JP2001093809A - パターン描画方法及び荷電ビーム描画装置 - Google Patents

パターン描画方法及び荷電ビーム描画装置

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JP2001093809A
JP2001093809A JP26835599A JP26835599A JP2001093809A JP 2001093809 A JP2001093809 A JP 2001093809A JP 26835599 A JP26835599 A JP 26835599A JP 26835599 A JP26835599 A JP 26835599A JP 2001093809 A JP2001093809 A JP 2001093809A
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aperture
charged beam
pattern
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lens
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Koji Ando
厚司 安藤
Toshiyuki Umagoe
俊幸 馬越
Ryoichi Inenami
良市 稲浪
Kazuyoshi Sugihara
和佳 杉原
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ＶＳＢ描画方式によるパターンの描画を減少さ
せつつ、ＣＰ描画方式に用いられるアパーチャの数の増
加を抑制すること。 【解決手段】電子銃１０１と、電子銃１０１から発生さ
れた電子ビーム１０２を所望のアパーチャ像に成形する
ＣＰアパーチャ１０５と、成形された電子ビーム１０２
をウェハ１１６上に結像させる結像レンズ系１０６，１
０８と、電子ビーム１０２をブランキングするためのブ
ランキング偏向器１１８と、試料面上の荷電ビームの照
射位置を制御する対物偏向器１０７と、ウェハ１１６上
に結像させるパターンに応じて前記結像レンズ系１０
６，１０８の条件を変更し、ＣＰアパーチャ１０５と前
記試料間で前記アパーチャ像の結像する回数を変更する
手段１１７とを具備してなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電ビームを用い
て試料面上にパターンを描画する荷電ビーム描画装置及
びパターン描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程における光リソグラフィ
は、そのプロセス簡易性、低コストなどの利点により広
くデバイス生産に用いられてきた。常に技術革新が続け
られており、近年では短波長化（ＫｒＦエキシマレーザ
光源）により０．２５μｍ以下の素子の微細化が達成さ
れつつある。さらに微細化を進めようと、より短波長の
ＡｒＦエキシマレーザ光源やレベンソン型の位相シフト
マスクの開発が進められており０．１５μｍルール対応
の量産リソグラフィツールとして期待されている。しか
し、これを実現するための課題も多く、その開発に係わ
る時間が長期化しており、デバイスの微細化のスピード
に追いつかなくなることが心配されつつある。これに対
して、ポスト光リソグラフィの第一候補である荷電ビー
ムリソグラフィは、細く絞ったビームを用いて０．０１
μｍまでの加工できることは実証済みである。微細化と
いう観点では、当面問題なさそうであるが、デバイス量
産ツールとしてはスループットに問題がある。すなわち
細かいパターンを一つ一つ順番に描いていくためどうし
ても時間がかかってしまう。この描画時間を短縮するた
めに、ＵＬＳＩパターンの繰り返し部分を部分的に一括
して描画する部分一括描画方式（ＣＰ（Character Proj
ection）描画方式）が開発されている。
【０００３】しかし、実際にデバイスをＣＰ描画方式で
描画する場合、ＣＰの数が限定されている為、繰り返し
数の少ないパターンに関しては可変成形ビーム（ＶＳ
Ｂ）描画方式と呼ばれる２枚のアパーチャの光学的な重
なりによりビームの形状を決定し描画を行っている。し
かし、ＣＰ描画方式に比較して、ＶＳＢ描画方式はパタ
ーンを短冊上に分割する為、ショット数が増加し、スル
ープットを低下させる。また、アパーチャの重なりの設
定誤差によるパターン寸法性精度の劣化が発生する。
【０００４】パターンの寸法精度、スループットの点か
らは全てのパターンをＣＰ描画方式でパターンが形成す
る事が理想となる。
【０００５】デバイスのパターンの設計はある種パター
ンを組み合わせて機能させている。ある、ＡＳＩＣの場
合種パターンは４００種類程度である。この種パターン
を反転、ミラー反転して組み合わせるため、ＣＰ描画方
式では４００種×４＝１６００種のＣＰが必要になる。
このため従来は必要なアパーチャの数が多く、可能な数
だけＣＰアパーチャ化して、その他はＶＳＢ描画方式で
描画をおこなってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】パターンの寸法精度、
