JP3159271B2 - 異物検査方法及び装置 - Google Patents
異物検査方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
で使用されるレチクル、フォトマスク等の基板の露光用
パターン以外のゴミ等の異物を検出する異物検査方法及
び装置に関し、特に防塵膜（ペリクル）が装着された基
板に対する異物を検出する異物検査方法及び装置に関す
る。
で使用されるレチクル、フォトマスク等の基板の露光用
パターン以外のゴミ等の異物を検出する異物検査方法及
び装置に関し、特に防塵膜（ペリクル）が装着された基
板に対する異物を検出する異物検査方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路又は液晶表示素子等をフ
ォトリソグラフィー技術を用いて製造する際に、感光材
が塗布されたウエハ上に転写されるパターンが形成され
たレチクル又はフォトマスク等（以下、「レチクル」と
総称する）が使用される。その製造工程においてレチク
ルのパターン領域にゴミ等の異物が付着すると、そのレ
チクルのパターンが転写されるウエハの全チップに共通
の欠陥が生じるため、製造工程において、そのレチクル
のパターン領域の異物の有無を厳密に検査する必要があ
る。そのため従来より、被検物の表面に付着した異物を
自動的に検査する装置として、所定の光源からの光ビー
ムで被検物の表面を２次元的に走査して、その表面の異
物からの散乱光を検出することによりその異物を検出す
る異物検査装置が使用されている。
ォトリソグラフィー技術を用いて製造する際に、感光材
が塗布されたウエハ上に転写されるパターンが形成され
たレチクル又はフォトマスク等（以下、「レチクル」と
総称する）が使用される。その製造工程においてレチク
ルのパターン領域にゴミ等の異物が付着すると、そのレ
チクルのパターンが転写されるウエハの全チップに共通
の欠陥が生じるため、製造工程において、そのレチクル
のパターン領域の異物の有無を厳密に検査する必要があ
る。そのため従来より、被検物の表面に付着した異物を
自動的に検査する装置として、所定の光源からの光ビー
ムで被検物の表面を２次元的に走査して、その表面の異
物からの散乱光を検出することによりその異物を検出す
る異物検査装置が使用されている。
【０００３】また、近時、異物による影響を低減するた
め、レチクルの表面上に支持枠を介して異物の付着を防
止するための光透過性の薄膜（以下、「ペリクル」とい
う）を装着する場合がある。このようにペリクルで覆わ
れたレチクルにおいても、レチクルの表面に異物が付着
していることがあるため、ペリクルが装着されたレチク
ルについても異物の有無を検査する必要がある。
め、レチクルの表面上に支持枠を介して異物の付着を防
止するための光透過性の薄膜（以下、「ペリクル」とい
う）を装着する場合がある。このようにペリクルで覆わ
れたレチクルにおいても、レチクルの表面に異物が付着
していることがあるため、ペリクルが装着されたレチク
ルについても異物の有無を検査する必要がある。
【０００４】しかし、ペリクルが装着された状態では、
ペリクルの支持枠の存在により低い位置から光ビームを
レチクルに照射することができず、更に低い角度で異物
からの散乱光を受光することができないために、そのま
までは良好に異物検査を行うことができない。これに関
して、ペリクルが装着されたレチクルの異物検出を良好
に行うことができる異物検査装置が特開昭６３−１１８
６４０号公報等で開示されている。
ペリクルの支持枠の存在により低い位置から光ビームを
レチクルに照射することができず、更に低い角度で異物
からの散乱光を受光することができないために、そのま
までは良好に異物検査を行うことができない。これに関
して、ペリクルが装着されたレチクルの異物検出を良好
に行うことができる異物検査装置が特開昭６３−１１８
６４０号公報等で開示されている。
【０００５】また、一般にレチクルの被検面上での光ビ
ームの走査位置が変化すると、ペリクルに対する光ビー
ムの入射角が変化し、その入射角の変化によりペリクル
の光ビームに対する透過率も変化する。これにより、異
物の検出感度も変化するが、ペリクルの光ビームに対す
る透過率の変化に起因する検出感度を補正する異物検査
装置が特開昭６３−２０８７４６号公報等で開示されて
いる。
ームの走査位置が変化すると、ペリクルに対する光ビー
ムの入射角が変化し、その入射角の変化によりペリクル
の光ビームに対する透過率も変化する。これにより、異
物の検出感度も変化するが、ペリクルの光ビームに対す
る透過率の変化に起因する検出感度を補正する異物検査
装置が特開昭６３−２０８７４６号公報等で開示されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
異物検査装置では以下のような不都合がある。先ず、従
来は予めペリクルに添付されている透過率のデータを使
用して異物検出感度の補正を行うようにしているが、同
一種類のペリクルでも製造公差内での膜厚の違いによ
り、透過率が大きく異なることがある。そのため、ペリ
クルの平均的な透過率データの他に、各ペリクルの実際
の膜厚データを用いて透過率を算出する必要があるが、
このように実際の膜厚データを要求するのはペリクルメ
ーカ側における負担が大きくなると共に、透過率を必ず
しも正確に算出することができない。従って、ペリクル
毎の透過率のデータを予め算出しておくことは現実的で
ない。
異物検査装置では以下のような不都合がある。先ず、従
来は予めペリクルに添付されている透過率のデータを使
用して異物検出感度の補正を行うようにしているが、同
一種類のペリクルでも製造公差内での膜厚の違いによ
り、透過率が大きく異なることがある。そのため、ペリ
クルの平均的な透過率データの他に、各ペリクルの実際
の膜厚データを用いて透過率を算出する必要があるが、
このように実際の膜厚データを要求するのはペリクルメ
ーカ側における負担が大きくなると共に、透過率を必ず
しも正確に算出することができない。従って、ペリクル
毎の透過率のデータを予め算出しておくことは現実的で
ない。
【０００７】これに対して、異物検査部とは別に各ペリ
クルの透過率を実測する透過率測定部を設ける方法も提
案されている。この場合、異物検査部と同一の系でペリ
クルの透過率を計測することは非常に困難であり、一般
的には簡略化された構成で透過率を計測する系が透過率
測定部として組み込まれている。しかし、異物検査部と
透過率測定部との構成の違いより透過率の補正誤差が生
じる虞があるが、従来はそのような補正誤差は全く考慮
されていない。
クルの透過率を実測する透過率測定部を設ける方法も提
