JP2002216690A - 荷電ビーム制御方法および制御装置 - Google Patents

荷電ビーム制御方法および制御装置

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JP2002216690A
JP2002216690A JP2001012697A JP2001012697A JP2002216690A JP 2002216690 A JP2002216690 A JP 2002216690A JP 2001012697 A JP2001012697 A JP 2001012697A JP 2001012697 A JP2001012697 A JP 2001012697A JP 2002216690 A JP2002216690 A JP 2002216690A
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lens
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electron beam
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Susumu Hashimoto
進 橋本
Koji Ando
厚司 安藤
Osamu Nagano
修 長野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 偏向による光学収差ぼけや電子ビーム形状寸
法誤差を補正した高精度の荷電電子ビーム制御方法とそ
の制御装置を提供すること。 【解決手段】 極子レンズ11、12、18、19によ
り形成されたマルチポール場を通過する荷電ビーム2の
軌道途中で、制御電圧を独立に制御できる回転対称型の
ラウンド式電子レンズ16を用いて偏向荷電ビームの条
件に応じて各エレクトロードへの電圧を制御することに
より荷電ビーム2を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡、電子
線描画装置、荷電粒子応用装置およびイオン描画装置な
どで用いられている荷電ビームを、高精度で制御する荷
電ビーム制御方法とその制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】荷電ビームである電子ビームは光の波長
よりも短い波長であることから、光に比べて電子ビーム
をより小さく絞ることが可能である。このため、光を使
用した顕微鏡や半導体パターン描画装置システムに比
べ、高い解像度の装置を構成でき、電子顕微鏡や、電子
線描画装置などに電子光学系として広く利用されてい
る。ただ、電子ビーム描画は、光露光によるマスク描画
方式と異なり、完成させるパターンを小さな分割パター
ン電子ビームで直接描画するので、描画に長時間を要す
るという問題がある。
【0003】このように高精度の細線パターンを形成で
きる特徴を持っている電子ビーム描画は、光露光方式リ
ソグラフィの次のステップの技術、あるいは、ASIC
等多品種少量生産の半導体製作に有力なツールとして進
展している。
【0004】電子ビームで直接パターンを形成する方法
としては、小さな丸い電子ビームをON/OFF制御し
ながら被加工体であるウエハの全面をスキャンしながら
パターン形成する方法と、ステンシルアパーチャを通過
させた電子ビームをパターン描画するVSB描画方式と
が知られている。また、VSB描画を発展させ、繰り返
しパターンを一つのブロックとしてステンシルを準備
し、これを選択描画することで高速描画する一括描画方
式の電子線描画の技術も開発されている。
【0005】図10は、このようなVSB描画方式を用
いた電子線描画装置の代表例を示す模式構成図である。
電子銃51から加速された電子ビーム52の光軸上には
順次、電子光学系として、照明レンズ53a、53b、
第1成形アパーチャ54、投影レンズ55a、55b、
成形偏向器56、第2成形アパーチャ57、縮小レンズ
58、対物レンズ59、主偏向器60、副偏向器61、
電子検出器62などが試料面63の前に配置されてい
る。
【0006】このうち、第1成形アパーチャ54には、
例えば、図11(a)に示すように矩形のアパーチャ5
4aが形成され、第2成形アパーチャ57には、例えば
