JP3501564B2 - 走査型露光装置及びエラーショット判別方法 - Google Patents
走査型露光装置及びエラーショット判別方法Info
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- JP3501564B2 JP3501564B2 JP24398095A JP24398095A JP3501564B2 JP 3501564 B2 JP3501564 B2 JP 3501564B2 JP 24398095 A JP24398095 A JP 24398095A JP 24398095 A JP24398095 A JP 24398095A JP 3501564 B2 JP3501564 B2 JP 3501564B2
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- JP
- Japan
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- error
- shot
- exposure
- stage
- during
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型露光装置及びそ
れに適用し得るエラーショット判別方法に関する。
れに適用し得るエラーショット判別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レチクルもしくはマスク（原版）
のパターンをＸＹステージ上のウエハ（基板）に転写す
る露光装置においては、露光中のウエハステージの計測
された位置から、その露光に係るショットがエラーショ
ットであるか否かを判別することが知られている。
のパターンをＸＹステージ上のウエハ（基板）に転写す
る露光装置においては、露光中のウエハステージの計測
された位置から、その露光に係るショットがエラーショ
ットであるか否かを判別することが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、原版のパターンを基板に露光するた
めの露光期間中に原版ステージと基板ステージを同期駆
動する走査型露光装置では、仕様を満足する露光ができ
たかどうかを正しく判別することができないという問題
がある。
うな従来技術では、原版のパターンを基板に露光するた
めの露光期間中に原版ステージと基板ステージを同期駆
動する走査型露光装置では、仕様を満足する露光ができ
たかどうかを正しく判別することができないという問題
がある。
【０００４】本発明の目的は、このような問題に鑑み、
エラーショットの判別を正確に行える走査型露光装置及
びそれに適用し得るエラーショット判別方法を提供する
ことにある。
エラーショットの判別を正確に行える走査型露光装置及
びそれに適用し得るエラーショット判別方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】この目的を達
成するため本発明では、原版のパターンを基板に露光す
るための露光期間中に原版ステージと基板ステージを同
期駆動する走査型露光装置において、前記露光期間中の
前記原版ステージと前記基板ステージの同期誤差を示す
情報を得る手段と、前記露光期間中に所定間隔でサンプ
リングされる前記同期誤差を示す情報を記憶する手段
と、前記記憶された複数の同期誤差を示す情報の平均値
及び標準偏差に基づいて前記露光期間中に露光されたシ
ョットがエラーショットであるか否かを判別する手段と
を有することを特徴としている。
成するため本発明では、原版のパターンを基板に露光す
るための露光期間中に原版ステージと基板ステージを同
期駆動する走査型露光装置において、前記露光期間中の
前記原版ステージと前記基板ステージの同期誤差を示す
情報を得る手段と、前記露光期間中に所定間隔でサンプ
リングされる前記同期誤差を示す情報を記憶する手段
と、前記記憶された複数の同期誤差を示す情報の平均値
及び標準偏差に基づいて前記露光期間中に露光されたシ