案されている。この場合、異物検査部と同一の系でペリ
クルの透過率を計測することは非常に困難であり、一般
的には簡略化された構成で透過率を計測する系が透過率
測定部として組み込まれている。しかし、異物検査部と
透過率測定部との構成の違いより透過率の補正誤差が生
じる虞があるが、従来はそのような補正誤差は全く考慮
されていない。
【０００８】本発明は斯かる点に鑑み、ペリクル等の薄
膜が装着された被検基板の上を光ビームで走査して異物
を検出する場合に、その薄膜の光ビームに対する透過率
に依らずに良好に異物検出ができる異物検査方法を提供
することを目的とする。また、本発明はその異物検査方
法を実施できる異物検査装置を提供することを目的とす
る。
膜が装着された被検基板の上を光ビームで走査して異物
を検出する場合に、その薄膜の光ビームに対する透過率
に依らずに良好に異物検出ができる異物検査方法を提供
することを目的とする。また、本発明はその異物検査方
法を実施できる異物検査装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による異物検査方
法は、光透過性の表面保護部材（５）で覆われた被検基
板（３）と光ビームとを相対移動することにより、その
被検基板の表面をその光ビームで走査し、その被検基板
の表面から生じる光情報に基づいてその被検基板に付着
した異物を検出する異物検査方法において、基準保護部
材（１９）の透過率を測定する第１の測定工程と、その
表面保護部材の透過率を測定する第２の測定工程と、そ
の被検基板の表面から生じるその光情報を、その表面保
護部材を介して検出する検出工程と、その基準保護部材
の透過率と、その表面保護部材の透過率と、その検出工
程で検出される検出信号とに基づいて、その異物を検出
する異物検出工程とを有するものである。
法は、光透過性の表面保護部材（５）で覆われた被検基
板（３）と光ビームとを相対移動することにより、その
被検基板の表面をその光ビームで走査し、その被検基板
の表面から生じる光情報に基づいてその被検基板に付着
した異物を検出する異物検査方法において、基準保護部
材（１９）の透過率を測定する第１の測定工程と、その
表面保護部材の透過率を測定する第２の測定工程と、そ
の被検基板の表面から生じるその光情報を、その表面保
護部材を介して検出する検出工程と、その基準保護部材
の透過率と、その表面保護部材の透過率と、その検出工
程で検出される検出信号とに基づいて、その異物を検出
する異物検出工程とを有するものである。
【００１０】この場合、その異物の検出感度を補正する
ための感度補正値を記憶する記憶工程を更に有し、その
異物検出工程においてその異物を検出する際に、その記
憶された感度補正値を考慮することが望ましい。また、
その第１の測定工程及びその第２の測定工程は、その基
準保護部材（１９）又はその表面保護部材（５）に第１
の光ビーム（ＬＢ１）を照射して、その基準保護部材又
はその表面保護部材の反射率を測定することにより、そ
の基準保護部材又はその表面保護部材の透過率を測定す
る透過率測定手段（１，９）を用いて実行されることが
望ましい。また、その基準保護部材は、基準粒子（１
７）が設けられた基準基板（１６）の表面を覆うもので
ある場合に、その第１の測定工程にて、その基準保護部
材のその第１の光ビームに対する透過率と、その基準保
護部材のその基準粒子で散乱された散乱光に対する透過
率とを測定し、その第２の測定工程にて、その表面保護
部材のその第１の光ビームに対する透過率と、その表面
保護部材のその異物で散乱された散乱光に対する透過率
とを測定するようにしてもよい。また、その検出工程
は、その被検基板（３）の表面に第２の光ビーム（ＬＢ
２）を照射して、その被検基板から生じる光情報を、そ
の表面保護部材を介して検出する異物検出手段（２，２
６）を用いて実行されることが望ましい。また、その基
準保護部材は、基準粒子（１７）が設けられた基準基板
（１６）の表面を覆うものである場合に、その記憶工程
は、その基準基板の表面に設けられたその基準粒子から
の第２の光ビーム（ＬＢ２）の散乱光をその基準保護部
材を介して検出する第１工程と、この第１工程で検出さ
れる検出信号とその基準粒子について予め定められた基
準信号とに基づいてその感度補正値を求める第２工程と
を有することが望ましい。
ための感度補正値を記憶する記憶工程を更に有し、その
異物検出工程においてその異物を検出する際に、その記
憶された感度補正値を考慮することが望ましい。また、
その第１の測定工程及びその第２の測定工程は、その基
準保護部材（１９）又はその表面保護部材（５）に第１
の光ビーム（ＬＢ１）を照射して、その基準保護部材又
はその表面保護部材の反射率を測定することにより、そ
の基準保護部材又はその表面保護部材の透過率を測定す
る透過率測定手段（１，９）を用いて実行されることが
望ましい。また、その基準保護部材は、基準粒子（１
７）が設けられた基準基板（１６）の表面を覆うもので
ある場合に、その第１の測定工程にて、その基準保護部
材のその第１の光ビームに対する透過率と、その基準保
護部材のその基準粒子で散乱された散乱光に対する透過
率とを測定し、その第２の測定工程にて、その表面保護
部材のその第１の光ビームに対する透過率と、その表面
保護部材のその異物で散乱された散乱光に対する透過率
とを測定するようにしてもよい。また、その検出工程
は、その被検基板（３）の表面に第２の光ビーム（ＬＢ
２）を照射して、その被検基板から生じる光情報を、そ
の表面保護部材を介して検出する異物検出手段（２，２
６）を用いて実行されることが望ましい。また、その基
準保護部材は、基準粒子（１７）が設けられた基準基板
（１６）の表面を覆うものである場合に、その記憶工程
は、その基準基板の表面に設けられたその基準粒子から
の第２の光ビーム（ＬＢ２）の散乱光をその基準保護部
材を介して検出する第１工程と、この第１工程で検出さ
れる検出信号とその基準粒子について予め定められた基
準信号とに基づいてその感度補正値を求める第２工程と
を有することが望ましい。
【００１１】また、本発明による異物検査装置は、被検
物の透過率を測定する透過率測定手段（１，９）と、光
透過性の表面保護部材（５）で覆われた被検基板（３）
の表面に光ビームを照射し、その被検基板から生じる光
情報を、その表面保護部材を介して受光する受光手段
（１０〜１４）と、その透過率測定手段を用いてその被
検物として測定された基準保護部材（１９）の透過率を
記憶する記憶手段（２０，２５）と、その透過率測定手
段でその被検物として測定されたその表面保護部材の透
過率と、その記憶手段に記憶されたその基準保護部材の
透過率と、その受光手段からの出力信号とに基づいて、