図11(b)に示すように菱形と矩形を組み合わせたセ
ルアパーチャ57aや各種形状の複数のアパーチャ57
b、57cなどが形成されている。このような構成で、
半導体ウエハ等の試料面63に対して描画を行う場合、
電子銃51から加速された電子ビーム52は、照明レン
ズ53により、均一な電子ビーム52に整えられ、第1
成形アパーチャ54を通過することで矩形に成形され、
投影レンズ55により第2成形アパーチャ57に投影す
る。この際、CADデータに従った電子ビームパターン
形状とその面積が照射され、成形偏向器56によって制
御されるので、例えば、図11(c)に示すように三角
形の電子ビーム58を形成することができる。
【0007】この第2成形アパーチャ57を通過した電
子ビーム52は、縮小レンズ58及び対物レンズ59に
よって試料面63に縮小投影され、かつ、このときの試
料面63に対する電子ビーム62の描画位置は、主偏向
器60と副偏向器61で制御される。主偏向器60は、
試料面63に対して描画照射領域のストライプ内の位置
で図示していないXYステージ(不図示)の位置を参照
しながら制御し、かつ、副偏向器61は、ストライプ内
を細かく分割した描画範囲でその位置制御を行う。この
ように制御された電子ビームパターンを連続的にショッ
トすることで、試料面上にパターンを形成する。
【0008】なお、パターン描画の前には、電子ビーム
52のアライメントを行う。また、電子ビーム52が試
料面63に照射されることで発生する、2次電子や反射
電子を検出する電子検出器62が設けられており、この
反射電子信号を処理する事によってSEM像の検出、電
子ビーム調整等のアライメント制御を行っている。
【0009】電子ビーム描画装置では、一般に電子ビー
ムの解像度の向上のために、高加速に加速した電子ビー
ムを使用する方式が取られているが、試料面のレジスト
下面には、各種多層薄膜が形成されているので、レジス
トを通過した後、その一部が多層膜で反射し、散乱した
電子ビームとなって再びレジスト上方に向かう現象や、
電子ビームのパターンのショットの粗密によるばらつき
状態により、描画パターンにぼけや解像度劣化を引き起
こす、いわゆる近接効果が発生する。その為、この近接
効果の補正制御を盛り込んだ電子光学系や制御回路が必
要となり、システムが複雑化してトラブルを誘発した
り、結果的に精度が低下するという問題を抱えている。
【0010】これらの問題に対応するため、低加速電圧
の電子ビームを用いた電子線描画方式を、本出願人が先
に提案している発明(特願平10−363071号)に
ついて、図12により描画方式を説明する。
【0011】電子銃71から加速された電子ビーム72
は矩形または円形の開口を有する第1アパーチャ70に
照射される。この第1アパーチャ70を通過した電子ビ
ーム72は、一括露光セルアパーチャが複数配列された
第2成形アパーチャ77に向かう。電子ビーム72は任
意の一個のセルアパーチャに対して十分大きく、かつ隣
接するセルパターンに干渉しない大きさの電子ビーム径
に拡大電子ビーム機能を行う照明レンズ73a、73b
で成形される。照明レンズ73a、73bを通過した電
子ビーム72はセルアパーチャが複数配列された第2成
形アパーチャ77に対して目標とするアパーチャを選択
できるように目標位置へ偏向制御する第1成形偏向器7
6と第2成形アパーチャ77を通過したセルアパーチャ
像を光軸上に振戻す第2形偏向器79を通過する。
【0012】第1成形偏向器76、第2成形アパーチャ
77および第2成形偏向器79を通過した電子ビーム7
2は、第2成形アパーチャ77を起点とするセルパター
ン電子ビームとしてスタートし、光学系光軸上に振り戻
された状態で縮小レンズ78を通過する。縮小レンズ7
8の上部には第3成形アパーチャ85が設置されてお
り、アパーチャ等で散乱された不要な電子ビームをカッ
トする。縮小レンズ78で縮小された電子ビーム72
は、プリ副偏向器88、プリ主偏向器87、副偏向器8
1、主偏向器・対物レンズ80を通過し、試料面83に
縮小投影される。
【0013】描画パターン位置に対する電子ビーム位置
は主偏向器80と副偏向器81で制御し、主偏向器80
に対するプリ主偏向器87の制御電圧は加算方向に、プ
リ副偏向器88の制御電圧は減算方向に制御することで
総合的な収差を最小にしている。主偏向器80は、XY