ョットがエラーショットであるか否かを判別する手段と
を有することを特徴としている。
【０００６】 より具体的には、前記エラーショットの
判別は、前記平均値及び標準偏差が前記露光されたショ
ットに対する重ね合せ精度及び解像度を満足する値か否
かにより行なわれることを特徴としている。
判別は、前記平均値及び標準偏差が前記露光されたショ
ットに対する重ね合せ精度及び解像度を満足する値か否
かにより行なわれることを特徴としている。
【０００７】また、前記エラーショットを判別するため
の値は、露光レイヤに応じて変えられることを特徴とし
ている。これにより、ラフレイヤの場合は、露光仕様と
しての重ね合せ精度及び解像度の範囲に余裕をもたせる
ことができる。従って、ラフレイヤの場合は、その露光
期間において露光中の外乱となり得る駆動、例えば搬送
系を駆動させることができ、その分露光処理のスループ
ットが向上する。
の値は、露光レイヤに応じて変えられることを特徴とし
ている。これにより、ラフレイヤの場合は、露光仕様と
しての重ね合せ精度及び解像度の範囲に余裕をもたせる
ことができる。従って、ラフレイヤの場合は、その露光
期間において露光中の外乱となり得る駆動、例えば搬送
系を駆動させることができ、その分露光処理のスループ
ットが向上する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は、本発明の前提となるＸＹステージおよびＸ
Ｙステージ制御回路を示すブロック図である。同図にお
いて、１０１はＸＹステージ、１０２はＸＹステージ１
０１上に設けられ、ウエハ１０３を保持するウエハチャ
ックである。１０５はＸＹステージ１０１のＸ軸および
Ｙ軸駆動用のモータ、１０７はモータ１０５を駆動する
ドライバであり、これらがＸＹステージ１０１の駆動系
を構成する。また、１０４はＸＹステージ１０１に固定
されたミラー、１０６はレーザ測長器であり、これらが
ＸＹステージ１０１位置の測定系を構成する。レーザ測
長器１０６より出射されたレーザ光１０８が、ＸＹステ
ージ１０１に固定されたミラー１０４で反射され、再び
レーザ測長器１０６に入射することにより、ＸＹステー
ジ１０１の位置が検出される。１１０はＣＰＵ、１１２
は制御用プログラムが格納されたＲＯＭ、１１３は制御
用プログラムを展開したり、位置データを蓄えたりする
ＲＡＭ、１１４はインターフェース部、１１５はパルス
ジェネレータ、１１１はこれらを接続するバスであり、
これらによりＸＹステージ制御回路が構成される。モー
タ１０５に対する指令は、ＣＰＵ１１０がバス１１１を
通じてパルスジェネレータ１１５に駆動量を設定し、こ
れがドライバ１０７に伝達されることにより付与され
る。レーザ測長器１０６からの位置データはインターフ
ェース部１１４からバス１１１を通じてＣＰＵ１１０ま
たはＲＡＭ１１３に送られる。
る。図１は、本発明の前提となるＸＹステージおよびＸ
Ｙステージ制御回路を示すブロック図である。同図にお
いて、１０１はＸＹステージ、１０２はＸＹステージ１
０１上に設けられ、ウエハ１０３を保持するウエハチャ
ックである。１０５はＸＹステージ１０１のＸ軸および
Ｙ軸駆動用のモータ、１０７はモータ１０５を駆動する
ドライバであり、これらがＸＹステージ１０１の駆動系
を構成する。また、１０４はＸＹステージ１０１に固定
されたミラー、１０６はレーザ測長器であり、これらが
ＸＹステージ１０１位置の測定系を構成する。レーザ測
長器１０６より出射されたレーザ光１０８が、ＸＹステ
ージ１０１に固定されたミラー１０４で反射され、再び
レーザ測長器１０６に入射することにより、ＸＹステー
ジ１０１の位置が検出される。１１０はＣＰＵ、１１２
は制御用プログラムが格納されたＲＯＭ、１１３は制御
用プログラムを展開したり、位置データを蓄えたりする
ＲＡＭ、１１４はインターフェース部、１１５はパルス
ジェネレータ、１１１はこれらを接続するバスであり、
これらによりＸＹステージ制御回路が構成される。モー
タ１０５に対する指令は、ＣＰＵ１１０がバス１１１を
通じてパルスジェネレータ１１５に駆動量を設定し、こ