その被検基板に付着した異物を検出する検出手段（２
６）とを有するものである。この場合、その記憶手段
は、その異物の検出感度を補正するための感度補正値を
更に記憶し、その検出手段は、その被検基板に付着した
異物を検出する際にその感度補正値を利用することが望
ましい。
物の透過率を測定する透過率測定手段（１，９）と、光
透過性の表面保護部材（５）で覆われた被検基板（３）
の表面に光ビームを照射し、その被検基板から生じる光
情報を、その表面保護部材を介して受光する受光手段
（１０〜１４）と、その透過率測定手段を用いてその被
検物として測定された基準保護部材（１９）の透過率を
記憶する記憶手段（２０，２５）と、その透過率測定手
段でその被検物として測定されたその表面保護部材の透
過率と、その記憶手段に記憶されたその基準保護部材の
透過率と、その受光手段からの出力信号とに基づいて、
その被検基板に付着した異物を検出する検出手段（２
６）とを有するものである。この場合、その記憶手段
は、その異物の検出感度を補正するための感度補正値を
更に記憶し、その検出手段は、その被検基板に付着した
異物を検出する際にその感度補正値を利用することが望
ましい。
【００１２】
【作用】斯かる本発明の異物検査方法の作用を実施例に
基づいて説明する。本発明の実施例によれば、異物検査
手段（２，２６）とは別に透過率測定手段（１，９）が
設けられている。そして、標準粒子（１７）が付着され
た表面が枠（１８）を介して光透過性の基準薄膜（１
９）で覆われた基準基板（１６）が導入され、透過率測
定手段（１，９）においてその基準薄膜（１７）の透過
率（Ｔi0（ｘ），Ｔs0（ｘ））が測定され、異物検査手
段（２，２６）においてその標準粒子（１７）からその
基準薄膜（１９）を介して得られる検出信号が得られ
る。
基づいて説明する。本発明の実施例によれば、異物検査
手段（２，２６）とは別に透過率測定手段（１，９）が
設けられている。そして、標準粒子（１７）が付着され
た表面が枠（１８）を介して光透過性の基準薄膜（１
９）で覆われた基準基板（１６）が導入され、透過率測
定手段（１，９）においてその基準薄膜（１７）の透過
率（Ｔi0（ｘ），Ｔs0（ｘ））が測定され、異物検査手
段（２，２６）においてその標準粒子（１７）からその
基準薄膜（１９）を介して得られる検出信号が得られ
る。
【００１３】そして、その標準粒子（１７）に係る検出
信号をＳ３0 （ｘ）として、その標準粒子（１７）に対
して得られるべき標準信号をＳＳとすると、次の式より
感度補正値Ｃ0 （ｘ）が算出される。 Ｃ0 （ｘ）＝ＳＳ／Ｓ３0 （ｘ）
信号をＳ３0 （ｘ）として、その標準粒子（１７）に対
して得られるべき標準信号をＳＳとすると、次の式より
感度補正値Ｃ0 （ｘ）が算出される。 Ｃ0 （ｘ）＝ＳＳ／Ｓ３0 （ｘ）
【００１４】次に、その透過率測定手段（１，９）を用
いてその被検基板（３）の表面を覆うその薄膜（５）の
透過率（Ｔi （ｘ），Ｔs （ｘ））を測定した後に、そ
の異物検出手段（２，２６）を用いてその被検基板
（３）の表面からの散乱光をその薄膜（５）を介して検
出して得られた検出信号Ｓ３（ｘ）に次の演算を施すこ
とにより、異物検出の対象となる信号Ｓ４（ｘ）が求め
られる。これは基準薄膜（１９）の透過率を基準として
被検基板（３）を覆う薄膜（５）の透過率の補正を行う
ことを意味する。 Ｓ４（ｘ）＝Ｓ３（ｘ）・Ｃ0 （ｘ）・Ｔi0（ｘ）・Ｔ
s0（ｘ）／｛Ｔi （ｘ）・Ｔs （ｘ）｝
いてその被検基板（３）の表面を覆うその薄膜（５）の
透過率（Ｔi （ｘ），Ｔs （ｘ））を測定した後に、そ
の異物検出手段（２，２６）を用いてその被検基板
（３）の表面からの散乱光をその薄膜（５）を介して検
出して得られた検出信号Ｓ３（ｘ）に次の演算を施すこ
とにより、異物検出の対象となる信号Ｓ４（ｘ）が求め
られる。これは基準薄膜（１９）の透過率を基準として
被検基板（３）を覆う薄膜（５）の透過率の補正を行う
ことを意味する。 Ｓ４（ｘ）＝Ｓ３（ｘ）・Ｃ0 （ｘ）・Ｔi0（ｘ）・Ｔ
s0（ｘ）／｛Ｔi （ｘ）・Ｔs （ｘ）｝
【００１５】従って、基準薄膜（１９）の導入により、
その透過率測定手段（１，９）における透過率の測定結
果とその異物検出手段（２，１６）における検出信号と
がそれぞれ規格化されるので、その薄膜（５）の透過率
に応じて正確に異物検出感度を補正することができる。
また、本発明の異物検査装置によれば、その異物検査方
法を直接に実施することができる。
その透過率測定手段（１，９）における透過率の測定結
果とその異物検出手段（２，１６）における検出信号と
がそれぞれ規格化されるので、その薄膜（５）の透過率
に応じて正確に異物検出感度を補正することができる。
また、本発明の異物検査装置によれば、その異物検査方
法を直接に実施することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本例はペリクルが装着されたレチクルの異
物を検出する異物検査装置に本発明を適用したものであ
る。図１は本例の異物検査装置のシステム構成を示し、
この図１において、１はペリクル透過率測定部、２は異
物検査部である。
て説明する。本例はペリクルが装着されたレチクルの異
物を検出する異物検査装置に本発明を適用したものであ
る。図１は本例の異物検査装置のシステム構成を示し、
この図１において、１はペリクル透過率測定部、２は異
物検査部である。
【００１７】図２は、図１のペリクル透過率測定部１の
構成を示し、この図２において、３は検査対象のレチク
ルであり、このレチクル３のパターン形成面に支持枠
（ペリクルフレーム）４を介してペリクル５が張設され
ている。このペリクル５の内側のレチクル３の表面に検
出対象とする異物６が付着している。また、７は後述の
異物検査部２で用いるレーザビームと同一波長のレーザ
ビームを発生するレーザー光源を示し、レーザー光源７
から出射されたレーザビームＬＢ１がペリクル５に入射
角θで入射し、ペリクル５上で反射角θで反射されたレ
ーザー光が受光素子８に入射する。この受光素子８で光
電変換して得られた検出信号Ｓ１を演算手段９に供給す
る。
構成を示し、この図２において、３は検査対象のレチク
ルであり、このレチクル３のパターン形成面に支持枠
（ペリクルフレーム）４を介してペリクル５が張設され
ている。このペリクル５の内側のレチクル３の表面に検
出対象とする異物６が付着している。また、７は後述の
異物検査部２で用いるレーザビームと同一波長のレーザ
ビームを発生するレーザー光源を示し、レーザー光源７
から出射されたレーザビームＬＢ１がペリクル５に入射
角θで入射し、ペリクル５上で反射角θで反射されたレ
