JP2002228428A

JP2002228428A - 異物検出装置及び露光装置

Info

Publication number: JP2002228428A
Application number: JP2001026547A
Authority: JP
Inventors: Kei Nara; 圭奈良
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-02-02
Filing date: 2001-02-02
Publication date: 2002-08-14

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶ディスプレイパネルや集積回路の製造工
程において、散乱光強度分布から異物のサイズを判定で
きる異物検出装置を提供し、効率良く露光できる露光装
置を提供する。【解決手段】ペリクル４を張ったマスク２を被検体と
し、ペリクル４の検査領域４ａを照明手段５で照明し、
対物レンズ７によりペリクル４上の異物Ｐの像をＣＣＤ
６に結像させる。ＣＣＤ６からの検出信号を、マスク２
の座標信号と共に信号処理手段２０に取り込み、二次元
の散乱光強度マップＭを作成し、その分布に基づいて異
物Ｐのサイズを判定する。マスク２と、ＣＣＤ６及び対
物レンズ７とを相対的に移動させる駆動手段１０を備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異物検査装置に係
り、特に、液晶ディスプレイパネルや集積回路の製造工
程において用いられるマスクに付着した異物を検出する
異物検出装置、及びその異物検出装置を備える走査露光
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイパネルや半導体集積回
路の製造工程において用いられるフォトマスクやレチク
ル（以下、マスクという）を覆うペリクル等の薄膜の表
面上に付着した異物を検出する異物検査装置として、例
えば特開平９−７９９８７号公報に記載されたものがあ
る。この異物検査装置は、マスクのガラス基板上に離間
して張られたペリクル等の被検査物に対して光を照射
し、異物が付着している場合、その異物によって発生す
る散乱光をフォトディテクタ等の光電変換センサによっ
て検出して異物を検出している。異物のサイズの判別に
当たっては、光電変換センサによって受光した散乱光の
強度に応じた検出信号のうち、所定の閾値レベルより大
きい検出信号が検査対象の異物を表すものとしている。
そして、異物の大きさ信号に基づいて異物の大きさを例
えばＳ_A、Ｓ_B、Ｓ_Cのようにランク分けし、異物のラン
ク情報を異物の位置信号に基づいてディスプレイ上にマ
ップ表示する。このように表示された異物は一次元で表
示されている。すなわち、異物のサイズに略比例して照
射光による散乱光強度が高くなるという関係をもとにし
て散乱光強度から異物のサイズを判別している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記構造の
異物検査装置は、帯状の検査領域を照射する光源からの
光照射方向に対して光電変換センサが側方に位置してい
るため、異物から生じる散乱光強度に角度分布がある場
合、光電変換センサによって検出される散乱光強度が異
物と光電変換センサの位置関係によって変化してしま
う。このため、光電変換センサによって検出される散乱
光強度が異物のサイズに比例しない場合がある。

【０００４】すなわち、図１２に示すように、光源によ
り照明された検査領域を対物レンズで光電変換センサで
あるＣＣＤに結像させて検査領域上の異物を検出する場
合、ＣＣＤを中心として異物が光源側にあると、異物に
よって発生される散乱光のうち前方散乱光の成分が強く
検出され、異物がＣＣＤの側方にあると側方散乱光の成
分が強く検出される。そして、異物が光源と反対側にあ
ると異物からの散乱光のうち後方散乱光の成分が強く検
出されるというように、検査領域上における異物の位置
とＣＣＤの位置との関係によってＣＣＤで検出される散
乱光の成分が異なるという問題がある。一方、異物によ
って発生される散乱光強度の角度分布は必ずしも等方的
ではなく、異物のサイズや形状、材質により非等方的な
角度分布を有することが知られている。従って、同じサ
イズの異物であっても検査領域上での異物存在位置によ
ってＣＣＤで検出される散乱光強度が異なり、散乱光強
度によっては異物のサイズを正確に判定できないという
問題がある。さらに、異物の大きさはランク分けして一
次元で表示されるため、正確なサイズを把握できないと
いう問題があった。

【０００５】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的とするところは、異物と光電
変換センサと光源との位置関係や、異物の材質、形状等
の影響を受けることなく、異物のサイズを判定できる異
物検出装置と、これを備える走査露光装置を提供するこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成すべく、
本発明に係る異物検出装置は、被検体（２，４）に付着
した異物（Ｐ）を検出する異物検出装置において、被検
体の検査領域を照明する照明手段（５）と、ほぼ連続し
て配置された複数の光検出素子を備え照明された検査領
域の異物からの散乱光を検出する光検出手段（６）と、
検査領域における異物の像を光検出手段（６）上に結像
する検出光学系（７）と、光検出手段（６）からの信号
を処理する信号処理手段（２０）とを備え、信号処理手
段は、光検出手段において散乱光を連続的に検出した光
検出素子の数に基づいて異物のサイズを判定する。

【０００７】この構成によれば、被検体（２，４）に付
着した異物（Ｐ）は、検査領域を照明する照明手段
（５）からの照明光を散乱し、この散乱光は検出光学系
（７）により光検出手段（６）上に結像される。そし
て、光検出手段（６）で検出された散乱光の信号は信号
処理手段（２０）で処理され、散乱光を連続的に検出し
た光検出素子の数に基づいて異物のサイズを判定する。
このように、異物（Ｐ）からの散乱光強度ではなく、異
物の像が結像されている連続する光検出素子の数に基づ
いて判定するため、異物（Ｐ）と光検出手段（６）の位
置関係に影響を受けることなく異物（Ｐ）のサイズを判
定することができる。

【０００８】また、本発明に係る異物検出装置の好まし
い態様としては、前記の異物検出装置において、被検体
と検出光学系とを相対的に移動させる駆動手段（１０）
を備え、光検出手段（６）は、駆動手段（１０）による
移動方向とは直交する方向に前記複数の光検出素子が一
次元的に配置され、駆動手段（１０）による移動と連動
することにより二次元方向の検出を行う。

