ
ーするためには、電子ビーム照射源においてより多くの
電子ビームを発生させｌけれはならず、電子ビーム照射
源の負担が増加して、該電子ビーム照射源の寿命に影響
を与える問題があった。
徽細な輪帯パターンでも容易に形成できる。しかしなが
ら、電子ビーム６は導電性薄膜３を通って電子ビームレ
ジスト２に工１」達するため、実際に゛電子ビームレジ
スト２に照射される照射量は減少する。この減少をカバ
ーするためには、電子ビーム照射源においてより多くの
電子ビームを発生させｌけれはならず、電子ビーム照射
源の負担が増加して、該電子ビーム照射源の寿命に影響
を与える問題があった。
棟だ、電子ビーム露光後に、尋′屯性）う膜３をエツチ
ング（Ｃより除去する際、下地である電子ビームレジス
ト２の表面をあらす問題があった。この？Ｊｎ子ビーム
レジスト２表面のあれは現像処理後にも残り、レンズと
して使用する診、回折光を散乱させて、レンズ収差を発
生させる原因となる。
ング（Ｃより除去する際、下地である電子ビームレジス
ト２の表面をあらす問題があった。この？Ｊｎ子ビーム
レジスト２表面のあれは現像処理後にも残り、レンズと
して使用する診、回折光を散乱させて、レンズ収差を発
生させる原因となる。
さらに、最終的に不要となる導電性薄膜３を電子ビーム
レジスト２上に形成し、かつ露光後に除去することは、
レンズ製造工程を複雑にしコストアップの原因となる問
題があった。
レジスト２上に形成し、かつ露光後に除去することは、
レンズ製造工程を複雑にしコストアップの原因となる問
題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、電子ビームＡ’ｉ光に際し照射量が減少
したり、あるいは露光後の電子ビームレジスト表面があ
れたりすることがなく、さらに工程を簡略化してコスト
ダウンを図ることができる電子ビームによるフォトエツ
チング加工方法を提供することである。
するところは、電子ビームＡ’ｉ光に際し照射量が減少
したり、あるいは露光後の電子ビームレジスト表面があ
れたりすることがなく、さらに工程を簡略化してコスト
ダウンを図ることができる電子ビームによるフォトエツ
チング加工方法を提供することである。
本発明はガラス基板上に導電性ン等膜を形成し、欠いで
該４電注薄膜上にフォトレジストを塗布して、該フォト
レジストに電子ビーム露光し、現像処理することを特徴
としている。
該４電注薄膜上にフォトレジストを塗布して、該フォト
レジストに電子ビーム露光し、現像処理することを特徴
としている。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第５図〜第６図は本発明をマイクロフレネルレンズの製
造に適用した一例を示す。本実施例では、まず第５図に
示すように、ガラス基板１０上に透明な導電性薄膜１１
を蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の手段により形成し
た後、スピンコードにより該導電性薄膜１１上に電子ビ
ームレジスト１２（例えばＰＭＭＡ）を適当な膜厚に塗
布してベーキングにより溶剤を除去する。
造に適用した一例を示す。本実施例では、まず第５図に
示すように、ガラス基板１０上に透明な導電性薄膜１１
を蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の手段により形成し
た後、スピンコードにより該導電性薄膜１１上に電子ビ
ームレジスト１２（例えばＰＭＭＡ）を適当な膜厚に塗
布してベーキングにより溶剤を除去する。
透明な導電性薄膜１１としては、工ｎ２０．（酸化イン
ジウム）、５ｎＯ２（酸化スメ）、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−１ｘｎ−Ｏｘ１．ｄｅ ） 等ｉ）：ある。Ｉ
ＴＯの３ｇ合、シート抵抗は膜厚１ｏｏｏＸで２０ｎ／
ｌＪ以下である。
ジウム）、５ｎＯ２（酸化スメ）、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−１ｘｎ−Ｏｘ１．ｄｅ ） 等ｉ）：ある。Ｉ
ＴＯの３ｇ合、シート抵抗は膜厚１ｏｏｏＸで２０ｎ／
ｌＪ以下である。
本発明では、上述のようにｉ４７１Ｌ性に膜１１上にフ
ォトレジスト、例えば電子ビームレジスト１２を塗布す
る点に第一の４４徴があり、従来の場合とは反対となっ
ている。従って、次の電子ビーム露光工程において、電
子ビーム１３は直接亀子ビームレジスト１２に照射され
、導電性薄膜１１により照射上１が減少することはない
。
ォトレジスト、例えば電子ビームレジスト１２を塗布す
る点に第一の４４徴があり、従来の場合とは反対となっ
ている。従って、次の電子ビーム露光工程において、電