ステージ84の上に搭載したウエハの試料面83に対し
て描画領域の位置をXYステージ84の位置を参照しな
がら偏向制御し、副偏向器81はストライプ内を細かく
分割した描画範囲に対してその位置制御を行う。
【0014】また、主偏向器80の下部に電子ビーム7
2が試料面83に照射された際に発生する二次電子や反
射電子を検出する電子ビーム検出器82が設けられてお
り、この反射電子信号を処理することでSEM像の検
出、電子ビーム調整等の制御を行っている。
【0015】また、偏向器は、静電レンズと重畳させ
て、エレクトロードを分割した静電レンズ(アインツェ
ルレンズ)で構成し、レンズ機能と偏向器機能を同時に
作用させている。
【0016】これらにより、この電子線描画装置は、回
転対称の光学系で構成されているので、制御性に優れ、
取扱いも簡単である。
【0017】ただ、この場合も、低加速の電子ビームを
使用すること、アパーチャ77から下流の光路で、電子
ビームがフォーカスする制御を行うため、この位置での
電子ビーム間の反発が顕著になり、いわゆる空間電荷効
果による電子ビームぼけが発生する。その防止のために
大電流を使用することができない。その結果、大きなパ
ターンを描画できず、描画スピードを上げられない欠点
を持っている。
【0018】上記の問題を解決するため、縮小投影光学
系を多重マルチポール(多重極)レンズにて構成した低
加速電子ビームを用いた電子線描画方式が提案されてい
る。この描画方式は、上記の空間電荷効果を解決するた
め、軌道上の電子ビームが、同一場所で電子ビームが集
中するのを避けるため、電子ビームをX、Y成分をそれ
ぞれ独立にフォーカスさせ、電子ビームが1箇所に集中
するのを避けることにより空間電荷効果を低減してい
る。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように電子ビーム描画で露光電子レンズにマルチポール
レンズを使用した場合には、X方向とY方向のそれぞれ
の電子ビームは非対称で独立した軌道で制御するため、
電子ビームのX方向とY方向の偏光感度および偏向収差
が異なった光学収差ぼけを生じる。また、X方向とY方
向との電子ビームの倍率に差を生じる現象が発生し、正
確な電子ビーム形状が得られない問題がある。
【0020】本発明はこれらの事情にもとづいてなされ
たもので、偏向による光学収差ぼけや電子ビーム形状寸
法誤差を補正した高精度の荷電電子ビーム制御方法とそ
の制御装置を提供することを目的としている。
【0021】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明による手
段によれば、荷電ビーム発生源から発生した荷電ビーム
を縮小投影手段としてマルチポールが形成されている極
子レンズを光軸に沿って多重に用いて制御する荷電ビー
ムの制御方法において、前記極子レンズにより形成され
たマルチポール場を通過する荷電ビームの軌道途中で、
制御電圧を独立に制御できる回転対称型のラウンド式電
子レンズを用いて偏向荷電ビームの条件に応じて各エレ
クトロードへの電圧を制御することにより前記荷電ビー
ムを制御することを特徴とする荷電ビーム制御方法であ
る。
【0022】また請求項2の発明による手段によれば、
前記ラウンド式電子レンズは独立に制御可能な複数のエ
レクトロードで形成され、前記各エレクトロードへの制
御電圧を同一にして静電レンズとして動作させ、Xまた
はY偏向軌道の角度を持った荷電ビーム軌道を対象に、
X成分またはY成分のみを変化させて試料面での荷電ビ
ーム形状を修正させることを特徴とする荷電ビーム制御
方法である。
【0023】また請求項3の発明による手段によれば、
前記ラウンド式電子レンズは、前記各エレクトロードへ
の制御電圧を対向4極に同極性、残り対向4極に逆極性
を印加して、フォーカス荷電ビームおよび荷電ビーム形
状のフォーミング動作の制御を行って試料面での荷電ビ
ーム形状を修正させることを特徴とする荷電ビーム制御
方法である。
【0024】また請求項4の発明による手段によれば、
前記極子レンズは、前記光軸上に4重に配置され前記荷
電ビーム発生源から3重目および4重目の前記極子レン
ズは、各エレクトロードへの制御電圧を対向4極に同極
性、残り対向4極に逆極性を印加して、フォーカス荷電
ビームおよび荷電ビーム形状のフォーミング動作の制御