ーザー光が受光素子８に入射する。この受光素子８で光
電変換して得られた検出信号Ｓ１を演算手段９に供給す
る。
【００１８】この場合、レーザー光源７と受光素子８と
の相対位置関係は、図示省略した角度調整機構により常
に、レーザー光源７からのレーザービームＬＢ１の入射
角θと受光素子８の中心からそのレーザービームＬＢ１
のペリクル５上における入射点に向かう直線がペリクル
５に垂直な直線に対してなす角度（以下、「受光角」と
いう）θとが一致するように設定される。また、複数の
入射角におけるペリクル５の透過率特性を測定したい場
合には、そのレーザー光源７からのレーザービームＬＢ
１の入射角θ及び受光素子８の受光角θをその角度調整
機構により連動して変えた状態で、そのペリクル５から
の反射光を検出すればよい。そのときの入射角θの情報
も演算手段９に供給される。
の相対位置関係は、図示省略した角度調整機構により常
に、レーザー光源７からのレーザービームＬＢ１の入射
角θと受光素子８の中心からそのレーザービームＬＢ１
のペリクル５上における入射点に向かう直線がペリクル
５に垂直な直線に対してなす角度（以下、「受光角」と
いう）θとが一致するように設定される。また、複数の
入射角におけるペリクル５の透過率特性を測定したい場
合には、そのレーザー光源７からのレーザービームＬＢ
１の入射角θ及び受光素子８の受光角θをその角度調整
機構により連動して変えた状態で、そのペリクル５から
の反射光を検出すればよい。そのときの入射角θの情報
も演算手段９に供給される。
【００１９】演算手段９では、次のようにしてペリクル
５の透過率を算出する。即ち、受光素子８から出力され
る検出信号Ｓ１はペリクル５からの反射光の強度に比例
した信号であるため、レーザー光源７から射出されるレ
ーザービームＬＢ１を直接受光素子８で受光したときの
検出信号Ｓｉとその検出信号Ｓ１とを比較することで、
ペリクル５の透過光強度を算出できる。具体的に、予め
受光素子８で直接レーザービームＬＢ１を受光して、そ
のときの検出信号Ｓｉの値を記憶しておく。そして、ペ
リクル５から反射角θで反射されたレーザー光を受光素
子８で受光して得られた検出信号をＳｒとすると、ペリ
クル５の透過光強度Ｓｔは、所定の係数Ｋを用いて次式
で算出できる。 Ｓｔ＝Ｋ（Ｓｉ−Ｓｒ）
５の透過率を算出する。即ち、受光素子８から出力され
る検出信号Ｓ１はペリクル５からの反射光の強度に比例
した信号であるため、レーザー光源７から射出されるレ
ーザービームＬＢ１を直接受光素子８で受光したときの
検出信号Ｓｉとその検出信号Ｓ１とを比較することで、
ペリクル５の透過光強度を算出できる。具体的に、予め
受光素子８で直接レーザービームＬＢ１を受光して、そ
のときの検出信号Ｓｉの値を記憶しておく。そして、ペ
リクル５から反射角θで反射されたレーザー光を受光素
子８で受光して得られた検出信号をＳｒとすると、ペリ
クル５の透過光強度Ｓｔは、所定の係数Ｋを用いて次式
で算出できる。 Ｓｔ＝Ｋ（Ｓｉ−Ｓｒ）
【００２０】また、ペリクル５のレーザービームＬＢ１
に対する透過率Ｔは、次のように算出される。 Ｔ＝Ｓｔ／（Ｋ・Ｓｉ）＝（Ｓｉ−Ｓｒ）／Ｓｉ なお、ここでペリクル５の光吸収は無視しているが、一
般にペリクル５の厚さは１μｍ程度と極めて薄いので、
その光吸収は十分無視できるほど小さい。また、この実
施例で使用するレーザービームＬＢ１の波長は後述の異
物検査部２で使用されるレーザビームと同一としている
が、異なった波長を使用してもペリクル５の透過率をほ
ぼ正確に推定できる。
に対する透過率Ｔは、次のように算出される。 Ｔ＝Ｓｔ／（Ｋ・Ｓｉ）＝（Ｓｉ−Ｓｒ）／Ｓｉ なお、ここでペリクル５の光吸収は無視しているが、一
般にペリクル５の厚さは１μｍ程度と極めて薄いので、
その光吸収は十分無視できるほど小さい。また、この実
施例で使用するレーザービームＬＢ１の波長は後述の異
物検査部２で使用されるレーザビームと同一としている
が、異なった波長を使用してもペリクル５の透過率をほ
ぼ正確に推定できる。
【００２１】また、レチクル３上の異物６の検出を行う
場合には、レーザービームは異物６を照射する際と異物
６から散乱する際とで２回そのペリクル５を透過する。
従って、レーザービームが異物６を照射する際のペリク
ル５に対する入射角θ１における透過率Ｔi 及び異物６
から散乱されたレーザービームのペリクル５に対する入
射角θ２におけるペリクル５の透過率Ｔs を測定する必
要がある。この場合、異物検査部２ではそのペリクル５
を介してレチクル５上にレーザービームが照射され、こ
のレーザービームが所定の方向（これを「Ｘ方向」とす
る）に走査される。そのペリクル５に対するレーザービ
ームの入射角θ１及びそのペリクル５の異物から或る散
乱光検出用の受光素子に向かう散乱ビームのペリクル５
に対する入射角θ２とは、それぞれそのＸ方向の座標ｘ
の関数になる。
場合には、レーザービームは異物６を照射する際と異物
６から散乱する際とで２回そのペリクル５を透過する。
従って、レーザービームが異物６を照射する際のペリク
ル５に対する入射角θ１における透過率Ｔi 及び異物６
から散乱されたレーザービームのペリクル５に対する入
射角θ２におけるペリクル５の透過率Ｔs を測定する必
要がある。この場合、異物検査部２ではそのペリクル５
を介してレチクル５上にレーザービームが照射され、こ
のレーザービームが所定の方向（これを「Ｘ方向」とす
る）に走査される。そのペリクル５に対するレーザービ
ームの入射角θ１及びそのペリクル５の異物から或る散
乱光検出用の受光素子に向かう散乱ビームのペリクル５
に対する入射角θ２とは、それぞれそのＸ方向の座標ｘ
の関数になる。
【００２２】従って、上記の入射レーザービームの入射
角θ１における透過率Ｔi は座標ｘの関数としてＴi
（ｘ）、散乱ビームの入射角θ２における透過率Ｔs は
座標ｘの関数としてＴs （ｘ）で表すことができる。そ
の演算手段９では、そのレチクル３上の走査位置の座標
ｘに対応してペリクル５に入射するレーザービームの透
過率Ｔi （ｘ）及びペリクル５を透過する散乱ビームの
透過率Ｔs （ｘ）を算出する。
角θ１における透過率Ｔi は座標ｘの関数としてＴi
（ｘ）、散乱ビームの入射角θ２における透過率Ｔs は
座標ｘの関数としてＴs （ｘ）で表すことができる。そ
の演算手段９では、そのレチクル３上の走査位置の座標
ｘに対応してペリクル５に入射するレーザービームの透
過率Ｔi （ｘ）及びペリクル５を透過する散乱ビームの
透過率Ｔs （ｘ）を算出する。
【００２３】続いて、図３は図１の異物検査部２の構成
を示し、この図３において、検査対象とするレチクル３
のパターン領域には支持枠４を介してペリクル５が張設
