JP5042494B2 - 散乱光の角度分布を使ったマスクブランクの欠陥の検出および特性評価 - Google Patents
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Description
110 マスクステージ
120 マスクブランク
130 光源
135 光
140 集光鏡
150 暗視野光学ユニット
152 反射器
154 凹面鏡
155 出射口
156 凸面鏡
160 マスク欠陥検査ツール
210 光源虹彩絞り
220 散乱制限ユニット
222 最小虹彩絞り
224 最大虹彩絞り
230 欠陥解析器
232 撮像装置
234 画像処理ユニット
236 データベース
240 プロセッサユニット
250 メモリコントローラハブ(MCH)
260 メモリ
265 欠陥解析モジュール
270 I/Oコントローラハブ(ICH)
275 相互接続
282 CD−ROM
284 DVD
286 フロッピー(登録商標)
288 ハードディスク
290 I/O装置
295 画像デジタイザ
310 高さ2nmの欠陥の角度分布曲線
320 高さ10nmの欠陥の角度分布曲線
330 第一の欠陥の角度分布曲線
340 第二の欠陥の角度分布曲線
410 マスクブランクをマスクステージに載せて位置揃え
420 マスクブランクの全領域を検査
430 欠陥候補あり?
440 欠陥候補が視野中央にくるようにステージを移動
450 マスクブランク上でみつかった欠陥の重大性を特性評価
460 欠陥候補がすべて処理されたか?
470 次の欠陥候補を選択
480 すべての欠陥位置およびリスクレベルの表を作成
510 光源虹彩絞りを光源から放出される光の照射角を制限するために設定
520 撮像虹彩絞りをマスクブランクから反射された散乱光の散乱角θをθstartに制限するために設定
530 散乱光の像を取得
540 θがθendを超えたか?
550 θを更新(θをΔθだけ増減するなど)
560 散乱光の角度分布を生成して欠陥の重大性を特性評価
610 吸収体パターン
620 低リスク欠陥
630 高リスク欠陥
710 マスクパターン描画データをコンピュータに読み込み
720 欠陥マップおよびリスクレベルデータをコンピュータに読み込み
730 さまざまな回転・平行移動についてパターンデータと欠陥座標の組み合わせを試験
740 許容できる組み合わせがあるか?
750 次のマスクブランクデータを使用
760 最小リスクの組み合わせを選択
770 マスクブランクを選択された回転で描画器にロード
780 選択された平行移動でパターンを描画
790 ウエハー処理
Claims (27)
- 光源に位置しており、該光源から放出される光の照射角を制限するための第一の虹彩絞りと、
暗視野光学ユニットの出射口に位置しており、マスクブランクから反射したのちの散乱光の散乱角を制限するための散乱制限ユニットであって、前記散乱制限ユニットは前記散乱光の最小散乱角を制限する第二の虹彩絞りを有する、散乱制限ユニットと、
前記暗視野光学ユニットに光学的に結合された、前記散乱光の角度分布を生成するための欠陥解析器とを有しており、該角度分布が前記マスクブランク上にみつかった欠陥の重大性を特性評価するのに使われることを特徴とする装置。 - 前記散乱制限ユニットが:
前記散乱光の最大散乱角を制限する第三の虹彩絞りを有することを特徴とする、請求項1記載の装置。 - 前記欠陥解析器が:
前記散乱光の像を取得するための撮像装置と、
前記角度分布を提供するために前記像を処理するための、前記撮像装置に結合された処理ユニット、
とを有することを特徴とする、請求項2記載の装置。 - 前記処理ユニットが:
解析的または実験的に得られた欠陥パラメータの集合を保存するデータベースを有しており、該欠陥パラメータ集合が当該欠陥についてのリスクレベルを与えるために前記角度分布と比較されることを特徴とする、請求項3記載の装置。 - 前記光が極端紫外(EUV)光であることを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記暗視野光学ユニットがシュヴァルツシルト光学系であることを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 光源に位置している第一の虹彩絞りによって該光源から放出される光の照射角を制限し、