を行って試料面での非点および荷電ビーム形状を修正さ
せることを特徴とする荷電ビーム制御方法である。
【0025】また請求項5の発明による手段によれば、
前記光軸上に4重に配置された前記極子レンズは、フォ
ーカスさせる際のレンズ電圧の条件に対して、荷電ビー
ムを偏向したときにフォーカスが前記試料面より上方に
移動する状態に対応し、XY偏向制御に応じて、リアル
タイムで全ての前記レンズ電圧を変化させ、偏向位置に
応じて常にフォーカスと荷電ビームが最適値になるよう
な制御をおこなうことを特徴とする荷電ビーム制御方法
である。
【0026】また請求項6の発明による手段によれば、
前記光軸上に4重に配置された前記極子レンズは、予め
設定されている偏向位置と焦点深度のデータ変換テーブ
ルにより、全てのレンズ電圧を変化させ、偏向位置に応
じて常にフォーカスと荷電ビームが最適値になる制御を
おこなうことを特徴とした荷電ビーム制御方法である。
【0027】また請求項7の発明による手段によれば、
前記光軸上に4重に配置された前記極子レンズは偏向電
圧の連動比の設定を、X方向荷電ビームとY方向荷電ビ
ームの前記試料面でランディング角度が小さく、かつ、
XY最大偏向量のランディング角度が同一となるよう設
定することにより偏向位置に左右されない荷電ビーム制
御をおこなうことを特徴とした荷電ビーム制御方法であ
る。
【0028】また請求項8の発明による手段によれば、
前記光軸上に4重に配置され前記荷電ビーム発生源から
1重目および2重目の前記極子レンズは、レンズ機能を
オフ状態にして、前記荷電ビームをラウンド式電子レン
ズのシ−ルド極でフォーカスするように制御し、前記さ
れ前記荷電ビーム発生源から1重目および2重目の前記
極子レンズをXYスキャン偏向器として動作させ、スキ
ャン偏向によって得られるアパーチャ孔の像が最もシャ
ープに見える条件に設定して前記荷電ビームの寸法が最
小となるフォーヵス条件に制御をすることで、軌道途中
の前記荷電ビーム広がりを最小にして、前記荷電ビーム
の偏向で発生する非点ぼけを除去する制御をおこなうこ
とを特徴とした荷電ビーム制御方法である。
【0029】また請求項9の発明による手段によれば、
荷電ビーム発生源から発生した荷電ビームを電子光学系
で制御する荷電粒子ビームの制御装置において、前記電
子光学系は、光軸に沿ってマルチポール場を形成する多
重に配置された極子レンズと、これらの極子レンズの間
の荷電粒子ビームの軌道途中に分割したエレクトロード
で形成し、かつ、制御電圧を独立に制御できるラウンド
式電子レンズとを具備したことを特徴とする荷電ビーム
制御装置である。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
【0031】図1は、本発明の荷電ビーム制御装置の模
式図である。
【0032】電子銃等の電子ビーム発生源1から加速さ
れた電子ビーム2の光軸上の前方には、順次、電子光学
系として、一対の照明レンズ3a、3b、第1成形偏向
器6、第1成形アパーチャ7、第2成形偏向器8、極子
レンズ11、12、第2成形アパーチャ13、プリ主偏
向器14、ラウンド式電子レンズ16、極子レンズ1
8、19、副偏向器21および電子検出器22等が配置
されている。
【0033】電子ビーム発生源1は、電子ビーム2の成
形制御機能を有しており、それに制御された電子ビーム
2の形状は、例えば、電子顕微鏡の場合はスポット電子
ビームであり、VSB電子線描画装置では可変成形され
た四角、三角あるいはステンシル通過の電子ビームであ
る。また、電子ビーム発生源1には、電子ビーム2をO
N/OFFするためのブランカー(不図示)や、電子ビ
ーム2のコヒーレンスを制御するコンデンサレンズ(不
図示)等も含まれており、それらにより、電子光学系で
使用するのに好適な電子ビーム2を生成している。
【0034】2つの成形偏向器6、8は、静電偏向板で
形成され、通過する電子ビーム2を偏向する機能を有し
ている。
【0035】極子レンズ11、12、18、19は、8
極のマルチポールレンズにより構成されている。図2
(a)および(b)は、互いに45度の角度をおいて配
置した8個の電極で構成したマルチポールレンズの構成
を代表的に示した平面図である。なお、図2(a)は電
極の平面形状が円形であるが、図2(b)では電極の平
面形状が一部切欠した扇形である。なお、偏向器として