されている。そして、図示省略したレーザー光源から射
出されたレーザービームＬＢ２がガルバノミラー１０に
入射し、このガルバノミラー１０で反射されたレーザー
ビームＬＢ２が走査レンズ１２によりペリクル５を透過
してレチクル３上に照射される。ガルバノミラー１０を
スキャナー１１で振動させることにより、そのレーザー
ビームがレチクル３上をＸ方向に走査する。また、図示
省略した駆動機構を用いてレチクル３をＸ方向に垂直な
Ｙ方向に移動することにより、そのレーザービームがレ
チクル３上を２次元的に走査する。
を示し、この図３において、検査対象とするレチクル３
のパターン領域には支持枠４を介してペリクル５が張設
されている。そして、図示省略したレーザー光源から射
出されたレーザービームＬＢ２がガルバノミラー１０に
入射し、このガルバノミラー１０で反射されたレーザー
ビームＬＢ２が走査レンズ１２によりペリクル５を透過
してレチクル３上に照射される。ガルバノミラー１０を
スキャナー１１で振動させることにより、そのレーザー
ビームがレチクル３上をＸ方向に走査する。また、図示
省略した駆動機構を用いてレチクル３をＸ方向に垂直な
Ｙ方向に移動することにより、そのレーザービームがレ
チクル３上を２次元的に走査する。
【００２４】レチクル３上に異物６が存在すると、異物
６から散乱光ＬＢ３が生じ、この散乱光ＬＢ３は集光レ
ンズ１３を介して光電検出器１４の受光面に入射する。
Ｘ方向の座標ｘの異物からの散乱光ＬＢ３を光電検出器
１４で光電変換して得られた検出信号Ｓ２（ｘ）は信号
処理手段１５に供給される。レチクル３上をレーザービ
ームＬＢ２が走査する走査位置ｘに応じて光電検出器１
４で検出される散乱光の強度が変化するので、信号処理
手段１５では、例えば特開昭５８−６２５４４号公報で
提案されるような方法で異物の付着場所による検出感度
の変化を一様にする手段をとっている。
６から散乱光ＬＢ３が生じ、この散乱光ＬＢ３は集光レ
ンズ１３を介して光電検出器１４の受光面に入射する。
Ｘ方向の座標ｘの異物からの散乱光ＬＢ３を光電検出器
１４で光電変換して得られた検出信号Ｓ２（ｘ）は信号
処理手段１５に供給される。レチクル３上をレーザービ
ームＬＢ２が走査する走査位置ｘに応じて光電検出器１
４で検出される散乱光の強度が変化するので、信号処理
手段１５では、例えば特開昭５８−６２５４４号公報で
提案されるような方法で異物の付着場所による検出感度
の変化を一様にする手段をとっている。
【００２５】ところで、レチクル３の上方にペリクル５
が張設されている場合、一般にレーザービームＬＢ２が
ペリクル５に対して斜めに入射するので、ペリクル５の
透過率は１でない。更に、入射ビーム光学系（走査レン
ズ１２等）がテレセントリックでない場合は、レーザー
ビームの走査位置ｘによってレーザービームの入射角が
変化し、透過率が一定にならない。また、受光光学系
（集光レンズ１３等）に入射するレチクル３上の異物か
らの散乱光についても、散乱光の光線とペリクル５とが
なす角度がレーザービーム走査位置ｘによって変化する
ため透過率が一定にならない。そのため後述のように予
め測定したペリクル５の透過率特性をフィードバックし
て、検出信号Ｓ２（ｘ）等を補正する必要がある。
が張設されている場合、一般にレーザービームＬＢ２が
ペリクル５に対して斜めに入射するので、ペリクル５の
透過率は１でない。更に、入射ビーム光学系（走査レン
ズ１２等）がテレセントリックでない場合は、レーザー
ビームの走査位置ｘによってレーザービームの入射角が
変化し、透過率が一定にならない。また、受光光学系
（集光レンズ１３等）に入射するレチクル３上の異物か
らの散乱光についても、散乱光の光線とペリクル５とが
なす角度がレーザービーム走査位置ｘによって変化する
ため透過率が一定にならない。そのため後述のように予
め測定したペリクル５の透過率特性をフィードバックし
て、検出信号Ｓ２（ｘ）等を補正する必要がある。
【００２６】本例では、ペリクル５の透過率特性をレチ
クル３の異物検査前に実測する方法を採用している。そ
のペリクル５の透過率特性は、図２に示す簡易的なペリ
クル透過率測定部１により測定される。しかし、上記の
様なペリクル透過率測定部１は、実際に透過率の補正を
行う検出信号Ｓ２（ｘ）が出力される異物検査部２とは
系が異なるため、単に透過率が１、即ちペリクルが無い
場合に対しての被検ペリクル５の透過率の比率でその検
出信号Ｓ２（ｘ）の補正を行うと正確な補正ができな
い。
クル３の異物検査前に実測する方法を採用している。そ
のペリクル５の透過率特性は、図２に示す簡易的なペリ
クル透過率測定部１により測定される。しかし、上記の
様なペリクル透過率測定部１は、実際に透過率の補正を
行う検出信号Ｓ２（ｘ）が出力される異物検査部２とは
系が異なるため、単に透過率が１、即ちペリクルが無い
場合に対しての被検ペリクル５の透過率の比率でその検
出信号Ｓ２（ｘ）の補正を行うと正確な補正ができな
い。
【００２７】そこで本実施例では、図４に示す様な異物
検査感度校正用の標準粒子１７が付着されたレチクル１
６に支持枠１８を介して基準ペリクル１９が装着された
基準被検物を用いることで、上記の問題を以下の様に解
決する。図１のシステム構成と共にその方法を説明す
る。図１において、ペリクル透過率測定部１で図４の基
準被検物の基準ペリクル１９の透過率を測定した場合
に、演算手段９で算出される基準ペリクル１９の入射ビ
ームに対する透過率Ｔi0（ｘ）及び散乱ビームに対する
透過率Ｔs0（ｘ）を第１レジスタ２０に記憶させる。
検査感度校正用の標準粒子１７が付着されたレチクル１
６に支持枠１８を介して基準ペリクル１９が装着された
基準被検物を用いることで、上記の問題を以下の様に解
決する。図１のシステム構成と共にその方法を説明す
る。図１において、ペリクル透過率測定部１で図４の基
準被検物の基準ペリクル１９の透過率を測定した場合
に、演算手段９で算出される基準ペリクル１９の入射ビ
ームに対する透過率Ｔi0（ｘ）及び散乱ビームに対する
透過率Ｔs0（ｘ）を第１レジスタ２０に記憶させる。
【００２８】その後、ペリクル透過率測定部１で図２の
検査対象のペリクル５の透過率を測定した場合に、演算
手段９で算出されるペリクル５の入射ビームに対する透
過率Ｔi （ｘ）及び散乱ビームに対する透過率Ｔs
（ｘ）をそれぞれ第１除算手段２１及び第２除算手段２
２に供給し、第１レジスタ２０で記憶されている透過率
Ｔi0（ｘ）及び透過率Ｔs0（ｘ）をそれぞれ第１除算手
段２１及び第２除算手段２２に供給する。第１除算手段
２１は２つの透過率の比Ｔi0（ｘ）／Ｔi （ｘ）を算出
して第１乗算手段２３の一方の入力部に供給し、第２除
算手段２２は２つの透過率の比Ｔs0（ｘ）／Ｔs （ｘ）