スループットの点から全てのパターンをＣＰ描画方式で
形成することが理想であるが、多数のアパーチャを用意
しなければなら無いので、アパーチャの数を増やすとコ
ストが増大する。そのため、可能なパターンだけ、ＣＰ
描画方式で形成し、残りのパターンはＶＳＢ描画方式で
描画を行っていた。しかし、ＶＳＢ描画方式では、アパ
ーチャの重なり設定誤差によるパターン寸法精度が劣化
するという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、ＶＳＢ描画方式によるパ
ターンの描画を減少させつつ、ＣＰ描画方式に用いられ
るアパーチャの数の増加を抑制することにより、パター
ン寸法精度の劣化及びコスト増大の抑制を図り得るパタ
ーン描画方法及び荷電ビーム描画装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。
【０００９】（１）本発明（請求項１）は、荷電ビーム
源と、この荷電ビーム源から発生された荷電ビームを所
望のパターンに成形するアパーチャと、成形された荷電
ビームを試料上に結像させる結像レンズ系と、荷電ビー
ムをブランキングするためのブランキング偏向器と、試
料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏向器と
を有する荷電ビーム描画装置を用いたパターン描画方法
であって、前記結像レンズ系のレンズ条件を変更して、
前記アパーチャと前記試料との間で前記アパーチャで成
形された荷電ビーム像の結像する回数を異ならせ、該ア
パーチャにより成形された荷電ビームのパターンに対し
て、相似又は点対称なパターンを該試料面上に結像させ
ることを特徴とする。
【００１０】（２）本発明（請求項２）は、荷電ビーム
源と、この荷電ビーム源から発生された荷電ビームを所
望のパターンに成形するアパーチャと、成形された荷電
ビームを試料上に結像させる、二つ以上の多極子レンズ
を用いた結像レンズ系と、前記試料面上の荷電ビームの
照射位置を制御する対物偏向器とを有する荷電ビーム描
画装置を用いたパターン描画方法であって、前記結像レ
ンズ系のレンズ条件を変更して、前記アパーチャと前記
試料間で該アパーチャで成形された荷電ビーム像の結像
する回数が異ならせ、該アパーチャにより成形された荷
電ビームのパターンに対して、相似，点対称或いは線対
称なパターンを該試料面上に結像させることを特徴とす
る。
【００１１】（３）本発明（請求項３）の荷電ビーム描
画装置は、荷電ビーム源と、この荷電ビーム源から発生
された荷電ビームを所望のパターンに成形するアパーチ
ャと、成形された荷電ビームを試料上に結像させる結像
レンズ系と、荷電ビームをブランキングするためのブラ
ンキング偏向器と、試料面上の荷電ビームの照射位置を
制御する対物偏向器と、前記試料上に結像させるパター
ンに応じて前記結像レンズ系の条件を変更し、前記アパ
ーチャと前記試料間で前記アパーチャ像の結像する回数
を変更する手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１２】（４）本発明（請求項４）の荷電ビーム描
画装置は、荷電ビーム源と、この荷電ビーム源から発生
された荷電ビームを所望のパターンに成形するアパーチ
ャと、成形された荷電ビームを試料上に結像させる、二
つ以上の多極子レンズを用いた結像レンズ系と、前記試
料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏向器
と、前記試料上に結像させるパターンに応じて前記結像
レンズ系の条件を変更し、前記アパーチャと前記試料間
で前記アパーチャ像の結像する回数を変更する手段とを
具備してなることを特徴とする。
【００１３】なお、上記四つの発明において、前記ＣＰ
アパーチャには、半導体回路の繰り返しパターンに対応
したパターンが形成されていることが好ましい。
【００１４】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。
【００１５】結像レンズ系の設定条件を変更することに
より、ＣＰアパーチャで整形されたパターンと相似なパ
ターンに対して点対称、線対称なパターンを試料上に結
像することが可能となり、ＣＰアパーチャの数を減少さ
せることが可能となった。ＣＰアパーチャの数の減少に
よりスループットと寸法精度の向上が可能となった。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。
【００１７】［第１実施形態］図１は、本発明の第１実
施形態に係わる電子ビーム描画装置の概略構成を示す図
である。
【００１８】電子銃１０１から放出された電子ビーム１
０２はコンデンサーレンズ１０３で希望の電流密度に調
整され、ＣＰ選択偏向器１０４で任意のＣＰアパーチャ
１０５に照射される。ＣＰアパーチャ１０５で希望のビ
ーム形状へ成形された像は、縮小レンズ１０６及び対物
レンズ１０８からなる結像レンズ系で希望するサイズに
縮小され、ウェハ１１６上に結像、転写される。電子ビ