機能させる際には、図2(b)で示した形状の方が好ま
しい。このマルチポールレンズで形成された極子レンズ
11、12、18、19は、XY軸をはさむ形の位相で
配置された2極を、1つの極子レンズとして機能させ、
それぞれ、全体として4極子レンズとして機能してい
る。この場合、電子ビームの軸に沿って4重に配置され
ている4つの極子レンズ11、12、18、19のう
ち、3重目の4極子レンズ18と、4重目の4極子レン
ズ19は、1重目および2重目の4極子レンズ11、1
2と比べて大きな内径を持つように設計されている。そ
れらにより、マルチポール場が形成されている。
【0036】図3に示すように、また、3重目の4極子
レンズ18と、4重目の4極子レンズ19は、第1成形
アパーチャ7から下流の光路で、電子ビーム2の軌道
が、X成分とY成分で独立した軌道20X、20Yを通
る制御をおこなっている。4重の極子レンズ11、1
2、18、19は、X方向とY方向の2方向の電界が、
例えばX方向が1重目から4重目まで順番に発散電界
(Q1)、発散電界(Q2)、収束電界(Q3)、発散
電界(Q4)とした場合、Y方向はX方向とは逆に、収
束電界(Q1)、収束電界(Q2)、発散電界(Q
3)、収束電界(Q4)となる様に電圧が印加される。
【0037】これらにより、第1成形アパーチャ7から
試科面24までの電子ビーム軌道20X、20Yは図3
に示したようになる。すなわち、Y方向とX方向の電子
ビーム軌道20X、20Yは、極子レンズ11、12を
通過後、静電レンズ14を通過して18に入るが、その
間にX方向の電子ビーム軌道20Xは大きな角度で拡が
り、18に入る際に最大となり、それ以後、電子ビーム
軌道20Xは狭まっていく。それに対して、Y方向の電
子ビーム軌道20Yは、同様に極子レンズ11、12を
通過後、静電レンズを通過して18に入るが、その間に
X方向の電子ビーム軌道20Yは小さい角度で拡がり、
18を通過して19に入る際に最大となる。したがっ
て、X方向とY方向との電子ビーム軌道20X、20Y
は異なった軌道を通り、クロスオーバを形成することな
くウエハ等の試料面24へ集光する。
【0038】図1に示したように、本発明の電子線描画
方式では、前述の空間電荷効果を解決するため、軌道上
の電子ビームが、同一場所で電子ビームが集中するのを
避けるため、電子ビームをX、Y成分をそれぞれ独立に
フォーカスさせ、電子ビームが1箇所に集中するのを避
け、空間効果を低減している。
【0039】また、図4に示すように、極子レンズ1
8、19に偏向電界を重畳させ、プリ主偏向器14、主
偏向器(極子レンズ18、19)の機能を動作させるこ
とで、X方向とY方向に関して電子ビームを偏向するこ
とが可能である。
【0040】また、図5に示すように、ラウンド式電子
レンズ16は回転対称型に形成され、2枚のリング状の
シールド板16a、16bの間に設けられた静電レンズ
17を8等分のエレクトロード17a、17b…17h
に分割した8分割型円筒エレクトロードで構成してい
る。しかも各エレクトロード17a、17b…17h
は、印加電圧がそれぞれに独立して制御できるように構
成されている。また、XY偏向制御の連動比が最適に行
われる位置に配置されている。
【0041】また、第2成形アパーチャ13は、アパー
チャ孔13aを有するシールド極を形成している。
【0042】これらの構成により、照明レンズ3a、3
bを通過した電子ビーム2は、第1成形偏向器6と第1
成形アパーチャ7を通過したセルアパーチャ像を光軸上
に振戻す第2成形偏向器8を通過し、電子ビーム2をプ
リ主偏向器14の第2成形アパーチャ13のアパチャ孔
13aでフォーカスするように制御する。第2成形アパ
ーチャ13には、図示しない電子ビーム電流検出器が設
けられており、電子ビーム2の調整では、極子レンズ1
1、12のレンズ機能をオフ状態にして、照明レンズ3
a、3bの電圧を、第2成形アパーチャ13の図示しな
い電子ビーム電流検出器で、電子ビーム2の寸法が最小
となるようにフォーカスを形成する。
【0043】このとき、第2成形アパーチャ13のアパ
ーチャ孔13aに対して、極子レンズ11または極子レ
ンズ12をXYスキャン偏向器として動作させ、スキャ
ン偏向によって得られるアパーチャ孔13aの像が最も
シャープに見える条件に設定することができる。