子ビーム１３は直接亀子ビームレジスト１２に照射され
、導電性薄膜１１により照射上１が減少することはない
。
次いで、第６図に示すように、ガラス基板１０を基板ホ
ルダ１４にセットして、電子ビーム１３を輪帯パターン
にならって電子ビームレジスト１２に照射する。このと
き、基板ホルダ１４のアースビン１５は電子ビームレジ
スト１２を突き破り導電性薄膜１１に接触して、照射さ
れた電子がガラス基板１０、電子ビームレジスト１２に
蓄積することがないように外部に逃がしている。
ルダ１４にセットして、電子ビーム１３を輪帯パターン
にならって電子ビームレジスト１２に照射する。このと
き、基板ホルダ１４のアースビン１５は電子ビームレジ
スト１２を突き破り導電性薄膜１１に接触して、照射さ
れた電子がガラス基板１０、電子ビームレジスト１２に
蓄積することがないように外部に逃がしている。
この後、導電性薄膜１１を除去することなく直ちに電子
ビームレジスト１２を現像処理する。これにより前述の
第４図ａ、ｂに示すものと同様の輪帯１２ａが形成され
る。電子ビームレジスト１２が例えばＰＭＭＡ （ポリ
メタクリル酸メチル）のようにホジ型の場合、電子ビー
ム１３の照射部分が溶解除去される。
ビームレジスト１２を現像処理する。これにより前述の
第４図ａ、ｂに示すものと同様の輪帯１２ａが形成され
る。電子ビームレジスト１２が例えばＰＭＭＡ （ポリ
メタクリル酸メチル）のようにホジ型の場合、電子ビー
ム１３の照射部分が溶解除去される。
本発明では、上述のように尋′４性薄膜１１をそのまま
残しておく点に第二の特徴がある。本実施例では、嗜心
性γＱｑ膜１１はレンズの一部となる。
残しておく点に第二の特徴がある。本実施例では、嗜心
性γＱｑ膜１１はレンズの一部となる。
従って、４％電性薄膜１１を除去するエツチング工程を
４ｉ略でき、また’に、電子ビームレジスト１の表面が
あらされるようなこともない。
４ｉ略でき、また’に、電子ビームレジスト１の表面が
あらされるようなこともない。
第７図は上述のように製造されたマイクロフレネルレン
ズの使用状態を示している。同図によれば、入射レーザ
平行光束１６はガラス基板１０、梼電性満膜１２を通鍋
し、成子ビームレジスト１２で形成された輪帯１２ａに
より回折されてマイクロフレネルレンズの光軸上の点ム
に収束する。
ズの使用状態を示している。同図によれば、入射レーザ
平行光束１６はガラス基板１０、梼電性満膜１２を通鍋
し、成子ビームレジスト１２で形成された輪帯１２ａに
より回折されてマイクロフレネルレンズの光軸上の点ム
に収束する。
なお、マイクロフレネルレンズ製造用原型を製造する場
合にも上述の実施例と同様にして行う。
合にも上述の実施例と同様にして行う。
この場合、導電性薄膜１２は透明である必要がないので
、金（ムＵ）、欽Ｃｈｇ＞、銅（Ｃａ）、アルミニウム
（Ａ１）等を（受用することができる。
、金（ムＵ）、欽Ｃｈｇ＞、銅（Ｃａ）、アルミニウム
（Ａ１）等を（受用することができる。
本発明では′１４Ｌ子ビーム露光するので、フォトレジ
ストとしては電子ビームレジストを使用するのが好まし
いが、通常の紫外線用のフォトレジストを１更用するこ
ともできる。
ストとしては電子ビームレジストを使用するのが好まし
いが、通常の紫外線用のフォトレジストを１更用するこ
ともできる。
１だ、マイクロフレネルレンズやその製造用原型以外の
製造にも広く適用できる。
製造にも広く適用できる。
以上説明したように本発明によれば、ガラス基板上に導
電性薄膜を形成し、次いで該導電性薄膜上ニフォトレジ
ストを塗布して、該フォトレジストに電子ビーム露光し
、現像処理するので、従来のように導電性薄膜により′
ｄ１子ビームが遮断されず、電子ビームは直接フォトレ
ジストに照射されて照射Ｂが減少することなく、このた
め従来よシも電子ビーム照射源の負担を軽減することが
できる。
電性薄膜を形成し、次いで該導電性薄膜上ニフォトレジ
ストを塗布して、該フォトレジストに電子ビーム露光し
、現像処理するので、従来のように導電性薄膜により′
ｄ１子ビームが遮断されず、電子ビームは直接フォトレ
ジストに照射されて照射Ｂが減少することなく、このた
め従来よシも電子ビーム照射源の負担を軽減することが
できる。
笠だ、電子ピームシ）１光後に直ちに現像処ｆ４１！が
行なえ、従来のようにレジスト上の導電性薄膜を除去す
る工むが不要となり、工程が簡略化されてコストダウン
を図ることができ、また勇−電性薄膜の除去にともなう
レジスト表面のあれの発生もない。
行なえ、従来のようにレジスト上の導電性薄膜を除去す
る工むが不要となり、工程が簡略化されてコストダウン
を図ることができ、また勇−電性薄膜の除去にともなう
レジスト表面のあれの発生もない。