ーム１０２の試料面上の位置は、対物主偏向器１０７に
より試料１１６上に設定される。
【００１９】パターンデータ１１５及び制御コンピュー
タ１１４により、レンズ制御回路１１０、ＣＰ制御回路
１１３、ビーム偏向回路１１１、ステージ制御回路１１
２が制御される。ここで使用したレンズは回転対象型の
静電レンズを用いた。
【００２０】試料１１６上の電子ビーム１０２の位置を
移動する場合、試料１１６上の不必要な場所に露光され
ないように、電子ビーム１０２をブランキング電極１１
８で偏向し、電子ビーム１０２をカットし、試料面上に
到達しないようにする。ブランキング電極１１８への偏
向電圧の制御は、ブランキング制御回路１２０で制御さ
れる。縮小レンズ１０６及び対物レンズ１０８に入射す
る露光光の光軸は、それぞれ第１アライメント偏向器１
２１及び第２アライメント偏向器１２２によって調整さ
れる。第１及び第２アライメント偏向器１２１，１２２
は、アライメント制御回路１２４によって制御される。
【００２１】パターンデータ１１５に応じて、ＣＰアパ
ーチャ１０５のパターンを選択するとと共に、条件変更
データ１１７に応じて前記縮小レンズ及び前記対物レン
ズのレンズ条件を変更し、電子ビームを成形するＣＰア
パーチャと試料との間でアパーチャ像が結像する回数を
異ならせることによって、ＣＰアパーチャ１０５のパタ
ーンに対して相似なパターンと、ＣＰアパーチャ１０５
のパターンに対して点対称なパターンを試料上に結像す
る。
【００２２】なお、条件変更データ１１７には、図２に
示すように、条件に応じて、縮小レンズ、対物レンズ、
第１及び第２アライメント偏向器の設定値が格納されて
いる。図２においては、条件Ａ，条件Ｂの二つの条件を
示しているが、実際には多数の条件が格納されている。
【００２３】縮小レンズ１０６及び対物レンズ１０８の
レンズ条件及び第１及び第２アライメント偏向器１２
１，１２２の調整条件は、変更データ１１７内に格納さ
れている。
【００２４】変更データ１１７内には、例えば図２に示
すような、表の形で格納されている。ウェハ１１６上に
結像するパターンに応じて条件Ａ，条件Ｂを選択して、
縮小レンズ１０６，対物レンズ１０８，第１及び第２ア
ライメント偏向器１２１，１２２の条件を変更する。な
お、レンズ条件を変更する際に光軸もずれるので、本実
施形態に示したように、アライメント偏向器によって光
軸の調整を行うことが好ましい。アライメント偏向器は
高速、高精度に変更するために静電型の偏向器を用い
た。
【００２５】図３は、ＣＰアパーチャで成形されたアパ
ーチャ像を偶数の結像回数の条件で結像した場合のＣＰ
アパーチャ１０５から下の結像系の電子ビームの軌道を
示す図である。
【００２６】通常ＣＰアパーチャ１０５には、繰り返し
パターンが形成されているが、説明を簡略するためにＣ
Ｐアパーチャ１０５に形成されているパターンとして
“Ｆ”を用いている。
【００２７】ＣＰアパーチャ１０５から縮小レンズ１０
６までの距離は３０ｍｍ、縮小レンズ１０６から対物レ
ンズ１０８までは５０ｍｍ対物レンズ１０８からウェハ
１１６面までの距離は１０ｍｍである。このとき、縮小
レンズ１０６の焦点距離を１３．６ｍｍ、対物レンズ１
０８の焦点距離を７．１ｍｍの場合、縮小レンズ１０６
と対物レンズ１０８間でＣＰアパーチャ像（ＣＰアパー
チャ上のパターン２０１）は一度結像し、その後ウェハ
１１６上に結像する。即ち、ＣＰアパーチャ１０５とウ
ェハ１１６間で２回結像し（ウェハ上での結像回数も含
む）、ＣＰアパーチャ１０５の像はウェハ１１６上と同
位相になる。この時、ＣＰアパーチャ１０５のウェハ１
１６上での縮小率は１／３となる。即ち、ＣＰアパーチ
ャ１０５上で１０μｍの“Ｆ”の形のＣＰアパーチャの
パターンはウェハ１１６上で１０／３μｍとなり、同位
相のウェハ上のパターン２０２になる。
【００２８】図４はＣＰアパーチャ１０５、レンズ１０
６及び１０８、ウェハ１１６の位置関係は図３と同様で
あるが、ＣＰアパーチャ１０５とウェハ１１６間で一度
結像する条件にレンズを設定した時の光線図である。縮
小レンズ１０６の焦点距離を３０ｍｍ、対物レンズの焦
点距離を１０ｍｍとした。この時、ＣＰアパーチャ１０
５とウェハ１１６間での結像回数は１回（奇数回）とな
り、ＣＰアパーチャ上のパターン２０１はウェハ上のパ
ターン２０２として結像する。この場合は即ち、ＣＰア
パーチャ１０５とウェハ１１６間で１回結像し、ＣＰア
パーチャ上のパターン２０１とウェハ上のパターン２０
２は上下逆位相になる。この時、ＣＰアパーチャ１０５
のウェハ１１６上での縮小率は１／３となる。
【００２９】即ち、ＣＰアパーチャ１０５上で１０μｍ
の“Ｆ”の形のパターン２０１はウェハ１１６上で１０
／３μｍとなり、逆位相のパターン２０１、つまり
“Ｆ”と点対称なパターンになる。
【００３０】上述したように、レンズの設定条件により
１つのアパーチャを上下反転して使用することが出来、
ＣＰアパーチャ１０５の数が１／２に減少する事が可能
となった。また、静電型レンズを使用している為、磁界
型レンズの様に像の回転、ヒステリシス等は発生しな
