TWI449900B - 檢測系統、微影系統、器件製造方法及原位污染物檢測系統 - Google Patents

檢測系統、微影系統、器件製造方法及原位污染物檢測系統 Download PDF

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Description

檢測系統、微影系統、器件製造方法及原位污染物檢測系統
本發明大體上係關於微影術，且更特定而言係關於用於粒子偵測之系統及方法。
微影術被廣泛地認為製造積體電路(IC)以及其他器件及/或結構時之關鍵過程。微影裝置係在微影術期間所使用之將所要圖案施加至基板上(諸如施加至基板之目標部分上)的機器。在藉由微影裝置來製造IC期間，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)產生待形成於IC中之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。製造IC之不同層通常會需要藉由不同主光罩而將不同圖案成像於不同層上。因此，可在微影過程期間改變主光罩。
當前微影系統投影極小之光罩圖案特徵。出現於主光罩之表面上的灰塵或外來微粒物質可不利地影響所得產品。在微影過程之前或期間沈積於主光罩上的任何微粒物質均有可能使投影至基板上之圖案中的特徵失真。因此，特徵尺寸愈小，對於自主光罩消除係至關重要的粒子之尺寸則愈小。
光罩護膜(pellicle)通常係用於主光罩。光罩護膜為可在主光罩之表面上方拉伸於一框架上的薄透明層。光罩護膜係用以阻擋粒子到達主光罩表面之經圖案化側。光罩護膜表面上之任何粒子均係在焦平面外且不應將影像形成於經曝光之晶圓上。然而，仍較佳的係使光罩護膜表面保持儘可能地無粒子。
在微影術中，主光罩檢測系統可與微影工具整合。此整合不僅可預防由在極小至極大之範圍內之粒子所導致的經印刷缺陷，而且可偵測主光罩上之結晶，從而允許儘可能遲之主光罩清潔，此又可增加機器產出率及利用率。基於條件之主光罩清潔亦實現清潔頻率降低，此可延長主光罩之使用壽命。
當前使用之高產出率微影工具使用快速原位主光罩檢測器件以偵測微粒污染物。為此目的，速度及高信雜比之要求已導致利用一探測成像技術(一種類型之散射量測)。此技術係基於收集來自在主光罩表面上之合理小之光點中已被照明之污染物及灰塵粒子的經散射光。在測試表面上光域化(raster)或掃描合理尺寸之光點(例如，大約50微米至300微米)，從而一次收集來自一光點之資訊。對於150毫米乘120毫米表面，此對應於大約900萬像素影像。圖1A至圖1C、圖2及圖3中示範探測光束技術。圖1A描繪諸如主光罩或光罩護膜之物件之一部分102。展示探測光束光點104，其中箭頭106展示探測光束之掃描方向。粒子108被展示於探測光束光點104中之一者上。
當使用探測光束技術時，小於100微米之粒子的偵測需要強度準校準以表示粒子尺寸。通常在乳膠球體等效性(Latex-Sphere Equivalence)方面針對強度校準而使用5微米、10微米、30微米及50微米乳膠球體集合來判定粒子之尺寸。對於高達50微米之粒子，經散射光量之內插可為必要的，且對於高達100微米之粒子，經散射光量之外插可為必要的。如圖1B所示，當存在照明光點(例如，探測光束光點104)內之小粒子之總成時，此總成可被記錄為等於指定像素110內所收集之有效信號的一粒子尺寸。此外，如圖1C所示，未經解析之小粒子之總成可被報告為單一大粒子112。
圖2展示物件220之表面之掃描或光域化的實例，其在使用探測光束技術時發生。在此實例中，在方向246上掃描探測光束光點204，而在方向248上移動物件220。因為物件220一次被掃描一探測光束光點，所以物件220之表面的完全評估直到掃描全部完成才完成。此外，若正評估光罩護膜化主光罩，則變得有必要執行兩次完整連續掃描，以便評估主光罩表面及光罩護膜表面兩者。
藉由使用探測光束技術，經反射散射光經取樣且轉換成灰階位元映像，其接著可如圖3中之映像350中所示被映射。映像350展示大於特定尺寸(例如，大於10微米)之經報告粒子352。
探測光束技術之極限空間解析度係藉由光束光點尺寸及像素尺寸而界定，光束光點尺寸及像素尺寸又係藉由指定收集時間乘以光域化速度而判定。空間解析度大約等於光點自相關函數或大約等於雙光束光點尺寸，其可藉由精心影像處理而改良，從而允許達成接近於照明光點尺寸之解析度。然而，偵測光學器件僅僅在針對單一像素曝光所分配之時間期間收集經散射光，且不解析照明光點。儘管空間解析度低，但子像素尺寸之明亮粒子可歸因於極好信雜比而被偵測，但不能被成像。
探測光束技術亦需要極精心且龐大之掃描機構，該等掃描機構使在照明路徑及偵測路徑兩者中之低數值孔徑(NA)光學器件成為必需。在偵測路徑中低數值孔徑光學器件之使用導致大焦點深度(DoF)。此導致藉由光學串擾而形成的疏忽成像之實際結構及物件，其遠離於所意欲之檢測平面。結果，基於探測之檢測系統未能充分地辨識污染物粒子，且未能將污染物粒子與光學串擾影像加以區分。因此，當使用探測光束技術時，極通常損害粒子尺寸偵測之精確度、品質及確定度。
針對增加之掃描速度及穩定度的新近要求正限制諸如探測光束技術之技術有效的能力。此外，增加之掃描速度將降低信雜比，從而限制將小粒子與雜訊加以區別的能力。此外，隨著線寬收縮，探測光束技術易受光學串擾的影響。隨著針對更高產出率及收縮微影特徵尺寸之要求增加，正變得愈加重要的係增強粒子偵測系統在速度、更小粒子尺寸偵測及預防不需要之效應(諸如光學串擾)之抗擾性方面的效能。
考慮到前述內容，需要用於使用真實成像之粒子偵測的系統及方法。為了滿足此需要，本發明之實施例係針對使用真實成像在物件之表面上的粒子偵測及其應用。