れがドライバ１０７に伝達されることにより付与され
る。レーザ測長器１０６からの位置データはインターフ
ェース部１１４からバス１１１を通じてＣＰＵ１１０ま
たはＲＡＭ１１３に送られる。
【０００９】図２（ａ）は、ＸＹステージ１０１がステ
ップ状の指令値に対してどのように応答するかを示す図
である。同図に示すように、指令値２０１がステップ状
に変化しているのに対し、検出位置２０２は立ち上がり
で遅れ、オーバシュートした後、収束し、図２（ａ）中
の時間Ｔにおいて露光される。収束した後も高周波の振
動はなくならない。
ップ状の指令値に対してどのように応答するかを示す図
である。同図に示すように、指令値２０１がステップ状
に変化しているのに対し、検出位置２０２は立ち上がり
で遅れ、オーバシュートした後、収束し、図２（ａ）中
の時間Ｔにおいて露光される。収束した後も高周波の振
動はなくならない。
【００１０】図２（ｂ）は、図２（ａ）の露光時間Ｔの
部分を拡大した図であり、検出された位置２０２が徐々
に収束している場合と、途中で外乱振動が加わっている
場合を示している。このような振動は、露光性能の解像
度や重ね合せ精度に悪影響を与えてしまう。
部分を拡大した図であり、検出された位置２０２が徐々
に収束している場合と、途中で外乱振動が加わっている
場合を示している。このような振動は、露光性能の解像
度や重ね合せ精度に悪影響を与えてしまう。
【００１１】以下、この悪影響について具体的に説明す
る。
る。
【００１２】図３は、図２（ｂ）における位置変動を位
置に対する存在確率で示した図である。Ｘ軸についての
指令値ｘr に対して、平均値ｘm がずれている。平均値
ｘmは、数１式のように表される。
置に対する存在確率で示した図である。Ｘ軸についての
指令値ｘr に対して、平均値ｘm がずれている。平均値
ｘmは、数１式のように表される。
【００１３】
【数１】
ここで、ｘr とｘm の差ｘe （＝ｘr −ｘm ）は、その
まま重ね合せ誤差になってしまう。総合重ね合せ精度は
０．２５μｍＬ＆Ｓ（それぞれ０．２５μｍ幅のライン
およびスペースからなるパターン）では６０ｎｍ、０．
１５μｍＬ＆Ｓでは４０ｎｍであり、そのうちＸＹステ
ージ１０１の位置決め精度は例えば０．２５μｍＬ＆Ｓ
では１０ｎｍ、０．１５μｍＬ＆Ｓでは６ｎｍである。
また、バラツキを示す標準偏差σx は、解像度を低下さ
せる。標準偏差σx は、数２式のように表される。
まま重ね合せ誤差になってしまう。総合重ね合せ精度は
０．２５μｍＬ＆Ｓ（それぞれ０．２５μｍ幅のライン
およびスペースからなるパターン）では６０ｎｍ、０．
１５μｍＬ＆Ｓでは４０ｎｍであり、そのうちＸＹステ
ージ１０１の位置決め精度は例えば０．２５μｍＬ＆Ｓ
では１０ｎｍ、０．１５μｍＬ＆Ｓでは６ｎｍである。
また、バラツキを示す標準偏差σx は、解像度を低下さ
せる。標準偏差σx は、数２式のように表される。
【００１４】
【数２】
同様に、Ｙ軸や他の軸に関しても同じ処理が行なわれ
る。
る。
【００１５】また、露光時間Ｔ中で光源の強度の変化が
大きい場合は、光量に応じて重み付けをしなければなら
ない。強度の関数をＩ（ｔ）とすると、数１式および数
２式は数３式のように表されなければならない。
大きい場合は、光量に応じて重み付けをしなければなら
ない。強度の関数をＩ（ｔ）とすると、数１式および数
２式は数３式のように表されなければならない。
【００１６】
【数３】
また、一般に解像度を示す値としてＭＴＦが用いられ
る。図４は、空間周波数が大きくなるにつれて、またσ
が大きくなるにつれてＭＴＦが低下していることを示し
ている。σは一般の軸（例えば、Ｘ軸やＹ軸）の標準偏
差である。空間周波数をｕとしたとき、ＭＴＦは近似的
に数４式のように表すことができる。
る。図４は、空間周波数が大きくなるにつれて、またσ
が大きくなるにつれてＭＴＦが低下していることを示し
ている。σは一般の軸（例えば、Ｘ軸やＹ軸）の標準偏
差である。空間周波数をｕとしたとき、ＭＴＦは近似的
に数４式のように表すことができる。
【００１７】
【数４】