を算出して第１乗算手段２３の他方の入力部に供給す
る。この第１乗算手段２３は供給された２つの比を乗算
して得た値を第２乗算手段２３の第１の入力部に供給す
る。
検査対象のペリクル５の透過率を測定した場合に、演算
手段９で算出されるペリクル５の入射ビームに対する透
過率Ｔi （ｘ）及び散乱ビームに対する透過率Ｔs
（ｘ）をそれぞれ第１除算手段２１及び第２除算手段２
２に供給し、第１レジスタ２０で記憶されている透過率
Ｔi0（ｘ）及び透過率Ｔs0（ｘ）をそれぞれ第１除算手
段２１及び第２除算手段２２に供給する。第１除算手段
２１は２つの透過率の比Ｔi0（ｘ）／Ｔi （ｘ）を算出
して第１乗算手段２３の一方の入力部に供給し、第２除
算手段２２は２つの透過率の比Ｔs0（ｘ）／Ｔs （ｘ）
を算出して第１乗算手段２３の他方の入力部に供給す
る。この第１乗算手段２３は供給された２つの比を乗算
して得た値を第２乗算手段２３の第１の入力部に供給す
る。
【００２９】一方、異物検査部２で図４の基準被検物の
標準粒子１７からの散乱光を検出した場合に光電検出器
１４から出力される検出信号Ｓ２0 （ｘ）が信号処理手
段１５に供給され、この信号処理手段１５ではその検出
信号Ｓ２0 （ｘ）から直流信号等を除いて得られた補正
前の異物検出信号Ｓ３0 （ｘ）が得られる。また、その
標準粒子１７に対して得られる標準異物検出信号をＳＳ
とすると、信号処理手段１５は次の演算によりペリクル
感度補正値Ｃ0 （ｘ）を求める。 Ｃ0 （ｘ）＝ＳＳ／Ｓ３0 （ｘ）
標準粒子１７からの散乱光を検出した場合に光電検出器
１４から出力される検出信号Ｓ２0 （ｘ）が信号処理手
段１５に供給され、この信号処理手段１５ではその検出
信号Ｓ２0 （ｘ）から直流信号等を除いて得られた補正
前の異物検出信号Ｓ３0 （ｘ）が得られる。また、その
標準粒子１７に対して得られる標準異物検出信号をＳＳ
とすると、信号処理手段１５は次の演算によりペリクル
感度補正値Ｃ0 （ｘ）を求める。 Ｃ0 （ｘ）＝ＳＳ／Ｓ３0 （ｘ）
【００３０】このペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）にその
異物検出信号ＳＳを乗算すると、標準異物検出信号ＳＳ
が得られる。そのペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）を第２
レジスタ２５に記憶させる。次に、異物検査部２で図３
の検査対象のレチクル３の異物からの散乱光を検出した
場合に光電検出器１４から出力される検出信号Ｓ２
（ｘ）が信号処理手段１５に供給され、この信号処理手
段１５ではその検出信号Ｓ２（ｘ）から直流信号等を除
いて得られた補正前の異物検出信号Ｓ３（ｘ）を図１の
第２乗算手段２４の第２の入力部に供給し、第２レジス
タ２５に記憶されているペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）
を第２乗算手段２４の第３の入力部に供給する。
異物検出信号ＳＳを乗算すると、標準異物検出信号ＳＳ
が得られる。そのペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）を第２
レジスタ２５に記憶させる。次に、異物検査部２で図３
の検査対象のレチクル３の異物からの散乱光を検出した
場合に光電検出器１４から出力される検出信号Ｓ２
（ｘ）が信号処理手段１５に供給され、この信号処理手
段１５ではその検出信号Ｓ２（ｘ）から直流信号等を除
いて得られた補正前の異物検出信号Ｓ３（ｘ）を図１の
第２乗算手段２４の第２の入力部に供給し、第２レジス
タ２５に記憶されているペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）
を第２乗算手段２４の第３の入力部に供給する。
【００３１】第２乗算手段２４では次の演算により透過
率が補正された異物検出信号Ｓ４（ｘ）を生成する。 Ｓ４（ｘ）＝Ｓ３（ｘ）・Ｃ0 （ｘ）・Ｔi0（ｘ）・Ｔs0（ｘ）／｛Ｔi （ｘ ）・Ｔs （ｘ）｝ （１） この異物検出信号Ｓ４（ｘ）は、異物検出信号Ｓ３
（ｘ）に対してペリクル５の透過率の影響を補正した信
号であり、図１の異物検出処理手段２６はその異物検出
信号Ｓ４（ｘ）を処理して異物の検出を行う。
率が補正された異物検出信号Ｓ４（ｘ）を生成する。 Ｓ４（ｘ）＝Ｓ３（ｘ）・Ｃ0 （ｘ）・Ｔi0（ｘ）・Ｔs0（ｘ）／｛Ｔi （ｘ ）・Ｔs （ｘ）｝ （１） この異物検出信号Ｓ４（ｘ）は、異物検出信号Ｓ３
（ｘ）に対してペリクル５の透過率の影響を補正した信
号であり、図１の異物検出処理手段２６はその異物検出
信号Ｓ４（ｘ）を処理して異物の検出を行う。
【００３２】次に、図４の基準被検物を用いて図２の検
査対象とするレチクル３の異物検出を行う場合の全体の
動作の一例を図５を参照して説明する。先ず図５のステ
ップ１０１において、ペリクル透過率測定部１及び演算
手段９は、その図４の基準被検物の基準ペリクル１９の
入射ビームに対する透過率Ｔi0（ｘ）及び散乱光に対す
る透過率Ｔs0（ｘ）を測定して、第１レジスタ２０に記
憶させる。座標ｘはレチクル１６上のレーザービームの
走査位置の座標である。次に、ステップ１０２におい
て、異物検査部２において、その透過率特性が測定され
た基準ペリクル１９が装着されたレチクル１６上の標準
粒子１７を検出させる。このとき前述の様に標準粒子２
７からの散乱信号強度は、基準ペリクル１９によって減
衰するため、信号処理手段１５に供給される検出信号Ｓ
２0 （ｘ）はペリクルの無い状態での検出信号より小さ
くなる。その検出信号Ｓ２0 （ｘ）から異物検出信号Ｓ
３0 （ｘ）が得られる。
査対象とするレチクル３の異物検出を行う場合の全体の
動作の一例を図５を参照して説明する。先ず図５のステ
ップ１０１において、ペリクル透過率測定部１及び演算
手段９は、その図４の基準被検物の基準ペリクル１９の
入射ビームに対する透過率Ｔi0（ｘ）及び散乱光に対す
る透過率Ｔs0（ｘ）を測定して、第１レジスタ２０に記
憶させる。座標ｘはレチクル１６上のレーザービームの
走査位置の座標である。次に、ステップ１０２におい
て、異物検査部２において、その透過率特性が測定され
た基準ペリクル１９が装着されたレチクル１６上の標準
粒子１７を検出させる。このとき前述の様に標準粒子２
７からの散乱信号強度は、基準ペリクル１９によって減
衰するため、信号処理手段１５に供給される検出信号Ｓ
２0 （ｘ）はペリクルの無い状態での検出信号より小さ
くなる。その検出信号Ｓ２0 （ｘ）から異物検出信号Ｓ
３0 （ｘ）が得られる。
【００３３】そのペリクルがあっても検出感度を一定に
保つために、ペリクルによる感度低下量の逆数分だけそ