【0044】この条件に調整することで、第1成形アパ
ーチャ7を通過した電子ビーム2は、X方向成分が、図
6(a)に示すように第2成形アパーチャ13のアパー
チャ孔13aを通過後に試料面24との間で拡がってい
た状態から、図6(b)に示すように、試料面24まで
の電子ビーム2の広がりを最小ならしめの状態に変化さ
せて、電子ビーム偏向で発生する非点ぼけを除去する。
【0045】電子ビーム2を試料面24の任意の位置に
偏向する制御は、極子レンズ11、12、18、19の
レンズ電圧に、プリ主偏向器14、極子レンズ18、1
9の偏向電圧を重畳させて行い、偏向電圧の連動比で電
子ビーム2の軌道を決定する。この場合、偏向電圧の連
動比とは偏向器電圧の比であり、それによるパワーの比
でもある。
【0046】また、第1成形アパーチャ7から第2成形
アパーチャ13を通過して試料面24に至る間のX方向
成分の偏向電子ビーム軌道20X、Y方向成分の偏向電
子ビーム軌道20Yは、例えば、それぞれ、予め定めら
れている図7の(a)および(b)に示したプロファイ
ルに制御する。ただ、電子ビーム偏向場所によっては、
光軸上でフォーカスさせた極子レンズ11、12、1
8、19のレンズ電圧条件からフォーカスが上流に移動
(フォーカス面が試料面24の上方に移動する)する状
態が発生する。その際には、XY偏向位置制御に応じ
て、リアルタイムで極子レンズ11、12、18、19
のレンズ電圧を変化させ、常にフォーカスが最適値(試
料面24上でフォーカスする)になるような制御を行
う。
【0047】この極子レンズ11、12、18、19の
レンズ電圧制御は、例えば、「レンズ電圧=レンズ電圧
−60mV*試料面からのフォーカスずれ」の関係式を
用いて作成されたデータ変換テーブルを用いて行う。
【0048】これらにより、試料面24からのフォーカ
スずれが、μmオーダーの電圧で最適化でき、リニアな
形での制御が可能である。
【0049】同様の関係は、極子レンズ11、12、1
8、19に対しても成立し、偏向位置と焦点深度のデー
タ変換テーブルを準備し、偏向量に応じたダイナミック
制御を行なうことで、常に最適フォーカスの電子ビーム
2に設定することが可能である。
【0050】また、図8(a)から(c)は、第1成形
アパーチャ7と試料面24との間の各極子レンズ11、
12、18、19およびプリ主偏向器14におけるX方
向電子ビームの軌跡20Xと、Y方向の電子ビームの軌
跡20Yとの偏向電圧の連動比を示したグラフである。
【0051】偏向電圧の連動比は、偏向色収差や偏向非
点を最適化した値を使用するが、偏向電圧の連動比を図
8(a)に示したようにX方向電子ビーム軌跡20Xと
Y方向電子ビームの軌跡20Yの試料面24でランディ
ング角度が異なる組み合わせを避け、図8(b)に示す
ように、ランディング角度が小さく、かつ、XY最大偏
向量でのランディング角度が同一となる偏向電圧の連動
比を用いている。それにより、試料面24での電子ビー
ム2のぼけを小さくすることができる。
【0052】なお、マルチポールレンズを使用した電子
線描画装置では、X方向とY方向の電子ビームは非対称
の独立した軌道で制御するので、試料面24の近辺で
は、フォーカス系と電子ビーム形状系とは逆の軌道を取
る。そのため、XYフォーカスを最適化した制御条件に
すると、逆にXY電子ビーム形状の最適バランスがずれ
る現象が発生する。ラウンド式電子レンズ16は、この
条件を解決するために設けたもので、図8(c)に示し
た様に、X偏向軌道のみが角度を持った電子ビームにな
っていることを利用し、電極(ラウンド式電子レンズ1
6)に40V程度の電圧を印加してX成分のみを変化さ
せることで、総合的な電子ビームの微調整を実現した。
【0053】次に非点制御の方法について説明する。図
9(a)〜(d)は、非点制御の方法を説明するための
主偏向器であるプリ主偏向器14、ラウンド電子レンズ
16および極子レンズ18、19のそれぞれの状態を示
す説明図である。
【0054】マルチポールレンズを用いた場合、X方向
とY方向の電子ビーム2は非対称の独立した軌道で制御
するため、X方向とY方向の偏向感度および偏向収差が
異なった光学収差ぼけを生じる。また、XY電子ビーム
倍率に差を生じる現象が発生し、正確な電子ビーム形状
が得られない問題が存在する。
【0055】そのため、プリ主偏向器14、ラウンド式
