JP5588493B2 - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
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Description
本実施形態では、光素子の一例としてレーストラック型の光共振器を例として説明する。
図8は、本実施形態に係るCP電子ビーム露光方法を示す図である。
図10は、第3実施形態に係るCP電子ビーム露光方法を示す図である。
Claims (6)
- 直線状の第1の導波路パターンと、第1の導波路パターンと平行に設けられた第2の導波路パターンと、前記第1の導波路パターンと前記第2の導波路パターンとの間に非接触に設けられた環状パターンとを有するレーストラック型の光共振器を露光するための電子ビーム露光方法において、
前記第1の導波路パターン及び前記第2の導波路パターンが前記環状パターンと最も接近するギャップ部分を平行な直線の描画対象パターンとして描画するギャップ用の開口パターンと、前記ギャップ部分以外の描画対象パターンの領域を分割してなる複数の開口パターンとを有する露光用マスクを用意する工程と、
前記露光用マスクの前記ギャップ用の開口パターンを通過した電子ビームによる露光を行って、前記描画対象パターンの前記ギャップ部分を1回の露光で描画する工程と、
前記露光用マスクの開口パターンを通過した電子ビームによる露光を行って、前記描画対象パターンの前記ギャップ部分以外の領域を描画する工程と、を有し、
前記露光用マスクの開口パターンの繋ぎ目となる端部には、前記開口パターンの幅が徐々に細くなる繋ぎ部が形成されており、前記描画対象パターンを描画する工程では、隣接する前記繋ぎ部によって描画される部分が重なり合うように露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。 - 直線状の開口パターンと、前記直線状の開口パターンの幅と同じ直径を有する円形の開口パターンとを有する露光用マスクを用意する工程と、
前記直線状の開口パターンを通過した電子ビームによる露光を繰り返して描画対象パターンの直線部分を描画する工程と、
前記円形の開口パターンを通過した電子ビームを、露光位置をずらしながら重ねて露光することで前記描画対象パターンの曲線部分を描画する工程と、を有し、
前記描画対象パターンの曲線部分と直線部分との接続部において、前記円形の開口パターンに照射される矩形状の電子ビームの位置を露光位置に応じて調整することにより、前記曲線部分の描画の際に前記曲線部分から前記直線部分に電子ビームがはみ出さないようにして描画を行うことを特徴とする電子ビーム露光方法。 - 前記直線状の開口パターンの繋ぎ目となる端部には、前記開口パターンの幅が徐々に細くなった繋ぎ部が形成されており、前記描画対象パターンの直線部分を描画する工程では、隣接する前記繋ぎ部によって描画される部分が重なり合うように露光することを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム露光方法。
- 矩形状の開口パターンと、円形の開口パターンとを有する露光用マスクを用意する工程と、
前記円形の開口パターンを通過した電子ビームを、露光位置をずらしながら重ねて露光を繰り返すことで描画対象パターンのエッジを描画する工程と、
前記矩形状の開口パターンを通過した電子ビームを、露光位置をずらしながら重ねて露光を繰り返すことで前記描画対象パターンのエッジの内側の部分を描画する工程と、
を有することを特徴とする電子ビーム露光方法。 - 前記円形の開口パターンを通過した電子ビームの照射位置の間隔を、前記描画対象パターンのエッジに沿って常に一定の距離とすることを特徴とする請求項4に記載の電子ビーム露光方法。
- 前記円形の開口パターンを通過した前記電子ビームの照射位置の間隔を、前記円形の開口パターンを通過した前記電子ビームの直径の1/2とし、且つ、前記円形の開口パターンを通過した前記電子ビームの直径を許容されるエッジのラフネスの大きさδの1/0.067倍以下とすることを特徴とする請求項5に記載の電子ビーム露光方法。
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