従って、本発明によりマイクロフレネルレンズやその製
造用の原型を製造すると、レンズ収差、の少ないものが
９４られ、寸だ製造コストを下げることができる。
造用の原型を製造すると、レンズ収差、の少ないものが
９４られ、寸だ製造コストを下げることができる。
第１］閑〜第３図は従来の方法を適用してマイクロフレ
イ・ルレンズを一ツ造する工程の説明図、第４図ａは同
方法によってＩ・Ｍ 令されたマイクロフレネルレンズ
の断面図、同図すは同平面図、第５図〜第６図は本発す
」の方法を適用してマイクロフレネルレンズを製造する
工程の説明図、第７図は同方法によって％’４”ｌれた
マイクロフレイ・ルレンズの作用の説明図である。 １０・・・ガラ７基板、１１・・・導電性薄膜、１２・
・・フォトレジスト（電子ビームレジスト）、１２Ｌ・
・・輪帯。 兜５図 手 続 ネ市 正 妬］１；： ０允）１１１（ｆｌＪ
５ Ｂ年１２月Ｇ ＩＪ特許庁長官 若 ＋杉 １１Ｌ
ｊ ）（Ｌ【縫１、 事件の表示 昭和５８年特 許
願 第 １１６０７１′；３−３、 補正をする者 事件との関係 特許出１！７ｊ込 住 所 東京都目黒区１」黒１丁目４：？！￥１号名
称 （５０１）パイオニアｉ；＋：式会社４、代理人 ５、 補１ピの対象 明細店の「発明の名称」、「特１１′Ｉｄｌｌｉ求の範
囲」、「発明の５付１１１な説明」及び１−図面の簡単
な説明」の１１′ｉ１６、 補正の内容 ′１３１相りの通り 袖１Ｆ−の内ブｉ’ （ＩＩＭ願昭、’） ８−１１６
０７１号）ｌ 明）′［０書の発明の名称のＩＩＹＩを
次文のｌｒｉり補正する。 （電子ヒームによるレンスト加工方法」”Ｉ’Ｆ ｉｔ
、請求の範囲を下記の通り補正する。 １１己 （１１ガラス基（１シ上に２．−１電性薄１灰を形成し
、次いで１ｉＡ−：い゛ｈ性ｉｉ’； ＩＩう）上に電
子ビームレノストを塗布して、該４にＩ尖ヨ人レしスト
に電子ビーム露光し、現像処理することを特１ｆｉ４と
する電子ビームによるヒータ４−リＪ１．Ｉ ］ニ方法
。 （２） 前記ガラス基板かフレネルレンズを構成するガ
ラス基（がて、また前記専電個暑１Ｖ映が込明な導’ｉ
ｕ’ｌＩｌ〆１す１１史で、かつ前記電子ビーＪ・レノ
ストが透明な電ｒピームレジノ、ｌ・であることを１１
１１′徴とずイ’Ｊ ’Ｂｌ’ ；＋’自１１１求の９
１０囲第１項記載の７１１子ビームによるレンスＩ−加
］二方法。 （用 前記ガラス朋板がツレネルレンズ製造川１皇型を
構成する）、１−板であることを１ｌ１１′徴とする特
許請求の範囲第１ｊＪ１記・１＆の電子ビームによるレ
シスし加工カー去。 ３、明イＤＩ ７１）第２頁第１行、同（′↓第３行及
び第４頁第９行１」記載の１−フォ１−エソナング」を
［レジスト」と補正する。 ４、同第４頁第１２行、同頁第１３行、第７頁第１６行
、同頁第１６行乃至１７行及び同頁第１９行を己、１侃
の「フォ１．レジスト」を１−電子ヒ゛−ムレジス］・
」とｒ重圧する。 ５、 同第５頁第１０行目記載の「フォトレソスト１例
えば」を削除する。 ６、 同第７頁第８行乃至同頁ｆ７３１１行記載の［一
本発明では・・・できる。」を作用域する。 ７、 同第９頁第２行目記載の「フォルソス］・（電子
ビームレジスト）」を「電子ビームレノスト」と補正す
る。
イ・ルレンズを一ツ造する工程の説明図、第４図ａは同
方法によってＩ・Ｍ 令されたマイクロフレネルレンズ
の断面図、同図すは同平面図、第５図〜第６図は本発す
」の方法を適用してマイクロフレネルレンズを製造する
工程の説明図、第７図は同方法によって％’４”ｌれた
マイクロフレイ・ルレンズの作用の説明図である。 １０・・・ガラ７基板、１１・・・導電性薄膜、１２・
・・フォトレジスト（電子ビームレジスト）、１２Ｌ・
・・輪帯。 兜５図 手 続 ネ市 正 妬］１；： ０允）１１１（ｆｌＪ
５ Ｂ年１２月Ｇ ＩＪ特許庁長官 若 ＋杉 １１Ｌ
ｊ ）（Ｌ【縫１、 事件の表示 昭和５８年特 許
願 第 １１６０７１′；３−３、 補正をする者 事件との関係 特許出１！７ｊ込 住 所 東京都目黒区１」黒１丁目４：？！￥１号名
称 （５０１）パイオニアｉ；＋：式会社４、代理人 ５、 補１ピの対象 明細店の「発明の名称」、「特１１′Ｉｄｌｌｉ求の範
囲」、「発明の５付１１１な説明」及び１−図面の簡単
な説明」の１１′ｉ１６、 補正の内容 ′１３１相りの通り 袖１Ｆ−の内ブｉ’ （ＩＩＭ願昭、’） ８−１１６
０７１号）ｌ 明）′［０書の発明の名称のＩＩＹＩを
次文のｌｒｉり補正する。 （電子ヒームによるレンスト加工方法」”Ｉ’Ｆ ｉｔ
、請求の範囲を下記の通り補正する。 １１己 （１１ガラス基（１シ上に２．−１電性薄１灰を形成し
、次いで１ｉＡ−：い゛ｈ性ｉｉ’； ＩＩう）上に電
子ビームレノストを塗布して、該４にＩ尖ヨ人レしスト