舉例而言，本發明之一實施例提供一種用於檢測物件之表面的系統。在此系統中，存在用於提供照明光束以照明物件之表面的至少一照明源。在一實施例中，該或該等照明源經組態成使得在傾斜角下將照明光束提供至物件表面。系統亦包括用於截取來自經照明物件表面之經散射光且投影物件表面之所要區域之實際影像的光學器件。系統進一步包括用於接收經投影實際影像之感測器。在一實施例中，可置放感測器以在傾斜角下「查看」物件表面，而照明光束可提供正射光(normal light)。可在實際影像中偵測位於物件表面上之粒子。可將電腦系統耦接至感測器以用於儲存及分析實際影像。
本發明之另一實施例提供一種偵測物件之表面上之粒子的方法。方法包括藉由照明光束來照明物件之表面。方法進一步包括：截取來自經照明物件表面之經散射光；及將物件表面之所要區域之實際影像投影至感測器上。接著可處理實際影像以偵測位於物件表面上之粒子。
以上概述之系統及方法可用於諸如位於微影系統中之主光罩及/或其關聯光罩護膜之物件上的粒子偵測。因而，本發明之另一實施例提供一種器件製造方法。此方法包括：藉由產生第一照明光束來評估主光罩之表面；藉由第一照明光束來照明主光罩表面；截取來自經照明主光罩表面之經散射光；將主光罩表面之所要區域之實際影像投影至感測器上；及處理實際影像以偵測位於主光罩表面上之粒子。評估主光罩之關聯光罩護膜之表面可以類似方式進行。方法進一步包括：產生第二照明光束；藉由第二照明光束來照明主光罩；自主光罩產生第二照明光束之圖案；及將經圖案化之第二照明光束投影至基板之目標部分上。
以下參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現該等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將係顯而易見的。
併入於本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式說明本發明，且連同描述進一步用來解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
I.　序言
本發明係針對物件之表面上的粒子偵測及其應用。在隨後之詳細描述中，對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，該等短語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述特定特徵、結構或特性時，認為：無論是否進行明確地描述，結合其他實施例來實現該特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識內。
本發明之實施例係針對物件之表面上的粒子偵測。本發明之實施例係基於真實成像且涉及待評估之表面之完整二維影像的獲取。機器視覺技術且特別為大型線性及區域電荷耦合器件(CCD)之新開發使有可能且可行的係在真實成像模式中以高解析度來取樣表面。本發明之實施例將特別有用於(例如)供在微影工業中使用之原位主光罩檢測系統。在微影系統中，將本發明之實施例預想為特別有用於檢查主光罩及其關聯光罩護膜之未經圖案化表面。然而，應瞭解，本發明之實施例亦可用以評估主光罩、光罩護膜及潛在其他物件(諸如晶圓)之經圖案化表面或未經圖案化表面。
II.　實例表面檢測系統
圖4說明根據本發明之實施例的用於檢測物件之表面的系統。具體而言，圖4描繪用於檢測主光罩420之表面的系統400。在圖4中，檢測系統454可用以評估主光罩420之表面421。如圖4所示之表面421為主光罩420之未經圖案化表面。然而，本發明之實施例同樣可用以評估經圖案化表面。檢測系統454包括一或多個照明源456，及包括光學系統462及感測器464之相機系統458。在圖4中，展示兩個照明源456。然而，可使用任何數目個照明源。舉例而言，如圖6A所示，可使用四個照明源，其中主光罩620係藉由四個照明源656照明。在另一實例中，如圖6B所示，可使用六個照明源，其中主光罩620係藉由六個照明源656照明。在另一實例中，如圖6C所示，可使用八個照明源，其中主光罩620係藉由八個照明源656照明。如圖7中由環繞主光罩720之周邊的圓形光源756或圖8中由環繞主光罩820之周邊的正方形光源856所示，亦可使用環繞主光罩420之周邊的任何形狀(例如，圓形、正方形，等等)之單一光源。照明源456可為(例如)標準發光二極體(LED)、閃爍發光二極體(閃爍LED)或雷射二極體，但不限於此等照明源，因為亦可使用其他類型之照明源。
返回參看圖4，光學系統462可包括一或多個光學器件，諸如一或多個透鏡。光學系統462之目的係截取來自經照明主光罩表面421之經散射光、將實際影像投影至感測器464上及根據需要而放大或縮小。如由線472所示，影像係自光學系統462投影至感測器464上以作為主光罩表面421之全場影像。若主光罩表面421過大或若感測器464不具有用於全場影像之單一投影的足夠容量，則可針對一有效全場影像而獲得兩個或兩個以上影像。感測器464可為線性或大區域感測器，且可包括(但不限於)CMOS感測器陣列或電荷耦合器件(CCD)。舉例而言，感測器464可包括線性CCD或大區域CCD。當前在市場上存在可用於系統400中之各種線性及大區域CCD，包括來自諸如California之Fairchild Imaging of Milpitas、California之Atmel Corporation of San Jose及Canada之Ontario之DALSA Corporation of Waterloo之公司的CCD。在一實施例中，一或多個照明源456可在傾斜角470下(例如，在四十五度或更小角度下)照明主光罩表面421，使得可防止鏡面反射到達光學系統462及感測器464(以便避免光學串擾及雙重成像)。在一替代實施例中，可置放感測器464，以便在傾斜角下「查看」主光罩表面421，而照明源456可提供正射光。可針對粒子或其他異常(諸如圖4所示之粒子476)而分析主光罩表面421之全場影像。
圖5描繪用於檢測主光罩420及其關聯光罩護膜524之表面的系統500。在圖5中，檢測系統555可用以評估光罩護膜524之表面525且類似於檢測系統454。檢測系統555包括一或多個照明源557，及包括光學系統566及感測器568之相機系統560。在圖5中，展示兩個照明源557。然而，如以上所論述，可使用任何數目個照明源。舉例而言，如圖6A所示，可使用四個照明源，其中光罩護膜624係藉由四個照明源657照明。在另一實例中，如圖6B所示，可使用六個照明源，其中光罩護膜624係藉由六個照明源657照明。在另一實例中，如圖6C所示，可使用八個照明源，其中光罩護膜624係藉由八個照明源657照明。如圖7中由環繞光罩護膜724之周邊的圓形光源757或圖8中由環繞光罩護膜824之周邊的正方形光源857所示，亦可使用環繞光罩護膜524之周邊的任何形狀(例如，圓形、正方形，等等)之單一光源。照明源557可為(例如)標準發光二極體(LED)、閃爍發光二極體(閃爍LED)或雷射二極體，但不限於此等照明源，因為亦可使用其他類型之照明源。
返回參看圖5，光學系統566可包括一或多個光學器件，諸如一或多個透鏡。光學系統566之目的係截取來自經照明光罩護膜表面525之經散射光、將實際影像投影至感測器568上及根據需要而放大或縮小。如由線574所示，影像係自光學系統566投影至感測器568上以作為光罩護膜表面525之全場影像。若光罩護膜表面525過大或若感測器568不具有用於全場影像之單一投影的足夠容量，則可針對一有效全場影像而獲得兩個或兩個以上影像。如早先所論述，感測器568可為線性或大區域感測器，且可包括(但不限於)CMOS感測器陣列或電荷耦合器件(CCD)。一或多個照明源557可在傾斜角571下(例如，在四十五度或更小角度下)照明光罩護膜表面525，使得可防止鏡面反射到達光學系統566及感測器568(以便避免光學串擾)。在一替代實施例中，可置放感測器568，以便在傾斜角下「查看」光罩護膜表面525，而照明源557可提供正射光。可針對粒子或異常(諸如圖5所示之粒子578)而分析光罩護膜表面525之全場影像。
光學系統462/566可具有在(例如)0.01至0.15之範圍內的數值孔徑。可選擇數值孔徑以降低焦點深度。舉例而言，可選擇數值孔徑，使得焦點深度小於主光罩420(或光罩護膜524)之厚度的1/5或甚至1/10。
光罩護膜524可為保護主光罩之經圖案化側的下部光罩護膜，或保護主光罩之未經圖案化側的上部光罩護膜。檢測系統555可用以評估上部光罩護膜或下部光罩護膜之表面。
熟習相關技術者應瞭解，非必定包括檢測系統454及555兩者，因為一系統可用於檢測主光罩420之表面(諸如圖4所示)或光罩護膜524之表面或主光罩420及光罩護膜524兩者之表面(但以連續方式)。包括兩個檢測系統454/555之優點在於：可同時執行表面421及525之評估，從而節省寶貴時間且最終導致更高產出率。亦有可能使存在兩個以上檢測系統(例如，用於可存在於系統中之其他主光罩總成、晶圓，等等)。
在一實施例中，如圖4及圖5所示，檢測系統454/555亦可包括耦接至各別感測器464/568之各別電腦系統467/569。電腦系統467及569無需為相異系統，因為其可為同一電腦系統。電腦系統467/569可經程式化以分析自感測器464/568所獲得之全場影像，以偵測可存在於主光罩420及光罩護膜524之表面上的粒子及/或異常。電腦系統467及569亦可用以判定經偵測粒子及/或異常之尺寸及位置。舉例而言，若經判定尺寸或位置係在預定範圍或其他預定限制外部，則粒子尺寸及位置之判定可用以拒絕主光罩420及/或光罩護膜524。藉由使用電腦系統467及569，系統400/500可經程式化以使用檢測系統454、使用檢測系統555、使用檢測系統454及檢測系統555兩者、不使用檢測系統454及檢測系統555兩者或甚至使用可存在之其他檢測系統來執行檢測。以此方式，待檢測之該或該等表面可為可選擇的。
在一實施例中，投影至感測器464及568上之影像分別為主光罩表面421及光罩護膜表面525之全場影像。在一實施例中，此等影像為允許偵測實際粒子形狀及尺寸以及粒子定位精確度之高解析度影像。可藉由多框連續成像及影像增強技術(諸如子像素解析度處理)來獲得高解析度影像及超高解析度影像。該等影像亦允許平面外影像及光學串擾之更精確拒絕。
投影至感測器464及568上之影像亦可為彩色影像。儘管實際粒子尺寸及位置係獨立於色彩，但多色影像可增強小粒子偵測。光學串擾影像可藉由繞射而導致，該繞射係波長(或色彩)相依的。因此，多色影像將允許區別真實成像與串擾成像。
如以上所描述，諸如系統400/500之表面檢測系統在與使用主光罩(或光罩)之微影系統整合時極為有用。諸如系統400/500之系統特別有用於微影系統中，因為其可用以提供許多其他功能。舉例而言，可出於度量衡目的而使用系統400/500。可藉由使系統400/500偵測適當對準目標來實現主光罩預對準及甚至晶圓預對準。可藉由讀取及解譯位於主光罩(或晶圓)表面上之一或多個條碼(例如，一維條碼、二維條碼，等等)(諸如位於圖9所示之主光罩920上的一維條碼980，及位於圖10所示之主光罩1020上的二維條碼1080)來實現主光罩(或晶圓)識別。系統400/500亦可用以判定光罩護膜之尺寸，從而偵測(例如)光罩護膜是否過寬。可與本文所描述之粒子偵測功能同時執行此等及其他度量衡功能。
諸如系統400/500之系統亦可用於多個相機458/560。自多個相機所獲得之至少中等解析度之多個影像可用以針對甚至進一步精確度而提供改良型解析度(超高解析度或超解析度)。多個影像亦可用以提供立體或視差成像。視差為物件在視方向上之視位移或差，如自不與物件共線之兩個不同點所見。此可使用來自不同角度之同一物件之多個影像而實現。可使用立體或視差成像以將物件表面上之實際粒子與遠離於物件表面一段距離之任何光學串擾加以區別。圖11中展示實例立體相機組態，其中使用多個相機1158/1160以成像主光罩1120(或光罩護膜1124)之表面。儘管展示四個相機1158/1160，但熟習此項技術者應理解，可使用少至兩個相機來獲得立體影像。
系統400/500之上述額外使用僅為可如何使用系統400/500之各種實施例及組態的少數實例。熟習相關技術者將在閱讀本文之描述之後辨識系統400/500之許多其他使用。
圖12說明根據本發明之一實施例的包括用於檢測主光罩及/或光罩護膜之表面之系統的例示性微影系統1200。微影系統1200包括經組態以提供光束之照明源1286。微影系統1200亦包括經組態以圖案化光束之圖案產生器1288，諸如主光罩總成。微影系統1200進一步包括經組態以將經圖案化光束投影至位於基板平台1292上之基板上的投影系統1290。微影系統1200亦包括主光罩檢測系統1294及光罩護膜檢測系統1295。主光罩檢測系統1294可經組態成類似於參看圖4所展示及描述之檢測系統454。類似地，光罩護膜檢測系統1295可經組態成類似於參看圖5所展示及描述之檢測系統555。主光罩檢測系統1294及光罩護膜檢測系統1295經展示成耦接至電腦系統1296。電腦系統1296可具有與如早先參看圖4及圖5所描述之電腦系統467/569之功能性相同的功能性。以下描述可整合檢測系統454及555之微影系統的另外實例。
A.　實例微影系統
圖13A及圖13B分別示意性地描繪微影裝置1300及微影裝置1300'。微影裝置1300及微影裝置1300'各自包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，DUV或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、主光罩或動態圖案化器件)MA，且連接至經組態以精確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台)WT，其經組態以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以精確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置1300及1300'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)C上。在微影裝置1300中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射的，且在微影裝置1300'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射的。
照明系統IL可包括用於引導、成形或控制輻射B之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置1300及1300'之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統PS而處於所要位置。
術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中形成圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的(如在圖13B之微影裝置1300'中)或為反射的(如在圖13A之微影裝置1300中)。圖案化器件MA之實例包括主光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束B中。
術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用於EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置1300及/或微影裝置1300'可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)WT的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。當可在將一或多個其他基板台WT用於曝光的同時執行預備步驟時，據說於「線上階段」(in-line phase)期間發生預備步驟，因為在微影裝置1300及/或微影裝置1300'之所要產出率內執行預備步驟。相反地，當不能在將一或多個其他基板台WT用於曝光的同時執行預備步驟時，據說於「離線階段」(off-line phase)期間發生預備步驟，因為不能在微影裝置1300及/或微影裝置1300'之所要產出率內執行預備步驟。如本文更詳細地所描述，檢測主光罩(或光罩)及/或光罩護膜之表面可在離線階段、線上階段或其組合中執行。
參看圖13A及圖13B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射(諸如ArF準分子雷射)時，輻射源SO與微影裝置1300、1300'可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置1300或1300'之一部分，且輻射光束B係藉助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD(圖13B)而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為汞燈時，輻射源SO可為微影裝置1300、1300'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD(圖13B)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(圖13B)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
參看圖13A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置1300中，輻射光束B係自圖案化器件(例如，光罩)MA反射。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。如本文之別處所描述，本發明之實施例可用以定位、讀取及/或解譯此等對準標記。
參看圖13B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖13B中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位光罩MA。
一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
微影裝置1300及1300'可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持大體上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如本文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)或遠紫外線輻射(例如，具有5奈米或5奈米以上之波長)。
術語「透鏡」及「光學器件」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
B.　實例電腦系統
本發明之實施例可使用硬體、軟體或其組合進行實施，且可實施於一或多個電腦系統或其他處理系統中。圖24中展示電腦系統2400之實例。電腦系統2400亦可用作如以上所描述之電腦系統467、569及/或1296。
電腦系統2400包括一或多個處理器，諸如處理器2404。處理器2404可為通用處理器(諸如CPU)或專用處理器(諸如GPU)。處理器2404連接至通信基礎結構2406(例如，通信匯流排、跨接叉線(cross-over bar)或網路)。可在此例示性電腦系統方面描述各種軟體實施例。在閱讀此描述之後，對於熟習相關技術者而言，如何使用其他電腦系統及/或架構來實施本發明將變得顯而易見。
電腦系統2400(視情況)包括顯示介面2402，顯示介面2402轉發來自通信基礎結構2406(或來自未圖示之圖框緩衝器)之圖形、本文及其他資料以用於顯示於顯示單元2430上。
電腦系統2400亦包括主要記憶體2408(較佳地為隨機存取記憶體(RAM))，且亦可包括次要記憶體2410。次要記憶體2410可包括(例如)硬碟驅動機2412及/或抽換式儲存驅動機2414(表示軟碟驅動機、磁帶驅動機、光碟驅動機，等等)。抽換式儲存驅動機2414以熟知方式而自抽換式儲存單元2418進行讀取及/或向抽換式儲存單元2418進行寫入。抽換式儲存單元2418表示由抽換式儲存驅動機2414所讀取及由抽換式儲存驅動機2414所寫入之軟碟、磁帶、光碟，等等。應瞭解，抽換式儲存單元2418包括儲存有電腦軟體及/或資料之電腦可讀儲存媒體。
在替代實施例中，次要記憶體2410可包括用於允許將電腦程式或其他指令載入至電腦系統2400中之其他類似器件。該等器件可包括(例如)抽換式儲存單元2422及介面2420。該等器件之實例可包括程式匣及匣式介面、抽換式記憶體晶片(諸如可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)或可程式化唯讀記憶體(PROM))及關聯插口，及其他抽換式儲存單元2422及介面2420(其允許將軟體及資料自抽換式儲存單元2422傳送至電腦系統2400)。
電腦系統2400亦可包括通信介面2424。通信介面2424允許在電腦系統2400與外部器件之間傳送軟體及資料。通信介面2424之實例可包括數據機、網路介面(諸如乙太網路卡)、通信埠、個人電腦記憶體卡國際協會(PCMCIA)擴充槽及卡，等等。經由通信介面2424所傳送之軟體及資料係以信號2428之形式，信號2428可為能夠由通信介面2424接收之電子信號、電磁信號、光學信號或其他信號。經由通信路徑(例如，頻道)2426而將此等信號2428提供至通信介面2424。此頻道2426載運信號2428，且可使用導線或電纜、光纖、電話線、蜂巢式鏈路、射頻(RF)鏈路及其他通信頻道進行實施。
在此文件中，術語「電腦程式媒體」及「電腦可讀儲存媒體」通常係用以指代諸如抽換式儲存驅動機2414及安裝於硬碟驅動機2412中之硬碟的媒體。此等電腦程式產品向電腦系統2400提供軟體。
電腦程式(亦被稱作電腦控制邏輯)儲存於主要記憶體2408及/或次要記憶體2410中。亦可經由通信介面2424而接收電腦程式。該等電腦程式在被執行時使電腦系統2400能夠執行本發明之特徵，諸如分析如本文所論述之物件之表面。詳言之，電腦程式在被執行時可使處理器2404能夠執行本發明之特徵，包括本文所論述之說明於圖14至圖23中之方法的實施。因此，該等電腦程式表示電腦系統2400之控制器。
III.用於表面檢測之實例方法
圖14描繪說明根據本發明之一實施例的檢測物件(諸如主光罩或光罩護膜)之表面之實例方法1400的流程圖。方法1400始於步驟1402。在步驟1402中，藉由照明光束來照明物件(例如，主光罩、光罩護膜，等等)之表面。在一實施例中，在傾斜角下將照明光束提供至物件表面。在步驟1404中，截取來自經照明物件表面之經散射光。在步驟1406中，將物件表面之所要區域之實際影像投影至感測器(例如，圖4及圖5之感測器464或568)上。在一實施例中，感測器在傾斜角下「查看」物件表面，而照明光束可提供正射光。在步驟1408中，處理實際影像以偵測位於物件表面上之粒子。舉例而言，可使用耦接至感測器之電腦系統(例如，電腦系統467、569或1296)以分析實際影像以用於粒子偵測。該方法接著結束。
圖15為描繪根據本發明之一實施例之方法1400之進一步選用之步驟的流程圖。在步驟1502中，判定經偵測粒子之粒子尺寸及位置。此資訊可用以進行關於經評估之物件之使用的決定。舉例而言，可能需要進行基於經判定粒子尺寸及位置是否在預定範圍或其他限制內而是否需要拒絕物件之決定。
圖16為描繪根據本發明之一實施例之方法1400之進一步選用之步驟的流程圖。步驟1602源於步驟1406。在步驟1602中，聚焦實際影像。舉例而言，諸如圖4所示之光學系統462或466的光學系統可聚焦經投影之影像。方法1400在步驟1408處繼續。
圖17為說明根據本發明之一實施例的製造器件之實例方法1700的流程圖。方法1700始於步驟1702。在步驟1702中，針對粒子而評估主光罩之表面。可使用以上所描述之方法1400來執行此評估。在步驟1704中，產生照明光束。在步驟1706中，藉由照明光束來照明主光罩。在步驟1708中，自主光罩產生照明光束之圖案。在步驟1710中，將經圖案化照明光束投影至基板之目標部分上。方法1700接著結束。
圖18為描繪根據本發明之一實施例之方法1700之進一步選用之步驟的流程圖。步驟1802源於步驟1702。在步驟1802中，若經判定粒子尺寸及位置中之一或多者落於對應預定範圍或限制外部，則拒絕主光罩。舉例而言，若粒子大於預定尺寸限制或位於主光罩上之臨界位置處，則可拒絕主光罩。舉例而言，若拒絕主光罩，則該方法接著結束，使得可替換主光罩。若不拒絕主光罩，則方法1700在步驟1704處繼續。
圖19為描繪根據本發明之一實施例之方法1700之進一步選用之步驟的流程圖。步驟1902源於步驟1710。在步驟1902中，在微影處理期間以預定中斷或時間間隔來重複評估步驟1702。因為在任何時間於主光罩上均可出現粒子或可發生結晶，所以重要的係在微影處理期間以一或多個中斷或預定時間間隔來重新評估主光罩表面。
圖20為說明根據本發明之一實施例的製造器件之實例方法2000的流程圖。方法2000始於步驟2002。在步驟2002中，針對粒子而評估主光罩之表面。在步驟2004中，針對粒子而評估與主光罩相關聯之光罩護膜之表面。可使用以上所描述之方法1400來執行此等評估中之每一者。在步驟2006中，產生照明光束。在步驟2008中，藉由照明光束來照明主光罩。在步驟2010中，自主光罩產生照明光束之圖案。在步驟2012中，將經圖案化照明光束投影至基板之目標部分上。方法2000接著結束。
圖21為描繪根據本發明之一實施例之方法2000之進一步選用之步驟的流程圖。步驟2102源於步驟2004。在步驟2102中，若經判定粒子尺寸及位置中之一或多者落於對應預定範圍或限制外部，則拒絕主光罩及其關聯光罩護膜。舉例而言，若粒子大於預定尺寸限制或位於臨界位置處，則可拒絕主光罩總成。舉例而言，若拒絕主光罩總成，則該方法接著結束，使得可替換主光罩總成。若不拒絕主光罩總成，則方法2000在步驟2006處繼續。
圖22為描繪根據本發明之一實施例之方法2000之進一步選用之步驟的流程圖。步驟2202源於步驟2012。在步驟2202中，在微影處理期間以預定中斷或時間間隔來重複評估步驟2002及2004。因為在任何時間均可出現粒子或可發生結晶，所以重要的係在微影處理期間以一或多個中斷或預定時間間隔來重新評估主光罩及光罩護膜表面。
圖23為描繪步驟2004內之進一步選用之步驟的流程圖。在步驟2302中，與主光罩之表面的評估同時評估光罩護膜之表面。方法2000接著在步驟2006處繼續。當同時檢測主光罩及光罩護膜之表面時，節省大量時間且最終增加產出率。
IV.特徵及優點
與用於表面檢測之習知技術(諸如探測光束技術，其進行在約200微米下定尺寸之探測光束光點以基於強度之粒子尺寸近似值的連續表面掃描)相比，本文所呈現之本發明之實施例具有許多優點。本發明之實施例使用真實成像，此允許粒子尺寸之直接量測。在實施例中，更高數值孔徑提供更低焦點深度、更高解析度且因此提供主光罩拒絕之更適當判定。因為可達成主光罩表面及其關聯光罩護膜之表面的同時表面掃描，所以極大地減少檢測時間，從而導致更高產出率。此外，如以上所論述，本發明之實施例可用於各種其他功能，諸如度量衡使用(例如，主光罩或晶圓預對準、條碼讀取、光罩護膜尺寸偵測，等等)及多相機使用(例如，改良型(超)解析度、立體(視差)成像，等等)。本發明之實施例亦允許固定主光罩台及可移動主光罩台。
V.　結論
以上描述關於物件之表面上之粒子偵測的實施例。應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由發明者所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。此外，可見輻射及紅外線輻射可用於照明主光罩檢測系統。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
102．．．諸如主光罩或光罩護膜之物件之一部分
104．．．探測光束光點
106．．．探測光束之掃描方向
108．．．粒子
110．．．指定像素
112．．．單一大粒子
204．．．探測光束光點
220．．．物件
246．．．方向
248．．．方向
350．．．映像
352．．．經報告粒子
400．．．用於檢測主光罩420之表面的系統
420．．．主光罩
421．．．主光罩表面
454．．．檢測系統
456．．．照明源
458．．．相機系統
462．．．光學系統
464．．．感測器
467．．．電腦系統
470．．．傾斜角
472．．．線
476．．．粒子
500．．．用於檢測主光罩420及其關聯光罩護膜524之表面的系統
525．．．光罩護膜表面
555．．．檢測系統
557．．．照明源
560．．．相機系統
566．．．光學系統
568．．．感測器
569．．．電腦系統
571．．．傾斜角
574．．．線
578．．．粒子
620．．．主光罩
624．．．光罩護膜
656．．．照明源
657．．．照明源
720．．．主光罩
724．．．光罩護膜
756．．．圓形光源
757．．．圓形光源
820．．．主光罩
824．．．光罩護膜
856．．．正方形光源
857．．．正方形光源
920．．．主光罩
980．．．一維條碼
1020．．．主光罩
1080．．．二維條碼
1120．．．主光罩
1124．．．光罩護膜
1158．．．相機
1160．．．相機
1200．．．微影系統
1286．．．照明源
1288．．．圖案產生器
1290．．．投影系統
1292．．．基板平台
1294．．．主光罩檢測系統
1295．．．光罩護膜檢測系統
1296．．．電腦系統
1300．．．微影裝置
1300'．．．微影裝置
2400．．．電腦系統
2402．．．顯示介面
2404．．．處理器
2406．．．通信基礎結構
2408．．．主要記憶體
2410．．．次要記憶體
2412．．．硬碟驅動機
2414．．．抽換式儲存驅動機
2418．．．抽換式儲存單元
2420．．．介面
2422．．．抽換式儲存單元
2424．．．通信介面
2426．．．通信路徑/頻道
2428．．．信號
2430．．．顯示單元
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
圖1A至圖1C描繪粒子偵測之探測光束技術的實例；
圖2描繪使用探測光束技術來掃描表面的實例；
圖3描繪使用探測光束技術所發現之經報告粒子的映像；
圖4說明根據本發明之一實施例的用於檢測一物件之表面的系統；
圖5說明根據本發明之一實施例的用於檢測多個物件之表面的系統；
圖6A說明根據本發明之一實施例的可用於圖4及圖5所示之系統之四個照明源的使用；
圖6B說明根據本發明之一實施例的可用於圖4及圖5所示之系統之六個照明源的使用；
圖6C說明根據本發明之一實施例的可用於圖4及圖5所示之系統之八個照明源的使用；
圖7及圖8說明根據本發明之實施例的可用於圖4及圖5所示之系統之單一照明源的實例；
圖9描繪位於物件之表面上(例如，位於主光罩上)之一維條碼的實例；
圖10描繪位於物件之表面上(例如，位於主光罩上)之二維條碼的實例；
圖11描繪根據本發明之一實施例的立體(或視差)成像系統；
圖12說明根據本發明之一實施例的包括用於檢測物件(諸如主光罩及/或光罩護膜)之表面之系統的例示性微影系統；
圖13A及圖13B分別描繪可使用本發明之實施例的例示性反射微影裝置及透射微影裝置；
圖14描繪說明根據本發明之一實施例的用於檢測物件之表面之實例方法的流程圖；
圖15及圖16描繪根據本發明之實施例的圖14所示之方法的進一步選用之步驟；
圖17描繪說明根據本發明之一實施例的用於製造器件之實例方法的流程圖；
圖18及圖19描繪根據本發明之實施例的圖17所示之方法的進一步選用之步驟；
圖20描繪說明根據本發明之一實施例的用於製造器件之實例方法的流程圖；
圖21至圖23描繪根據本發明之實施例的圖20所示之方法的進一步選用之步驟；及
圖24描繪可用以實施本發明之特徵及實施例的實例電腦系統。
根據以上在結合圖式時所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相似參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，相似參考數字通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。元件第一次出現時之圖式係藉由對應參考數字中之最左邊數位進行指示。
400．．．用於檢測主光罩420之表面的系統
420．．．主光罩
421．．．主光罩表面
454．．．檢測系統
456．．．照明源
458．．．相機系統
462．．．光學系統
464．．．感測器
467．．．電腦系統
470．．．傾斜角
472．．．線
476．．．粒子

Claims (40)

  1. 一種用於檢測一物件(object)之一表面的系統，其包含：至少一照明源，用於提供一照明光束以照明該物件之該表面；一光學器件(optic)，其具有一數值孔徑，該數值孔徑對應於小於該物件的一厚度之1/5的一焦點深度(depth of focus)，該光學器件經組態以截取來自該經照明物件表面之經散射光且投影該物件表面之一所要區域之一實質上全場實際影像(full field real image)；一感測器，用於接收該經投影實際影像；及一電腦系統，經組態以分析該實際影像以偵測位於該物件表面上之固態(solid)粒子。
  2. 如請求項1之系統，其中該電腦系統耦接至該感測器，並儲存及分析該實際影像。
  3. 如請求項1之系統，其中該物件為一主光罩。
  4. 如請求項3之系統，其中該表面為該主光罩之一未經圖案化側。
  5. 如請求項1之系統，其中該物件為與一主光罩相關聯之一光罩護膜。
  6. 如請求項5之系統，其中該光罩護膜為一上部光罩護膜。
  7. 如請求項5之系統，其中該光罩護膜為一下部光罩護膜。