電子レンズ16および極子レンズ18、19に対して
は、レンズ電圧および偏向電圧の連動比を考慮した制御
電圧が印加しているが、更に、図9(a)〜(d)に示
した静電レンズ16、極子レンズ18、19に対して、
対向4極に同極性を、残り対向4極に逆極性の電圧を図
示した形で印加して、レンズ電圧および偏向電圧に更に
重畳し、試料面24でのフォーカス電子ビームおよび電
子ビーム形状のフォーミング動作を行い、試料面24の
非点および電子ビーム形状を修正し、総合的な電子ビー
ム微調整を実現する。
【0056】この場合、図8(a)に示すように、偏向
器であるプリ主偏向器14は、偏向のみに機能させレン
ズとして使用しないため特に電圧は印加しない。図8
(b)および(c)のラウンド式電子レンズ16、極子
レンズ18、19には、試料面ビーム非点に応じて、−
又は+の電圧を印加する。
【0057】また、さらに、以上の制御に偏向位置に応
じたフォーカス微調整制御を極子レンズ11、12、1
8、19のレンズ電圧に対して実施し、偏向を行っても
フォーカスぼけが最小となる制御を加算することも可能
である。
【0058】以上に説明したように、本発明の電子ビー
ム調整方法を使用することで、マルチポールレンズで構
成した電子線描画装置の電子ビーム調整を実現してい
る。特に、偏向によって発生するXYフォーカス電子ビ
ーム非点と、XY電子ビーム形状の倍率違いを制御で
き、電子ビーム軌道においても偏向収差を最小限に抑制
した電子ビーム描画装置を実現できる。
【0059】また、上述の実施の形態では、荷電ビーム
として電子ビームを用いた場合について説明したが、イ
オンビーム等のその他の荷電ビームを用いた際にも同様
な作用が得られる。
【0060】
【発明の効果】本発明によれば、偏向による光学収差ぼ
けや電子ビーム形状寸法誤差を補正した高精度の荷電電
子ビーム制御方法とその制御装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の荷電ビーム制御装置の模式図。
【図2】(a)および(b)は、マルチポールレンズの
平面図。
【図3】電子ビームのX成分とY成分の軌道の説明図。
【図4】電子ビームのX成分とY成分の軌道の説明図。
【図5】ラウンド式電子レンズの構成斜視図。
【図6】(a)および(b)は、電子ビームの拡がりを
示すグラフ。
【図7】(a)および(b)は、X方向とY方向との電
子ビームのランディング角度の説明グラフ。
【図8】(a)〜(c)は、電子ビームの軌跡との偏向
電圧の連動比を示したグラフ。
【図9】(a)〜(d)は、非点制御の方法を説明する
ため説明図。
【図10】電子線描画装置の模式構成図。
【図11】(a)および(b)は、成形アパーチャの平
面図。(c)は成形アパーチャの組合わせの説明図。
【図12】従来の電子線描画方式の模式図。
【符号の説明】
1…電子ビーム発生源、2…荷電(電子)ビーム、3
a、3b…照明レンズ、6…第一成形偏向器、7…第1
成形アパーチャ、8…第二成形偏向器、11、12、1
8、19…極子レンズ、13…第2成形アパーチャ、1
4…静電レンズ、16…ラウンド式電子レンズ、24…
試料面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長野 修 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Fターム(参考) 5C033 CC02 JJ05 5F056 AA01 BA01 CB29 CB32 CB33 EA05

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 荷電ビーム発生源から発生した荷電ビー
    ムを縮小投影手段としてマルチポールが形成されている
    極子レンズを光軸に沿って多重に用いて制御する荷電ビ
    ームの制御方法において、 前記極子レンズにより形成されたマルチポール場を通過
    する荷電ビームの軌道途中で、制御電圧を独立に制御で
    きる回転対称型のラウンド式電子レンズを用いて偏向荷
    電ビームの条件に応じて各エレクトロードへの電圧を制
    御することにより前記荷電ビームを制御することを特徴
    とする荷電ビーム制御方法。
  2. 【請求項2】 前記ラウンド式電子レンズは独立に制御