ＭＴＦが０．８以上で解像できるとすると、０．２５μ
ｍＬ＆Ｓでは空間周波数ｕが２本／μｍとなるので図４
より、σ＝５０ｎｍの振動まで許容することができる。
同様に、０．１５μｍＬ＆Ｓでは、空間周波数ｕが３．
３本／μｍとなるのでσ＝３０ｎｍの振動まで許容する
ことができる。
ｍＬ＆Ｓでは空間周波数ｕが２本／μｍとなるので図４
より、σ＝５０ｎｍの振動まで許容することができる。
同様に、０．１５μｍＬ＆Ｓでは、空間周波数ｕが３．
３本／μｍとなるのでσ＝３０ｎｍの振動まで許容する
ことができる。
【００１８】露光仕様をまとめると表１のようになる。
【００１９】
【表１】
本例では、この仕様に基づいて露光終了後直ちにエラー
ショットではないかどうかを判別するために、露光時間
中、ＸＹステージ１０１の位置情報を蓄える。具体的に
は、振動の主要な周波数成分の２倍以上のレートでサン
プリングする。数１式および数２式もしくは数３式の演
算を行ない、表１の露光仕様を満足しているかどうかで
エラーショット判別ができる。また、表１の露光仕様
は、クリティカルレイヤにおける値であり、ラフレイヤ
ではこれより余裕があるので、露光中に外乱となりうる
他の駆動部、例えば搬送系を駆動することで、スループ
ットを向上することができる。また、露光時間が長い場
合は駆動部の動作時間を増やすことも可能である。
ショットではないかどうかを判別するために、露光時間
中、ＸＹステージ１０１の位置情報を蓄える。具体的に
は、振動の主要な周波数成分の２倍以上のレートでサン
プリングする。数１式および数２式もしくは数３式の演
算を行ない、表１の露光仕様を満足しているかどうかで
エラーショット判別ができる。また、表１の露光仕様
は、クリティカルレイヤにおける値であり、ラフレイヤ
ではこれより余裕があるので、露光中に外乱となりうる
他の駆動部、例えば搬送系を駆動することで、スループ
ットを向上することができる。また、露光時間が長い場
合は駆動部の動作時間を増やすことも可能である。
【００２０】このように露光時間中の振動を定量的に評
価することで、エラーショット判別のみならず、ラフレ
イヤにおいては余裕が定量的に見積もれるので、外乱と
なりうる駆動でも所定の範囲内で実行することにより、
スループットを向上することができる。
価することで、エラーショット判別のみならず、ラフレ
イヤにおいては余裕が定量的に見積もれるので、外乱と
なりうる駆動でも所定の範囲内で実行することにより、
スループットを向上することができる。
【００２１】図５は、本発明の前提となるリアルタイム
ＡＡを有する露光装置とその制御回路のブロック図であ
る。同図において、５０１は露光光源、５０２はレチク
ル、５０３はレンズ光学系、５０４はレチクル５０２と
ウエハ１０３の位置ずれをリアルタイムで検出するピッ
クアップである。ピックアップ５０４からの検出信号は
ＡＡユニット５１０で位置ずれ情報に変換され、バス１
１１を通して、ＣＰＵ１１０もしくはＲＡＭ１１３に送
られる。
ＡＡを有する露光装置とその制御回路のブロック図であ
る。同図において、５０１は露光光源、５０２はレチク
ル、５０３はレンズ光学系、５０４はレチクル５０２と
ウエハ１０３の位置ずれをリアルタイムで検出するピッ
クアップである。ピックアップ５０４からの検出信号は
ＡＡユニット５１０で位置ずれ情報に変換され、バス１
１１を通して、ＣＰＵ１１０もしくはＲＡＭ１１３に送
られる。
【００２２】図６は、このようなリアルタイムＡＡによ
り得られた位置ずれ検出結果を示す図であり、露光時間
Ｔ中における指令値６０１に対する位置ずれ量６０２の
変化の様子を示している。このデータをもとに実施例１
と同様に各軸の平均値と標準偏差を求めることで、エラ
ーショット判別を行なう。本実施例では、レチクル５０
２とウエハ１０３の相対位置を検出しているため、実施
例１よりも正確にエラーショット判別を行うことができ
る。
り得られた位置ずれ検出結果を示す図であり、露光時間
Ｔ中における指令値６０１に対する位置ずれ量６０２の
変化の様子を示している。このデータをもとに実施例１
