JP2930757B2 - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JP2930757B2 JP2930757B2 JP5555791A JP5555791A JP2930757B2 JP 2930757 B2 JP2930757 B2 JP 2930757B2 JP 5555791 A JP5555791 A JP 5555791A JP 5555791 A JP5555791 A JP 5555791A JP 2930757 B2 JP2930757 B2 JP 2930757B2
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で用い
られるレチクルまたはフォトマスク等の基板上にペリク
ル保護膜を装着したときのペリクル保護膜面上およびレ
チクル基板上に付着した微細なゴミ等の異物を精度良く
かつ効率的に検出する異物検査装置に関するものであ
る。
られるレチクルまたはフォトマスク等の基板上にペリク
ル保護膜を装着したときのペリクル保護膜面上およびレ
チクル基板上に付着した微細なゴミ等の異物を精度良く
かつ効率的に検出する異物検査装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においては、レチク
ルまたはフォトマスク等の基板上に形成されている露光
用の回路パターンを半導体焼き付け装置（ステッパまた
はマスクアライナ）によりレジストが塗布されたウエハ
面上に転写することによって製造がなされている。
ルまたはフォトマスク等の基板上に形成されている露光
用の回路パターンを半導体焼き付け装置（ステッパまた
はマスクアライナ）によりレジストが塗布されたウエハ
面上に転写することによって製造がなされている。
【０００３】この際、基板面上にゴミ等の異物が存在す
ると転写した際、異物も同時に転写されＩＣ製造の歩留
りを低下させる。そのためＩＣ製造工程においては基板
上の異物の存在を検出することが不可欠となっており、
従来より種々の検査方法が提案されている。
ると転写した際、異物も同時に転写されＩＣ製造の歩留
りを低下させる。そのためＩＣ製造工程においては基板
上の異物の存在を検出することが不可欠となっており、
従来より種々の検査方法が提案されている。
【０００４】例えば図３は異物が等方性の光を散乱する
という性質を利用した異物検査装置の概略図である。レ
ーザ光源１００からのレーザビームは、振動ミラーある
いは回転ミラー等からなる走査光学系６１，８１を介
し、ハーフミラー３２により２方向に分けられミラー３
１によってそれぞれレチクル１の裏面３およびパターン
面２に所定の走査線に沿って照射される。その際レチク
ル１の裏面３での異物散乱光は直接反射光や他の光を検
知しないように設定された検出系２２により検出され
る。また上側ペリクル面７での異物散乱光は、同様に検
出系２１により検出される。レチクルのパターン面２で
の異物散乱光は同様に設けられた検出系２４により検出
され、下側ペリクル面６での異物散乱光は、検出系２３
により検出される。
という性質を利用した異物検査装置の概略図である。レ
ーザ光源１００からのレーザビームは、振動ミラーある
いは回転ミラー等からなる走査光学系６１，８１を介
し、ハーフミラー３２により２方向に分けられミラー３
１によってそれぞれレチクル１の裏面３およびパターン
面２に所定の走査線に沿って照射される。その際レチク
ル１の裏面３での異物散乱光は直接反射光や他の光を検
知しないように設定された検出系２２により検出され
る。また上側ペリクル面７での異物散乱光は、同様に検
出系２１により検出される。レチクルのパターン面２で
の異物散乱光は同様に設けられた検出系２４により検出
され、下側ペリクル面６での異物散乱光は、検出系２３
により検出される。
【０００５】ここで、十分な散乱光検出性能を得るた
め、斜入射方式をとっているためペリクル付レチクルに
おけるレチクル基板面の検査を行なう場合、図４に示す
ようにペリクル支持枠５によって入射ビームのけられが
生じ、レチクル基板面に入射光が照射されない部分が生
じる。そのため検査領域をＳ．Ｔに分け、まず図３Ａの
方向へレチクルを並進させることにより図４の領域Ｓの
検査を行ない図３Ｏの位置にもどりレチクル回転機構１
１によりレチクルを１８０°反転させた後にＡの方向へ
レチクルを並進させることによって領域Ｔの検査を行な
うという方法をとっていた。
め、斜入射方式をとっているためペリクル付レチクルに
おけるレチクル基板面の検査を行なう場合、図４に示す
ようにペリクル支持枠５によって入射ビームのけられが
生じ、レチクル基板面に入射光が照射されない部分が生
じる。そのため検査領域をＳ．Ｔに分け、まず図３Ａの
方向へレチクルを並進させることにより図４の領域Ｓの
検査を行ない図３Ｏの位置にもどりレチクル回転機構１
１によりレチクルを１８０°反転させた後にＡの方向へ
レチクルを並進させることによって領域Ｔの検査を行な