【０００９】この構成によれば、一次元的に配置された
光検出素子を駆動手段（１０）で移動することにより、
異物（Ｐ）の像を二次元的に検出することができ、異物
（Ｐ）のサイズを二次元的に判定することができる。す
なわち、被検体（２，４）と検出光学系（７）との相対
的移動に同期する被検体（２，４）上の座標信号と、光
検出手段（６）の検出信号から散乱光強度マップ（Ｍ）
を作成し、その分布に基づいて異物（Ｐ）のサイズを判
定するため、異物（Ｐ）と光検出手段（６）との位置関
係に影響を受けることなく、二次元的に異物のサイズを
得ることができる。光検出手段は検出光学系と一体的に
移動させてもよい。あるいは、検出光学系によって結像
された異物の像を光ファイバ等の可撓性のある光伝達手
段で光検出手段に入力するように構成すれば、必ずしも
光検出手段を検出光学系と共に移動する必要はない。

【００１０】さらに、本発明に係る異物検出装置の好ま
しい他の態様としては、前記の異物検出装置において、
信号処理手段（２０）は、散乱光強度が所定の散乱光強
度以上を異物の散乱光として認識すると共に、散乱光を
連続して検出した光検出素子の数に基づいて異物のサイ
ズを判定することができる。この構成によれば、異物と
光検出手段との位置関係に影響を受けることなく異物の
サイズを判定することができる。

【００１１】また信号処理手段（２０）は、散乱光強度
が所定の散乱光強度以上を異物の信号として処理すると
共に、散乱光を連続して検出した光検出素子によって形
成される領域の面積に基づいて異物のサイズを判定する
ようにしてもよい。この構成によれば、異物と光検出手
段との位置関係に影響を受けることなく異物のサイズを
判定することができる。

【００１２】信号処理手段（２０）は、散乱光強度を閾
値と比較して散乱光強度マップ上（Ｍ）で２値化し、２
値化された散乱光強度マップにおいて一方向に連続する
散乱光強度が大である光検出素子の数に基づいて異物の
サイズを判定し、あるいは散乱光強度が大である光検出
素子の連続によって形成される領域の面積に基づいて異
物のサイズを判定するため、異物と光検出手段との位置
関係に影響を受けることなく異物のサイズを得ることが
できる。

【００１３】信号処理手段（２０）は、散乱光を検出し
た連続する光検出素子によって検出された散乱光強度を
合計した値に基づいて異物のサイズを判定してもよい。
光検出素子からの出力信号は入射光強度がある値を超え
ると飽和するため、光検出素子によって検出された散乱
光強度を合計した値によっても検出信号を２値化処理す
る場合と同様に異物のサイズを判定することができる。

【００１４】被検体の検出面に対向して検出光学系を複
数配置すると、１回の走査で広い領域を検査でき、効率
のよい異物の検出が可能となる。また、散乱光を光検出
手段の１個の光検出素子のみで検出した際には、散乱光
強度により異物のサイズを判定するようにしてもよい。
異物のサイズが光検出素子の１個のサイズより小さいと
きは、サイズが小さいほど散乱光強度が小さくなるの
で、散乱光強度から異物のサイズを判定することができ
る。

【００１５】信号処理手段（２０）は、異物を検出した
光検出素子の数と散乱光強度との少なくとも一方を用い
るように切替える感度切替え手段を備え、感度切替え手
段により異物の検出感度を変更するように構成すると好
適である。これにより、異物のサイズが大きい場合は光
検出素子の数から異物のサイズを判定し、異物のサイズ
が小さい場合は散乱光強度に切替えて判定することがで
き、異物のサイズが大きいときでも、小さいときでもそ
のサイズを判定することができる。

【００１６】本発明に係る走査露光装置（３０）は、パ
ターンが形成されたマスク（４０）を保持して移動する
マスクステージ（６０）と、マスク（４０）を照明する
マスク照明手段（Ｌ１〜Ｌ５）と、基板（４４）を保持
してマスクステージ（６０）と同期して移動する基板ス
テージ（４５）と、基板にマスクのパターンを投影する
投影光学系（４２ａ〜４２ｅ）とを備え、マスク（４
０）が被検体であり、マスクに付着した異物（Ｐ）を基
板の露光動作中に検出する前記のいずれかに記載の異物
検査装置を備える。異物検査装置の照明手段（５）とマ
スク照明手段とは兼用してもよい。

【００１７】この構成によれば、マスクステージ（６
０）に保持されたマスク（４０）のパターンを、基板ス
テージ（４５）に固定された基板（４４）に露光しなが
ら異物の検出を行うことができ、露光された感光基板の
良否をリアルタイムで判定でき、半導体集積回路等の露
光工程を効率良く、高い信頼性を持って行うことができ
る。同じマスクを用いて長時間パターン露光を行う場合
においても、マスクへの異物の付着を直ちに検出するこ
とができ、不良品の産出を最小限に抑えると共に異物付
着後の処置を迅速に行うことができる。また、露光装置
のマスク照明手段で異物検出装置の照明手段を兼ねるこ
とにより、照明手段の重複を避けることができ、装置構
成を簡略化することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づき詳細に説明する。図１は、本発明による異物検出
装置の一例の概略構成を示す斜視図である。図１におい
て、異物検出装置１は被検体であるペリクル付マスクの
表面に付着した異物を検出するものである。ペリクル４
はマスク２のパターン面に異物が付着するのを防止する
透明の薄膜であり、マスク２のパターン面にフレーム３
を介して間隙を有して平行状態に張設されている。ペリ
クル４の上方には、ペリクル表面のライン状の検査領域
４ａを均一に照明する照明手段５が配置されている。ペ
リクル４表面の検査領域４ａに存在する異物からの散乱
光は、対物レンズ７を介して光検出素子（以下、セルと
いう）を一次元的に配置したＣＣＤ（電荷結合素子）６
で検出する。対物レンズ７は、ライン状の検査領域４ａ
の像を縮小してＣＣＤ６に結像する。ＣＣＤ６は例えば
４μｍピッチで数千のセルが一次元的に配列したもので
あり、対物レンズ７の縮小倍率が１／５の場合、被検体
であるペリクル４表面上で２０μｍの分解能を有するも
のである。本例では、ＣＣＤ６のセルが一次元的に配置
された電気的な走査方向をＹ軸方向とし、後述する機械
的な駆動手段によるマスクテーブル８の走査方向をＹ軸
と直交するＸ軸方向として説明する。

【００１９】ペリクル４付のマスク２はマスクテーブル
８上に載置固定され、マスクテーブル８は駆動手段１０
によってＸ軸方向に移動される。駆動手段１０はベース
板９に固定した２本のリニアガイド１１ａ，１１ｂ、ボ
ールねじ１２及び駆動モータ１３から構成され、マスク
テーブル８はリニアガイド１１ａ，１１ｂでＸ軸方向に
直動可能に支持されている。ボールねじ１２はベース板
９のＸ軸方向の両端近傍に固定された支持板９ａ，９ｂ
に支持され、支持板間の中心にリニアガイド１１ａ，１
１ｂと平行に回動可能に支持されている。そしてボール
ねじ１２に噛み合うナット１２ａがマスクテーブル８に
固定されており、ボールねじ１２は駆動モータ１３によ
り回動される。

【００２０】駆動モータ１３は例えばステッピングモー
タや、エンコーダを備えるサーボモータ等が使用され
る。駆動手段１０は、ＣＣＤ６及び対物レンズ７に対し
てマスク２をＸ軸方向に一次元的に移動走査させるもの
であり、本実施形態ではマスクテーブル８は２０μｍピ
ッチで駆動される。なお、ここではＣＣＤ６及び対物レ
ンズ７に対してマスク２を移動走査させる構成を示した
が、被検体であるマスク２に対して、光検出手段である
ＣＣＤ６と検出光学系である対物レンズ７を一次元的に
移動走査させるように構成してもよい。また、駆動モー
タ１３は間歇的に回転されるものに限らず、連続的に回
転するものでもよい。

【００２１】照明手段５は図２（ａ）に示すように、発
光ダイオード素子５ａをＹ軸方向に一次元的に配列した
ＬＥＤアレイが用いられる。ＬＥＤアレイはペリクル４
上の検査領域４ａを所定の幅で均一に照明するものであ
り、発光ダイオード素子５ａを基板上に所定の間隔で均
等に配列したものである。照明手段５はペリクル４上の
検査領域を、例えば数ｍｍ程度の幅で帯状に照明するよ
うに、シリンドリカルレンズ等により集光するとペリク
ル４上の照度を上げることができる。

【００２２】なお、照明手段５はＬＥＤアレイに限られ
るものでなく、冷陰極蛍光管等の円柱状の光源を使用し
たものや、図２（ｂ）に示すような、ハロゲンランプ等
の光源１５ａからの光線を光ファイバ１５ｂにより導光
し、光ファイバの照射部を検査領域の幅に合わせて広げ
た照明手段１５を使用してもよく、また、図２（ｃ）に
示すようにハロゲンランプ等の光源１５ａからの光線を
ミラー１５ｃで反射して光ファイバ１５ｂに導光する構
成でもよい。

【００２３】ここで、光検出手段であるＣＣＤ６からの
検出信号を処理する信号処理手段及び回路について、図
３を参照して説明する。図３は信号処理手段への信号の
流れを示すブロック図である。照明手段５には照明系ド
ライバ１６から電源が供給される。照明手段５がＬＥＤ
アレイの場合、５〜１０ボルト程度の低電圧が供給さ
れ、必要に応じてパルス点灯を行い、デューティを設定
できるものが使用される。照明手段５がハロゲンランプ
の場合は、例えば１００ボルトの商用電源が供給され
る。また、照明手段５が蛍光管の場合は、インバータ等
を介して高周波の電源が供給される。

【００２４】光検出手段であるＣＣＤ６には、ＣＣＤド
ライバ１７が接続され、ＣＣＤドライバ１７からＣＣＤ
６にクロック信号を含む駆動信号６ａが供給され、ＣＣ
Ｄ６から散乱光強度信号等のビデオ信号の検出信号６ｂ
が出力される。ＣＣＤドライバ１７の出力端子はアナロ
グデジタル変換器（以下、ＡＤＣという）１８に接続さ
れている。ＣＣＤドライバ１７及びＡＤＣ１８にはＹ座
標カウンタ１９で生成されたＣＣＤクロック信号及びＡ
ＤＣクロック信号が供給される。ＡＤＣ１８はＣＣＤ６
で検出された散乱光強度信号を、例えば２５６階調にデ
ジタル化し、その出力は散乱光強度データとして信号処
理手段２０に供給される。Ｙ座標カウンタ１９からのＣ
ＣＤクロック信号出力は、Ｙ座標データとして信号処理
手段２０に供給される。

【００２５】マスクテーブル８をＸ軸方向に移動する駆
動手段１０を構成する駆動モータ１３にはモータドライ
バ２２から、例えばパルス信号等の駆動信号が供給され
る。駆動モータ１３の出力軸に連結したエンコーダ１４
からの出力は、Ｘ座標カウンタ２３に入力される。Ｘ座
標カウンタ２３からの出力は、Ｘ座標データとして信号
処理手段２０に供給される。Ｘ座標カウンタ２３は、ま
た、Ｘ座標に同期（例えば、２０μｍピッチに）してＹ
座標カウンタ１９に同期信号を出力する。Ｙ座標カウン
タ１９では、Ｘ座標カウンタ２３からの同期信号に基づ
きＣＣＤドライバ１７へのスキャニング信号を発生す
る。また、ＡＤＣ１８にも同期信号を出力し、ＣＣＤ６
からの信号をデジタル化する。

【００２６】信号処理手段２０は、ＡＤＣ１８からの散
乱光強度データと、Ｙ座標カウンタ１９からのＹ座標デ
ータと、Ｘ座標カウンタ２３からのＸ座標データから、
二次元の散乱光強度マップＭを作成する。そして、散乱
光強度マップＭのデータを所定の閾値で２値化する比較
回路を備えると共に、閾値以上の散乱光強度データを異
物の信号として処理し、閾値未満の散乱光強度データは
採用せずに検査対象から外す判定回路を備え、２値化デ
ータから散乱光強度が閾値以上のセルに相当する画素が
連続しているか判定すると共に、連続する画素の数をＸ
軸方向、Ｙ軸方向で計算し、さらに面積を計算する演算
回路を備え、異物のサイズを判定する。

【００２７】また、信号処理手段２０は、散乱光強度が
閾値以上となった連続するＣＣＤセルに相当する画素の
数によって異物のサイズ判定を行う方法と、散乱光強度
によって異物のサイズ判定を行う方法との少なくとも一
方を用いるように切替える感度切替え手段を備えてい
る。この感度切替え手段により異物の検出感度を変更す
ることができ、異物のサイズがＣＣＤの１つのセルのサ
イズより小さい場合は、１つのセルの散乱光強度により
異物のサイズを判定することができる。感度切替え手段
は、本実施の形態では、予めマニュアルで設定するもの
であるが、これに限られるものでなく、例えば画素が連
続しない場合を判定して散乱光強度に切替えるものでも
よい。

【００２８】前記の如く構成された本実施形態の異物検
出装置１の動作について以下に説明する。マスクテーブ
ル８上に、ペリクル付マスク２を載置固定し、照明系ド
ライバ１６から照明手段５に電源を供給すると、照明手
段５はマスク２上に張設されたペリクル４の検査領域４
ａ上を所定の幅で均一に照射する。ペリクル４上に異物
がない場合は、照明光はペリクル４を透過するが、異物
がある場合は異物による散乱光が発生する。この散乱光
は対物レンズ７によりＣＣＤ６上に結像され、ＣＣＤ６
は散乱光を光電変換してその強度に応じた信号を出力
し、この出力はＡＤＣ１８を介して信号処理手段２０に
供給される。すなわち、ＣＣＤドライバ１７からＣＣＤ
６にクロック信号６ａが入力されると、クロック信号６
ａに同期して、ＣＣＤ６から散乱光の強度に応じた画像
信号６ｂが出力される。

【００２９】マスク２を載置固定したマスクテーブル８
は駆動手段１０によりＸ軸方向に移動される。すなわ
ち、駆動モータ１３にモータドライバ２２から例えばパ
ルス信号が供給されると駆動モータ１３は回転し、その
回転はボールねじ１２を介してマスクテーブル８に伝達
され、マスクテーブル８はリニアガイド１１ａ，１１ｂ
に沿って所定距離だけ移動走査される。本例ではマスク
テーブル８は２０μｍピッチで移動されるように設定さ
れている。

【００３０】マスクテーブル８が所定距離だけ移動され
ると、エンコーダ１４から座標信号が出力され、この座
標信号はＸ座標カウンタ２３に入力され、Ｙ座標カウン
タ１９に同期信号として供給される。Ｘ座標カウンタか
ら同期信号を受けたＹ座標カウンタ１９はＣＣＤドライ
バ１７にスキャニング信号を発生し、ＣＣＤ６の各セル
からの信号６ｂがＡＤＣ１８によってデジタル化されて
信号処理手段２０に入力される。このように、ペリクル
４上の１ラインの散乱光強度が出力されると、駆動手段
１０によりマスクテーブル８が１ライン分だけ移動さ
れ、この動作を繰り返すことにより駆動手段１０に同期
してペリクル４の検査領域４ａの散乱光強度を二次元的
に取り込むことができ、ペリクル４の全面を二次元的に
検査することができる。

【００３１】信号処理手段２０に取り込まれたＣＣＤ６
の検出信号は、Ｘ座標カウンタ２３からのＸ座標と、Ｙ
座標カウンタ１９からのＹ座標の位置情報と対応付けら
れて、内蔵のＲＡＭ（図示せず）に記憶される。信号処
理手段２０内の判定回路は、閾値以上の散乱光強度を有
する画素が一方向に連続しているかの判定を行う。この
判定の仕方は、例えば１つの画素が閾値より大きい散乱
光強度を有するとき、この画素の周囲の画素が閾値以上
の散乱光強度を有するかを確認して、画素の連続性を判
定する。

【００３２】そして、閾値以上の複数個の画素が連続し
ている場合、連続している画素の数に基づいて異物のサ
イズを判定する。また、散乱光強度が、閾値以上である
画素の連続によって形成される領域の面積に基づいて異
物のサイズを判定することができる。そして、信号処理
手段２０は、ＣＣＤ６から出力された散乱光強度の検出
信号と、ペリクル４上の座標位置を表す信号とから、二
次元の散乱光強度マップＭを作成する。

【００３３】図４は異物の判定動作を示す散乱光強度マ
ップの説明図であり、図４（ａ）は散乱光強度マップＭ
の一部に対応する実際の異物Ｐの平面図、図４（ｂ）は
ＡＤＣ１８でＡ／Ｄ変換され、２５６階調にデジタル化
された散乱光強度図、図４（ｃ）は、閾値「５０」で２
値化処理した後の分布図を示すものであり、２０μｍ角
のセルに相当する画素が１０×１０配列され、異物Ｐが
略中央に位置した状態を示し、画素中の数字はＡＤＣ１
８でデジタル化された散乱光強度を示している。

【００３４】このように、信号処理手段２０の判定回路
により、所定の閾値以上の画素が連続しているかを判別
し、図４（ｃ）に示すように、散乱光強度マップＭ上で
２値化された異物Ｐの画素の連続した数により、Ｘ方向
の長さが８０μｍであり、Ｙ方向の長さが１００μｍで
あり、面積は１２画素で４８００μｍ²のサイズである
ことを判定することができる。この寸法及び面積は、閾
値レベルを適度に設定することで、異物、ＣＣＤ、照明
手段の位置関係によって生じる前方散乱、側方散乱、後
方散乱等の影響を受けることなく、異物の形状を把握す
ることができる。

【００３５】図５は信号処理手段２０での異物の判定動
作の説明図であり、ここでは３種類の判定動作を例示し
て説明する。図５（ａ）は、散乱強度が閾値以上である
連続する画素の数によって異物のサイズを判定する例を
示す。図５（ａ）に図示した例の場合は、閾値以上の連
続している画素が１５個あり、１つの画素の面積が２０
μｍ角であるため、面積は１５×２０×２０＝６０００
μｍ²であり、この面積に基づいて異物のサイズを判定
する。図５（ｂ）は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の連続する画
素の最大数を計測し、その画素数を長軸及び短軸とする
楕円によって図のハッチング部分の面積を近似して異物
のサイズを判定する例を示している。図５（ｂ）に図示
した例の場合は、Ｘ軸方向の最大値はｗで示すように４
画素で８０μｍあり、Ｙ軸方向の最大値はｈで示すよう
に５画素で１００μｍあるので、面積は（π×８０×１
００）／４で約６２８３μｍ²と求めることができ、こ
の面積に基づいて異物のサイズを判定する。

【００３６】さらに、図５（ｃ）は、検出したい異物の
サイズと同程度か、やや大きいサイズのウィンドウＡを
設定し、このウィンドウＡをＸ、Ｙ軸方向に移動してウ
ィンドウ内の画素数をカウントすることによって異物の
サイズを判定する例を示すものである。この例ではウィ
ンドウＡを５×５画素のサイズに設定し、ウィンドウＡ
をＸ、Ｙ軸方向に移動し、この中に入る画素数をカウン
トする。ウィンドウＡ内に入った画素の数が予め定めた
一定値以上である場合に異物と判定し、画素数が一定値
に達しない場合には異物と判定しない。従って、例えば
上方の４画素の場合は異物と判定せず、下方の１０画素
の場合は異物と判定するように、閾値を決めて判定する
ことが可能である。

【００３７】図６は異物のサイズと散乱光強度及びＣＣ
Ｄ６の検出出力との関係を示す図であり、ＣＣＤ上での
散乱光の分布と、これに対応するＣＣＤの各セルの出力
を示している。異物のサイズは（ａ）、（ｂ）…（ｄ）
の順に大きくなっていると共に、連続して散乱光を検出
する画素数が変化する。画素サイズが前記したようにペ
リクル面上で２０μｍ角であり、異物の直径が５μｍの
場合、散乱光強度は図６（ａ）に示されるように小さく
検出され、同様に、異物の直径が１０μｍ、２０μｍ、
４０μｍ、８０μｍの場合、散乱光強度は図６（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示されるように徐々に大きく
検出される。このように、異物のサイズがセルサイズよ
り小さい場合、感度切替え手段により画素の数から散乱
光強度に切替え、散乱光の強度から異物のサイズを判定
することができる。

【００３８】また、ＣＣＤ６の各セルからの出力信号は
入射光強度がある値を超えると飽和するため、散乱光強
度と異物サイズとが略比例するのは異物サイズがセルサ
イズまでの範囲であるが、セルサイズを基準として異物
のサイズを推定することができる。また、異物のサイズ
がセルサイズを大きく超えるとセルから出力される散乱
光強度信号は飽和するため、散乱光強度信号を合計した
値に基づき、異物のサイズを判定することができる。こ
の場合には、２値化処理を省略することができる。図６
（ｄ）の場合、散乱光強度信号を合計した値がほぼ２×
飽和信号値であり、この散乱光強度を有する異物のサイ
ズは約２×２０μｍ（４０μｍ）と判定でき、図６
（ｅ）の場合は、同様に散乱光強度を合計した値がほぼ
４×飽和信号値であり、この散乱光強度を有する異物の
サイズは４×２０μｍ（８０μｍ）と判定できる。

【００３９】前記のように、ＣＣＤ６からの検出信号
を、座標位置を表す信号と共に信号処理手段２０に取り
込み、異物Ｐから発せられる散乱光強度を表す二次元の
散乱光強度マップＭを作成し、この散乱光強度を所定の
閾値で２値化するため散乱光強度が一定となり、異物Ｐ
とＣＣＤ６と照明手段５の位置関係に影響を受けること
なく異物Ｐのサイズや面積を判定することができる。ま
た、異物として判定するか、異物でないとして除外する
ことができ、異物検出の工程の効率化を図ることができ
る。さらに、異物がセルサイズより小さい場合でも、感
度切替え手段でセルに相当する画素の数を基準とする判
定から、散乱光強度を基準とする判定に切替えることに
より異物のサイズを判定できる。

【００４０】前記した異物検出装置は、複数の光検出素
子を備え、照明された検査領域の異物からの散乱光を検
出する光検出手段として、１つのＣＣＤを備えた例を示
したが、図７（ａ）に示すように、ペリクル４の検出面
に対向して光検出手段として、ＣＣＤ及び対物レンズを
複数配置してもよい。図７（ａ）の例では、機械的に走
査するＸ軸方向に直交する２つの検査領域４ｂ、４ｃに
対し、ＣＣＤ２５ａ、２５ｂと対物レンズ２５ｃ、２５
ｄから構成される検出光学系を２組、Ｘ軸方向に距離ｄ
だけずらして配置している。この場合、２つの検査領域
は中心側で重複させ、重複による不要な検出信号は信号
処理手段内で除去する処理を行うようにすることが好ま
しい。なお、図７（ａ）の例では検査領域をＸ軸方向に
ずらしているが、検査領域がＹ軸方向に１直線上になる
ように構成してもよい。このように構成することによ
り、１つのＣＣＤを用いた場合と比較し、１回の走査で
異物を検出する検査領域の面積を広げることができ、短
時間での異物検出が可能となる。

【００４１】また、図７（ｂ）に示すように、ペリクル
４の全面を対物レンズ２６ａで二次元センサ２６ｂ上に
結像させ、二次元センサ２６ｂからの信号により散乱光
を検出するように構成してもよい。この場合、図示して
いない照明手段によりペリクル４の全面の検査領域を均
一に照明することが好ましい。二次元センサ２６ｂを使
用した場合も、ペリクル上の座標情報と散乱光強度か
ら、２値化した二次元の散乱光強度マップを作成し、異
物のサイズを座標情報と共に判定することができる。

【００４２】さらに、図７（ｃ）に示すように、マスク
２の面側とペリクル４の面側の両方に、照明手段２７
ａ、２７ｂ、対物レンズ２７ｃ、２７ｄ、ＣＣＤ２７
ｅ、２７ｆから構成される検出光学系を設け、マスク面
とペリクル面の両方の面の異物を検出するように構成す
ることもできる。この場合は、一方の面にＡＦ（オート
フォーカス）センサ２８を設置し、一方の面であるマス
ク２の面との距離を測定して両方の面の異物を検出する
ことが好ましい。

【００４３】なお、図７（ｃ）のＡＦセンサは、静電容
量センサ、光学式センサ（例えば、キーエンス製ＰＴ−
１６５等）を用いて検出光学系とマスクのガラス面又は
ペリクル面までの距離を測定できればよい。また、ペリ
クル又はペリクル枠とマスクパターン面までの距離を測
定し、光学系とペリクル面との距離に換算してもよい。
この測定結果に基づいてマスクと光学系との距離を所定
の距離に調整する。

【００４４】次に、本発明に係る異物検出装置を備えた
走査露光装置の実施形態について、図８〜１０を参照し
て説明する。図８は走査露光装置３０の概略的な構成を
示す図、図９は投影光学系の概略構成図、図１０は異物
検出装置の平面図である。図８において、超高圧水銀ラ
ンプ等の光源３１から射出した光束は、楕円鏡３２で反
射された後にダイクロイックミラー３３に入射する。こ
のダイクロイックミラー３３は露光に必要な波長の光束
を反射し、その他の波長の光束を透過するものである。
ダイクロイックミラー３３で反射された光束は、光軸Ａ
Ｘ１に対して進退可能に配置されたシャッター３４によ
って投影光学系側への照射を選択的に制限される。シャ
ッター３４が開放されることによって、光束は波長選択
フィルター３５に入射し、投影光学系４２ａが転写を行
うのに適した波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線のうち少なく
とも１つの帯域）の光束となる。また、この光束の強度
分布は光軸近傍が最も高く、周辺になると低下するガウ
ス分布状になるため、少なくとも投影光学系４２ａの投
影領域４３ａ内で強度を均一にする必要がある。このた
め、フライアイレンズ３６とコンデンサーレンズ３８に
よって光束の強度を均一化する。ミラー３７は配列上の
折り曲げミラーである。

【００４５】強度を均一化された光束は、視野絞り３９
を介してマスク４０のパターン面上に照射される。この
視野絞り３９は感光基板４４上の投影領域４３ａを制限
する開口を有する。視野絞り３９とマスク４０との間に
対物レンズ系を設けて視野絞り３９とマスク４０のパタ
ーン面と感光基板４４の投影面とが互いに共役になるよ
うに構成してもよい。

【００４６】光源３１から視野絞り３９までの構成を投
影光学系４２ａに対する照明光学系Ｌ１とし、この例で
は照明光学系Ｌ１と同様の構成を有する照明光学系Ｌ２
〜Ｌ５を設けて、各照明光学系Ｌ２〜Ｌ５からの光束を
投影光学系４２ｂ〜４２ｅのそれぞれに供給する。複数
の照明光学系Ｌ１〜Ｌ５のそれぞれから射出された光束
は、マスク４０上の異なる部分領域（照明領域）４１ａ
〜４１ｅをそれぞれ照明する。ここで、投影光学系４２
ａ〜４２ｅの光軸方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直
な方向でマスク４０及び感光基板４４の走査方向をＸ軸
方向とし、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に垂直な方向をＹ軸方
向とする。

【００４７】部分領域４１ａ〜４１ｅは、マスク４０へ
の露光光の照射領域を規定する台形状の間口を有する複
数の視野絞り３９等で形成され、第１列の部分領域４１
ｂ，４１ｄに対して第２列の部分領域４１ａ，４１ｃ，
４１ｅが交互に千鳥状に備えられている。基準位置にお
いて、第１列の部分領域４１ｂ，４１ｄと第２列の部分
領域４１ａ，４１ｃ，４１ｅとは、双方の視野絞りのＹ
軸方向端部がＸ軸方向からみて所定量、重なり合うよう
にして位置している。部分領域４１ａ〜４１ｅにおける
Ｘ軸方向に所定量重なり合う端部領域を以下、継ぎ領域
と呼ぶことにすると、走査露光の際、この継ぎ領域を通
過するマスクのパターン像は、第１列の部分領域４１
ｂ，４１ｄと第２列の部分領域４１ａ，４１ｃ，４１ｅ
の双方で露光されて最適な積算露光量が得られるように
なっている。

【００４８】また、本走査型露光装置３０には、照明視
野絞り部である部分領域４１ａ〜４１ｅによって規定さ
れる照射領域上のマスク４０のパターンを感光基板４４
に転写するために、各部分領域４１ａ〜４１ｅに対応さ
せて千鳥状に配列された５個の投影光学系４２ａ〜４２
ｅが備えられている。これら投影光学系４２ａ〜４２ｅ
は、Ｙ軸方向に２列に並べられており、各投影光学系は
各部分領域４１ａ〜４１ｅによって規定されるマスク４
０上の照射領域に対してそれぞれ割り当てられている。

【００４９】投影光学系は、例えば２組のダイソン型光
学系を組み合わせた投影光学系が用いられているが、こ
の光学系については公知であるため、図９を参照して概
略の構成を説明する。投影光学系４２ａは、２組のダイ
ソン型光学系を上下に組み合わせた構成を有し、第１の
部分光学系５１〜５３と、視野絞り５４と、第２の部分
光学系５５〜５７からなる。第１の部分光学系は、マス
ク４０に面して±４５゜の傾斜で配置された２つの反射
面を持つ直角プリズム５１と、マスク４０の面内方向に
沿った光軸を有するレンズ５２及び凹面鏡５３を有す
る。第２の部分光学系は、マスク４０に面して±４５゜
の傾斜で配置された２つの反射面を持つ直角プリズム５
５と、マスク４０の面内方向に沿った光軸を有するレン
ズ５６及び凹面鏡５７を有する。

【００５０】このように構成された投影光学系４２ａ〜
４２ｅによれば、マスク４０を透過した複数の光束は、
各照明光学系Ｌ１〜Ｌ５に対応して感光基板４４上の異
なる投影領域４３ａ〜４３ｅにマスク４０の照明領域４
１ａ〜４１ｅのパターン像を結像する。投影光学系４２
ａ〜４２ｅはいずれも正立等倍実結像（正立正像）光学
系である。

【００５１】図８に戻り、感光基板４４は基板ステージ
４５に載置固定されており、基板ステージ４５は二次元
の走査露光を行うべく走査方向（Ｘ軸方向）に長いスト
ロークを持ったＸ方向駆動装置４６Ｘを有している。さ
らに、走査方向については高分解能及び高精度のＸ方向
位置測定装置（例えばレーザ干渉計）４７Ｘを有する。
また、マスク４０はマスクステージ６０により支持さ
れ、このマスクステージ６０も基板ステージ４５と同様
に、走査方向（Ｘ軸方向）に長いストロークを持ったＸ
方向駆動装置４８Ｘとマスクステージ６０の走査方向の
位置を検出するＸ軸方向位置測定装置４９Ｘとを有す
る。

【００５２】さらに、基板ステージ４５及びマスクステ
ージ６０は、走査方向であるＸ軸方向と直交するＹ軸方
向に移動する機能を有する。すなわち、基板ステージ４
５には、基板ステージ４５をＹ軸方向に駆動するＹ方向
駆動装置４６ＹとＹ方向位置測定装置４７Ｙが設けられ
ている。同様に、マスクステージ６０には、マスクステ
ージ６０をＹ軸方向に駆動するＹ方向駆動装置４８Ｙと
マスクステージ６０のＹ軸方向の位置を検出するＹ方向
位置測定装置４９Ｙとが設けられている。また、基板ス
テージ４５上には、感光基板４４を上下動させるための
不図示のＺステージが設置されている。Ｚステージの高
さを変えて露光することにより、ベストフォーカス位置
に感光基板４４を設置することができる。

【００５３】制御装置５０は、マイクロコンピュータ等
により構成され、記憶装置５０ａを有し、走査型露光装
置３０全体を制御するものであり、位置測定装置４７
Ｘ，４７Ｙ，４９Ｘ，４９Ｙの測定結果と、基板ステー
ジ４５をＸ軸方向に駆動するＸ方向駆動装置４６Ｘとマ
スクステージ２０をＸ軸方向に駆動するＸ方向駆動装置
４８Ｘと、基板ステージ４５をＹ軸方向に駆動するＹ方
向駆動装置４６Ｙと、マスクステージ６０をＹ軸方向に
駆動するＹ方向駆動装置４８Ｙを制御するものである。

【００５４】この走査露光装置３０は、異物検出装置７
０を備えていることを特徴とするものである。異物検出
装置７０はマスクテーブル６０上に固定されたマスク４
０上の異物の散乱光を検出するもので、部分領域４１
ａ，４１ｃ，４１ｅに対応する検査領域の異物からの散
乱光を検出するＣＣＤ７１と、部分領域４１ｂ，４１ｄ
に対応する検査領域の異物からの散乱光を検出するＣＣ
Ｄ７２とを備え、異物の像をＣＣＤ上に結像する対物レ
ンズ７３，７４を備えている。

【００５５】ここで、図１０を参照して検査領域につい
て詳細に説明する。ＣＣＤ７１及び対物レンズ７３は、
部分領域４１ａ，４１ｃ，４１ｅの所定のライン７５に
沿う検査領域からの散乱光を検出し、ＣＣＤ７２及び対
物レンズ７４は、部分領域４１ｂ，４１ｄの所定のライ
ン７６に沿う検査領域からの散乱光を検出する。図中、
ライン７５の１点鎖線で示す検査領域７５ａ，７５ｂ，
７５ｃと、ライン７６の１点鎖線で示す検査領域７６
ａ，７６ｂとはＹ軸方向で連続するように設定されてい
る。そして、両方の検査領域を合成することにより、Ｙ
軸方向の１ラインを完全に構成するものである。この場
合は、ＣＣＤ７１，７２で検出された出力信号は、信号
処理手段２０内で合成して、マスク４０の全面の散乱光
強度マップＭを形成する。

【００５６】前記の異物検出装置７０では、ＣＣＤ７
１，７２は、２系列の投影対物レンズに合わせて２ライ
ン設けた例を示したが、複数の部分領域の各々に対応す
る複数のＣＣＤを備え、露光用光源のそれぞれの照明領
域内で、露光光で照明された部分からの信号を検出し、
その信号を信号処理により合成して異物検査を行うよう
にしてもよい。すなわち、５個の部分領域の各々に対応
する５個のＣＣＤを備えるように構成してもよい。

【００５７】異物検出装置７０の照明手段は、走査露光
装置３０の照明光学系Ｌ１〜Ｌ５の照明を兼用し、この
照明光を異物に照射して散乱光を発生させる構成であ
る。またマスク４０と検出光学系を相対的にＸ軸方向に
移動させる手段として、Ｘ方向駆動装置４８Ｘを用いて
いる。そして、Ｘ方向位置測定装置４９Ｘの位置検出情
報と、ＣＣＤ７１，７２のクロック信号を基に座標位置
を検出している。この座標位置と、ＣＣＤ７１，７２か
らの検出信号から、前記した実施形態と同様に散乱光強
度マップＭを作成することができる。

【００５８】この実施形態に示す走査露光装置３０の動
作は、基本的には前記の異物検出装置１と同様であり省
略するが、この走査露光装置３０によれば、マスク４０
のパターンを感光基板４４に露光中に、マスク４０の異
物検出を行うことができる。このため、露光作業と異物
検出作業が同時に行え、走査露光装置３０の作業効率を
大幅に高めることができる。また、一度装着したマスク
で露光し、途中でマスクに異物が付着した場合、このマ
スクで露光した全ての製品を廃棄していたが、本実施形
態の走査露光装置によれば、異物が付着したとき以降の
製品を廃棄するだけですみ、不良品の産出を最小限に抑
えることができる。

【００５９】なお、異物検出は露光操作と同時に行わ
ず、露光操作の前にＸ方向駆動装置４８Ｘによりマスク
テーブル６０をプリスキャンし、この動作中に異物検出
を完了し、その後に露光操作を行うようにしてもよい。
この場合は露光光とは異なるプリスキャン用の照明で異
物検出を行うことが好ましい。

【００６０】前記した異物検出装置７０を備える走査露
光装置３０は、照明手段を照明光学系Ｌ１〜Ｌ５と兼用
した例を示したが、図１１に示す異物検出装置８０のよ
うに、１組のＣＣＤ８１と対物レンズ８２とにより、部
分領域４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅから外
れた検査領域８３からの散乱光を検出するように構成
し、検査領域８３を照明する照明手段８４を備えるよう
に構成することができる。この場合は、照明手段８４を
必要とするが、ＣＣＤと対物レンズは１組で構成され、
２つのＣＣＤからの検出信号を合成する必要がない。

【００６１】さらに、照明手段は被検体の検査領域上を
均一に照射する例を示したが、結像手段が対物レンズで
ある場合には対物レンズの光軸からの距離に対応して徐
々に照度が大きくなるように構成してもよい。これによ
り、対物レンズのガウス分布による周辺部の照度低下を
補正することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明の異物検出装置は、異物からの散乱光を、連続する光
検出素子の数に基づいて判定するため、異物と光検出手
段と光源との位置関係に影響を受けることなく、その材
質、形状にかかわらず異物のサイズを正確に判定するこ
とができる。また、被検体上の座標信号と、光検出手段
の検出信号から散乱光強度マップを作成し、その分布に
基づいて異物のサイズを判定するため、異物の位置、材
質、形状の影響を受けることなくサイズと面積を求める
ことができる。