い。また、レンズを高速に切替える事も可能となる。
【００３１】上述した方法を用いる事により、回転対象
のＣＰアパーチャパターンを同一のＣＰアパーチャ１０
５で描画する事が可能となり、スループットおよびＣＤ
の精度を向上する事が可能となった。
【００３２】［第２実施形態］図５は、本発明の第２実
施形態に係わる電子ビーム描画装置の概略構成を示す図
である。電子銃１０１から放出された電子ビーム１０２
はコンデンサーレンズ１０３で希望の電流密度に調整さ
れ、ＣＰ選択偏向器１０４で任意のＣＰアパーチャ１０
５のパターンに照射される。ＣＰアパーチャ１０５で希
望のビーム形状へ成形された像は、第１，第２及び第３
結像レンズ４０１，４０２，４０２からなる結像レンズ
系で希望するサイズに結像されて、ウェハ１１６上に結
像、転写される。電子ビーム１０２の試料面上の位置
は、対物偏向器１０７により試料１１６上に設定され
る。この時、ウェハ１１６上に結像する結像系のレンズ
に軸非対象の静電型レンズ、４極子型を３段重ねたトリ
プレット型を用いた。
【００３３】制御コンピュータ１１４，パターンデータ
１１５及び条件変更データ１１７により、レンズ制御回
路１１０、ＣＰ制御回路１１３、ビーム偏向回路１１
１、ステージ制御回路１１２及びアライメント制御回路
１２４が制御される。
【００３４】試料１１６上の電子ビーム１０２の位置を
移動する場合、試料１１６上の不必要な場所に露光され
ないように、電子ビーム１０２をブランキング電極１１
８で偏向し、電子ビーム１０２をカットし、試料面上に
到達しないようにする。ブランキング電極１１８への偏
向電圧の制御は、ブランキング制御回路１２０で制御さ
れる。第１結像レンズ４０１，第２結像レンズ４０２及
び第３結像レンズ４０３に入射する露光光の光軸は、そ
れぞれ第１アライメント偏向器１２１，第２アライメン
ト偏向器１２２及び第３アライメント偏向器１２３によ
って調整される。第１，第２及び第３アライメント偏向
器１２１，１２２、１２３は、アライメント制御回路１
２４によって制御される。
【００３５】パターンデータ１１５に応じて、ＣＰアパ
ーチャ１０５のパターンを選択するとと共に、条件変更
データ１１７に応じて第１，第２及び第３結像レンズ４
０１，４０２，４０３のレンズ条件、及び第１，第２及
び第３アライメント偏向器の補正値を変更し、電子ビー
ムを成形するＣＰアパーチャ１０５とウェハ１１６との
間でアパーチャ像が結像する回数を異ならせることによ
って、ＣＰアパーチャ１０５のパターンに対して相似な
パターンと、ＣＰアパーチャ１０５のパターンに対して
点対称及び線対称なパターンをウェハ１１６上に結像す
る。
【００３６】なお、条件変更データ１１７には、図６に
示すように、条件に応じて、第１，第２及び第３結像レ
ンズ、第１，第２及び第３アライメント偏向器、ウェハ
の結像位置補正値が格納されている。図６においては、
条件Ａ，条件Ｂの二つの条件を示しているが、実際には
多数の条件が格納されている。ウェハ１１６上に結像す
るパターンに応じて、条件Ａ，Ｂを選択して、第１結像
レンズ、第２結像レンズ、第３結像レンズ、第１アライ
メント偏向器、第２アライメント偏向器、第３アライメ
ント偏向器、ウェハ上の結像位置の補正を行う。
【００３７】図７は、ＣＰアパーチャ１０５からウェハ
１１６までの結像系の電子ビームの軌道を示す図であ
る。図７において、実線はＸＺ平面の電子ビームの軌道
を示している。４極子レンズは例えばＸＺ平面では発散
（凹）レンズ、ＹＺ平面では収束レンズとして働く、軸
非対称レンズである。ＣＰアパーチャ１０５で成形され
た電子ビームのＸＺ平面は図７に示すような軌道を通
り、第１結像レンズ４０１と第２結像レンズ４０２の間
で一度結像し、その後、第３結像レンズ４０３によりウ
ェハ１１６上へ結像される。
【００３８】一方、図７の破線はＹＺ平面のビームの軌
道を示している。ＣＰアパーチャ１０５で成形されたＹ
Ｚ平面の電子ビームは図７の破線に示すような軌道を通
り、第２結像レンズ４０２によりウェハ１１６上へ結像
される。
【００３９】この様なレンズ設定において、ＣＰアパー
チャ１０５からウェハ１１６間でＸＺ平面では２度結像
している。一方、ＹＺ平面では１度結像している。ＣＰ
アパーチャ１０５上のパターン２０１は、ウェハ１１６
上のパターン７０２は、図７のＦマークに示すように、
上下が反転した状態でウェハ上へ結像される。
【００４０】図８は、ＣＰアパーチャ１０５からウェハ
１１６までの結像系の電子ビームの軌道を示した物であ
る。
【００４１】図８の実線はＸＺ平面のビームの軌道を示
している。ＣＰアパーチャ１０５で成形された電子ビー
ムはＸＺ平面で図８の実線に示すような軌道を通り、第
２結像レンズ４０２によりウェハ１１６上へ結像され
る。
【００４２】また、図８の破線はＹＺ平面のビームの軌
道を示している。ＣＰアパーチャ１０５で成形された電
子ビームのＹＺ平面は図８の破線に示すような軌道を通
り、第１結像レンズ４０１と第２結像レンズ４０２の間
で、一度結像し、その後、第３結像レンズ４０３により
ウェハ１１６上へ結像される。
【００４３】一方、この様なレンズ設定において、ＣＰ