暗視野光学ユニットの出射口に位置している散乱制限ユニットによってマスクブランクから反射したのちの散乱光の散乱角を制限する段階であって、散乱角を制限することが、第二の虹彩絞りによって前記散乱光の最小散乱角を制限することを含む、段階と、
前記散乱光の角度分布を生成する段階とを含み、該角度分布が前記マスクブランク上にみつかった欠陥の重大性を特性評価するのに使われることを特徴とする方法。 - 散乱角を制限することが:
第三の虹彩絞りによって前記散乱光の最大散乱角を制限することを含むことを特徴とする、請求項7記載の方法。 - 前記角度分布を生成することが:
前記散乱光の像を取得し、
前記像を処理して前記角度分布を与えること、を含むことを特徴とする、請求項8記載の方法。 - 前記像を処理することが:
欠陥パラメータの集合を前記角度分布と比較して当該欠陥についてのリスクレベルを与えることを含んでおり、該欠陥パラメータ集合がデータベースに保存されており解析的または実験的に得られたものであることを特徴とする、請求項9記載の方法。 - 前記光の照射角を制限することが、極端紫外(EUV)光の照射角を制限することを有することを特徴とする、請求項8記載の方法。
- マスクブランクを動かすためのマスクステージと、
前記マスクブランクを検査するための光を発生させる光源と、
前記光源に光学的に結合されており、前記マスクブランク上に向けて偏向された光からの散乱光を与えるための暗視野光学ユニットと、
前記光源および前記暗視野光学ユニットに結合され:
光源に位置しており、該光源から放出される光の照射角を制限するための第一の虹彩絞りと、
暗視野光学ユニットの出射口に位置しており、マスクブランクから反射したのちの散乱光の散乱角を制限するための散乱制限ユニットであって、前記散乱制限ユニットは、前記散乱光の最小散乱角を制限する第二の虹彩絞りを有する、散乱制限ユニットと、
前記暗視野光学ユニットに光学的に結合された、前記散乱光の角度分布を生成するための欠陥解析器とを有しており、該角度分布が前記マスクブランク上にみつかった欠陥の重大性を特性評価するのに使われるような、
欠陥検査ツール、
とを有することを特徴とするシステム。 - 前記散乱制限ユニットが:
前記散乱光の最大散乱角を制限する第三の虹彩絞りを有することを特徴とする、請求項12記載のシステム。 - 前記欠陥解析器が:
前記散乱光の像を取得するための撮像装置と、
前記角度分布を提供するために前記像を処理するための、前記撮像装置に結合された処理ユニット、
とを有することを特徴とする、請求項13記載のシステム。 - 前記処理ユニットが:
解析的または実験的に得られた欠陥パラメータの集合を保存するデータベースを有しており、該欠陥パラメータ集合が当該欠陥についてのリスクレベルを与えるために前記角度分布と比較されることを特徴とする、請求項14記載のシステム。 - 前記光が極端紫外(EUV)光であることを特徴とする、請求項13記載のシステム。
- 前記暗視野光学ユニットがシュヴァルツシルト光学系であることを特徴とする、請求項12記載のシステム。
- 前記第二の虹彩絞りが、差分像データを与えるよう、二つの制限散乱角に設定される、請求項1記載の装置。
- 前記二つの制限散乱角のうち少なくとも一方が0度ないし30度の範囲である、請求項18記載の装置。
- 前記処理ユニットが、増加するまたは減少する散乱角の一次元関数として欠陥密度を表す、請求項3記載の装置。
- 前記暗視野光学ユニットがシュヴァルツシルト光学系である、請求項7記載の方法。
- 前記第二の虹彩絞りが、差分像データを与えるよう、二つの制限散乱角に設定される、請求項7記載の方法。
- 前記二つの制限散乱角のうち少なくとも一方が0度ないし30度の範囲である、請求項22記載の方法。
- 処理が、増加するまたは減少する散乱角の一次元関数として欠陥密度を表現することを含む、請求項9記載の方法。
- 前記第二の虹彩絞りが、差分像データを与えるよう、二つの制限散乱角に設定される、請求項12記載のシステム。
- 前記二つの制限散乱角のうち少なくとも一方が0度ないし30度の範囲である、請求項25記載の装置。
- 前記処理ユニットが、増加するまたは減少する散乱角の一次元関数として欠陥密度を表す、請求項14記載のシステム。
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