JPH0244060B2 - - Google Patents
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- JPH0244060B2 JPH0244060B2 JP58116072A JP11607283A JPH0244060B2 JP H0244060 B2 JPH0244060 B2 JP H0244060B2 JP 58116072 A JP58116072 A JP 58116072A JP 11607283 A JP11607283 A JP 11607283A JP H0244060 B2 JPH0244060 B2 JP H0244060B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- exposure
- resist
- fresnel lens
- spot
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Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 63
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビームによるレジスト加工方法
に関する。
に関する。
電子ビームによるレジスト加工において、電子
ビームレジストとして例えばPMMA（ポリメタク
リル酸メチル）等のポジ型電子ビームレジストを
使用した場合、露光量（ドーズ量）、現像時間に
よる残膜厚が第１図に示すように変化する。例え
ば、露光量を増加させると膜厚が減少する。
ビームレジストとして例えばPMMA（ポリメタク
リル酸メチル）等のポジ型電子ビームレジストを
使用した場合、露光量（ドーズ量）、現像時間に
よる残膜厚が第１図に示すように変化する。例え
ば、露光量を増加させると膜厚が減少する。
そこで、電子ビームによるレジスト加工を適用
してマイクロフレネルレンズを製造するとき、上
記露光量と膜厚との関係を利用して断面鋸歯状の
輪帯を形成している。
してマイクロフレネルレンズを製造するとき、上
記露光量と膜厚との関係を利用して断面鋸歯状の
輪帯を形成している。
第２図ａ，ｂはマイクロフレネルレンズの製造
工程を示している。まず、第２図ａに示すよう
に、ガラス基板１上にポジ型の電子ビームレジス
ト２（例えばPMMA）を塗布する。次いで、同
図ｂに示すように、露光ピツチＰと等しい直径を
有する電子ビームスポツト３を用いて電子ビーム
露光を行い、この後現像処理する。電子ビーム露
光するとき、露光位置がa1，a2，a3，a4…と変わ
るに従つて露光量を減少する。これにより、断面
ほぼ鋸歯状の輪帯２ａを形成することができる。
工程を示している。まず、第２図ａに示すよう
に、ガラス基板１上にポジ型の電子ビームレジス
ト２（例えばPMMA）を塗布する。次いで、同
図ｂに示すように、露光ピツチＰと等しい直径を
有する電子ビームスポツト３を用いて電子ビーム
露光を行い、この後現像処理する。電子ビーム露
光するとき、露光位置がa1，a2，a3，a4…と変わ
るに従つて露光量を減少する。これにより、断面
ほぼ鋸歯状の輪帯２ａを形成することができる。
しかし、電子ビームスポツト３のビーム強度分
布は第３図に示すように急な山型状になつてい
て、中心部の強度が周辺部の強度に比して大き
い。このため、輪帯２ａには電子ビームスポツト
３の強度分布に対応した微細な凹凸が生じる（第
３図参照）。この凹凸は集束光を散乱させるため、
レンズの集束効率を悪くする。
布は第３図に示すように急な山型状になつてい
て、中心部の強度が周辺部の強度に比して大き
い。このため、輪帯２ａには電子ビームスポツト
３の強度分布に対応した微細な凹凸が生じる（第
３図参照）。この凹凸は集束光を散乱させるため、
レンズの集束効率を悪くする。
また、同様の方法で製造したマイクロフレネル
レンズ製造用原型を用いてレンズを転写複製した
場合にも輪帯に上記凹凸があらわれ、同様にレン
ズの集束効率を悪くする。
レンズ製造用原型を用いてレンズを転写複製した
場合にも輪帯に上記凹凸があらわれ、同様にレン
ズの集束効率を悪くする。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、電子ビーム露光により
断面ほぼ鋸歯状のレジストパターンを形成する
際、電子ビームスポツトの強度分布に対応して生
じる凹凸をなだらかにする電子ビームによるレジ
スト加工方法を提供することである。
その目的とするところは、電子ビーム露光により
断面ほぼ鋸歯状のレジストパターンを形成する
際、電子ビームスポツトの強度分布に対応して生
じる凹凸をなだらかにする電子ビームによるレジ
スト加工方法を提供することである。
すなわち、本発明は、露光ピツチと等しい直径
の電子ビームスポツトと、該露光ピツチよりも大
きい直径でかつ該電子ビームスポツトよりビーム
強度分布がなだらかな電子ビームスポツトを用い
て、基板上の電子ビームレジストに露光位置によ
り露光量を変えて電子ビーム露光することを特徴
としている。
の電子ビームスポツトと、該露光ピツチよりも大
きい直径でかつ該電子ビームスポツトよりビーム
強度分布がなだらかな電子ビームスポツトを用い
て、基板上の電子ビームレジストに露光位置によ
り露光量を変えて電子ビーム露光することを特徴
としている。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第４図ａ，ｂは本発明をマイクロフレネルレン
ズの製造に適用した一例を示す。本実施例では、
同図ａに示すように、マイクロフレネルレンズを
構成するガラス基板４上のポジ型透明電子ビーム
レジスト５（例えばPMMA）に、露光ピツチＰ
と等しい直径を有しかつビーム強度分布が急な山
型状の電子ビームスポツト６（第６図参照）と、
該露光ピツチＰの２倍の大きさの直径を有しかつ
ビーム強度分布がなだらかな山型状の電子ビーム
スポツト７（第７図参照）とを用いて電子ビーム
露光する。
ズの製造に適用した一例を示す。本実施例では、
同図ａに示すように、マイクロフレネルレンズを
構成するガラス基板４上のポジ型透明電子ビーム
レジスト５（例えばPMMA）に、露光ピツチＰ
と等しい直径を有しかつビーム強度分布が急な山
型状の電子ビームスポツト６（第６図参照）と、
該露光ピツチＰの２倍の大きさの直径を有しかつ
ビーム強度分布がなだらかな山型状の電子ビーム
スポツト７（第７図参照）とを用いて電子ビーム
露光する。
このとき、鋸歯状断面の最下部となる露光位置
a1にはビーム強度の大きい電子ビームスポツト６
を照射し、他の露光位置a2，a3，a4…にはそれよ
りもビーム強度の小さい電子ビームスポツト７を
照射するが、電子ビームスポツト６と７および電
子ビームスポツト７どうしは互いにオーバーラツ
プすることになる。露光量は露光位置a1，a2，
a3，a4…の順に従つて少なくする。露光位置a2，
a3，a4…では同じ電子ビームスポツト７を使用し
て露光するが、この場合露光量を変えるには、例
えば電子ビーム露光量を一定にしておき、露光位
置a2，a3，a4…の順で走査回数を減らす。あるい
は走査回数を一定にしておき、露光位置a2，a3，
a4…の順で電子ビーム露光量自体を減少させる。
a1にはビーム強度の大きい電子ビームスポツト６
を照射し、他の露光位置a2，a3，a4…にはそれよ
りもビーム強度の小さい電子ビームスポツト７を
照射するが、電子ビームスポツト６と７および電
子ビームスポツト７どうしは互いにオーバーラツ
プすることになる。露光量は露光位置a1，a2，
a3，a4…の順に従つて少なくする。露光位置a2，
a3，a4…では同じ電子ビームスポツト７を使用し
て露光するが、この場合露光量を変えるには、例
えば電子ビーム露光量を一定にしておき、露光位
置a2，a3，a4…の順で走査回数を減らす。あるい
は走査回数を一定にしておき、露光位置a2，a3，
a4…の順で電子ビーム露光量自体を減少させる。
これにより、電子ビームスポツト６，７の照射
深さが露光位置a1，a2，a3，a4…の順で浅くな
り、照射部分は溶解可能な状態となる。
深さが露光位置a1，a2，a3，a4…の順で浅くな
り、照射部分は溶解可能な状態となる。
次いで、上記電子ビームレジスト５を現像処理
すると、同図ｂに示すように電子ビームスポツト
６，７の照射部分が溶解除去されて、輪帯５ａが
形成される。このとき、電子ビームスポツト６，
７のビーム強度分布に対応した凹凸が生じるが、
露光に際し上述の如く電子ビームスポツト６と７
および電子ビームスポツト７どうしは互いにオバ
ーラツプし、また電子ビームスポツト７のビーム
強度分布はなだらかな山型状で中心部の強度と周
辺部の強度の差はあまり大きくないため、輪帯５
ａの表面はなめらかなものとなる。これにより、
第５図ａ，ｂに示すようなマイクロフレネルレン
ズＬが製造される。
すると、同図ｂに示すように電子ビームスポツト
６，７の照射部分が溶解除去されて、輪帯５ａが
形成される。このとき、電子ビームスポツト６，
７のビーム強度分布に対応した凹凸が生じるが、
露光に際し上述の如く電子ビームスポツト６と７
および電子ビームスポツト７どうしは互いにオバ
ーラツプし、また電子ビームスポツト７のビーム
強度分布はなだらかな山型状で中心部の強度と周
辺部の強度の差はあまり大きくないため、輪帯５
ａの表面はなめらかなものとなる。これにより、
第５図ａ，ｂに示すようなマイクロフレネルレン
ズＬが製造される。
上記実施例では、マイクロフレネルレンズを製
造する場合を説明したが、同様の方法でマイクロ
フレネルレンズ製造用原型を製造することもでき
る。この場合、基板として原型を構成する基板を
用いる。また、電子ビームレジスト５は透明でな
くてもよい。このマイクロフレネルレンズ製造用
原型を用いて転写複製されたレンズの輪帯表面
は、凹凸があまりなく、なめらかである。
造する場合を説明したが、同様の方法でマイクロ
フレネルレンズ製造用原型を製造することもでき
る。この場合、基板として原型を構成する基板を
用いる。また、電子ビームレジスト５は透明でな
くてもよい。このマイクロフレネルレンズ製造用
原型を用いて転写複製されたレンズの輪帯表面
は、凹凸があまりなく、なめらかである。
本発明では、ポジ型の電子ビームレジストに限
られず、ネガ型の電子ビームレジストに電子ビー
ム露光する場合にも適用できる。この場合、露光
量を増加させるに従つて膜厚が増加するので、電
子ビームスポツト６，７の露光量を露光位置a1，
a2，a3…の順に増加させる。
られず、ネガ型の電子ビームレジストに電子ビー
ム露光する場合にも適用できる。この場合、露光
量を増加させるに従つて膜厚が増加するので、電
子ビームスポツト６，７の露光量を露光位置a1，
a2，a3…の順に増加させる。
以上説明したように本発明によれば、電子ビー
ム露光の露光ピツチと等しい直径を有する電子ビ
ームスポツトと、該露光ピツチよりも大きい直径
を有しかつ該電子ビームスポツトよりビーム強度
分布がなだらかな電子ビームスポツトとを用い、
電子ビームレジストに露光位置により露光量を変
えて電子ビーム露光して、断面ほぼ鋸歯状のレジ
ストパターンを形成するので、レジストパターン
の表面に形成される電子ビームスポツトのビーム
強度分布と対応した凹凸はなめらかなものとな
る。
ム露光の露光ピツチと等しい直径を有する電子ビ
ームスポツトと、該露光ピツチよりも大きい直径
を有しかつ該電子ビームスポツトよりビーム強度
分布がなだらかな電子ビームスポツトとを用い、
電子ビームレジストに露光位置により露光量を変
えて電子ビーム露光して、断面ほぼ鋸歯状のレジ
ストパターンを形成するので、レジストパターン
の表面に形成される電子ビームスポツトのビーム
強度分布と対応した凹凸はなめらかなものとな
る。
従つて、本発明をマイクロフレネルレンズやそ
の製造用原型の製造に適用すれば、表面がなめら
かな断面ほぼ鋸歯状の輪帯を有したレンズが得ら
れ、該表面での光の拡散が少なくなり、レンズの
集束効率を向上させることができる。
の製造用原型の製造に適用すれば、表面がなめら
かな断面ほぼ鋸歯状の輪帯を有したレンズが得ら
れ、該表面での光の拡散が少なくなり、レンズの
集束効率を向上させることができる。
第１図は露光量（ドーズ量）、現像時間と残膜
厚との関係を示すグラフ、第２図ａ，ｂは従来の
マイクロフレネルレンズの製造工程を説明する説
明図、第３図は電子ビームスポツト３のビーム強
度分布を示すグラフ、第４図ａ，ｂは本発明をマ
イクロフレネルレンズの製造に適用した一例を示
す説明図、第５図ａは同方法によつて製造された
マイクロフレネルレンズの平面図、同図ｂは同断
面図、第６図は電子ビームスポツト６のビーム強
度分布を示すグラフ、第７図は電子ビームスポツ
ト７のビーム強度分布を示すグラフである。 ４……基板（ガラス基板）、５……電子ビーム
レジスト（ポジ型透明電子ビームレジスト）、５
ａ……断面ほぼ鋸歯状のレジストパターン（輪
帯）、６，７……電子ビームスポツト。
厚との関係を示すグラフ、第２図ａ，ｂは従来の
マイクロフレネルレンズの製造工程を説明する説
明図、第３図は電子ビームスポツト３のビーム強
度分布を示すグラフ、第４図ａ，ｂは本発明をマ
イクロフレネルレンズの製造に適用した一例を示
す説明図、第５図ａは同方法によつて製造された
マイクロフレネルレンズの平面図、同図ｂは同断
面図、第６図は電子ビームスポツト６のビーム強
度分布を示すグラフ、第７図は電子ビームスポツ
ト７のビーム強度分布を示すグラフである。 ４……基板（ガラス基板）、５……電子ビーム
レジスト（ポジ型透明電子ビームレジスト）、５
ａ……断面ほぼ鋸歯状のレジストパターン（輪
帯）、６，７……電子ビームスポツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の電子ビームレジストに露光位置によ
り露光量を変えて電子ビーム露光を行い、次いで
現像処理することにより、断面ほぼ鋸歯状のレジ
ストパターンを形成する電子ビームによるレジス
ト加工方法において、電子ビーム露光ピツチと等
しい直径を有する電子ビームスポツトと、該露光
ピツチより大きい直径を有しかつ該電子ビームス
ポツトよりビーム強度分布がなだらかな電子ビー
ムスポツトとを用いて前記電子ビームレジストに
電子ビーム露光することを特徴とする電子ビーム
によるレジスト加工方法。 ２ 前記基板がフレネルレンズを構成するガラス
基板で、かつ前記電子ビームレジストが透明な電
子ビームレジストであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の電子ビームによるレジスト