の異物検出信号に補正をかける必要がある。この補正値
をペリクル感度補正値とし、ステップ１０３において、
基準ペリクル１９に対するペリクル感度補正値Ｃ0
（ｘ）（以下、「基準ペリクル感度補正値」という）を
前記検出結果から求めて初期値として第２レジスタ２５
に記憶しておく。なお、座標ｘは前述の走査位置を示す
座標と同一のｘである。
保つために、ペリクルによる感度低下量の逆数分だけそ
の異物検出信号に補正をかける必要がある。この補正値
をペリクル感度補正値とし、ステップ１０３において、
基準ペリクル１９に対するペリクル感度補正値Ｃ0
（ｘ）（以下、「基準ペリクル感度補正値」という）を
前記検出結果から求めて初期値として第２レジスタ２５
に記憶しておく。なお、座標ｘは前述の走査位置を示す
座標と同一のｘである。
【００３４】次に、ステップ１０４において、検査対象
の図２のレチクル３に装着されたペリクル５の透過率Ｔ
i （ｘ）及びＴs （ｘ）を、ペリクル透過率測定部１及
び演算手段９で測定する。その後、ステップ１０５にお
いて、異物検査部２に検査対象のレチクル３を設定し
て、そのレチクル３の散乱光をペリクル５を介して受光
して、信号処理手段１５から補正前の異物検出信号Ｓ３
（ｘ）を得る。そして、ステップ１０６において、上記
の（１）式の演算より補正後の異物検出信号Ｓ４（ｘ）
を得た後に、ステップ１０７において異物検出処理手段
２６がその異物検出信号Ｓ４（ｘ）より異物検出を行
う。
の図２のレチクル３に装着されたペリクル５の透過率Ｔ
i （ｘ）及びＴs （ｘ）を、ペリクル透過率測定部１及
び演算手段９で測定する。その後、ステップ１０５にお
いて、異物検査部２に検査対象のレチクル３を設定し
て、そのレチクル３の散乱光をペリクル５を介して受光
して、信号処理手段１５から補正前の異物検出信号Ｓ３
（ｘ）を得る。そして、ステップ１０６において、上記
の（１）式の演算より補正後の異物検出信号Ｓ４（ｘ）
を得た後に、ステップ１０７において異物検出処理手段
２６がその異物検出信号Ｓ４（ｘ）より異物検出を行
う。
【００３５】その（１）式の計算における｛Ｔi0（ｘ）
／Ｔi （ｘ）｝・｛Ｔs0（ｘ）／Ｔs （ｘ）｝の演算に
より、ペリクル５の基準ペリクル１９に対する透過率特
性の比、即ち感度変化量が算出されている。この感度変
化量に、基準ペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）を乗算する
ことにより、異物検査部２におけるペリクル５に対して
必要な感度補正係数が求められる。従って、ペリクル５
が装着されたレチクル３上の異物に対する異物検出信号
Ｓ３（ｘ）にその感度補正係数を乗ずることでペリクル
５の透過率の影響が正確に補正された異物検出信号Ｓ４
（ｘ）を得ることができる。
／Ｔi （ｘ）｝・｛Ｔs0（ｘ）／Ｔs （ｘ）｝の演算に
より、ペリクル５の基準ペリクル１９に対する透過率特
性の比、即ち感度変化量が算出されている。この感度変
化量に、基準ペリクル感度補正値Ｃ0 （ｘ）を乗算する
ことにより、異物検査部２におけるペリクル５に対して
必要な感度補正係数が求められる。従って、ペリクル５
が装着されたレチクル３上の異物に対する異物検出信号
Ｓ３（ｘ）にその感度補正係数を乗ずることでペリクル
５の透過率の影響が正確に補正された異物検出信号Ｓ４
（ｘ）を得ることができる。
【００３６】次に、図５のステップ１０８において、図
３のＹ方向へのレチクル３の移動を行うかどうかを調
べ、Ｙ方向への移動を行う場合にはステップ１０９でＹ
方向へ移動した後にステップ１０５に移行して異物検出
信号Ｓ３（ｘ）を得る。また、ステップ１０８でＹ方向
への移動を行わない場合にそのレチクル３に対する異物
検出が終了する。
３のＹ方向へのレチクル３の移動を行うかどうかを調
べ、Ｙ方向への移動を行う場合にはステップ１０９でＹ
方向へ移動した後にステップ１０５に移行して異物検出
信号Ｓ３（ｘ）を得る。また、ステップ１０８でＹ方向
への移動を行わない場合にそのレチクル３に対する異物
検出が終了する。
【００３７】なお、本実施例では、異物検出後にペリク
ル５の透過率に起因する感度補正を行っているが、異物
検出時に同様な補正を行うことも可能である。このよう
に、本発明は上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
ル５の透過率に起因する感度補正を行っているが、異物
検出時に同様な補正を行うことも可能である。このよう
に、本発明は上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、光透過性の表面保護部
材（薄膜等）で覆われた被検基板に付着した異物を検出
する場合に、基準保護部材、更には基準粒子が設けられ
た基準基板を導入することにより、透過率測定手段と異
物検出手段とが別の構成になっていても正確な感度補正
を行うことができる。従って、その表面保護部材の光ビ
ームに対する透過率に依らず良好に被検基板の異物検出
ができる利点がある。
材（薄膜等）で覆われた被検基板に付着した異物を検出
する場合に、基準保護部材、更には基準粒子が設けられ
た基準基板を導入することにより、透過率測定手段と異
物検出手段とが別の構成になっていても正確な感度補正
を行うことができる。従って、その表面保護部材の光ビ
ームに対する透過率に依らず良好に被検基板の異物検出
ができる利点がある。
【図１】本発明の一実施例の異物検査装置のシステム構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図２】図１のペリクル透過率測定部１を示す一部断面
図を含む構成図である。
図を含む構成図である。
【図３】図１の異物検査部２を示す斜視図である。
【図４】基準ペリクルが装着されたレチクルよりなる基
準被検物を示す一部断面図を含む構成図である。
準被検物を示す一部断面図を含む構成図である。
【図５】その一実施例における異物検出動作の一例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
