JP6590542B2 - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
重ね合わせることにより、第1の分解能を有する第1の荷電粒子ビームで得られる第1の図形パターンと同じ形状が得られるように、第1の分解能よりも高い第2の分解能を有する第2の荷電粒子ビームを用いて得られる、前記第1の図形パターンの幅寸法よりも小さい幅寸法の図形パターンと大きい幅寸法の図形パターンとを含む幅寸法が互いに異なる複数の第2の図形パターンを作成する工程と、
第2の荷電粒子ビームを用いて、複数の第2の図形パターンを重ねた多重描画を行うことにより前記第1の図形パターンを描画する工程と、
を備え、
前記第1の分解能を有する前記第1の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルは、前記第2の分解能を有する前記第2の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルよりも傾きがなだらかであることを特徴とする。
隣接配置することにより、第1の分解能を有する第1の荷電粒子ビームで得られる第1の図形パターンと同じ形状が得られるように、第1の分解能よりも高い第2の分解能を有する第2の荷電粒子ビームを用いて得られる、前記第1の図形パターンの幅寸法より小さい幅寸法の図形パターンを挟んで隣接配置される幅寸法が互いに異なる複数の第2の図形パターンを作成する工程と、
第2の荷電粒子ビームを用いて、隣接配置するように複数の第2の図形パターンを描画することにより前記第1の図形パターンを描画する工程と、
を備え、
前記複数の第2の図形パターン用の前記第2の荷電粒子ビームの各ビームプロファイルを重ねた場合に、閾値モデルの閾値の位置における重ね合わせた後のビームプロファイルの傾きを、前記第1の図形パターン用の前記第1の荷電粒子ビームのビームプロファイルの傾きと一致させるように、前記複数の第2の図形パターンを作成し、
前記第1の分解能を有する前記第1の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルは、前記第2の分解能を有する前記第2の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルよりも傾きがなだらかであることを特徴とする。
重ね合わせることにより、第1の分解能を有する第1の荷電粒子ビームで得られる第1の図形パターンと同じ形状が得られるように、第1の分解能よりも高い第2の分解能を有する第2の荷電粒子ビームを用いて得られる、前記第1の図形パターンの幅寸法よりも小さい幅寸法の図形パターンと大きい幅寸法の図形パターンとを含む幅寸法が互いに異なる複数の第2の図形パターンを作成するパターン作成部と、
第2の荷電粒子ビームを用いて、複数の第2の図形パターンを重ねた多重描画を行うことにより前記第1の図形パターンを描画する描画部と、
を備え、
前記第1の分解能を有する前記第1の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルは、前記第2の分解能を有する前記第2の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルよりも傾きがなだらかであり、
前記複数の第2の図形パターン用の前記第2の荷電粒子ビームの各ビームプロファイルを重ねた場合に、閾値モデルの閾値の位置における重ね合わせた後のビームプロファイルの傾きを、前記第1の図形パターン用の前記第1の荷電粒子ビームのビームプロファイルの傾きと一致させるように、前記複数の第2の図形パターンを作成することを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102、及び描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1の成形アパーチャ部材203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ部材206、対物レンズ207、主偏向器208、及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、多重描画を前提にして分割パターンを作成したが、これに限るものではない。実施の形態2では、隣接配置する幅寸法および入射照射量が異なる分割パターンを作成する構成について説明する。描画装置100の構成については、図1と同様である。また、描画方法については図5と同様である。その他、特に説明しない点は実施の形態1と同様である。
20 ストライプ領域
30 SF
32 ショット図形
50 取得部
52 N設定部
54 パラメータ演算部
56 パターン作成部
58 データ処理部
60 描画制御部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 制御回路
140,142,144,146 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (4)
- 重ね合わせることにより、第1の分解能を有する第1の荷電粒子ビームで得られる第1の図形パターンと同じ形状が得られるように、前記第1の分解能よりも高い第2の分解能を有する第2の荷電粒子ビームを用いて得られる、前記第1の図形パターンの幅寸法よりも小さい幅寸法の図形パターンと大きい幅寸法の図形パターンとを含む幅寸法が互いに異なる複数の第2の図形パターンを作成する工程と、
前記第2の荷電粒子ビームを用いて、前記複数の第2の図形パターンを重ねた多重描画を行うことにより前記第1の図形パターンを描画する工程と、
を備え、
前記第1の分解能を有する前記第1の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルは、前記第2の分解能を有する前記第2の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルよりも傾きがなだらかであり、
前記複数の第2の図形パターン用の前記第2の荷電粒子ビームの各ビームプロファイルを重ねた場合に、閾値モデルの閾値の位置における重ね合わせた後のビームプロファイルの傾きを、前記第1の図形パターン用の前記第1の荷電粒子ビームのビームプロファイルの傾きと一致させるように、前記複数の第2の図形パターンを作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記第1と第2の分解能が異なる要因として、同一描画装置でビーム電流が異なる第1の場合と、描画装置自体が異なる第2の場合とが含まれることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 隣接配置することにより、第1の分解能を有する第1の荷電粒子ビームで得られる第1の図形パターンと同じ形状が得られるように、前記第1の分解能よりも高い第2の分解能を有する第2の荷電粒子ビームを用いて得られる、前記第1の図形パターンの幅寸法より小さい幅寸法の図形パターンを挟んで隣接配置される幅寸法が互いに異なる複数の第2の図形パターンを作成する工程と、
前記第2の荷電粒子ビームを用いて、隣接配置するように前記複数の第2の図形パターンを描画することにより前記第1の図形パターンを描画する工程と、
を備え、
前記複数の第2の図形パターン用の前記第2の荷電粒子ビームの各ビームプロファイルを重ねた場合に、閾値モデルの閾値の位置における重ね合わせた後のビームプロファイルの傾きを、前記第1の図形パターン用の前記第1の荷電粒子ビームのビームプロファイルの傾きと一致させるように、前記複数の第2の図形パターンを作成し、
前記第1の分解能を有する前記第1の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルは、前記第2の分解能を有する前記第2の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルよりも傾きがなだらかであることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 重ね合わせることにより、第1の分解能を有する第1の荷電粒子ビームで得られる第1の図形パターンと同じ形状が得られるように、前記第1の分解能よりも高い第2の分解能を有する第2の荷電粒子ビームを用いて得られる、前記第1の図形パターンの幅寸法よりも小さい幅寸法の図形パターンと大きい幅寸法の図形パターンとを含む幅寸法が互いに異なる複数の第2の図形パターンを作成するパターン作成部と、
前記第2の荷電粒子ビームを用いて、前記複数の第2の図形パターンを重ねた多重描画を行うことにより前記第1の図形パターンを描画する描画部と、
を備え、
前記第1の分解能を有する前記第1の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルは、前記第2の分解能を有する前記第2の荷電粒子ビームで得られるビームプロファイルよりも傾きがなだらかであり、
前記複数の第2の図形パターン用の前記第2の荷電粒子ビームの各ビームプロファイルを重ねた場合に、閾値モデルの閾値の位置における重ね合わせた後のビームプロファイルの傾きを、前記第1の図形パターン用の前記第1の荷電粒子ビームのビームプロファイルの傾きと一致させるように、前記複数の第2の図形パターンを作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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