JP2013061239A - マスク表面粗さ測定方法及び測定装置 - Google Patents

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【課題】ブランクマスクの欠陥等に起因する測定値の誤り発生を招くこと無しに、ブランクマスクの所望領域の表面粗さを迅速に測定する。
【解決手段】露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定方法であって、ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系を用い、該マスク上の任意領域の暗視野像を取得する第1のステップと、任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定めておいたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定めておいた関係式とを用いて表面粗さを求める第2のステップと、任意領域の全ての点において第2のステップを繰り返し、得られた表面粗さを平均化する第3のステップと、第3のステップで得られた平均値を、任意領域の表面粗さとして出力する第4のステップと、を含む。
【選択図】 図1

Description

本発明の実施形態は、マスクの表面粗さを測定するためのマスク表面粗さ測定方法及び測定装置に関する。
極端紫外光(EUV光)を利用した反射型の露光用マスクでは、反射膜として多層膜と呼ばれる屈折率の異なる2種類の層を交互に積層し、各層からの反射光の位相を揃えることによって反射光強度を増大させている。このため、多層膜表面に表面粗さと呼ばれる凹凸がある場合、凹凸によって散乱光が発生し、散乱光強度の分だけ反射光の強度が低下する現象が発生する。さらに、マスク面内で均一に多層膜を形成することは非常に困難であるため、マスク面内にて表面粗さは通常均一ではなく分布を示す状態になる。従って、マスクが所望の性能を得るためには、パターン加工を施す前の状態であるブランクマスクの表面粗さ分布を測定し、得られた表面粗さがある範囲内に収まっているかを確認する必要がある。
表面粗さを測定する最も一般的な従来技術として、原子間力顕微鏡(AFM)を用いた手法があるが、この手法では、正確な測定が実施できる反面、膨大な測定時間を要し、ブランクマスク全面の測定を行うのは実質的に不可能である。
表面粗さを測定するその他の従来技術として、測定光を被測定物に照射し、被測定物によって発生する散乱光の強度を2つの異なる散乱角にて測定し、得られた2つの強度比を用いて表面粗さを算出する方法もある。しかし、この手法は、簡便である反面、被測定物に付着物や欠陥が存在した場合、散乱光の強度が変化するため表面粗さ測定値が誤ったものとなる問題点がある。
また、EUV光をブランクマスクに照射し、ブランクマスク表面によって発生する散乱光を用いる技術も知られている。さらに、上記手法などで取得した暗視野像にて、ある注目位置の信号強度を該注目位置の周辺領域の検出強度の平均で除算することによって正規化し、正規化された信号強度を用いて欠陥を検知することによって、検査光の変動に影響されずに欠陥検出を行う手法も提案されている。
特開平10−227626号公報 特開2000−68946号公報 特開2006−80437号公報
発明が解決しようとする課題は、ブランクマスクの欠陥等に起因する測定値の誤り発生を招くこと無しに、ブランクマスクの所望領域の表面粗さを迅速に測定することのできるマスク表面粗さ測定方法及び測定装置を提供することである。
実施形態は、露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定方法であって、前記ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系を用い、該マスク上の任意領域の暗視野像を取得する第1のステップと、前記任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定めておいたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定めておいた関係式とを用いて表面粗さを求める第2のステップと、前記任意領域の全ての点において前記第2のステップを繰り返し、得られた表面粗さを平均化する第3のステップと、前記第3のステップで得られた平均値を、前記任意領域の表面粗さとして出力する第4のステップと、を含むことを特徴とする。
第1の実施形態に用いた暗視野光学系の一例を示す概略構成図。 第1の実施形態に係わる表面粗さ測定方法を説明するためのフローチャート。 表面粗さ測定に供されるブランクマスクとその暗視野像を示す図。 暗視野像の測定から得られる表面粗さ分布を示す図。
以下、実施形態のマスク表面粗さ測定方法及び測定装置を、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係わる表面粗さ測定方法に使用した暗視野光学系の一例を示す概略構成図である。