と同様に各軸の平均値と標準偏差を求めることで、エラ
ーショット判別を行なう。本実施例では、レチクル５０
２とウエハ１０３の相対位置を検出しているため、実施
例１よりも正確にエラーショット判別を行うことができ
る。
【００２３】図７は、本発明の一実施例に係るスキャン
（走査型）露光装置を示す。スキャン露光装置は、レチ
クルステージ７０１とウエハステージ１０１を同期して
駆動させることで小さな口径のレンズでも広い露光画角
を確保できるシステムである。しかし、レチクルステー
ジ７０１とウエハステージ１０１を高精度に同期駆動さ
せないと画角内で倍率や露光量が不均一になってしま
う。そこで、高精度に駆動させるため、レーザ測長器１
０６を用いてレチクルステージ７０１およびウエハステ
ージ１０１の位置を検出してずれ量をフィードバックし
ながら、モータ１０５によってそれらのステージを駆動
している。
（走査型）露光装置を示す。スキャン露光装置は、レチ
クルステージ７０１とウエハステージ１０１を同期して
駆動させることで小さな口径のレンズでも広い露光画角
を確保できるシステムである。しかし、レチクルステー
ジ７０１とウエハステージ１０１を高精度に同期駆動さ
せないと画角内で倍率や露光量が不均一になってしま
う。そこで、高精度に駆動させるため、レーザ測長器１
０６を用いてレチクルステージ７０１およびウエハステ
ージ１０１の位置を検出してずれ量をフィードバックし
ながら、モータ１０５によってそれらのステージを駆動
している。
【００２４】図８は、レーザ測長器１０６もしくは、リ
アルタイムＡＡにより露光時間中のレチクルステージ７
０１とウエハステージ１０１の指令値８０１に対する同
期ずれ量（同期誤差）８０２を示した図である。スキャ
ン露光装置ではスキャン軸の位置合わせが特に難しいの
で、図１の例と同様に各軸の平均値と標準偏差を求める
ことで、エラーショット判別を行うことは、極めて有効
である。
アルタイムＡＡにより露光時間中のレチクルステージ７
０１とウエハステージ１０１の指令値８０１に対する同
期ずれ量（同期誤差）８０２を示した図である。スキャ
ン露光装置ではスキャン軸の位置合わせが特に難しいの
で、図１の例と同様に各軸の平均値と標準偏差を求める
ことで、エラーショット判別を行うことは、極めて有効
である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
版のパターンを基板に露光するための露光期間中に原版
ステージと基板ステージを同期駆動する走査型露光装置
において、エラーショットを正確に判別することができ
る。
版のパターンを基板に露光するための露光期間中に原版
ステージと基板ステージを同期駆動する走査型露光装置
において、エラーショットを正確に判別することができ
る。
【図１】 本発明の前提となるＸＹステージおよびＸＹ
ステージ制御回路を示す図である。
ステージ制御回路を示す図である。
【図２】 ＸＹステージの指令値に対する応答性を示す
図である。
図である。
【図３】 ＸＹステージの位置における存在確率を示す
図である。
図である。
【図４】 空間周波数とＭＴＦの関係を示す図である。
【図５】 本発明の前提となるリアルタイムＡＡを有す
る露光装置とその制御回路を示す図である。
る露光装置とその制御回路を示す図である。
【図６】 露光時間中のレチクルとウエハの位置ずれを
示す図である。
示す図である。
【図７】 本発明の一実施例に係るスキャン露光装置の
概要図である。
概要図である。
【図８】 露光時間中のレチクルステージとウエハステ
ージの同期誤差を示す図である。
ージの同期誤差を示す図である。
１０１：ＸＹステージ、１０２：ウエハチャック、１０
３：ウエハ、１０４：ミラー、１０５：モータ、１０
６：レーザ測長器、１０７：ドライバ、１０８：レーザ
光、１１０：ＣＰＵ、１１１：バス、１１２：ＲＯＭ、
１１３：ＲＡＭ、１１４：インターフェース部、１１
５：パルスジェネレータ、２０１：指令値、２０２：検
出位置、５０１：露光光源、５０２：レチクル、５０
３：レンズ光学系、５０４：ピックアップ、５１０：Ａ