アパーチャ１０５からウェハ１１６間でＸＺ平面では１
度結像している。一方、ＹＺ平面では２度結像してい
る。ＣＰアパーチャ１０５上のパターン２０１はウェハ
１１６上のパターン８０２は図７のＦマークに示すよう
に、左右が反転した状態でウェハ１１６上へ結像され
る。
【００４４】上記に示したように、レンズの設定条件に
より１つのＣＰアパーチャ１０５の像を反転して使用す
ることが出来る。ＣＰアパーチャ１０５の上下、左右ミ
ラー反転像をウェハ１１６上に結像することが可能とな
るため、レンズの組み合わせにより、ＣＰアパーチャ１
０５の数を１／４に減少させる事が可能となった。
【００４５】また、静電型レンズを使用している為、磁
界型レンズの様に像の回転、ヒステリシス等は発生しな
い。また、静電型レンズを用いているため、レンズの条
件を高速に切替える事も可能となる。
【００４６】この方法を用いる事により、回転・反転対
象のパターンを同一のＣＰアパーチャ１０５で描画する
事が可能となり、スループットおよびＣＤの精度を向上
する事が可能となった。
【００４７】本実施形態は、説明を簡素化するため、ト
リプレットの４極子レンズを用いているが、本発明はト
リプレットの限定された物ではなく、４極子をさらに複
数段重ね自由度を増やしても同様の効果を得られる。４
極子レンズを用いて記述されているが、４極子に限ら
ず、８極子以上の電極数で有っても問題はない。また、
ＸＺ平面とＹＺ平面の倍率が等倍率で記述されている
が、ＸＺ平面とＹＺ平面で倍率が異なっていても問題は
無い。その時は予め、ＣＰアパーチャを設計時に、縦と
横の倍率を変えてやれば良い。本実施形態では、アライ
メント偏向器に静電型を用いているが、磁界型の偏向コ
イルを用いても良い。
【００４８】また、ＣＰアパーチャ１０５より電子側の
コンデンサーレンズとして対称レンズを用いて記述され
ているが、本発明に於いては前記コンデンサーレンズが
非対象型のレンズで有っても問題は無い。
【００４９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することが可能である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、結
像レンズ系の設定条件を変更することにより、ＣＰアパ
ーチャで整形されたパターンと相似なパターンに対して
点対称、線対称なパターンを試料上に結像することが可
能となり、ＣＰアパーチャの数を増加させることなく、
ＶＳＢ描画方式によるパターンの描画を減少させること
ができる。そのため、ＶＳＢ描画方式によるパターンの
描画を減少させつつ、ＣＰ描画方式に用いられるアパー
チャの数の増加を抑制することができ、スループットと
寸法精度の向上、並びにコストの増大の抑制を図ること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係わる電子ビーム描画装置の概
略構成を示す図。
【図２】条件変更データ内に格納されているデータの概
略を示す図。
【図３】ＣＰアパーチャ像を偶数の結像回数の条件で結
像した場合のＣＰアパーチャから下の結像系の電子ビー
ムの軌道を示す図。
【図４】ＣＰアパーチャ像を奇数の結像回数の条件で結
像した場合のＣＰアパーチャから下の結像系の電子ビー
ムの軌道を示す図。
【図５】第２実施形態に係わる電子ビーム描画装置の概
略構成を示す図。
【図６】条件変更データ内に格納されているデータの概
略を示す図。
【図７】ＣＰアパーチャからウェハまでの結像系の電子
ビームの軌道を示す図。
【図８】ＣＰアパーチャからウェハまでの結像系の電子
ビームの軌道を示す図。
【符号の説明】
１０１…電子銃 １０２…電子ビーム １０３…コンデンサーレンズ １０４…ＣＰ選択偏向器 １０５…ＣＰアパーチャ １０６…縮小レンズ（結像レンズ系） １０７…対物偏向器 １０８…対物レンズ（結像レンズ系） １１０…レンズ制御回路 １１１…ビーム偏向回路 １１２…ステージ制御回路 １１３…ＣＰ制御回路 １１４…制御コンピュータ １１５…パターンデータ １１６…ウェハ １１７…条件変更データ １１８…ブランキング電極 １２０…ブランキング制御回路 １２１，１２２，１２３…第１，第２，第３アライメン
ト偏向器 １２４…アライメント制御回路 ４０１，４０２，４０３…第１，第２，第３結像レンズ
（結像レンズ系）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲浪 良市 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 杉原 和佳 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 CA16 LA10 5F056 AA06 CB05 CB32 EA04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】荷電ビーム源と、この荷電ビーム源から発
    生された荷電ビームを所望のパターンに成形するアパー
    チャと、成形された荷電ビームを試料上に結像させる結