図中101はEUV光を放出する光源である。この光源101から発せられたEUV光は、楕円鏡102で反射集束され、平面鏡103で反射されてブランクマスク104上に照射される。このブランクマスク104は、屈折率の異なる2種類の層を交互に積層した多層反射膜を有しており、X,Y,Z方向に移動可能なマスクステージ105上に載置されている。
ブランクマスク104によって散乱される光のうち放射角が任意角度未満の散乱光は、遮光部兼凸面鏡106の遮光部で遮蔽される。また、遮光部兼凸面鏡106とほぼ同じ高さ位置に、遮光部兼凸面鏡106よりも大きな開口を有する遮光部107が設けられている。この遮光部107は、放射角が第1の角度を超える散乱光を遮蔽すると共に、開口の径又は高さ位置を変更することにより、該第1の角度を変更することができるようになっている。
遮光部107で遮蔽されず、且つ遮光部兼凸面鏡106の遮光部で遮蔽されなかった散乱光は、凹面鏡108にて反射集光され、遮光部兼凸面鏡106の凸面鏡によりTDIカメラ109上に結像される。TDIカメラ109では、ブランクマスク104からの散乱光によるブランクマスク104上の像(暗視野像)が検出され、この検出信号はパーソナルコンピュータ110に取り込まれる。パーソナルコンピュータ110は、TDIカメラ109で得られた像強度から表面粗さを算出するようになっている。
なお、ブランクマスク104上の領域は、格子状に複数のブロックに分割され、各ブロック毎に測定がなされるようになっている。TDIカメラ109は、2次元配置された複数の画素を有するものであるが、これらの画素による検出範囲は1つのブロック領域よりも小さい範囲である。そこで、ブランクマスク104をX,Y方向に移動させることにより、ブロック領域の全体をカバーするようになっている。
次に、本実施形態に係わる表面粗さ測定方法を、図2のフローチャートを参照して説明する。
まず、図1の暗視野光学系を用い、所望のブランクマスク104をマスクステージ105上に載せる(ステップS1)。次いで、ブランクマスク104上の所望領域内の任意領域(ブロック)を選択し、マスクステージ105をX,Y方向に走査させながら、TDI(Time delay integration)手法を用いてTDlカメラ109にて暗視野像強度データD(x,y)を取得する(ステップS2)。
このときに取得される像を、図3に示す。図中の301は1本の走査によって取得される像の領域、302はTDIカメラ109の画角の幅、303は走査の方向、304は注目位置、305は周辺画素領域、306は3×3領域、307は所望領域である。なお、本実施形態ではブランクマスク上の所望領域307を格子状に複数のブロックに分割し、分割した各ブロック毎に以降の表面粗さ測定を行うものとする。
1本の走査によって取得される像の領域301は、TDIカメラ1090の画角の幅302を持ち、走査方向303に沿った領域となる。1本の走査では1つのブロックをカバーしきれないので、複数本の走査によって1つのブロックをカバーするものとする。注目位置(x,y)304を中心とした7×7以上9×9以内の周辺画素領域305の強度の平均値を算出することによって、注目位置304の周辺領域の強度S(x,y)を得る(ステップS3)。
ここで、7×7領域は、結像光学系の解像力やTDIカメラ109の電子拡散などに起因する信号の拡がりより十分大きい領域として決定する。
注目位置304における像強度D(x,y)が予め定めておいたしきい値より低いか否かを判定し(ステップS4)、低い場合はS(x,y)と後述する関係式を用いて表面粗さσ(x,y)を算出する(ステップS5)。該しきい値は、7×7領域外に信号が拡がるような欠陥を排除するように、そのような欠陥信号強度の最小値より低く設定する。像強度D(x,y)が予め定めておいたしきい値より高い場合は、S5の算出は行わない。
ここで、7×7領域外に信号が拡がるような大きな欠陥が存在すると、上記のような周辺領域の強度S(x,y)に基づいて表面粗さσ(x,y)を算出した場合、測定値が大きく変化するが、本実施形態ではS4のしきい値判定により、大きな欠陥部分では測定を行わないようにしている。つまり、大きな欠陥を除いた表面粗さの測定を行うようにしている。
また、結像光学系の解像力やTDIカメラ109の電子拡散などに起因する信号の拡がりがTD1カメラ109の1画素よりも大きく、例えば3×3領域306に及ぶ場合、D(x,y)の代わりとして、注目位置(x,y)を中心とする3×3領域内で{D(x,y)−S(x,y)}の総和を求めた値を用いることも可能である。
次いで、ブロック内の全ての点において表面粗さの測定を行ったか否かを判定し(ステップS6)、行っていない場合は、S3に戻る。これにより、ブロック内の全ての点においてS3からS5の工程を行う。
S6で1つのブロック内の全ての点において表面粗さの測定を行ったと判定された場合、ブロック内の各点において得られた表面粗さを平均化し、この平均値をブロックの表面粗さとする(ステップS7)。
次いで、所望領域内の全てのブロックを走査したか否かを判定し(ステップS8)、走査していない場合はS2に戻る。これにより、所望領域内307の全てのブロックを網羅するように走査し、所望領城内307の全ての点においてS2からS7の工程を行う。