うという方法をとっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術におい
ては、実際の露光領域の大小にかかわらず常に広範囲の
領域を検査していた。
ては、実際の露光領域の大小にかかわらず常に広範囲の
領域を検査していた。
【０００７】つまり実際にパターニングされている領域
が、ペリクル支持枠による入射ビームのけられの影響が
ない十分に小さい範囲に対しても検査領域を２分割して
検査を行っていたため、検査時間がかかるという欠点が
あった。
が、ペリクル支持枠による入射ビームのけられの影響が
ない十分に小さい範囲に対しても検査領域を２分割して
検査を行っていたため、検査時間がかかるという欠点が
あった。
【０００８】またペリクル面のみの検査を行なうときに
も基板面の分解能に合わせてピントをとり直して検査を
行なっていたため余分な時間がかかるという欠点があっ
た。本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたもので
あって、光学的走査手段からなる異物検査装置におい
て、検査の効率を高め検査時間の短縮を図ることを目的
とする。
も基板面の分解能に合わせてピントをとり直して検査を
行なっていたため余分な時間がかかるという欠点があっ
た。本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたもので
あって、光学的走査手段からなる異物検査装置におい
て、検査の効率を高め検査時間の短縮を図ることを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明によれば、支持枠を介してペリクルが付けられた
レチクル又はマスクに対し走査光束を斜入射させる光学
的走査手段と、該走査光束の走査方向と略直角方向に前
記レチクル又はマスクを移動する移動手段とを備えた異
物検査装置において、少なくとも前記レチクル又はマス
クの面上検査域の大きさ情報を入力する為の検査情報入
力手段及び該検査域の大きさ情報に応じて検査モードを
選択する検査モード切り替え手段を具備している。
本発明によれば、支持枠を介してペリクルが付けられた
レチクル又はマスクに対し走査光束を斜入射させる光学
的走査手段と、該走査光束の走査方向と略直角方向に前
記レチクル又はマスクを移動する移動手段とを備えた異
物検査装置において、少なくとも前記レチクル又はマス
クの面上検査域の大きさ情報を入力する為の検査情報入
力手段及び該検査域の大きさ情報に応じて検査モードを
選択する検査モード切り替え手段を具備している。
【００１０】
【実施例】図４は、レチクルにペリクルが付いている場
合のペリクル支持枠による入射光のけられと検査域の関
係を示した図である。
合のペリクル支持枠による入射光のけられと検査域の関
係を示した図である。
【００１１】１はレチクル、２がパターニングされてい
るクロムパターン面、３はガラス面、４はクロムパター
ン面への入射ビーム、５はペリクル支持枠、６，７はペ
リクル膜である。
るクロムパターン面、３はガラス面、４はクロムパター
ン面への入射ビーム、５はペリクル支持枠、６，７はペ
リクル膜である。
【００１２】これによると微粒子検出性能を上げるため
に斜入射方式をとっているためペリクル支持枠５による
入射ビームのけられが生じ斜線Ｐの領域には、ビームが
照射されない。そのためクロムパターンがＩの領域まで
パターニングされその領域を検査する必要がある場合は
じめにＳの領域の検査を行ない、レチクルを１８０°回
転させた後に、同様にＴの領域の検査を行なう必要があ
る。ところが、実際にパターニングされている領域がII
の領域である場合、上記のような検査方法をとる必要は
なく、１方向への一括検査で十分である。また、ペリク
ル膜が付かないレチクルの検査についても同様に一括検
査で十分であり、さらにこの場合には検査域の大小にも
よらないことは言うまでもない。
に斜入射方式をとっているためペリクル支持枠５による
入射ビームのけられが生じ斜線Ｐの領域には、ビームが
照射されない。そのためクロムパターンがＩの領域まで
パターニングされその領域を検査する必要がある場合は
じめにＳの領域の検査を行ない、レチクルを１８０°回
転させた後に、同様にＴの領域の検査を行なう必要があ
る。ところが、実際にパターニングされている領域がII
の領域である場合、上記のような検査方法をとる必要は
なく、１方向への一括検査で十分である。また、ペリク
ル膜が付かないレチクルの検査についても同様に一括検
査で十分であり、さらにこの場合には検査域の大小にも
よらないことは言うまでもない。
【００１３】図１にステッパ搭載型として製品上で適用
された場合の検査方法選択フローチャートの一例を示
す。この場合主に入力するパラメータは以下に示すとお
りである。即ち、ペリクル有無、レチクル面の検査
の有無、レチクル上における検査領域（主に、レチク
ル送り方向に対してペリクル支持枠からどれだけ離れた
位置に検査域があるのか）である。図１において、まず
検査モード判別パラメータペリクルの有無においてペ