Ａユニット、６０１：指令値、６０２：位置ずれ量、７
０１：レチクルステージ、８０１：指令値、８０２：同
期ずれ量。
３：ウエハ、１０４：ミラー、１０５：モータ、１０
６：レーザ測長器、１０７：ドライバ、１０８：レーザ
光、１１０：ＣＰＵ、１１１：バス、１１２：ＲＯＭ、
１１３：ＲＡＭ、１１４：インターフェース部、１１
５：パルスジェネレータ、２０１：指令値、２０２：検
出位置、５０１：露光光源、５０２：レチクル、５０
３：レンズ光学系、５０４：ピックアップ、５１０：Ａ
Ａユニット、６０１：指令値、６０２：位置ずれ量、７
０１：レチクルステージ、８０１：指令値、８０２：同
期ずれ量。
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/20 - 7-24
G03F 9/00 - 9/02
H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 原版のパターンを基板に露光するための
露光期間中に原版ステージと基板ステージを同期駆動す
る走査型露光装置において、前記露光期間中の前記原版
ステージと前記基板ステージの同期誤差を示す情報を得
る手段と、前記露光期間中に所定間隔でサンプリングさ
れる前記同期誤差を示す情報を記憶する手段と、前記記
憶された複数の同期誤差を示す情報の平均値及び標準偏
差に基づいて前記露光期間中に露光されたショットがエ
ラーショットであるか否かを判別する手段とを有するこ
とを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記エラーショットの判別は、前記平均
値及び標準偏差が前記露光されたショットに対する重ね
合せ精度及び解像度を満足する値か否かにより行なわれ
ることを特徴とする請求項１記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記エラーショットを判別するための値
は、露光レイヤに応じて変えられることを特徴とする請
求項２記載の走査型露光装置。 - 【請求項４】 原版のパターンを基板に露光するための
露光期間中に原版ステージと基板ステージを同期駆動す
る走査型露光装置のエラーショット判別方法において、
前記露光期間中の前記原版ステージと前記基板ステージ
の同期誤差を示す情報を所定間隔でサンプリングして記
憶し、前記露光期間終了後に前記記憶された複数の同期
誤差を示す情報の平均値及び標準偏差に基づいて前記露
光期間中に露光されたショットがエラーショットである
か否かを判別することを特徴とするエラーショット判別
方法。 - 【請求項５】 前記エラーショットの判別は、前記平均
値及び標準偏差が前記露光されたショットに対する重ね
合せ精度及び解像度を満足する値か否かにより行なわれ
ることを特徴とする請求項４記載のエラーショット判別
方法。 - 【請求項６】 前記エラーショットを判別するための値
は、露光レイヤに応じて変えられることを特徴とする請
求項５記載のエラーショット判別方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24398095A JP3501564B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 走査型露光装置及びエラーショット判別方法 |
| US08/702,326 US5760878A (en) | 1995-08-30 | 1996-08-23 | Exposure apparatus and alignment discrimination method |
| DE69618301T DE69618301T2 (de) | 1995-08-30 | 1996-08-29 | Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Bewertung einer Ausrichtung |
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