そして、S8で所望領域内の全てのブロックを走査したと判定された場合は、表面粗さ分布を出力する(ステップS8)。即ち、図4に示すように、所望領域307を格子状のブロックに分割し、各ブロックに含まれる全ての表面粗さ測定値を平均化することにより各ブロックの平均表面粗さを算出し、該平均表面粗さをプロットすることによって得られる表面粗さ分布(図4の401)を出力し、測定を終了する。
周辺領域の強度S(x,y)から表面粗さσ(x,y)を算出するための関係式は、以下のように決定する。
表面粗さのPSD(Power Spectral Density)が、角度方向の依存性がなく空間周波数fの2乗に反比例すると仮定すると、定数Aを用いてPSDは以下のように表すことができる。
Figure 2013061239
一方、表面粗さから発生する散乱光強度Sは、PSDを用いて以下のように表される。
Figure 2013061239
ここで、λは検査光の波長、fとfはそれぞれ凹面鏡108で集光される散乱光の最大散乱角、最小散乱角に対応する空間周波数、rは反射率を示す。(2)式(1)式を代入し、Sに周辺領域の強度S(x,y)を代入することによって、以下の関係式が得られる。
Figure 2013061239
(3)式を用いてS(x,y)からAを算出する。
一方、表面粗さσの二乗はPSDを用いて以下のように表される。
Figure 2013061239
ここで、fmax,fmin は表面粗さを算出するための空間周波数の最大値と最小値を示しており、通常は露光装置にて結像されるブランクマスク上の空間周波数を含むように決定される。σにσ(x,y)を代入し、(4)式に(1)式を代入することにより、以下の関係式が得られる。
Figure 2013061239
そして、(3)式で得られたAを(5)式に代入し、σ(x,y)を算出する。
このように本実施形態では、測定対象の暗視野像を取得し、ある注目位置の像強度が予め定めておいたしきい値より低い場合、予め定めておいた関係式を用いて表面粗さを測定する。そして、得られた表面粗さをブロック毎に平均化することにより、欠陥領域を取り除いた表面粗さ分布を測定する。これにより、ブランクマスクの所望領域のうち欠陥部分を取り除いた領域の表面粗さを迅速に測定することができる。
そしてこの場合、AFMを用いた手法とは異なり、膨大な測定時間を要することもなく、ブランクマスク全面の測定を行うことが可能である。しかも、注目位置304における像強度D(x,y)と予め定めておいたしきい値とを比較判定することにより、ブランクマスクに付着物や多層膜の乱れなどによる欠陥が存在した場合であっても、表面粗さ測定値に大きな誤差が生じるのを未然に防止することができる。
また本実施形態では、暗視野像の検出により欠陥を検査する欠陥検査装置と同じ光学系を用い、更に欠陥検出の際に検出した信号をそのまま表面粗さ測定に利用することができる。このため、暗視野像による欠陥検査と併用する場合に極めて有効である。
(第2の実施形態)
第1の実施形態にて記述した(1)式の代わりとして、定数Bを用いて、以下の式を用いることも可能である。
Figure 2013061239
(1)式と(6)式は、実際のPSDに対して誤差の少ない方を選択する。(2)式に(6)式を代入することにより(7)式が得られ、(4)式に(6)式を代入することにより(8)式が得られる。
Figure 2013061239
第1の実施形態にて用いた(3)式と(5)式の代わりに、(7)式と(8)式を用いて、表面粗さσ(x,y)を算出する。その他の工程は、第1の実施形態と同様である。
このような方法であっても、先に説明した第1の実施形態と同様の効果が得られる。特に本実施形態では、実際のPSDに対して(1)式に比べて(6)式の方が誤差が少なく表せる場合、第1の実施形態に比べて正確に表面粗さを測定することが可能となる。
(変形例)
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
実施形態では、EUV露光用マスクの製造に用いるブランクマスクの例を説明したが、必ずしもEUV露光用マスクに限らず反射型マスクであれば適用可能である。暗視野像を得るための光学系は前記図1に何ら限定されるものではなく、ブランクマスクに任意波長の光を入射させて暗視野像を取得できるものであれば良く、仕様に応じて適宜変更可能である。
また、暗視野像を得るためのセンサはTDIカメラに限るものではなく、2次元配置された複数の画素を有するものであればよい。さらに、実施形態では、周辺領域の範囲は7×7以上9×9以内としたが、必ずしもこれに限らず適宜変更可能である。
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
101…光源
102…楕円鏡
103…平面鏡
104…ブランクマスク
105…マスクステージ
160…遮光部兼凸面鏡
107…遮光部
108…凹面鏡
109…TDIカメラ
110…パーソナルコンピュータ
301…1本の走査によって取得される像の領域
302…TDIカメラ109の画角の幅
303…走査の方向
304…注目位置
305…周辺領域
306…3×3領域
307…所望領域
401…表面粗さ分布