    可能な複数のエレクトロードで形成され、前記各エレク
    トロードへの制御電圧を同一にして静電レンズとして動
    作させ、XまたはY偏向軌道の角度を持った荷電ビーム
    軌道を対象に、X成分またはY成分のみを変化させて試
    料面での荷電ビーム形状を修正させることを特徴とする
    請求項1記載の荷電ビーム制御方法。
  3. 【請求項3】 前記ラウンド式電子レンズは、前記各エ
    レクトロードへの制御電圧を対向4極に同極性、残り対
    向4極に逆極性を印加して、フォーカス荷電ビームおよ
    び荷電ビーム形状のフォーミング動作の制御を行って試
    料面での荷電ビーム形状を修正させることを特徴とする
    請求項1記載の荷電ビーム制御方法。
  4. 【請求項4】 前記極子レンズは、前記光軸上に4重に
    配置され前記荷電ビーム発生源から3重目および4重目
    の前記極子レンズは、各エレクトロードへの制御電圧を
    対向4極に同極性、残り対向4極に逆極性を印加して、
    フォーカス荷電ビームおよび荷電ビーム形状のフォーミ
    ング動作の制御を行って試料面での非点および荷電ビー
    ム形状を修正させることを特徴とする請求項1乃至請求
    項3のいずれか1項に記載の荷電ビーム制御方法。
  5. 【請求項5】 前記光軸上に4重に配置された前記極子
    レンズは、フォーカスさせる際のレンズ電圧の条件に対
    して、荷電ビームを偏向したときにフォーカスが前記試
    料面より上方に移動する状態に対応し、XY偏向制御に
    応じて、リアルタイムで全ての前記レンズ電圧を変化さ
    せ、偏向位置に応じて常にフォーカスと荷電ビームが最
    適値になるような制御をおこなうことを特徴とする請求
    項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の荷電ビーム制
    御方法。
  6. 【請求項6】 前記光軸上に4重に配置された前記極子
    レンズは、予め設定されている偏向位置と焦点深度のデ
    ータ変換テーブルにより、全てのレンズ電圧を変化さ
    せ、偏向位置に応じて常にフォーカスと荷電ビームが最
    適値になる制御をおこなうことを特徴とした請求項5記
    載の荷電ビーム制御方法。
  7. 【請求項7】 前記光軸上に4重に配置された前記極子
    レンズは偏向電圧の連動比の設定を、X方向荷電ビーム
    とY方向荷電ビームの前記試料面でランディング角度が
    小さく、かつ、XY最大偏向量のランディング角度が同
    一となるよう設定することにより偏向位置に左右されな
    い荷電ビーム制御をおこなうことを特徴とした請求項1
    乃至請求項6のいずれか1項に記載の荷電ビーム制御方
    法。
  8. 【請求項8】 前記光軸上に4重に配置され前記荷電ビ
    ーム発生源から1重目および2重目の前記極子レンズ
    は、レンズ機能をオフ状態にして、前記荷電ビームをラ
    ウンド式電子レンズのシ−ルド極でフォーカスするよう
    に制御し、前記され前記荷電ビーム発生源から1重目お
    よび2重目の前記極子レンズをXYスキャン偏向器とし
    て動作させ、スキャン偏向によって得られるアパーチャ
    孔の像が最もシャープに見える条件に設定して前記荷電
    ビームの寸法が最小となるフォーヵス条件に制御をする
    ことで、軌道途中の前記荷電ビーム広がりを最小にし
    て、前記荷電ビームの偏向で発生する非点ぼけを除去す
    る制御をおこなうことを特徴とした請求項1乃至請求項
    7のいずれか1項に記載の荷電ビーム制御方法。
  9. 【請求項9】 荷電ビーム発生源から発生した荷電ビー
    ムを電子光学系で制御する荷電粒子ビームの制御装置に
    おいて、 前記電子光学系は、光軸に沿ってマルチポール場を形成
    する多重に配置された極子レンズと、これらの極子レン
    ズの間の荷電粒子ビームの軌道途中に分割したエレクト
    ロードで形成し、かつ、制御電圧を独立に制御できるラ
    ウンド式電子レンズとを具備したことを特徴とする荷電
    ビーム制御装置。
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