【００６３】前記の異物検出装置を備える走査露光装置
は、露光作業中に異物検出ができ、露光された感光基板
の良否をリアルタイムで判定でき、半導体集積回路等の
露光工程を効率良く行うことができる。走査露光装置の
マスク照明手段により異物検出の照明を兼ねることによ
り、構成を簡単にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る異物検出装置の一実施形態の概略
構成を示す斜視図。

【図２】（ａ）は図１の照明手段の概略構成図、（ｂ）
は他の照明手段の概略構成図、（ｃ）はさらに他の照明
手段の概略構成図。

【図３】信号処理手段を含むブロック図。

【図４】本発明に係る異物検出装置における異物の判定
動作を示す散乱光強度マップの説明図であり、（ａ）は
異物の平面図、（ｂ）は散乱光強度を示す図、（ｃ）は
２値化したセルに相当する画素の分布図。

【図５】本発明に係る異物検出装置における異物の判定
動作を示す散乱光強度マップの他の説明図。

【図６】異物がセルサイズより小さい場合の判定動作の
説明図。

【図７】（ａ）は本発明の他の実施形態を示す平面図及
び側面図、（ｂ）はさらに他の実施形態の概略斜視図、
（ｃ）はさらに別の実施形態を示す側面図。

【図８】本発明に係る走査露光装置の概略的な構成を示
す図。

【図９】図８の投影光学系の概略構成図。

【図１０】図８の異物検出装置の平面図。

【図１１】異物検出装置の他の例を示す平面図。

【図１２】従来の異物検査装置における散乱光の説明
図。

【符号の説明】

１、７０、８０…異物検出装置、２、４０…マスク
（被検体）、４…ペリクル（被検体）、５、１５、
Ｌ１〜Ｌ５、８４…照明手段、６、２５ａ、２５ｂ、
２６ｂ、２７ｅ、２７ｆ、７１、７２…ＣＣＤ（光検出
手段）、７、２５ｃ、２５ｄ、２６ａ、２７ｃ、２７
ｄ、７３、７４、８２…対物レンズ（検出光学系）、
１０…駆動手段、１３…駆動モータ、１４…エンコ
ーダ、１８…ＡＤＣ（アナログデジタル変換器）、
１９…Ｙ座標カウンタ、２０…信号処理手段、２３
…Ｘ座標カウンタ、３０…走査露光装置、４８Ｘ…
Ｘ方向駆動装置（駆動手段）、Ｍ…散乱光強度マップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ５１４ＥＦターム(参考） 2F065 AA49 AA58 BB02 CC18 DD06 FF42 FF67 GG02 GG07 GG08 GG14 HH05 HH12 JJ02 JJ08 JJ25 LL03 LL12 MM03 NN02 PP12 QQ03 QQ05 QQ21 QQ28 QQ36 QQ51 RR05 2G051 AA56 AA73 AB01 BA01 BA20 BB09 BB17 CA03 CA07 CB05 CC07 CD03 CD07 DA06 DA07 EA14 EA16 EA24 EA30 EB01 EB02 2H095 BD05 BD12 BD15 BD24 5F046 AA18 BA05 CB17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検体に付着した異物を検出する異物検
出装置において、前記被検体の検査領域を照明する照明手段と、ほぼ連続して配置された複数の光検出素子を備え、前記
照明された検査領域の異物からの散乱光を検出する光検
出手段と、前記検査領域における前記異物の像を前記光検出手段上
に結像する検出光学系と、前記光検出手段からの信号を処理する信号処理手段とを
備え、前記信号処理手段は、前記光検出手段において前記散乱
光を連続的に検出した光検出素子の数に基づいて異物の
サイズを判定することを特徴とする異物検出装置。
【請求項２】請求項１記載の異物検出装置において、前記被検体と前記検出光学系とを相対的に移動させる駆
動手段を備え、前記光検出手段は、前記駆動手段による移動方向とは直
交する方向に前記複数の光検出素子が一次元的に配置さ
れ、前記駆動手段による移動と連動することにより二次
元方向の検出を行うことを特徴とする異物検出装置。
【請求項３】請求項１又は２記載の異物検出装置にお
いて、前記信号処理手段は、前記散乱光強度が所定の散乱光強
度以上を前記異物の散乱光として認識すると共に、前記
散乱光を連続して検出した光検出素子の数に基づいて異
物のサイズを判定することを特徴とする異物検出装置。
【請求項４】請求項１又は２記載の異物検出装置にお
いて、前記信号処理手段は、前記散乱光強度が所定の散乱光強
度以上を前記異物の信号として処理すると共に、前記散
乱光を連続して検出した光検出素子によって形成される
領域の面積に基づいて異物のサイズを判定することを特
徴とする異物検出装置。
【請求項５】請求項１記載の異物検出装置において、前記信号処理手段は、前記散乱光を検出した連続する光
検出素子によって検出された散乱光強度を合計した値に
基づいて異物のサイズを判定することを特徴とする異物
検出装置。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の異
物検出装置において、前記被検体の検出面に対向して前
記検出光学系を複数配置したことを特徴とする異物検出
装置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の異
物検出装置において、前記散乱光を前記光検出手段の１
個の光検出素子のみで検出した際には、前記散乱光強度
により異物のサイズを判定することを特徴とする異物検
出装置。
【請求項８】請求項７記載の異物検出装置において、前記信号処理手段は、前記異物を検出した前記光検出素
子の数と前記散乱光強度との少なくとも一方を用いるよ
うに切替える感度切替え手段を備え、該感度切替え手段
により前記異物の検出感度を変更することを特徴とする
異物検出装置。
【請求項９】パターンが形成されたマスクを保持して
移動するマスクステージと、前記マスクを照明するマス
ク照明手段と、基板を保持して前記マスクステージと同
期して移動する基板ステージと、前記基板に前記マスク
のパターンを投影する投影光学系とを備える走査露光装
置において、前記マスクが被検体であり、前記マスクに付着した異物
を前記基板の露光動作中に検出する請求項１〜７のいず
れか１項に記載の異物検査装置を備えることを特徴とす
る走査露光装置。
【請求項１０】請求項９記載の走査露光装置におい
て、前記異物検査装置の前記照明手段と前記マスク照明
手段とを兼用することを特徴とする走査露光装置。