    像レンズ系と、荷電ビームをブランキングするためのブ
    ランキング偏向器と、試料面上の荷電ビームの照射位置
    を制御する対物偏向器とを有する荷電ビーム描画装置を
    用いたパターン描画方法であって、 前記結像レンズ系のレンズ条件を変更して、前記アパー
    チャと前記試料との間で前記アパーチャで成形された荷
    電ビーム像の結像する回数を異ならせ、該アパーチャに
    より成形された荷電ビームのパターンに対して、相似又
    は点対称なパターンを該試料面上に結像させることを特
    徴とするパターン描画方法。
  2. 【請求項２】荷電ビーム源と、この荷電ビーム源から発
    生された荷電ビームを所望のパターンに成形するアパー
    チャと、成形された荷電ビームを試料上に結像させる、
    二つ以上の多極子レンズを用いた結像レンズ系と、前記
    試料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏向器
    とを有する荷電ビーム描画装置を用いたパターン描画方
    法であって、 前記結像レンズ系のレンズ条件を変更して、前記アパー
    チャと前記試料間で該アパーチャで成形された荷電ビー
    ム像の結像する回数が異ならせ、該アパーチャにより成
    形された荷電ビームのパターンに対して、相似，点対称
    或いは線対称なパターンを該試料面上に結像させること
    を特徴とするパターン描画方法。
  3. 【請求項３】荷電ビーム源と、 この荷電ビーム源から発生された荷電ビームを所望のア
    パーチャ像に成形するアパーチャと、 成形された荷電ビームを試料上に結像させる結像レンズ
    系と、 荷電ビームをブランキングするためのブランキング偏向
    器と、 試料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏向器
    と、 前記試料上に結像させるパターンに応じて前記結像レン
    ズ系の条件を変更し、前記アパーチャと前記試料間で前
    記アパーチャ像の結像する回数を変更する手段とを具備
    してなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
  4. 【請求項４】荷電ビーム源と、 この荷電ビーム源から発生された荷電ビームを所望のパ
    ターンに成形するアパーチャと、 成形された荷電ビームを試料上に結像させる、二つ以上
    の多極子レンズを用いた結像レンズ系と、 前記試料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏
    向器と、 前記試料上に結像させるパターンに応じて前記結像レン
    ズ系の条件を変更し、前記アパーチャと前記試料間で前
    記アパーチャ像の結像する回数を変更する手段とを具備
    してなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049556A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 D2S Inc フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法、パターンセット形成方法、半導体素子製造方法、およびフラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための装置
JP2013502729A (ja) * 2009-08-21 2013-01-24 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド キャラクタプロジェクションリソグラフィを用いて可変倍率で表面を製造するための方法および装置
US8828628B2 (en) 2008-09-01 2014-09-09 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US8900778B2 (en) 2008-09-01 2014-12-02 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US9038003B2 (en) 2012-04-18 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9043734B2 (en) 2008-09-01 2015-05-26 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9091946B2 (en) 2011-04-26 2015-07-28 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9372391B2 (en) 2008-09-01 2016-06-21 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9400857B2 (en) 2011-09-19 2016-07-26 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9043734B2 (en) 2008-09-01 2015-05-26 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