に電子ビーム露光し、現像処理することを特１ｆｉ４と
する電子ビームによるヒータ４−リＪ１．Ｉ ］ニ方法
。 （２） 前記ガラス基板かフレネルレンズを構成するガ
ラス基（がて、また前記専電個暑１Ｖ映が込明な導’ｉ
ｕ’ｌＩｌ〆１す１１史で、かつ前記電子ビーＪ・レノ
ストが透明な電ｒピームレジノ、ｌ・であることを１１
１１′徴とずイ’Ｊ ’Ｂｌ’ ；＋’自１１１求の９
１０囲第１項記載の７１１子ビームによるレンスＩ−加
］二方法。 （用 前記ガラス朋板がツレネルレンズ製造川１皇型を
構成する）、１−板であることを１ｌ１１′徴とする特
許請求の範囲第１ｊＪ１記・１＆の電子ビームによるレ
シスし加工カー去。 ３、明イＤＩ ７１）第２頁第１行、同（′↓第３行及
び第４頁第９行１」記載の１−フォ１−エソナング」を
［レジスト」と補正する。 ４、同第４頁第１２行、同頁第１３行、第７頁第１６行
、同頁第１６行乃至１７行及び同頁第１９行を己、１侃
の「フォ１．レジスト」を１−電子ヒ゛−ムレジス］・
」とｒ重圧する。 ５、 同第５頁第１０行目記載の「フォトレソスト１例
えば」を削除する。 ６、 同第７頁第８行乃至同頁ｆ７３１１行記載の［一
本発明では・・・できる。」を作用域する。 ７、 同第９頁第２行目記載の「フォルソス］・（電子
ビームレジスト）」を「電子ビームレノスト」と補正す
る。
Claims (3)
- （１）ガラス基板上に導電性薄膜を形成し、次いで該４
電性薄脱上に７オトレジストを塗布して、該フォトレジ
ストに電子ビーム露光し、現伶処理することを特徴とす
る電子ビームによるフォトエツチング加工方法。 - （２）前記ガラス基板がフレネルレンズを構成するガラ
ス基板で、才だ前記導電性薄膜が透明な導電性薄膜で、
かつ前記フォトレジストが透明な電子ビームレジストで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
ビームによるフォトエツチング加工方法。 - （３）前記ガラス基板がフレネルレンズ製造用原型を構
成する基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子ビームによるフォトエツチング加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116071A JPS608843A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116071A JPS608843A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608843A true JPS608843A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0244059B2 JPH0244059B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=14677989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116071A Granted JPS608843A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01261601A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Omron Tateisi Electron Co | マイクロ非球面レンズおよびその作製方法，ならびにマイクロ非球面レンズを利用した光ファイバ結合装置，集光光学系，光学素子，半導体レーザ光源およびイメージ・ディバイス |
| JPH0210356A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58116071A patent/JPS608843A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01261601A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Omron Tateisi Electron Co | マイクロ非球面レンズおよびその作製方法，ならびにマイクロ非球面レンズを利用した光ファイバ結合装置，集光光学系，光学素子，半導体レーザ光源およびイメージ・ディバイス |
| JPH0210356A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244059B2 (ja) | 1990-10-02 |
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