リクル無の場合には必然的にクロムパターン面（以下Ｃ
ｒ面と呼ぶ）とガラスブランク面（以下Ｂｌ面と呼ぶ）
の２面のみの検査となる（IVモード）。この場合、レチ
クル支持枠による入射ビームのけられはないため、また
レチクル面においての検査領域の大小にはよらないため
図３においてＡ方向への往動１回の検査で精度良く異物
検査が可能である。
された場合の検査方法選択フローチャートの一例を示
す。この場合主に入力するパラメータは以下に示すとお
りである。即ち、ペリクル有無、レチクル面の検査
の有無、レチクル上における検査領域（主に、レチク
ル送り方向に対してペリクル支持枠からどれだけ離れた
位置に検査域があるのか）である。図１において、まず
検査モード判別パラメータペリクルの有無においてペ
リクル無の場合には必然的にクロムパターン面（以下Ｃ
ｒ面と呼ぶ）とガラスブランク面（以下Ｂｌ面と呼ぶ）
の２面のみの検査となる（IVモード）。この場合、レチ
クル支持枠による入射ビームのけられはないため、また
レチクル面においての検査領域の大小にはよらないため
図３においてＡ方向への往動１回の検査で精度良く異物
検査が可能である。
【００１４】次に、上記パラメータペリクルの有無に
おいてペリクル有の場合でかつパラメータレチクル面
検査の有無においてレチクル面検査の必要が無いとされ
た場合、被検査面はペリクル面のみであるから上記と同
様にして図３においてＡ方向への往動１回検査が可能で
ある（IIIモード）。またペリクル面上での分解能はＣ
ｒ面上での分解能に比べて約１０倍程度低い。Ｃｒ面
上、分解能１μｍに対してビーム径３０〜４０μｍであ
る時、ペリクル面上では分解能１０μｍを得るには、ビ
ーム径３００〜４００μｍで十分である。さらに、レチ
クルの送り速度はビーム径に比例するため上記のペリク
ル上のビーム径での検査時にはレチクル面の検査を含む
場合に比べて約１０倍のレチクル送り速度で検査可能で
ある。よってペリクル面のみの検査モードを選択するこ
とによりレチクル面の検査が有る場合に比べて大幅な検
査時間の短縮が可能である。
おいてペリクル有の場合でかつパラメータレチクル面
検査の有無においてレチクル面検査の必要が無いとされ
た場合、被検査面はペリクル面のみであるから上記と同
様にして図３においてＡ方向への往動１回検査が可能で
ある（IIIモード）。またペリクル面上での分解能はＣ
ｒ面上での分解能に比べて約１０倍程度低い。Ｃｒ面
上、分解能１μｍに対してビーム径３０〜４０μｍであ
る時、ペリクル面上では分解能１０μｍを得るには、ビ
ーム径３００〜４００μｍで十分である。さらに、レチ
クルの送り速度はビーム径に比例するため上記のペリク
ル上のビーム径での検査時にはレチクル面の検査を含む
場合に比べて約１０倍のレチクル送り速度で検査可能で
ある。よってペリクル面のみの検査モードを選択するこ
とによりレチクル面の検査が有る場合に比べて大幅な検
査時間の短縮が可能である。
【００１５】次にペリクル有レチクル面検査有かつ
レチクル面上検査域が図４における検査域IIのようにペ
リクル支持枠５による入射ビームのけられの影響が無い
場合には往動時にレチクル面（Ｃｒ面、Ｂｌ面）を精度
良く検査した後に復動時にペリクル面を高速で検査する
（IIモード）。また、上記においてレチクル上の検査域
が図４検査域Ｉのようにペリクル支持枠５による入射ビ
ームのけられにより検査域が隠れる場合、従来どおり図
４におけるＳ，Ｔの２つの領域にわけて２往復検査を行
なう（Ｉモード）。
レチクル面上検査域が図４における検査域IIのようにペ
リクル支持枠５による入射ビームのけられの影響が無い
場合には往動時にレチクル面（Ｃｒ面、Ｂｌ面）を精度
良く検査した後に復動時にペリクル面を高速で検査する
（IIモード）。また、上記においてレチクル上の検査域
が図４検査域Ｉのようにペリクル支持枠５による入射ビ
ームのけられにより検査域が隠れる場合、従来どおり図
４におけるＳ，Ｔの２つの領域にわけて２往復検査を行
なう（Ｉモード）。
【００１６】図２は別の実施例のフローチャートであ
る。この実施例では検査モードを決定するパラメータに
検出感度を加えている。近年クロム面、ブランク面にお
いてはより微小な粒子の検出を行なうために、Ｃｒ面や
Ｂｌ面上での照射ビームスポットがより小さくなる傾向
にある。この場合ビームの光束開き角は逆に広がるの
で、前記実施例１の構成をとるとペリクル面ではビーム
が広がってしまう。即ちビームの深度が浅くなる。よっ
てペリクル面とレチクル面では入射ビームのピントを取
り直してそれぞれの面の検査を行なう必要が生じてく
る。しかしプロセスによってはレチクル面、ペリクル面
においてそれ程の感度を必要としないものも混入してく
る。この場合には、入射ビームの開き角を狭くすること
によって焦点深度を深くしレチクル面とペリクル面を往
動時に同時に検査する低感度モードで検査を行なうこと
によって、検査時間の短縮が図られる。
る。この実施例では検査モードを決定するパラメータに
検出感度を加えている。近年クロム面、ブランク面にお