US9274412B2 (en) 2008-09-01 2016-03-01 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US9372391B2 (en) 2008-09-01 2016-06-21 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9625809B2 (en) 2008-09-01 2017-04-18 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US10101648B2 (en) 2008-09-01 2018-10-16 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9268214B2 (en) 2008-09-01 2016-02-23 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US8828628B2 (en) 2008-09-01 2014-09-09 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US8900778B2 (en) 2008-09-01 2014-12-02 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US9715169B2 (en) 2008-09-01 2017-07-25 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
JP2013502729A (ja) * 2009-08-21 2013-01-24 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド キャラクタプロジェクションリソグラフィを用いて可変倍率で表面を製造するための方法および装置
US8852831B2 (en) 2009-08-21 2014-10-07 D2S, Inc. Device for manufacturing a surface using character projection lithography with variable magnification
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
JP2011049556A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 D2S Inc フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法、パターンセット形成方法、半導体素子製造方法、およびフラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための装置
US8916315B2 (en) 2009-08-26 2014-12-23 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9091946B2 (en) 2011-04-26 2015-07-28 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9465297B2 (en) 2011-06-25 2016-10-11 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9400857B2 (en) 2011-09-19 2016-07-26 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US10031413B2 (en) 2011-09-19 2018-07-24 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9859100B2 (en) 2012-04-18 2018-01-02 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9038003B2 (en) 2012-04-18 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography
US10431422B2 (en) 2012-04-18 2019-10-01 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography

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