  8. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源包含一發光二極體(LED)、一閃爍發光二極體(LED)及一雷射二極體中之一或多者。
  9. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源包含環繞該物件之一周邊的一單一光源。
  10. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源包括兩個照明源。
  11. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源包括四個照明源。
  12. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源包括六個照明源。
  13. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源包括八個照明源。
  14. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源經組態成使得在一傾斜角下將該照明光束提供至該物件表面。
  15. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源經組態成使得將該照明光束提供作為正射光，且該感測器之置放係在相對於該物件表面之一傾斜角下。
  16. 如請求項1之系統，其中該光學器件包含一透鏡。
  17. 如請求項1之系統，其中該感測器為一線性感測器及一大區域感測器中之一者。
  18. 如請求項1之系統，其中該感測器為一電荷耦合器件(CCD)。
  19. 如請求項1之系統，其中該感測器為一CMOS感測器陣 列。
  20. 如請求項1之系統，其中該物件表面之該所要區域為該物件表面之一全場。
  21. 如請求項1之系統，其中該實際影像為一高解析度影像及一彩色影像中之至少一者。
  22. 如請求項1之系統，其中一超解析度影像係經由該實際影像之子像素處理而獲得。
  23. 如請求項1之系統，其中該光學器件及該感測器形成一相機，兩個或兩個以上相機經置放成自不同角度面向該物件表面，且自該兩個或兩個以上相機所獲得之該等實際影像允許該物件表面之視差成像。
  24. 如請求項1之系統，其中該至少一照明源、該光學器件及該感測器整合至一微影系統中以用於使該系統能夠執行一光罩護膜化主光罩之原位檢測。
  25. 如請求項24之系統，其進一步包含：一曝光源，該曝光源提供具有約193奈米之一波長的照明。
  26. 如請求項25之系統，其中該曝光源為一ArF準分子雷射。
  27. 一種微影系統，其包含：一粒子偵測系統具有：一第一照明源，用於提供一照明光束以照明一物件之一表面；一光學器件，其具有一數值孔徑，該數值孔徑對應 於小於該物件的一厚度之1/5的一焦點深度，該光學器件經組態以截取來自該經照明物件表面之經散射光且投影該物件表面之一所要區域之一實質上全場實際影像；及一感測器，用於接收該經投影實際影像，其中可在該實際影像中偵測位於該物件表面上之粒子；一第二照明源，經組態以提供一光束至該物件；一主光罩(reticle)，經組態以圖案化該光束；及一投影系統，經組態以將經圖案化光束自該物件投影至一基板上。
  28. 如請求項27之系統，其中該物件為該主光罩。
  29. 如請求項27之系統，其中該物件為與該主光罩相關聯之一光罩護膜。
  30. 如請求項27之系統，其中該實際影像包括一可偵測條碼。
  31. 如請求項27之系統，其中該實際影像可同時用於度量衡。
  32. 如請求項31之系統，其中該度量衡包括主光罩預對準。
  33. 如請求項31之系統，其中該度量衡包括光罩護膜尺寸判定。
  34. 一種器件製造方法，其包含：針對粒子而評估(assessing)一主光罩之一表面，其包括： 產生一第一照明光束；藉由該第一照明光束來照明該主光罩表面；利用一光學器件截取來自該經照明主光罩表面之經散射光，該光學器件具有一數值孔徑，該數值孔徑對應於小於該物件的一厚度之1/5的一焦點深度；將該主光罩表面之一所要區域之一實質上全場實際影像投影至一感測器上；及處理該實際影像以偵測位於該主光罩表面上之粒子；產生一第二照明光束；藉由該第二照明光束來照明該主光罩；自該主光罩產生該第二照明光束之一圖案；及將該經圖案化之第二照明光束投影至一基板之一目標部分上。
  35. 一種原位(in-situ)污染物偵測系統，其包含：具有一預定數值孔徑的一光學器件，該數值孔徑使焦點深度小於一經圖案化物件的一厚度之1/5，其中該光學器件配置於一微影系統中，並經組態以：接收來自經照明的該經圖案化物件的一表面之經散射光，以獲得在檢測下該表面的一二維影像，及投影該經照明的物件之該表面之一實質上全場實際影像；及一感測器，經組態以接收該經投影的實際影像，以用於檢測該經照明的物件之該表面上任何固態粒子的存 在。
  36. 如請求項35之系統，其中該物件係一主光罩。
  37. 如請求項35之系統，其中該表面係主光罩的一非經圖案化側。
  38. 如請求項35之系統，其中該物件係與一主光罩相關的一光罩護膜(pellicle)。
  39. 如請求項35之系統，其中一照明光束以一傾斜角度照射於該物件的該表面上。
  40. 如請求項35之系統，其中該光學器件及該感測器形成一相機，兩個或兩個以上相機經置放成自不同角度面向該物件的該表面，其中該物件的該表面上從該兩個或兩個以上相機獲得的實際影像藉由該兩個或兩個以上相機而視差(parallax)成像。
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