１ ペリクル透過率測定部 ２ 異物検査部 ３ 検査対象のレチクル ４ 支持枠 ５ ペリクル ６ 異物 ７ レーザー光源 ８ 受光素子 ９ 演算手段 １０ ガルバノミラー １２ 走査レンズ １３ 集光レンズ １４ 光電検出器 １５ 信号処理手段 １６ レチクル １７ 標準粒子 １８ 枠 １９ 基準ペリクル ２６ 異物検出処理手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−208746（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−238454（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−187437（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−27240（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/84 - 21/958 G03F 1/08 H01L 21/027 H01L 21/64 - 21/66
Claims (8)
- 【請求項１】 光透過性の表面保護部材で覆われた被検
基板と光ビームとを相対移動することにより、前記被検
基板の表面を前記光ビームで走査し、前記被検基板の表
面から生じる光情報に基づいて前記被検基板に付着した
異物を検出する異物検査方法において、 基準保護部材の透過率を測定する第１の測定工程と、 前記表面保護部材の透過率を測定する第２の測定工程
と、 前記被検基板の表面から生じる前記光情報を、前記表面
保護部材を介して検出する検出工程と、 前記基準保護部材の透過率と、前記表面保護部材の透過
率と、前記検出工程で検出される検出信号とに基づい
て、前記異物を検出する異物検出工程とを有することを
特徴とする異物検査方法。 - 【請求項２】 前記異物の検出感度を補正するための感
度補正値を記憶する記憶工程を更に有し、 前記異物検出工程において前記異物を検出する際に、前
記記憶された感度補正値を考慮することを特徴とする請
求項１記載の異物検査方法。 - 【請求項３】 前記第１の測定工程及び前記第２の測定
工程は、前記基準保護部材又は前記表面保護部材に第１
の光ビームを照射して、前記基準保護部材又は前記表面
保護部材の反射率を測定することにより、前記基準保護
部材又は前記表面保護部材の透過率を測定する透過率測
定手段を用いて実行されることを特徴とする請求項１記
載の異物検査方法。 - 【請求項４】 前記基準保護部材は、基準粒子が設けら
れた基準基板の表面を覆い、 前記第１の測定工程にて、前記基準保護部材の前記第１
の光ビームに対する透過率と、前記基準保護部材の前記
基準粒子で散乱された散乱光に対する透過率とを測定
し、 前記第２の測定工程にて、前記表面保護部材の前記第１
の光ビームに対する透過率と、前記表面保護部材の前記
異物で散乱された散乱光に対する透過率とを測定するこ
とを特徴とする請求項３記載の異物検査方法。 - 【請求項５】 前記検出工程は、前記被検基板の表面に
第２の光ビームを照射して、前記被検基板から生じる光
情報を、前記表面保護部材を介して検出する異物検出手
段を用いて実行されることを特徴とする請求項１又は３
記載の異物検査方法。 - 【請求項６】 前記基準保護部材は、基準粒子が設けら
れた基準基板の表面を覆い、前記記憶工程は、 前記基準基板の表面に設けられた前記基準粒子からの第
２の光ビームの散乱光を前記基準保護部材を介して検出
する第１工程と、 該第１工程で検出される検出信号と前記基準粒子につい
て予め定められた基準信号とに基づいて前記感度補正値
を求める第２工程とを有することを特徴とする請求項２
記載の異物検査方法。 - 【請求項７】 被検物の透過率を測定する透過率測定手
段と、 光透過性の表面保護部材で覆われた被検基板の表面に光
ビームを照射し、前記被検基板から生じる光情報を、前
記表面保護部材を介して受光する受光手段と、 前記透過率測定手段を用いて前記被検物として測定され
た基準保護部材の透過率を記憶する記憶手段と、 前記透過率測定手段で前記被検物として測定された前記
表面保護部材の透過率と、前記記憶手段に記憶された前
記基準保護部材の透過率と、前記受光手段からの出力信
号とに基づいて、前記被検基板に付着した異物を検出す
る検出手段とを有することを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項８】 前記記憶手段は、前記異物の検出感度を
補正するための感度補正値を更に記憶し、 前記検出手段は、前記被検基板に付着した異物を検出す
る際に前記感度補正値を利用することを特徴とする請求
項７記載の異物検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17378292A JP3159271B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 異物検査方法及び装置 |
| US08/044,197 US5436464A (en) | 1992-04-13 | 1993-04-08 | Foreign particle inspecting method and apparatus with correction for pellicle transmittance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17378292A JP3159271B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 異物検査方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05340882A JPH05340882A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3159271B2 true JP3159271B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=15967055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17378292A Expired - Fee Related JP3159271B2 (ja) | 1992-04-13 | 1992-06-08 | 異物検査方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3159271B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP17378292A patent/JP3159271B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05340882A (ja) | 1993-12-24 |
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Legal Events
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