加工方法。 ３ 前記基板がフレネルレンズ製造用原型を構成
する基板であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子ビームによるレジスト加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116072A JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116072A JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608844A JPS608844A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0244060B2 true JPH0244060B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=14678014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116072A Granted JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608844A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740111B2 (ja) * | 1985-11-07 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 微小光学素子の製造方法 |
| JPH0196656A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Omron Tateisi Electron Co | 荷電ビーム露光装置 |
| JP2616660B2 (ja) * | 1993-06-21 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 厚膜配線パターンの露光装置および厚膜の成形方法 |
| JP4910590B2 (ja) | 2006-09-15 | 2012-04-04 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
| US20120219886A1 (en) | 2011-02-28 | 2012-08-30 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| US8057970B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-11-15 | D2S, Inc. | Method and system for forming circular patterns on a surface |
| US8473875B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-06-25 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
| US8039176B2 (en) | 2009-08-26 | 2011-10-18 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| TWI496182B (zh) * | 2009-08-26 | 2015-08-11 | D2S Inc | 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統 |
| US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| WO2012148606A2 (en) | 2011-04-26 | 2012-11-01 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US8719739B2 (en) | 2011-09-19 | 2014-05-06 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| WO2013158574A1 (en) | 2012-04-18 | 2013-10-24 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58116072A patent/JPS608844A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS608844A (ja) | 1985-01-17 |
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