いてはより微小な粒子の検出を行なうために、Ｃｒ面や
Ｂｌ面上での照射ビームスポットがより小さくなる傾向
にある。この場合ビームの光束開き角は逆に広がるの
で、前記実施例１の構成をとるとペリクル面ではビーム
が広がってしまう。即ちビームの深度が浅くなる。よっ
てペリクル面とレチクル面では入射ビームのピントを取
り直してそれぞれの面の検査を行なう必要が生じてく
る。しかしプロセスによってはレチクル面、ペリクル面
においてそれ程の感度を必要としないものも混入してく
る。この場合には、入射ビームの開き角を狭くすること
によって焦点深度を深くしレチクル面とペリクル面を往
動時に同時に検査する低感度モードで検査を行なうこと
によって、検査時間の短縮が図られる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、支持枠を介してペ
リクルが付けられたレチクル又はマスクを検査対象とし
た場合に、少なくともレチクル又はマスクの面上検査域
の大きさ情報に応じて検査モードを選択する構成とした
ことによって検査効率の向上を図ることができ検査時間
が短縮され半導体製造における歩留まり向上に寄与する
ことができる。
リクルが付けられたレチクル又はマスクを検査対象とし
た場合に、少なくともレチクル又はマスクの面上検査域
の大きさ情報に応じて検査モードを選択する構成とした
ことによって検査効率の向上を図ることができ検査時間
が短縮され半導体製造における歩留まり向上に寄与する
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例における検査モード選択
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２】本発明第２の実施例における検査モード選択フ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図３】本発明が適用される異物検査装置の構成図であ
る。
る。
【図４】レチクル上において、ペリクル支持枠による入
射ビームのけられと検査域の関係を表す図である。
射ビームのけられと検査域の関係を表す図である。
１ レチクル ２ クロム面（Ｃｒ面） ３ ブランク面（Ｂｌ面） ４ クロム側入射ビーム ５ ペリクル支持枠 ６，７ ペリクル膜 ８ ブランク側入射ビーム １０ ＣＰＵ １１ レチクル回転機構 １２ レチクル送りステージ ２１〜２４ 光検出器 ３１ 反射ミラー ３２ ハーフミラー ４１ ビームピント調整機構 ５１ アフォーカルコンバータ ６１ ｆ−θレンズ ７１ ステージ送り機構 ８１ ポリゴンミラー １０１ レーザ光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/88
Claims (2)
- 【請求項１】 支持枠を介してペリクルが付けられたレ
チクル又はマスクに対し走査光束を斜入射させる光学的
走査手段と、該走査光束の走査方向と略直角方向に前記
レチクル又はマスクを移動する移動手段とを備えた異物
検査装置において、少なくとも前記レチクル又はマスク
の面上検査域の大きさ情報を入力する為の検査情報入力
手段及び該検査域の大きさ情報に応じで検査モードを選
択する検査モード切り替え手段を具備したことを特徴と
する異物検査装置。 - 【請求項２】 前記検査モード切り替え手段はペリクル
面検査とレチクル面検査での入射ビームのピント変更の
有無の切り替えも行うことを特徴とする請求項１に記載
した異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5555791A JP2930757B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5555791A JP2930757B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273007A JPH04273007A (ja) | 1992-09-29 |
| JP2930757B2 true JP2930757B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=13002005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5555791A Expired - Fee Related JP2930757B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2930757B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5555791A patent/JP2930757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04273007A (ja) | 1992-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |