JP5322841B2 - マスク欠陥の形状測定方法及びマスク良否判定方法 - Google Patents
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Description
放射角度がθin未満の散乱光を中心遮光部によって遮光し、任意の放射角θout を超える散乱光を可変開口部によって遮光することにより、放射角がθin 以上θout 以下の散乱光の強度を測定する。得られた強度と(1)式を用いることによって傾き角がθin /2以上θout /2以下の微小領域の散乱断面積Sin-out を求めることができる。
図2は、本発明の第1の実施形態に係わるマスク欠陥の形状測定方法を実施するための装置構成を示す図である。
即ち、領域501が半径rの地点から内側と外側に同じ距離αだけ離れて位置するものとすると、2つの領域501の総面積S1は、
S1 =2π(r+α)Δ1 +2π(r−α)Δ1
=4πrΔ1
となり、これから半径rは前記(2)式で求められることになる。
次いで、可変開口部206の開口径を変更し(ステップS4)、放射角θ0 以上θ2 以下の散乱光強度I2 を測定する(ステップS5)。これにより、放射角θ1 を超えθ2 以下の散乱光強度I2-1 は(I2 −I1 )によって得られる。得られた強度I2-1 から(1)式により傾き角θ1/2を超えθ2/2以下の領域502の散乱断面積S2-1 を求める。得られたS2-1、散乱光強度I1 から得られた半径r、及び前記(2)式を用いて領域502の幅Δ2-1 を求める。最大傾き角はθn/2であるため放射角θn 以上では散乱光強度が飽和することを利用し、得られた散乱光強度が飽和するまで、可変開口部の開口径を変更し、散乱断面積と幅を求める工程を繰り返す(ステップS6,S7)。
次に、本発明の第2の実施形態に係わるマスク位相欠陥の形状測定方法を、図8のフローチャートを参照して説明する。なお、本実施形態に用いる装置の構成は前記図1と同様である。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、マスクの位相欠陥の形状測定を行ったが、予め欠陥形状の許容範囲を定めておけば、測定された欠陥形状と該形状の許容範囲とを比較することにより、マスクの良否を判定することも可能である。
102…散乱光
103…位相欠陥
104…マスク(ブランクマスク)
201…光源
202…楕円鏡
203…平面鏡
204…マスク
205…マスクステージ
206…可変開口部
207…遮光部(凸面鏡)
208…凹面鏡
209…検出器
210…パーソナルコンピュータ
401,403…境界部
402…側壁部
404…平坦部
405…側壁中心
501…傾き角θ0/2を超えてθ1/2以下の領域
502…傾き角θ1/2を超えてθ2/2以下の領域
503…傾き角θn-1/2を超えてθn/2以下の領域
601…傾き角θ0/2を超えてθ1/2以下の領域
602…傾き角θ1/2を超えてθ2/2以下の領域
603…傾き角θn-1/2を超えてθn/2以下の領域
605…中心軸
Claims (7)
- 露光用マスク上に存在する位相欠陥の形状を測定する方法であって、
前記マスクに入射する任意波長の検査光が前記マスク上の位相欠陥によって散乱される光の角度範囲のうち、前記位相欠陥上における散乱領域の幅を予測することのできる角度範囲を予め求めておき、該角度範囲に散乱する光の強度を測定する第1のステップと、
予め定めた関係式を用いて、前記第1のステップで測定された散乱光強度から前記位相欠陥の径を算出する第2のステップと、
次いで前記第1のステップで測定する散乱光の角度範囲を変更し、該角度範囲における散乱光強度を測定する第3のステップと、
予め定めた散乱光強度と散乱断面積との関係式を用いて、前記第3のステップで得られた散乱光強度から散乱断面積を算出する第4のステップと、
前記第3のステップと前記第4のステップを前記散乱光強度が飽和するまで繰り返す第5のステップと、
次いで予め定めた位相欠陥の形状モデルに従い、前記第2のステップで得られた位相欠陥の径と前記第4のステップで得られた各散乱断面積を用いて前記マスク上の位相欠陥の形状を決定する第6のステップと、
を含むことを特徴とするマスク欠陥の形状測定方法。 - 前記第4のステップで用いる関係式として、前記散乱光強度と散乱断面積は比例の関係にあるとし、比例係数を予め定めておくことを特徴とする、請求項1記載のマスク欠陥の形状測定方法。
- 前記位相欠陥の形状モデルを、位相欠陥の断面形状が既知である領域と未知である領域で構成し、位相欠陥の等高線を円形としたことを特徴とする、請求項1記載のマスク欠陥の形状測定方法。
- 前記第2のステップでは、予め定めた散乱光強度と散乱断面積との関係式及び予め定めた散乱断面積と位相欠陥の径との関係式を用いて、前記第1のステップで測定された散乱光強度から散乱断面積を算出し、該算出した散乱断面積から前記位相欠陥の径を算出することを特徴とする、請求項1記載のマスク欠陥の形状測定方法。
- 前記第2のステップでは、前記第1のステップで測定された散乱光強度から、前記角度範囲に対応する領域の散乱断面積S1 を求め、領域の幅Δ1 は既知であるとし、S1 と幅Δ1 を用いて、位相欠陥の半径rを、
r=S1 /(4πΔ1)
と云う関係式を用いて算出することを特徴とする、請求項4記載のマスク欠陥の形状測定方法。 - 露光用マスク上に存在する位相欠陥の位置を検知し、該位相欠陥の形状を測定する方法であって、
前記マスク上で任意の光を走査し、前記マスクからの散乱光が発生する位置を位相欠陥の位置として検知する第1のステップと、
前記第1のステップで検知された欠陥位置で前記マスクに任意波長の検査光を入射し、前記マスク上の位相欠陥によって散乱される光の角度範囲のうち前記位相欠陥上における散乱領域の幅を予測することのできる角度範囲を予め求めておき、該角度範囲に散乱する光の強度を測定する第2のステップと、
予め定めた関係式を用いて、前記第2のステップで測定された散乱光強度から前記位相欠陥の径を算出する第3のステップと、
次いで前記第2のステップで測定する散乱光の角度範囲を変更し、該角度範囲における散乱光強度を測定する第4のステップと、
予め定めた散乱光強度と散乱断面積との関係式を用いて、前記第4のステップで得られた散乱光強度から散乱断面積を算出する第5のステップと、
前記第4のステップと前記第5のステップを前記散乱光強度が飽和するまで繰り返す第6のステップと、
次いで予め定めた位相欠陥の形状モデルに従い、前記第3のステップで得られた位相欠陥の径と前記第4のステップで得られた各散乱断面積を用いて前記マスク上の位相欠陥の形状を決定する第7のステップと、
を含むことを特徴とするマスク欠陥の形状測定方法。 - 請求項1〜6の何れかに記載のマスク欠陥の形状測定方法を用いて測定された欠陥形状と予め定めた欠陥形状の許容範囲とを比較することによりマスクの良否を判定することを特徴とする、マスク良否判定方法。
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