Claims (6)

  1. 露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定方法であって、
    前記ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系を用い、該マスク上の任意領域の暗視野像を取得する第1のステップと、
    前記任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定めておいたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定めておいた関係式とを用いて表面粗さを求める第2のステップと、
    前記任意領域の全ての点において前記第2のステップを繰り返し、得られた表面粗さを平均化する第3のステップと、
    前記第3のステップで得られた平均値を、前記任意領域の表面粗さとして出力する第4のステップと、
    を含むことを特徴とする、マスク表面粗さ測定方法。
  2. 前記任意領域は、前記ブランクマスク上の領域を格子状に分割した複数のブロックのうちの1つのブロックであり、
    前記第1〜第4のステップを各ブロック毎に繰り返し、前記ブランクマスク表面の表面粗さ分布を求めることを特徴とする、請求項1記載のマスク表面粗さ測定方法。
  3. 前記ブランクマスクは、多層反射膜を有する反射型の露光用マスクの作製に用いるものであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のマスク表面粗さ測定方法。
  4. 前記第1のステップでは、前記光学系として、前記任意領域よりも小さい範囲を2次元配置された複数の画素で検出する2次元センサを用い、前記ブランクマスクを2次元的に移動することにより、前記任意領域の全体の暗視野像を取得することを特徴とすることを特徴とする、請求項1乃至3の何れかに記載のマスク表面粗さ測定方法。
  5. 露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定装置であって、
    前記ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系と、
    前記光学系を用いて、前記ブランクマスク上の任意領域の暗視野像を取得する暗視野像取得手段と、
    前記任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定められたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定められた関係式とを用いて表面粗さを求める第1の演算手段と、
    前記任意領域の全ての点において前記第1の演算手段による演算を繰り返し、得られた複数の表面粗さを平均化する第2の演算手段と、
    前記第2の演算手段で得られた平均値を、前記任意領域の表面粗さとして出力する出力手段と、
    を具備したことを特徴とする、マスク表面粗さ測定装置。
  6. 前記任意領域は、前記ブランクマスク上の領域を格子状に分割した複数のブロックのうちの1つのブロックであり、
    前記各ブロック毎に前記各手段による動作を繰り返し、前記ブランクマスク表面の表面粗さ分布を求める表面粗さ分布測定手段を更に有することを特徴とする、請求項5記載のマスク表面粗さ測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015145887A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク、並びにそれらの製造方法
KR20230103925A (ko) * 2021-12-31 2023-07-07 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0886634A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Nissan Motor Co Ltd 表面欠陥検査装置
JPH0886633A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Nissan Motor Co Ltd 表面欠陥検査装置
JPH08247958A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Nec Corp 外観検査装置
JPH10170247A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Fukushima Pref Gov 非接触表面粗さ測定方法およびその測定装置
JPH10227626A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光学式表面粗さ計測装置
JP2000068946A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Hitachi Ltd 光送信器
JP2006080437A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Intel Corp マスク・ブランクス検査方法及びマスク・ブランク検査ツール
JP2007501944A (ja) * 2003-05-19 2007-02-01 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 対象となる信号およびノイズ間のロバストな分離を可能にする装置および方法
JP2009014346A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Hitachi High-Technologies Corp ウェハの表面検査方法及びウェハ表面検査装置
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Euvマスクブランクス用基板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0886634A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Nissan Motor Co Ltd 表面欠陥検査装置
JPH0886633A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Nissan Motor Co Ltd 表面欠陥検査装置
JPH08247958A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Nec Corp 外観検査装置
JPH10170247A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Fukushima Pref Gov 非接触表面粗さ測定方法およびその測定装置
JPH10227626A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光学式表面粗さ計測装置
JP2000068946A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Hitachi Ltd 光送信器
JP2007501944A (ja) * 2003-05-19 2007-02-01 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 対象となる信号およびノイズ間のロバストな分離を可能にする装置および方法
JP2006080437A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Intel Corp マスク・ブランクス検査方法及びマスク・ブランク検査ツール
JP2009014346A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Hitachi High-Technologies Corp ウェハの表面検査方法及びウェハ表面検査装置
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Euvマスクブランクス用基板

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015145887A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク、並びにそれらの製造方法
JP2015184622A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク、並びにそれらの製造方法
TWI579641B (zh) * 2014-03-26 2017-04-21 Hoya股份有限公司 遮罩基底用基板、遮罩基底及轉印用遮罩及該等之製造方法
KR101758837B1 (ko) * 2014-03-26 2017-07-17 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크, 그리고 그들의 제조방법
KR20170085602A (ko) * 2014-03-26 2017-07-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크
US9778209B2 (en) 2014-03-26 2017-10-03 Hoya Corporation Substrate for mask blanks, mask blank, transfer mask, and method of manufacturing them
KR101929849B1 (ko) 2014-03-26 2018-12-17 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크
KR20230103925A (ko) * 2021-12-31 2023-07-07 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102660636B1 (ko) 2021-12-31 2024-04-25 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

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